微電子專業(yè)英語詞匯

1、微電子專業(yè)英語詞匯Abrupt junction 突變結(jié) Accelerated testing 加速實驗Acceptor 受主Acceptor atom 受主原子 Accumulation 積累、堆積 Accumulating contact 積累接觸Accumulation region 積累區(qū) Accumulation layer 積累層Active region 有源區(qū) Active component 有源元Active device 有源器件 Activation 激活A(yù)ctivation energy 激活能 Active region 有源（放大）區(qū)Admittance 導(dǎo)納

2、Allowed band 允帶Alloy-junction device合金結(jié)器件 Aluminum(Aluminum) 鋁Aluminum oxide 鋁氧化物 Aluminum passivation 鋁鈍化Ambipolar 雙極的 Ambient temperature 環(huán)境溫度Amorphous 無定形的，非晶體的 Amplifier 功放 擴音器 放大器Analogue(Analog) comparator 模擬比較器 Angstrom 埃 Anneal 退火 Anisotropic 各向異性的Anode 陽極 Arsenic (AS) 砷Auger 俄歇 Auger proces

3、s 俄歇過程 Avalanche 雪崩 Avalanche breakdown 雪崩擊穿Avalanche excitation雪崩激發(fā) Background carrier 本底載流子 Background doping 本底摻雜 Backward 反向 Backward bias 反向偏置 Ballasting resistor 整流電阻Ball bond 球形鍵合Band 能帶 Band gap 能帶間隙 Barrier 勢壘 Barrier layer 勢壘層Barrier width 勢壘寬度 Base 基極Base contact 基區(qū)接觸Base stretching 基區(qū)擴展效

4、應(yīng) Base transit time 基區(qū)渡越時間Base transport efficiency基區(qū)輸運系數(shù) Base-width modulation基區(qū)寬度調(diào)制Basis vector 基矢Bias 偏置 Bilateral switch 雙向開關(guān)Binary code 二進制代碼Binary compound semiconductor 二元化合物半導(dǎo)體Bipolar 雙極性的 Bipolar Junction Transistor (BJT)雙極晶體管 Bloch 布洛赫 Blocking band 阻擋能帶Blocking contact 阻擋接觸 Body - centere

5、d 體心立方Body-centered cubic structure 體立心結(jié)構(gòu) Boltzmann 波爾茲漫Bond 鍵、鍵合 Bonding electron 價電子Bonding pad 鍵合點 Bootstrap circuit 自舉電路Bootstrapped emitter follower 自舉發(fā)射跟隨器Boron 硼B(yǎng)orosilicate glass 硼硅酸玻璃 Boundary condition 邊界條件Bound electron 束縛電子 Breadboard 模擬板、實驗板 Break down 擊穿 Break over 轉(zhuǎn)折 Brillouin 布里淵 Bri

6、llouin zone 布里淵區(qū) Built-in 內(nèi)建的 Build-in electric field 內(nèi)建電場Bulk 體/體內(nèi) Bulk absorption 體吸收 Bulk generation 體產(chǎn)生 Bulk recombination 體復(fù)合Burn - in 老化 Burn out 燒毀 Buried channel 埋溝 Buried diffusion region 隱埋擴散區(qū)Can 外殼 Capacitance 電容Capture cross section 俘獲截面Capture carrier 俘獲載流子Carrier 載流子、載波 Carry bit 進位Car

7、ry-in bit 進位輸入 Carry-out bit 進位輸出Cascade 級聯(lián) Case 管殼Cathode 陰極 Center 中心Ceramic 陶瓷（的） Channel 溝道Channel breakdown 溝道擊穿 Channel current 溝道電流Channel doping 溝道摻雜 Channel shortening 溝道縮短Channel width 溝道寬度 Characteristic impedance 特征阻抗 Charge 電荷、充電Charge-compensation effects 電荷補償效應(yīng)Charge conservation 電荷守恒

