南通高科技設(shè)備項目可行性研究報告

1、泓域咨詢 /南通高科技設(shè)備項目可行性研究報告南通高科技設(shè)備項目可行性研究報告泓域咨詢報告說明根據(jù)SEMI統(tǒng)計，2017年按全球晶圓制造設(shè)備銷售金額占比類推，目前刻蝕設(shè)備、光刻機和薄膜沉積設(shè)備分別占晶圓制造設(shè)備價值量約24%、23%和18%。隨著集成電路芯片制造工藝的進步，線寬不斷縮小、芯片結(jié)構(gòu)3D化，晶圓制造向7納米、5納米以及更先進的工藝發(fā)展。由于普遍使用的浸沒式光刻機受到波長限制，14納米及以下的邏輯器件微觀結(jié)構(gòu)的加工將通過等離子體刻蝕和薄膜沉積的工藝組合多重模板效應來實現(xiàn)，使得相關(guān)設(shè)備的加工步驟增多。本期項目總投資包括建設(shè)投資、建設(shè)期利息和流動資金。根據(jù)謹慎財務估算，項目總投資34647

2、.18萬元，其中：建設(shè)投資29187.24萬元，占項目總投資的84.24%；建設(shè)期利息215.60萬元，占項目總投資的0.62%；流動資金5244.34萬元，占項目總投資的15.14%。根據(jù)謹慎財務測算，項目正常運營每年營業(yè)收入66600.00萬元，綜合總成本費用53098.78萬元，凈利潤8297.59萬元，財務內(nèi)部收益率15.94%，財務凈現(xiàn)值2176.26萬元，全部投資回收期5.03年。本期項目具有較強的財務盈利能力，其財務凈現(xiàn)值良好，投資回收期合理。本期項目技術(shù)上可行、經(jīng)濟上合理，投資方向正確，資本結(jié)構(gòu)合理，技術(shù)方案設(shè)計優(yōu)良。本期項目的投資建設(shè)和實施無論是經(jīng)濟效益、社會效益等方面都是積

3、極可行的?！笆濉睍r期，我們必須以全球的視野、戰(zhàn)略的眼光，增強戰(zhàn)略自信，保持戰(zhàn)略定力，用好戰(zhàn)略機遇，以更加積極的姿態(tài)，攻堅克難、奮發(fā)有為，著力在優(yōu)化結(jié)構(gòu)、增強動力、化解矛盾、補齊短板上取得突破性進展，加快形成發(fā)展和競爭新優(yōu)勢，實現(xiàn)更高質(zhì)量、更有效率、更加公平、更可持續(xù)的發(fā)展，實現(xiàn)“邁上新臺階、建設(shè)新南通”的發(fā)展目標。作為投資決策前必不可少的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，報告主要對項目市場、技術(shù)、財務、工程、經(jīng)濟和環(huán)境等方面進行精確系統(tǒng)、完備無遺的分析，完成包括市場和銷售、規(guī)模和產(chǎn)品、廠址、原輔料供應、工藝技術(shù)、設(shè)備選擇、人員組織、實施計劃、投資與成本、效益及風險等的計算、論證和評價，選定最佳方案，依此就是否應該

4、投資開發(fā)該項目以及如何投資，或就此終止投資還是繼續(xù)投資開發(fā)等給出結(jié)論性意見，為投資決策提供科學依據(jù)，并作為進一步開展工作的基礎(chǔ)。本報告基于可信的公開資料，參考行業(yè)研究模型，旨在對項目進行合理的邏輯分析研究。本報告僅作為投資參考或作為參考范文模板用途。目錄第一章 緒論第二章 項目背景及必要性第三章 市場前景分析第四章 建設(shè)內(nèi)容與產(chǎn)品方案第五章 項目選址可行性分析第六章 建筑技術(shù)方案說明第七章 原輔材料分析第八章 工藝技術(shù)分析第九章 環(huán)境保護分析第十章 勞動安全生產(chǎn)第十一章 節(jié)能方案說明第十二章 人力資源分析第十三章 建設(shè)進度分析第十四章 項目投資分析第十五章 經(jīng)濟效益第十六章 招標方案第十七章

5、項目風險評估第十八章 項目綜合評價第十九章 附表第一章 緒論一、概述（一）項目基本情況1、項目名稱：南通高科技設(shè)備項目2、承辦單位名稱：xx有限責任公司3、項目性質(zhì)：新建4、項目建設(shè)地點：xxx（以最終選址方案為準）5、項目聯(lián)系人：秦xx（二）主辦單位基本情況公司堅持提升企業(yè)素質(zhì)，即“企業(yè)管理水平進一步提高，人力資源結(jié)構(gòu)進一步優(yōu)化，人員素質(zhì)進一步提升，安全生產(chǎn)意識和社會責任意識進一步增強，誠信經(jīng)營水平進一步提高”，培育一批具有工匠精神的高素質(zhì)企業(yè)員工，企業(yè)品牌影響力不斷提升。（三）項目建設(shè)選址及用地規(guī)模本期項目選址位于xxx（以最終選址方案為準），占地面積約90.78畝。項目擬定建設(shè)區(qū)域地理位

6、置優(yōu)越，交通便利，規(guī)劃電力、給排水、通訊等公用設(shè)施條件完備，非常適宜本期項目建設(shè)。（四）產(chǎn)品規(guī)劃方案根據(jù)項目建設(shè)規(guī)劃，達產(chǎn)年產(chǎn)品規(guī)劃設(shè)計方案為：高科技設(shè)備10000臺/年。二、項目提出的理由在良好的政策環(huán)境下，國家產(chǎn)業(yè)投資基金及民間資本以市場化的投資方式進入半導體產(chǎn)業(yè)。國家產(chǎn)業(yè)投資基金通過股權(quán)投資的方式支持集成電路產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)中具有較強技術(shù)優(yōu)勢和市場競爭力的公司，推動企業(yè)提升產(chǎn)能水平和實現(xiàn)兼并重組，形成良性的自我發(fā)展能力。在國家產(chǎn)業(yè)投資基金設(shè)立的同時，各地也支持設(shè)立地方性投資基金，鼓勵社會各類風險投資和股權(quán)投資基金進入集成電路領(lǐng)域，以國家資金為杠桿，撬動大規(guī)模社會資本進入半導體產(chǎn)業(yè)。我國半導體