8、 Charge neutrality condition 電中性條件 Charge drive/exchange/sharing/transfer/storage 電荷驅(qū)動/交換/共享/轉(zhuǎn)移/存儲 Chemical etching 化學(xué)腐蝕法Chemically-Polish 化學(xué)拋光Chemically-Mechanically Polish (CMP) 化學(xué)機械拋光 Chip 芯片Chip yield 芯片成品率 Clamped 箝位Clamping diode 箝位二極管 Cleavage plane 解理面Clock rate 時鐘頻率 Clock generator 時鐘發(fā)生器Clo

9、ck flip-flop 時鐘觸發(fā)器Close-packed structure 密堆積結(jié)構(gòu) Close-loop gain 閉環(huán)增益 Collector 集電極Collision 碰撞 Compensated OP-AMP 補償運放Common-base/collector/emitter connection 共基極/集電極/發(fā)射極連接Common-gate/drain/source connection 共柵/漏/源連接Common-mode gain 共模增益Common-mode input 共模輸入Common-mode rejection ratio (CMRR) 共模抑制比Co

10、mpatibility 兼容性 Compensation 補償Compensated impurities 補償雜質(zhì)Compensated semiconductor 補償半導(dǎo)體Complementary Darlington circuit 互補達(dá)林頓電路Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor(CMOS)補金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管Complementary error function 余誤差函數(shù)Computer-aided design (CAD)/test(CAT)/manufacture(CAM

11、) 計算機輔助設(shè)計/ 測試 /制造Compound Semiconductor 化合物半導(dǎo)體 Conductance 電導(dǎo)Conduction band (edge) 導(dǎo)帶(底)Conduction level/state 導(dǎo)帶態(tài)Conductor 導(dǎo)體 Conductivity 電導(dǎo)率Configuration 組態(tài) Coulomb 庫侖Coupled Configuration Devices 結(jié)構(gòu)組態(tài) Constants 物理常數(shù)Constant energy surface 等能面Constant-source diffusion恒定源擴散Contact 接觸 Contaminatio

12、n 治污Continuity equation 連續(xù)性方程Contact hole 接觸孔Contact potential 接觸電勢 Continuity condition 連續(xù)性條件Contra doping 反摻雜 Controlled 受控的Converter 轉(zhuǎn)換器 Conveyer 傳輸器Copper interconnection system 銅互連系統(tǒng)Coupling 耦合Covalent 共階的 Crossover 跨交Critical 臨界的 Crossunder 穿交 Crucible坩堝 Crystal defect/face/orientation/lattice

13、 晶體缺陷/晶面/晶向/晶格Current density 電流密度 Curvature 曲率Cut off 截止 Current drift/drive/sharing 電流漂移/驅(qū)動/共享 Current Sense 電流取樣 Curvature 彎曲Custom integrated circuit 定制集成電路 Cylindrical 柱面的Czochralshicrystal 直立單晶Czochralski technique 切克勞斯基技術(shù)Cz法直拉晶體J） Dangling bonds 懸掛鍵 Dark current 暗電流Dead time 空載時間 Debye length

14、 德拜長度De.broglie 德布羅意 Decelerate 減速 Decibel (dB) 分貝 Decode 譯碼Deep acceptor level 深受主能級 Deep donor level 深施主能級Deep impurity level 深度雜質(zhì)能級Deep trap 深陷阱Defeat 缺陷Degenerate semiconductor 簡并半導(dǎo)體Degeneracy 簡并度Degradation 退化 Degree Celsius(centigrade) /Kelvin 攝氏/開氏溫度 Delay 延遲 Density 密度Density of states 態(tài)密度 D

15、epletion 耗盡Depletion approximation 耗盡近似Depletion contact 耗盡接觸Depletion depth 耗盡深度 Depletion effect 耗盡效應(yīng)Depletion layer 耗盡層 Depletion MOS 耗盡MOS Depletion region 耗盡區(qū) Deposited film 淀積薄膜Deposition process 淀積工藝 Design rules 設(shè)計規(guī)則Die 芯片（復(fù)數(shù)dice） Diode 二極管Dielectric 電介質(zhì)，絕緣體 Dielectric isolation 介質(zhì)隔離Differen

16、ce-mode input 差模輸入Differential amplifier 差分放大器 Differential capacitance 微分電容Diffused junction 擴散結(jié)Diffusion 擴散 Diffusion coefficient 擴散系數(shù) Diffusion constant 擴散常數(shù)Diffusivity 擴散率Diffusion capacitance/barrier/current/furnace 擴散電容/勢壘/電流/爐Digital circuit 數(shù)字電路 Dipole domain 偶極疇Dipole layer 偶極層 Direct-coupl

17、ing 直接耦合 Direct-gap semiconductor 直接帶隙半導(dǎo)體 Direct transition 直接躍遷 Discharge 放電 Discrete component 分立元件 Dissipation 耗散 Distribution 分布Distributed capacitance 分布電容Distributed model 分布模型Displacement 位移 Dislocation 位錯Domain 疇 Donor 施主Donor exhaustion 施主耗盡 Dopant 摻雜劑Doped semiconductor 摻雜半導(dǎo)體Doping concent

18、ration 摻雜濃度Double-diffusive MOS(DMOS)雙擴散MOS.Drift 漂移 Drift field 漂移電場Drift mobility 遷移率 Dry etching 干法腐蝕 Dry/wet oxidation 干/濕法氧化 Dose 劑量Duty cycle 工作周期 Dual-in-line package （DIP） 雙列直插式封裝Dynamics 動態(tài) Dynamic characteristics 動態(tài)屬性Dynamic impedance 動態(tài)阻抗 Early effect 厄利效應(yīng) Early failure 早期失效 Effective mas

19、s 有效質(zhì)量 Einstein relation(ship) 愛因斯坦關(guān)系Electric Erase Programmable Read Only Memory(E2PROM) 一次性電可擦除只讀存儲器 Electrode 電極 Electro migrate 電遷移Electron affinity 電子親和勢Electronic -grade 電子能Electron-beam photo-resist exposure 光致抗蝕劑的電子束曝光Electron gas 電子氣 Electron-grade water 電子級純水Electron trapping center 電子俘獲中心

20、Electron Volt (eV) 電子伏Electrostatic 靜電的 Element 元素/元件/配件Elemental semiconductor 元素半導(dǎo)體Ellipse 橢圓Ellipsoid 橢球 Emitter 發(fā)射極Emitter-coupled logic 發(fā)射極耦合邏輯Emitter-coupled pair 發(fā)射極耦合對Emitter follower 射隨器 Empty band 空帶Emitter crowding effect 發(fā)射極集邊（擁擠）效應(yīng)Endurance test =life test 壽命測試Energy state 能態(tài)Energy mome

21、ntum diagram 能量-動量(E-K)圖 Enhancement mode 增強型模式Enhancement MOS 增強性MOSEnteric (低)共熔的Environmental test 環(huán)境測試 Epitaxial 外延的Epitaxial layer 外延層 Epitaxial slice 外延片Epitaxy 外延 Equivalent circuit 等效電路Equilibrium majority /minority carriers 平衡多數(shù)/少數(shù)載流子Erasable Programmable ROM (EPROM)可搽取（編程）存儲器Error function

22、 complement 余誤差函數(shù)Etch 刻蝕 Etchant 刻蝕劑Etching mask 抗蝕劑掩模 Excess carrier 過剩載流子Excitation energy 激發(fā)能 Excited state 激發(fā)態(tài)Exciton 激子 Extrapolation 外推法Extrinsic 非本征的 Extrinsic semiconductor 雜質(zhì)半導(dǎo)體 Face - centered 面心立方 Fall time 下降時間Fan-in 扇入 Fan-out 扇出 Fast recovery 快恢復(fù) Fast surface states 快界面態(tài)Feedback 反饋 Fer

23、mi level 費米能級Fermi-Dirac Distribution 費米-狄拉克分布 Femi potential 費米勢Fick equation 菲克方程（擴散） Field effect transistor 場效應(yīng)晶體管 Field oxide 場氧化層 Filled band 滿帶Film 薄膜 Flash memory 閃爍存儲器Flat band 平帶 Flat pack 扁平封裝Flicker noise 閃爍（變）噪聲 Flip-flop toggle 觸發(fā)器翻轉(zhuǎn) Floating gate 浮柵 Fluoride etch 氟化氫刻蝕Forbidden band 禁