7、設(shè)備行業(yè)迎來了前所未有的發(fā)展契機，有助于我國半導體設(shè)備行業(yè)技術(shù)水平的提高和行業(yè)的快速發(fā)展。除集成電路線寬不斷縮小以外，半導體器件的結(jié)構(gòu)也趨于復雜，例如存儲器領(lǐng)域的NAND閃存已進入3D時代。3DNAND制造工藝中，增加集成度的主要方法不再是縮小單層上線寬而是增大堆疊的層數(shù)，疊堆層數(shù)也從32層、64層量產(chǎn)向128層發(fā)展，每層均需要經(jīng)過刻蝕和薄膜沉積的工藝步驟，催生出更多刻蝕設(shè)備和薄膜沉積設(shè)備的需求。此外，3D結(jié)構(gòu)的半導體器件往往需要很小的通孔連接幾十至一百余層硅，因此對刻蝕設(shè)備的技術(shù)要求是更高的深寬比，這為刻蝕設(shè)備提出了新的應用方向，帶來了新的附加值?！笆濉睍r期，我們必須以全球的視野、戰(zhàn)略的

8、眼光，增強戰(zhàn)略自信，保持戰(zhàn)略定力，用好戰(zhàn)略機遇，以更加積極的姿態(tài)，攻堅克難、奮發(fā)有為，著力在優(yōu)化結(jié)構(gòu)、增強動力、化解矛盾、補齊短板上取得突破性進展，加快形成發(fā)展和競爭新優(yōu)勢，實現(xiàn)更高質(zhì)量、更有效率、更加公平、更可持續(xù)的發(fā)展，實現(xiàn)“邁上新臺階、建設(shè)新南通”的發(fā)展目標。三、項目總投資及資金構(gòu)成本期項目總投資包括建設(shè)投資、建設(shè)期利息和流動資金。根據(jù)謹慎財務估算，項目總投資34647.18萬元，其中：建設(shè)投資29187.24萬元，占項目總投資的84.24%；建設(shè)期利息215.60萬元，占項目總投資的0.62%；流動資金5244.34萬元，占項目總投資的15.14%。四、資金籌措方案（一）項目資本金籌措

9、方案項目總投資34647.18萬元，根據(jù)資金籌措方案，xx有限責任公司計劃自籌資金（資本金）25847.18萬元。（二）申請銀行借款方案根據(jù)謹慎財務測算，本期工程項目申請銀行借款總額8800.00萬元。五、項目預期經(jīng)濟效益規(guī)劃目標1、項目達產(chǎn)年預期營業(yè)收入（SP）：66600.00萬元（含稅）。2、年綜合總成本費用（TC）：53098.78萬元。3、項目達產(chǎn)年凈利潤（NP）：8297.59萬元。4、財務內(nèi)部收益率（FIRR）：15.94%。5、全部投資回收期（Pt）：5.03年（含建設(shè)期12個月）。6、達產(chǎn)年盈虧平衡點（BEP）：11469.46萬元（產(chǎn)值）。六、項目建設(shè)進度規(guī)劃項目計劃從可行

10、性研究報告的編制到工程竣工驗收、投產(chǎn)運營共需12個月的時間。七、報告編制依據(jù)和原則（一）編制依據(jù)1、國家和地方關(guān)于促進產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整的有關(guān)政策決定；2、建設(shè)項目經(jīng)濟評價方法與參數(shù)；3、投資項目可行性研究指南；4、項目建設(shè)地國民經(jīng)濟發(fā)展規(guī)劃；5、其他相關(guān)資料。（二）編制原則1、堅持科學發(fā)展觀，采用科學規(guī)劃，合理布局，一次設(shè)計，分期實施的建設(shè)原則。2、根據(jù)行業(yè)未來發(fā)展趨勢，合理制定生產(chǎn)綱領(lǐng)和技術(shù)方案。3、堅持市場導向原則，根據(jù)行業(yè)的現(xiàn)有格局和未來發(fā)展方向，優(yōu)化設(shè)備選型和工藝方案，使企業(yè)的建設(shè)與未來的市場需求相吻合。4、貫徹技術(shù)進步原則，產(chǎn)品及工藝設(shè)備選型達到目前國內(nèi)領(lǐng)先水平。同時合理使用項目資金，將

11、先進性與實用性有機結(jié)合，做到投入少、產(chǎn)出多，效益最大化。5、嚴格遵守“三同時”設(shè)計原則，對項目可能產(chǎn)生的污染源進行綜合治理，使其達到國家規(guī)定的排放標準。八、研究范圍根據(jù)項目的特點，報告的研究范圍主要包括：1、項目單位及項目概況；2、產(chǎn)業(yè)規(guī)劃及產(chǎn)業(yè)政策；3、資源綜合利用條件；4、建設(shè)用地與廠址方案；5、環(huán)境和生態(tài)影響分析；6、投資方案分析；7、經(jīng)濟效益和社會效益分析。通過對以上內(nèi)容的研究，力求提供較準確的資料和數(shù)據(jù)，對該項目是否可行做出客觀、科學的結(jié)論，作為投資決策的依據(jù)。九、研究結(jié)論本項目符合國家產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策和行業(yè)技術(shù)進步要求，符合市場要求，受到國家技術(shù)經(jīng)濟政策的保護和扶持，適應本地區(qū)及臨近地

12、區(qū)的相關(guān)產(chǎn)品日益發(fā)展的要求。項目的各項外部條件齊備，交通運輸及水電供應均有充分保證，有優(yōu)越的建設(shè)條件。，企業(yè)經(jīng)濟和社會效益較好，能實現(xiàn)技術(shù)進步，產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整，提高經(jīng)濟效益的目的。項目建設(shè)所采用的技術(shù)裝備先進，成熟可靠，可以確保最終產(chǎn)品的質(zhì)量要求。十、主要經(jīng)濟指標一覽表主要經(jīng)濟指標一覽表序號項目單位指標備注1占地面積60519.94約90.78畝1.1總建筑面積76860.32容積率1.271.2基底面積33891.17建筑系數(shù)56.00%1.3投資強度萬元/畝297.501.4基底面積33891.172總投資萬元34647.182.1建設(shè)投資萬元29187.242.1.1工程費用萬元24540