24、帶 Forward bias 正向偏置Forward blocking /conducting正向阻斷/導(dǎo)通Frequency deviation noise頻率漂移噪聲Frequency response 頻率響應(yīng)Function 函數(shù) Gain 增益 Gallium-Arsenide(GaAs) 砷化鉀Gamy ray r 射線 Gate 門、柵、控制極Gate oxide 柵氧化層 Gauss（ian） 高斯Gaussian distribution profile 高斯摻雜分布Generation-recombination 產(chǎn)生-復(fù)合Geometries 幾何尺寸 Germanium

25、(Ge) 鍺Graded 緩變的 Graded (gradual) channel 緩變溝道Graded junction 緩變結(jié) Grain 晶粒Gradient 梯度 Grown junction 生長結(jié)Guard ring 保護環(huán) Gummel-Poom model 葛謀-潘 模型Gunn - effect 狄氏效應(yīng) Hardened device 輻射加固器件 Heat of formation 形成熱Heat sink 散熱器、熱沉 Heavy/light hole band 重/輕 空穴帶Heavy saturation 重?fù)诫s Hell - effect 霍爾效應(yīng)Heteroju

26、nction 異質(zhì)結(jié) Heterojunction structure 異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)Heterojunction Bipolar Transistor（HBT）異質(zhì)結(jié)雙極型晶體 High field property 高場特性High-performance MOS.( H-MOS)高性能MOS. Normalized 歸一化Horizontal epitaxial reactor 臥式外延反應(yīng)器 Hot carrion 熱載流子 Hybrid integration 混合集成 Image - force 鏡象力 Impact ionization 碰撞電離Impedance 阻抗 Imperf

27、ect structure 不完整結(jié)構(gòu)Implantation dose 注入劑量 Implanted ion 注入離子Impurity 雜質(zhì) Impurity scattering 雜志散射Incremental resistance 電阻增量（微分電阻）In-contact mask 接觸式掩模Indium tin oxide (ITO) 銦錫氧化物Induced channel 感應(yīng)溝道Infrared 紅外的 Injection 注入Input offset voltage 輸入失調(diào)電壓Insulator 絕緣體Insulated Gate FET(IGFET)絕緣柵FETIntegr

28、ated injection logic集成注入邏輯Integration 集成、積分 Interconnection 互連Interconnection time delay 互連延時Interdigitated structure 交互式結(jié)構(gòu)Interface 界面 Interference 干涉International system of unions國際單位制 Internally scattering 谷間散射 Interpolation 內(nèi)插法 Intrinsic 本征的Intrinsic semiconductor 本征半導(dǎo)體Inverse operation 反向工作Inve

29、rsion 反型 Inverter 倒相器Ion 離子 Ion beam 離子束Ion etching 離子刻蝕 Ion implantation 離子注入Ionization 電離 Ionization energy 電離能Irradiation 輻照 Isolation land 隔離島Isotropic 各向同性 Junction FET(JFET) 結(jié)型場效應(yīng)管Junction isolation 結(jié)隔離Junction spacing 結(jié)間距 Junction side-wall 結(jié)側(cè)壁 Latch up 閉鎖 Lateral 橫向的Lattice 晶格 Layout 版圖 Latt

30、ice binding/cell/constant/defect/distortion 晶格結(jié)合力/晶胞/晶格/晶格常熟/晶格缺陷/晶格畸變Leakage current （泄）漏電流 Level shifting 電平移動Life time 壽命 linearity 線性度Linked bond 共價鍵 Liquid Nitrogen 液氮Liquidphase epitaxial growth technique 液相外延生長技術(shù)Lithography 光刻 Light Emitting Diode(LED) 發(fā)光二極管Load line or Variable 負(fù)載線 Locating

31、and Wiring 布局布線Longitudinal 縱向的 Logic swing 邏輯擺幅Lorentz 洛淪茲 Lumped model 集總模型 Majority carrier 多數(shù)載流子 Mask 掩膜板，光刻板Mask level 掩模序號 Mask set 掩模組 Mass - action law質(zhì)量守恒定律Master-slave D flip-flop主從D觸發(fā)器Matching 匹配 Maxwell 麥克斯韋Mean free path 平均自由程Meandered emitter junction梳狀發(fā)射極結(jié) Mean time before failure (MT