13、.562.1.2工程建設(shè)其他費用萬元3780.102.1.3預備費萬元866.582.2建設(shè)期利息萬元215.602.3流動資金5244.343資金籌措萬元34647.183.1自籌資金萬元25847.183.2銀行貸款萬元8800.004營業(yè)收入萬元66600.00正常運營年份5總成本費用萬元53098.786利潤總額萬元11063.467凈利潤萬元8297.598所得稅萬元2765.869增值稅萬元2474.4810稅金及附加萬元2437.7611納稅總額萬元7678.1012工業(yè)增加值萬元19705.3513盈虧平衡點萬元11469.46產(chǎn)值14回收期年5.03含建設(shè)期12個月15財務內(nèi)

14、部收益率15.94%所得稅后16財務凈現(xiàn)值萬元2176.26所得稅后第二章 項目背景及必要性一、行業(yè)背景分析1、行業(yè)發(fā)展態(tài)勢及面臨的機遇（1）新應用推動市場需求持續(xù)旺盛縱觀半導體行業(yè)的發(fā)展歷史，雖然行業(yè)呈現(xiàn)明顯的周期性波動，但整體增長趨勢并未發(fā)生變化，而每一次技術(shù)變革是驅(qū)動行業(yè)持續(xù)增長的主要動力。歷史證明，隨著消費電子產(chǎn)品朝著智能化、輕薄化、便攜化發(fā)展，新的智能終端產(chǎn)品層出不窮，從個人電腦、寬帶互聯(lián)網(wǎng)到移動互聯(lián)網(wǎng)的技術(shù)更替，使得集成電路、MEMS、功率器件等半導體產(chǎn)業(yè)的市場前景和發(fā)展機遇越來越廣闊。雖然短期內(nèi)個人電腦和智能手機滲透率接近高位在一定程度上影響半導體行業(yè)的持續(xù)快速發(fā)展，但以物聯(lián)網(wǎng)為

15、代表的新需求所帶動的如云計算、人工智能、大數(shù)據(jù)等新應用的興起，逐漸成為半導體行業(yè)新一代技術(shù)的變革力量。從長遠來看，伴隨新應用推動市場需求的持續(xù)旺盛，半導體行業(yè)的景氣度有望保持螺旋式上升。在如此的大浪潮下，全球的半導體巨頭如三星、英特爾、海力士等紛紛在近期提出加大資本性支出的計劃，或開啟新一輪的半導體投資周期。作為半導體生產(chǎn)環(huán)節(jié)投資規(guī)模占比最大的部分，半導體設(shè)備將直接受益于未來持續(xù)擴張的半導體產(chǎn)業(yè)。（2）集成電路工藝的進步刺激設(shè)備需求增加在摩爾定律的推動下，元器件集成度的大幅提高要求集成電路線寬不斷縮小，直接導致集成電路制造工序愈為復雜。根據(jù)SEMI統(tǒng)計，20納米工藝所需工序約為1,000道，而

16、10納米工藝和7納米工藝所需工序已超過1,400道。尤其當線寬向10、7、5納米甚至更小的方向升級，當前市場普遍使用的光刻機受波長的限制精度無法滿足要求，需要采用多重模板工藝，重復多次薄膜沉積和刻蝕工序以實現(xiàn)更小的線寬，使得薄膜沉積和刻蝕次數(shù)顯著增加。根據(jù)SEMI統(tǒng)計，20納米工藝需要的刻蝕步驟約為50次，而10納米工藝和7納米工藝所需刻蝕步驟則超過100次。工序步驟的大幅增加意味著需要更多以刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備為代表的半導體設(shè)備參與集成電路生產(chǎn)環(huán)節(jié)。除集成電路線寬不斷縮小以外，半導體器件的結(jié)構(gòu)也趨于復雜，例如存儲器領(lǐng)域的NAND閃存已進入3D時代。3DNAND制造工藝中，增加集成度的主要方

17、法不再是縮小單層上線寬而是增大堆疊的層數(shù)，疊堆層數(shù)也從32層、64層量產(chǎn)向128層發(fā)展，每層均需要經(jīng)過刻蝕和薄膜沉積的工藝步驟，催生出更多刻蝕設(shè)備和薄膜沉積設(shè)備的需求。此外，3D結(jié)構(gòu)的半導體器件往往需要很小的通孔連接幾十至一百余層硅，因此對刻蝕設(shè)備的技術(shù)要求是更高的深寬比，這為刻蝕設(shè)備提出了新的應用方向，帶來了新的附加值。綜上，集成電路尺寸及線寬的縮小、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的立體化及生產(chǎn)工藝的復雜化等因素都對半導體設(shè)備行業(yè)提出了更高的要求和更多的需求，并為以刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備為代表的核心裝備的發(fā)展提供了廣闊的市場空間。（3）LED新技術(shù)和應用方向的發(fā)展將催生MOCVD的新需求LED行業(yè)的新應用和新技術(shù)

18、同樣層出不窮，除藍光LED外，紅黃光LED、深紫外LED以及MiniLED、MicroLED、第三代半導體功率器件等諸多新產(chǎn)品方興未艾，這些領(lǐng)域都需要MOCVD設(shè)備，將進一步擴大MOCVD設(shè)備的市場規(guī)模。MiniLED和MicroLED具有高分辨率、高亮度、省電及反應速度快等特點，被視為新一代顯示技術(shù)，吸引蘋果、三星、LG、索尼等大型企業(yè)布局發(fā)展。以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導體功率器件由于具有高效、低能耗和快速轉(zhuǎn)換等優(yōu)點，正在迅速取代部分硅功率器件，并從電子領(lǐng)域擴展到如民用高頻器件，例如5G等其他領(lǐng)域，市場前景廣闊。根據(jù)LEDinside預測，深紫外LED市場產(chǎn)值于2017年成長至2.2

19、3億美金，預估2022年將會到達12.24億美金，2017-2022年復合成長率達33%。除固化應用市場穩(wěn)定成長之外，表面殺菌、靜止水殺菌、流動水殺菌等應用為2018-2022年深紫外LED市場的主要成長動能。（4）全球半導體產(chǎn)能向中國大陸轉(zhuǎn)移，推動國內(nèi)設(shè)備行業(yè)大力發(fā)展作為全球最大的半導體消費市場，我國對半導體器件產(chǎn)品的需求持續(xù)旺盛，中國半導體市場規(guī)模2013年至2018年年均復合增長率為14.34%。市場需求帶動全球產(chǎn)能中心逐步向中國大陸轉(zhuǎn)移，持續(xù)的產(chǎn)能轉(zhuǎn)移帶動了大陸半導體整體產(chǎn)業(yè)規(guī)模和技術(shù)水平的提高。SEMI所發(fā)布的近兩年全球晶圓廠預測報告顯示，2016至2017年間，新建的晶圓廠達17座