32、BF) 平均工作時間 Megeto- resistance 磁阻 Mesa 臺面MESFET-Metal Semiconductor金屬半導(dǎo)體FETMetallization 金屬化 Microelectronic technique 微電子技術(shù)Microelectronics 微電子學(xué) Millen indices 密勒指數(shù)Minority carrier 少數(shù)載流子 Misfit 失配Mismatching 失配 Mobile ions 可動離子Mobility 遷移率 Module 模塊Modulate 調(diào)制 Molecular crystal分子晶體Monolithic IC 單片IC

33、 MOSFET金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管Mos. Transistor (MOST) MOS. 晶體管Multiplication 倍增Modulator 調(diào)制 Multi-chip IC 多芯片IC Multi-chip module(MCM) 多芯片模塊Multiplication coefficient倍增因子 Naked chip 未封裝的芯片（裸片）Negative feedback 負(fù)反饋Negative resistance 負(fù)阻 Nesting 套刻Negative-temperature-coefficient 負(fù)溫度系數(shù) Noise margin 噪聲容限Nonequil

34、ibrium 非平衡 Nonvolatile 非揮發(fā)（易失）性Normally off/on 常閉/開 Numerical analysis 數(shù)值分析 Occupied band 滿帶 Efficiency 功率Offset 偏移、失調(diào) On standby 待命狀態(tài)Ohmic contact 歐姆接觸 Open circuit 開路Operating point 工作點 Operating bias 工作偏置Operational amplifier (OPAMP)運算放大器Optical photon =photon 光子 Optical quenching光猝滅Optical trans

35、ition 光躍遷Optical-coupled isolator光耦合隔離器 Organic semiconductor有機半導(dǎo)體Orientation 晶向、定向Outline 外形 Out-of-contact mask非接觸式掩模Output characteristic 輸出特性 Output voltage swing 輸出電壓擺幅Overcompensation 過補償Over-current protection 過流保護Over shoot 過沖 Over-voltage protection 過壓保護Overlap 交迭 Overload 過載Oscillator 振蕩器

36、Oxide 氧化物Oxidation 氧化 Oxide passivation 氧化層鈍化Package 封裝 Pad 壓焊點Parameter 參數(shù) Parasitic effect 寄生效應(yīng)Parasitic oscillation 寄生振蕩Passivation 鈍化Passive component 無源元件 Passive device 無源器件Passive surface 鈍化界面 Parasitic transistor 寄生晶體管Peak-point voltage 峰點電壓 Peak voltage 峰值電壓Permanent-storage circuit 永久存儲電路

37、Period 周期Periodic table 周期表 Permeable - base 可滲透基區(qū)Phase-lock loop 鎖相環(huán) Phase drift 相移Phonon spectra 聲子譜Photo conduction 光電導(dǎo) Photo diode 光電二極管Photoelectric cell 光電池Photoelectric effect 光電效應(yīng)Photonic devices 光子器件Photolithographic process 光刻工藝(photo) resist （光敏）抗腐蝕劑 Pin 管腳Pinch off 夾斷 Pinning of Fermi le

38、vel 費米能級的釘扎（效應(yīng)）Planar process 平面工藝 Planar transistor 平面晶體管Plasma 等離子體 Piezoelectric effect 壓電效應(yīng)Poisson equation 泊松方程 Point contact 點接觸Polarity 極性 Polycrystal 多晶Polymer semiconductor聚合物半導(dǎo)體Poly-silicon 多晶硅Potential (電)勢 Potential barrier 勢壘Potential well 勢阱 Power dissipation 功耗Power transistor 功率晶體管Pr

39、eamplifier 前置放大器Primary flat 主平面 Principal axes 主軸Print-circuit board(PCB) 印制電路板Probability 幾率Probe 探針 Process 工藝Propagation delay 傳輸延時Pseudo potential method 膺勢發(fā)Punch through 穿通 Pulse triggering/modulating 脈沖觸發(fā)/調(diào)制PulseWiden Modulator(PWM) 脈沖寬度調(diào)制 Punch through 穿通 Push-pull stage 推挽級 Quality factor 品