20、，其中中國大陸占了10座。SEMI進一步預估，2017年到2020年的四年間，全球預計新建62條晶圓加工線，其中中國大陸將新建26座晶圓廠，成為全球新建晶圓廠最積極的地區(qū)，整體投資金額預計占全球新建晶圓廠的42%，為全球之最。中國大陸晶圓廠建廠潮為半導體設(shè)備行業(yè)提供了巨大的市場空間。根據(jù)SEMI統(tǒng)計數(shù)據(jù)，2018年第三季度中國大陸半導體設(shè)備銷售額同比增長106%，首次超越韓國，預計2019年將成為全球最大半導體設(shè)備市場。同時，中國大陸需求和投資的旺盛也促進了我國半導體產(chǎn)業(yè)專業(yè)人才的培養(yǎng)及配套行業(yè)的發(fā)展，半導體產(chǎn)業(yè)環(huán)境的良性發(fā)展為我國設(shè)備產(chǎn)業(yè)的擴張和升級提供了機遇。（5）良好的半導體產(chǎn)業(yè)扶持政策

21、為進一步加快集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展，2014年6月出臺的國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要強調(diào)，進一步突出企業(yè)的主體地位，以需求為導向，以技術(shù)創(chuàng)新、模式創(chuàng)新和體制機制創(chuàng)新為動力，突破集成電路關(guān)鍵裝備和材料瓶頸，推動產(chǎn)業(yè)整體提升，實現(xiàn)跨越式發(fā)展。國家高度重視和大力支持行業(yè)發(fā)展，相繼出臺了多項政策，推動中國半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展和加速國產(chǎn)化進程，將半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展提升到國家戰(zhàn)略的高度，充分顯示出國家發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)的決心。在良好的政策環(huán)境下，國家產(chǎn)業(yè)投資基金及民間資本以市場化的投資方式進入半導體產(chǎn)業(yè)。國家產(chǎn)業(yè)投資基金通過股權(quán)投資的方式支持集成電路產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)中具有較強技術(shù)優(yōu)勢和市場競爭力的公司，推動企業(yè)提升產(chǎn)能水平和實

22、現(xiàn)兼并重組，形成良性的自我發(fā)展能力。在國家產(chǎn)業(yè)投資基金設(shè)立的同時，各地也支持設(shè)立地方性投資基金，鼓勵社會各類風險投資和股權(quán)投資基金進入集成電路領(lǐng)域，以國家資金為杠桿，撬動大規(guī)模社會資本進入半導體產(chǎn)業(yè)。我國半導體設(shè)備行業(yè)迎來了前所未有的發(fā)展契機，有助于我國半導體設(shè)備行業(yè)技術(shù)水平的提高和行業(yè)的快速發(fā)展。2、面臨的挑戰(zhàn)（1）融資環(huán)境仍不成熟半導體設(shè)備行業(yè)投資周期長，研發(fā)投入大，是典型的資本密集型行業(yè)，為保持公司的技術(shù)優(yōu)勢，需要長期、持續(xù)不斷的研發(fā)投入。目前行業(yè)內(nèi)企業(yè)主要資金來源于股東的投入，融資渠道單一限制了國內(nèi)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。（2）高端技術(shù)和人才的缺乏半導體設(shè)備行業(yè)屬于典型技術(shù)密集型行業(yè)，對于技術(shù)人員

23、的知識背景、研發(fā)能力及操作經(jīng)驗積累均有較高要求。雖然近年來國家對半導體設(shè)備行業(yè)給予鼓勵和支持，但由于研發(fā)起步較晚，業(yè)內(nèi)人才和技術(shù)水平仍然較為缺乏，在一定程度上制約了行業(yè)的快速發(fā)展。二、產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析（1）刻蝕設(shè)備行業(yè)在新技術(shù)方面近年來的發(fā)展情況與未來發(fā)展趨勢集成電路制造工藝集成電路制造工藝繁多復雜，其中光刻、刻蝕和薄膜沉積是半導體制造三大核心工藝。薄膜沉積工藝系在晶圓上沉積一層待處理的薄膜，勻膠工藝系把光刻膠涂抹在薄膜上，光刻和顯影工藝系把光罩上的圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠，刻蝕工藝系把光刻膠上圖形轉(zhuǎn)移到薄膜，去除光刻膠后，即完成圖形從光罩到晶圓的轉(zhuǎn)移。制造芯片的過程需要數(shù)十層光罩，集成電路制造主要是通過

24、薄膜沉積、光刻和刻蝕三大工藝循環(huán)，把所有光罩的圖形逐層轉(zhuǎn)移到晶圓上。半導體制造工藝：薄膜沉積、光刻和刻蝕是半導體制造三大核心工藝制造先進的集成電路器件，如同建一個幾十層的微觀樓房，或建一個多層的高速立交橋。等離子體刻蝕技術(shù)刻蝕可以分為濕法刻蝕和干法刻蝕，濕法刻蝕各向異性較差，側(cè)壁容易產(chǎn)生橫向刻蝕造成刻蝕偏差，通常用于工藝尺寸較大的應用，或用于干法刻蝕后清洗殘留物等。干法刻蝕是目前主流的刻蝕技術(shù)，其中以等離子體干法刻蝕為主導。等離子體刻蝕設(shè)備是一種大型真空的全自動的加工設(shè)備，一般由多個真空等離子體反應腔和主機傳遞系統(tǒng)構(gòu)成。等離子體刻蝕設(shè)備的分類與刻蝕工藝密切相關(guān)，其原理是利用等離子體放電產(chǎn)生的帶

25、化學活性的粒子，在離子的轟擊下，與表面的材料發(fā)生化學反應，產(chǎn)生可揮發(fā)的氣體，從而在表面的材料上加工出微觀結(jié)構(gòu)。根據(jù)產(chǎn)生等離子體方法的不同，干法刻蝕主要分為電容性等離子體刻蝕和電感性等離子體刻蝕；根據(jù)被刻蝕材料類型的不同，干法刻蝕主要是刻蝕介質(zhì)材料（氧化硅、氮化硅、二氧化鉿、光刻膠等）、硅材料（單晶硅、多晶硅、和硅化物等）和金屬材料（鋁、鎢等）。電容性等離子體刻蝕主要是以高能離子在較硬的介質(zhì)材料上，刻蝕高深寬比的深孔、深溝等微觀結(jié)構(gòu)；而電感性等離子體刻蝕主要是以較低的離子能量和極均勻的離子濃度刻蝕較軟的和較薄的材料。這兩種刻蝕設(shè)備涵蓋了主要的刻蝕應用?？涛g技術(shù)水平發(fā)展狀況及未來發(fā)展趨勢隨著國際上

26、高端量產(chǎn)芯片從14納米到10納米階段向7納米、5納米甚至更小的方向發(fā)展，當前市場普遍使用的沉浸式光刻機受光波長的限制，關(guān)鍵尺寸無法滿足要求，必須采用多重模板工藝，利用刻蝕工藝實現(xiàn)更小的尺寸，使得刻蝕技術(shù)及相關(guān)設(shè)備的重要性進一步提升。芯片線寬的縮小及新制造工藝的采用（如多重模板工藝），對刻蝕技術(shù)的精確度和重復性要求更高?？涛g技術(shù)需要在刻蝕速率、各向異性、刻蝕偏差、選擇比、深寬比、均勻性、殘留物、等離子體引起的敏感器件損傷、顆粒沾污等指標上滿足更高的要求，刻蝕設(shè)備隨之更新進步，例如：刻蝕設(shè)備的靜電吸盤從原來的四分區(qū)擴展到超過20個分區(qū)，以實現(xiàn)更高要求的均勻性；更好的腔體的溫度控制實現(xiàn)生產(chǎn)重復性的提

27、高。集成電路2D存儲器件的線寬已接近物理極限，NAND閃存已進入3D時代。目前64層3DNAND閃存已進入大生產(chǎn)，96層和128層閃存正處于研發(fā)中。3DNAND制造工藝中，增加集成度的主要方法不再是縮小單層上線寬而是增加堆疊的層數(shù)?？涛g要在氧化硅和氮化硅一對的疊層結(jié)構(gòu)上，加工40：1到60：1的極深孔或極深的溝槽。3DNAND層數(shù)的增加要求刻蝕技術(shù)實現(xiàn)更高的深寬比。（2）MOCVD設(shè)備行業(yè)在新技術(shù)方面近年來的發(fā)展情況與未來發(fā)展趨勢在光電子半導體LED領(lǐng)域存在一個類似摩爾定律的海茲定律，即LED的價格每10年將為原來的1/10，輸出流明則增加20倍。自1993年第一顆商業(yè)化藍光LED誕生以來，經(jīng)

28、過20多年的發(fā)展，制造藍光LED的MOCVD技術(shù)已達到較為成熟的階段，目前MOCVD設(shè)備企業(yè)主要在提高大規(guī)模外延生產(chǎn)所需的性能、降低生產(chǎn)成本、具備大尺寸襯底外延能力等方面進行技術(shù)開發(fā)，以滿足下游應用市場的需求。主流MOCVD設(shè)備反應腔的加工能力從31片4英寸外延片發(fā)展到34片4英寸外延片，現(xiàn)在行業(yè)主流廠商正在開發(fā)41片4英寸外延片超大反應器。 制造紅黃光LED、紫外光LED、功率器件等都需要MOCVD設(shè)備，這些設(shè)備還有待進一步開發(fā)。MiniLED和MicroLED可能帶來的顯示器件革命孕育著更大的市場機會?？v觀國際國內(nèi)發(fā)展環(huán)境，“十三五”時期，南通仍處于大有作為的重要戰(zhàn)略機遇期，但也面臨諸多矛

29、盾疊加、風險隱患增多的嚴峻挑戰(zhàn)。從國際環(huán)境看。和平與發(fā)展的時代主題沒有變，世界多極化、經(jīng)濟全球化、文化多樣化、社會信息化深入發(fā)展，世界經(jīng)濟在深度調(diào)整中曲折復蘇，新一輪科技革命和產(chǎn)業(yè)變革蓄勢待發(fā)。同時，國際金融危機深層次影響在相當長時期依然存在，全球經(jīng)濟貿(mào)易增長乏力，保護主義抬頭，外部環(huán)境中不穩(wěn)定不確定因素增多。從國內(nèi)環(huán)境看。我國經(jīng)濟長期向好基本面沒有改變，經(jīng)濟發(fā)展進入新常態(tài)，正在向形態(tài)更高級、分工更復雜、結(jié)構(gòu)更合理的階段演化，經(jīng)濟發(fā)展方式正從規(guī)模速度型轉(zhuǎn)向質(zhì)量效率型，經(jīng)濟結(jié)構(gòu)正從增量擴能為主轉(zhuǎn)向調(diào)整存量、做優(yōu)增量并舉的深度調(diào)整，經(jīng)濟發(fā)展動力正從傳統(tǒng)增長點轉(zhuǎn)向新的增長點。特別是“四個全面”戰(zhàn)略布

30、局全面展開，創(chuàng)新、協(xié)調(diào)、綠色、開放、共享五大發(fā)展理念全面唱響，新型工業(yè)化、信息化、城鎮(zhèn)化和農(nóng)業(yè)現(xiàn)代化協(xié)同并進，這為南通經(jīng)濟社會發(fā)展既提供了重要契機，也提出了更高要求?！笆濉睍r期，我市發(fā)展既面臨風險挑戰(zhàn)，也面臨難得的歷史機遇?？傮w來看，機遇大于挑戰(zhàn)。從機遇看。一是多重國家戰(zhàn)略疊加效應集中釋放?！耙粠б宦贰薄㈤L江經(jīng)濟帶戰(zhàn)略的全面推進，長三角一體化發(fā)展、江蘇沿海開發(fā)戰(zhàn)略的深入實施，積極對接上海自貿(mào)區(qū)、上海科技創(chuàng)新中心和蘇南現(xiàn)代化建設(shè)示范區(qū)，為南通深入推進跨江融合發(fā)展拓展了更加廣闊的空間。二是重大改革發(fā)展平臺活力競相迸發(fā)。全面推進陸海統(tǒng)籌發(fā)展綜合改革試點，著力打造通州灣江海聯(lián)動開發(fā)示范區(qū)，加快推進