40、質(zhì)因子 Quantization 量子化 Quantum 量子 Quantum efficiency量子效應(yīng)Quantum mechanics 量子力學(xué) Quasi? Fermilevel準(zhǔn)費米能級Quartz 石英 Radiation conductivity 輻射電導(dǎo)率 Radiation damage 輻射損傷Radiation flux density 輻射通量密度 Radiation hardening 輻射加固Radiation protection 輻射保護 Radioactive - recombination輻照復(fù)合 Radioactive 放射性 Reach through

41、 穿通Reactive sputtering source 反應(yīng)濺射源Read diode 里德二極管Recombination 復(fù)合 Recovery diode 恢復(fù)二極管Reciprocal lattice 倒核子 Recovery time 恢復(fù)時間Rectifier 整流器（管） Rectifying contact 整流接觸Reference 基準(zhǔn)點 基準(zhǔn) 參考點Refractive index 折射率Register 寄存器 Registration 對準(zhǔn)Regulate 控制 調(diào)整 Relaxation lifetim馳豫時間Reliability 可靠性 Resonance

42、諧振Resistance 電阻 Resistor 電阻器Resistivity 電阻率 Regulator 穩(wěn)壓管（器）Relaxation 馳豫 Resonant frequency共射頻率Response time 響應(yīng)時間 Reverse 反向的Reverse bias 反向偏置 Sampling circuit 取樣電路 Sapphire 藍(lán)寶石（Al2O3）Satellite valley 衛(wèi)星谷 Saturated current range電流飽和區(qū) Saturation region 飽和區(qū) Saturation 飽和的Scaled down 按比例縮小 Scattering

43、散射Schockley diode 肖克萊二極管 Schottky 肖特基Schottky barrier 肖特基勢壘 Schottky contact 肖特基接觸Schrodingen 薛定諤Scribing grid 劃片格Secondary flat 次平面Seed crystal 籽晶 Segregation 分凝 Selectivity 選擇性 Self aligned 自對準(zhǔn)的 Self diffusion 自擴散 Semiconductor 半導(dǎo)體Semiconductor-controlled rectifier 可控硅 Sensitivity 靈敏度Serial 串行/串聯(lián)

44、Series inductance 串聯(lián)電感 Settle time 建立時間 Sheet resistance 薄層電阻Shield 屏蔽 Short circuit 短路Shot noise 散粒噪聲 Shunt 分流 Sidewall capacitance 邊墻電容 Signal 信號Silica glass 石英玻璃 Silicon 硅Silicon carbide 碳化硅 Silicon dioxide (SiO2) 二氧化硅Silicon Nitride(Si3N4) 氮化硅 Silicon On Insulator 絕緣硅 Silver whiskers 銀須 Simple c

45、ubic 簡立方Single crystal 單晶 Sink 沉Skin effect 趨膚效應(yīng) Snap time 急變時間 Sneak path 潛行通路 Sulethreshold 亞閾的Solar battery/cell 太陽能電池 Solid circuit 固體電路Solid Solubility 固溶度 Son band 子帶Source 源極 Source follower 源隨器 Space charge 空間電荷 Specific heat(PT) 熱Speed-power product 速度功耗乘積Spherical 球面的Spin 自旋 Split 分裂 Spont

46、aneous emission 自發(fā)發(fā)射Spreading resistance擴展電阻Sputter 濺射 Stacking fault 層錯Static characteristic 靜態(tài)特性Stimulated emission 受激發(fā)射 Stimulated recombination 受激復(fù)合Storage time 存儲時間 Stress 應(yīng)力 Straggle 偏差Sublimation 升華 Substrate 襯底Substitutional替位式的 Super lattice 超晶格Supply 電源 Surface 表面Surge capacity 浪涌能力 Subscript 下標(biāo) Switching time 開關(guān)時間 Switch 開關(guān) Tailing 擴展 Terminal 終端Tensor 張量 Tonsorial