31、滬蘇通融合發(fā)展，為南通深入實施陸海統(tǒng)籌、江海聯(lián)動發(fā)展戰(zhàn)略提供了強大動力。三是國家重要區(qū)域性綜合交通樞紐功能不斷完善。隨著滬通鐵路等一批重大工程的建成，南通將成為國家沿江沿海大通道互聯(lián)互通的重要節(jié)點，為在更大范圍內(nèi)集聚發(fā)展要素、打造新的經(jīng)濟增長極提供了有力支撐。從挑戰(zhàn)看。我市發(fā)展還存在不平衡、不協(xié)調(diào)、不可持續(xù)的問題。一是經(jīng)濟下行壓力加大，部分企業(yè)生產(chǎn)經(jīng)營困難，創(chuàng)新能力不強，發(fā)展方式粗放，產(chǎn)業(yè)層次和附加值率不高，經(jīng)濟結(jié)構(gòu)調(diào)整任務艱巨。二是城鄉(xiāng)區(qū)域發(fā)展不夠均衡，基本公共服務供給不足，收入差距仍然較大，貧困人口尚未消除，就業(yè)結(jié)構(gòu)性矛盾仍然突出，社會保障支出壓力加大，人口老齡化加劇，公民文明素質(zhì)和社會文

32、明程度有待提高。三是資源約束趨緊，節(jié)約集約利用水平亟待提高，節(jié)能減排任務艱巨，生態(tài)環(huán)境需要進一步改善。四是制約發(fā)展的體制機制障礙依然存在，社會建設(shè)和治理面臨一些新情況新問題?？傮w上看，“十三五”時期，是南通全面建成小康社會的決勝期、加快創(chuàng)新驅(qū)動轉(zhuǎn)型升級的戰(zhàn)略機遇期、陸海統(tǒng)籌江海聯(lián)動的黃金發(fā)展期、全面深化改革開發(fā)開放的攻堅突破期。呈現(xiàn)如下階段特征：1、創(chuàng)新與改革并重，不斷釋放發(fā)展動能。“十三五”時期，創(chuàng)新驅(qū)動將成為南通發(fā)展的主動力，為經(jīng)濟保持中高速增長、產(chǎn)業(yè)邁上中高端水平提供強大支撐。改革開放將成為主要的發(fā)展源泉，全面深化陸海統(tǒng)籌綜合改革將取得階段性成果，不斷釋放改革紅利，為更好發(fā)展提供強大活力

33、。2、擴量與提質(zhì)并重，不斷深化江海聯(lián)動開發(fā)?！笆濉睍r期，實現(xiàn)建設(shè)長三角北翼經(jīng)濟中心階段性目標，發(fā)展是第一要務，必須擴大總量，壯大實力。提高經(jīng)濟增長的質(zhì)量和效益，是適應和引領(lǐng)新常態(tài)、促進經(jīng)濟平穩(wěn)健康發(fā)展的內(nèi)在要求。調(diào)速不減勢，量增質(zhì)更優(yōu)，必須加快江海聯(lián)動開發(fā)，推動結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型升級，為經(jīng)濟發(fā)展提供一批重要的增長點。3、城鎮(zhèn)與農(nóng)村并重，不斷推進新型城鎮(zhèn)化和城鄉(xiāng)發(fā)展一體化?！笆濉睍r期，推進新型城鎮(zhèn)化，為國家新型城鎮(zhèn)化試點提供可復制、可推廣經(jīng)驗，既是拓展發(fā)展空間的需要，也是轉(zhuǎn)型升級的重要內(nèi)容。必須加快形成新型城鎮(zhèn)化體制機制，提升中心城市首位度，推進城鄉(xiāng)發(fā)展一體化，形成城鎮(zhèn)化發(fā)展新模式。4、資源與生態(tài)

34、并重，不斷提升綠色發(fā)展水平。“十三五”時期，南通進入新一輪黃金發(fā)展期，面臨較多資源瓶頸制約，對優(yōu)化資源利用結(jié)構(gòu)、提高資源利用效率提出更高要求。良好的生態(tài)環(huán)境質(zhì)量既是可持續(xù)發(fā)展的基礎(chǔ)，也是民生幸福的保障。必須堅持經(jīng)濟效益、社會效益與生態(tài)效益相統(tǒng)一，更大力度推進資源節(jié)約、環(huán)境保護和生態(tài)建設(shè)。5、民生與法治并重，不斷加強社會建設(shè)和法治建設(shè)?！笆濉睍r期，是南通跨越“中等收入陷阱”的重要階段，人民群眾對美好生活有更多期盼。發(fā)展民生利于社會和諧，加強法治利于社會穩(wěn)定。必須加強公共服務，建設(shè)法治南通，推進科學立法、嚴格執(zhí)法、公正司法、全民守法，加快建設(shè)法治經(jīng)濟和法治社會，為民生建設(shè)提供制度性保障。第三章

35、 市場前景分析一、行業(yè)基本情況1、2006-2020年國家信息化發(fā)展戰(zhàn)略在集成電路（特別是中央處理器芯片）、系統(tǒng)軟件、關(guān)鍵應用軟件、自主可控關(guān)鍵裝備等涉及自主發(fā)展能力的關(guān)鍵領(lǐng)域，瞄準國際創(chuàng)新前沿，加大投入，重點突破，逐步掌握產(chǎn)業(yè)發(fā)展的主動權(quán)。制定并完善集成電路、軟件、基礎(chǔ)電子產(chǎn)品、信息安全產(chǎn)品、信息服務業(yè)等領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)政策。研究制定支持大型中央企業(yè)的信息化發(fā)展政策。培育有核心競爭能力的信息產(chǎn)業(yè)。加強政府引導，突破集成電路、軟件、關(guān)鍵電子元器件、關(guān)鍵工藝裝備等基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展瓶頸，提高在全球產(chǎn)業(yè)鏈中的地位，逐步形成技術(shù)領(lǐng)先、基礎(chǔ)雄厚、自主發(fā)展能力強的信息產(chǎn)業(yè)。2、關(guān)于進一步鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)

36、發(fā)展的若干政策的通知為進一步優(yōu)化軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境，提高產(chǎn)業(yè)發(fā)展質(zhì)量和水平，培育一批有實力和影響力的行業(yè)領(lǐng)先企業(yè)，在財稅、投融資、研究開發(fā)、進出口等各方面制定了許多優(yōu)惠政策。在投融資方面，積極支持符合條件的軟件企業(yè)和集成電路企業(yè)采取發(fā)行股票、債券等多種方式籌集資金，拓寬直接融資渠道。3、關(guān)于海關(guān)支持軟件產(chǎn)明確了經(jīng)認定的軟件進企業(yè)進口所需的自用設(shè)備以及配套件、備件可以免征進口關(guān)稅，照章征收進業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的有關(guān)政策規(guī)定和措施的公告經(jīng)認定線寬小于0.25微米或投資額超過80億元人民幣的集成電路生產(chǎn)企業(yè)和經(jīng)認定的線寬小于0.8微米（含）的集成電路生產(chǎn)企業(yè)，其進口自用生產(chǎn)性原材料、消

37、耗品，凈化室專用建筑材料、配套系統(tǒng)，以及集成電路生產(chǎn)設(shè)備零、配件可以免征關(guān)稅和進口環(huán)節(jié)增值稅。4、國家規(guī)劃布局內(nèi)重點軟件企業(yè)和集成電路設(shè)計企業(yè)認定管理試行辦法規(guī)劃布局企業(yè)須符合戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃、信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃等國家規(guī)劃部署，在全國軟件和集成電路行業(yè)中具有相對比較優(yōu)勢。5、關(guān)于進一步鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展企業(yè)所得稅政策的通知我國境內(nèi)新辦的集成電路設(shè)計企業(yè)和符合條件的軟件企業(yè)，經(jīng)認定后，在2017年12月31日前自獲利年度起計算優(yōu)惠期，第一年至第二年免征企業(yè)所得稅，第三年至第五年按照25%的法定稅率減半征收企業(yè)所得稅，并享受至期滿為止。國家規(guī)劃布局內(nèi)的重點軟件企業(yè)和集成電路設(shè)計企業(yè)

38、，如當年未享受免稅優(yōu)惠的，可減按10%的稅率征收企業(yè)所得稅。6、國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要提出著力發(fā)展集成電路設(shè)計業(yè)；加速發(fā)展集成電路制造業(yè)；提升先進封裝測試業(yè)發(fā)展水平；突破集成電路關(guān)鍵裝備和材料；并從成立國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展領(lǐng)導小組、設(shè)立國家產(chǎn)業(yè)投資基金、加大金融支持力度、落實稅收支持政策、加強安全可靠軟硬件的推廣應用、強化企業(yè)創(chuàng)新能力建設(shè)、加大人才培養(yǎng)和引進力度、繼續(xù)擴大對外開放等八個方面配備了相應的保障措施。7、中國制造2025著力提升集成電路設(shè)計水平，不斷豐富知識產(chǎn)權(quán)（IP）和設(shè)計工具，突破關(guān)系國家信息與網(wǎng)絡(luò)安全及電子整機產(chǎn)業(yè)發(fā)展的核心通用芯片，提升國產(chǎn)芯片的應用適配能力。掌握高密度

39、封裝及三維（3D）微組裝技術(shù)，提升封裝產(chǎn)業(yè)和測試的自主發(fā)展能力。形成關(guān)鍵制造裝備供貨能力。8、國務院辦公廳關(guān)于進一步激發(fā)民間有效投資活力促進經(jīng)濟持續(xù)健康發(fā)展的指導意見提出發(fā)揮財政性資金帶動作用，通過投資補助、資本金注入、設(shè)立基金等多種方式，廣泛吸納各類社會資本，支持企業(yè)加大技術(shù)改造力度，加大對集成電路等關(guān)鍵領(lǐng)域和薄弱環(huán)節(jié)重點項目的投入。二、市場分析（1）半導體行業(yè)概述半導體行業(yè)的重要性半導體行業(yè)是現(xiàn)代經(jīng)濟社會發(fā)展的戰(zhàn)略性、基礎(chǔ)性和先導性產(chǎn)業(yè)，是電子信息產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)支撐，其產(chǎn)品被廣泛地應用于電子通信、計算機、網(wǎng)絡(luò)技術(shù)、物聯(lián)網(wǎng)等產(chǎn)業(yè)，是絕大多數(shù)電子設(shè)備的核心組成部分。根據(jù)國際貨幣基金組織測算，每1美

40、元半導體芯片的產(chǎn)值可帶動相關(guān)電子信息產(chǎn)業(yè)10美元產(chǎn)值，并帶來100美元的GDP，這種價值鏈的放大效應奠定了半導體行業(yè)在國民經(jīng)濟中的重要地位。半導體與信息安全的發(fā)展進程息息相關(guān)，世界各國政府都將其視為國家的骨干產(chǎn)業(yè)，半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展水平逐漸成為了國家綜合實力的象征。半導體行業(yè)的發(fā)展狀況從歷史上看，半導體行業(yè)遵循螺旋式上升規(guī)律，新科技推動行業(yè)屢獲新生。半導體核心元器件晶體管自誕生以來，帶動了全球半導體產(chǎn)業(yè)20世紀50年代至90年代的迅猛增長。進入21世紀以后市場日趨成熟，隨著PC、手機、液晶電視等消費類電子產(chǎn)品市場滲透率不斷提高，行業(yè)增速逐步放緩。近年在以物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備、云計算、大數(shù)據(jù)、新能源

41、、醫(yī)療電子和安防電子等為主的新興應用領(lǐng)域強勁需求的帶動下，全球半導體產(chǎn)業(yè)恢復增長。根據(jù)WSTS統(tǒng)計，從2013年到2018年，全球半導體市場規(guī)模從3,056億美元迅速提升至4,688億美元，年均復合增長率達到8.93%。半導體行業(yè)發(fā)展歷程遵循一個螺旋式上升的過程，放緩或回落后又會重新經(jīng)歷一次更強勁的復蘇。半導體行業(yè)在過去都遵循著摩爾定律，晶體管密度每隔18-24個月便會增加一倍。信息技術(shù)的進步是背后的主要驅(qū)動力，伴隨著電子產(chǎn)品在人類生活的更廣泛普及以及智能化，物聯(lián)網(wǎng)和人工智能等新興產(chǎn)業(yè)的革命為整個行業(yè)的下一輪進化提供了動力，半導體行業(yè)有望長期保持旺盛的生命力。中國半導體行業(yè)現(xiàn)狀從需求端分析，隨

42、著經(jīng)濟的不斷發(fā)展，中國已成為了全球最大的電子產(chǎn)品生產(chǎn)及消費市場，衍生出了巨大的半導體器件需求。根據(jù)ICInsights統(tǒng)計，從2013年到2018年僅中國半導體集成電路市場規(guī)模就從820億美元擴大至1,550億美元，年均復合增長率約為13.58%。未來隨著互聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、云計算、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、5G等高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)和戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的進一步發(fā)展，中國的半導體器件消費還將持續(xù)增加，中國將成為全球半導體最具活力和發(fā)展前景的市場區(qū)域。從供給端分析，對比巨大的國內(nèi)市場需求，國產(chǎn)半導體集成電路市場規(guī)模較小，2018年自給率約為15%。根據(jù)海關(guān)總署的數(shù)據(jù)，僅半導體集成電路產(chǎn)品的進口額從2015年起已連續(xù)四年

43、位列所有進口商品中的第一位，不斷擴大的中國半導體市場規(guī)模嚴重依賴于進口，中國半導體產(chǎn)業(yè)自給率過低，進口替代的空間巨大。（2）半導體行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈簡介半導體產(chǎn)業(yè)鏈的下游為半導體終端產(chǎn)品以及其衍生的應用、系統(tǒng)等。半導體產(chǎn)品按功能區(qū)分，可以分為集成電路、光電子器件、分立器件和傳感器等四大類。據(jù)WSTS的數(shù)據(jù)，2018年集成電路、光電子器件、分立器件和傳感器的全球市場規(guī)模分別為3,933億美元、380億美元、241億美元和134億美元，占4,688億美元半導體市場整體規(guī)模的比例分別約為83.9%、8.1%、5.1%和2.9%；相較于2017年，集成電路增長14.6%，光電子器件增長9.3%，分立器件增長1

44、1.7%，傳感器增長6.0%。集成電路和光電子器件是半導體產(chǎn)品最主要的門類。（3）半導體設(shè)備行業(yè)概況半導體設(shè)備的重要性半導體設(shè)備行業(yè)屬于半導體產(chǎn)業(yè)鏈的上游核心環(huán)節(jié)之一，根據(jù)半導體行業(yè)內(nèi)“一代設(shè)備，一代工藝，一代產(chǎn)品”的經(jīng)驗，半導體產(chǎn)品制造要超前電子系統(tǒng)開發(fā)新一代工藝，而半導體設(shè)備要超前半導體產(chǎn)品制造開發(fā)新一代產(chǎn)品。半導體設(shè)備支撐10倍大的芯片制造產(chǎn)業(yè)，對信息產(chǎn)業(yè)有成百上千倍的放大作用，隨著半導體行業(yè)的迅速發(fā)展，半導體產(chǎn)品的加工面積成倍縮小，復雜程度與日俱增，生產(chǎn)半導體產(chǎn)品所需的制造設(shè)備需要綜合運用光學、物理、化學等科學技術(shù)，具有技術(shù)壁壘高、制造難度大及研發(fā)投入高等特點。半導體設(shè)備價值普遍較高，

45、一條制造先進半導體產(chǎn)品的生產(chǎn)線投資中設(shè)備價值約占總投資規(guī)模的75%以上，半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展衍生出巨大的設(shè)備需求市場。全球半導體制造設(shè)備行業(yè)簡介2013年以來，隨著全球半導體行業(yè)整體景氣度的提升，半導體設(shè)備市場也呈增長趨勢。根據(jù)SEMI統(tǒng)計，全球半導體設(shè)備銷售額從2013年的約318億美元增長至2018年的預估621億美元，年均復合增長率約為14.33%，高于同期全球半導體器件市場規(guī)模的增速。全球半導體設(shè)備市場目前主要由國外廠商主導，行業(yè)呈現(xiàn)高度壟斷的競爭格局。根據(jù)VLSIResearch統(tǒng)計，2018年全球半導體設(shè)備系統(tǒng)及服務銷售額為811億美元，其中前五大半導體設(shè)備制造廠商，由于起步較早，憑借

46、資金、技術(shù)、客戶資源、品牌等方面的優(yōu)勢，占據(jù)了全球半導體設(shè)備市場65%的市場份額。中國半導體設(shè)備行業(yè)簡介從需求端分析，根據(jù)SEMI統(tǒng)計數(shù)據(jù)，2018年半導體設(shè)備在中國大陸的銷售額估計為128億美元，同比增長56%，約占全球半導體設(shè)備市場的21%，已成為僅次于韓國的全球第二大半導體設(shè)備需求市場。從供給端分析，根據(jù)中國電子專用設(shè)備工業(yè)協(xié)會的統(tǒng)計數(shù)據(jù)，2018年國產(chǎn)半導體設(shè)備銷售額預計為109億元，自給率約為13%。中國電子專用設(shè)備工業(yè)協(xié)會統(tǒng)計的數(shù)據(jù)包括集成電路、LED、面板、光伏等設(shè)備，實際上國內(nèi)集成電路設(shè)備的國內(nèi)市場自給率僅有5%左右，在全球市場僅占1-2%，技術(shù)含量最高的集成電路前道設(shè)備市場自

47、給率更低。對應巨大的需求缺口，中國半導體設(shè)備進口依賴的問題突出，專用設(shè)備大量依賴進口不僅嚴重影響我國半導體的產(chǎn)業(yè)發(fā)展，也對我國電子信息安全造成重大隱患。下游客戶資本性支出波動及行業(yè)周期性情況半導體產(chǎn)業(yè)鏈的下游為半導體終端產(chǎn)品以及其衍生的應用、系統(tǒng)等。半導體終端需求會影響半導體制造行業(yè)的發(fā)展。而在半導體制造產(chǎn)業(yè)中，半導體設(shè)備行業(yè)的下游客戶是晶圓廠。當半導體終端需求增長時，晶圓廠會加大資本性支出，擴大其生產(chǎn)規(guī)模，開始建設(shè)新廠或進行產(chǎn)能升級。隨著晶圓廠的資本性支出加大，半導體設(shè)備銷售也會隨之增長。因此，半導體設(shè)備銷售的周期性和波動性較下游半導體制造行業(yè)更大?？傮w而言，半導體行業(yè)發(fā)展歷程遵循一個螺旋式

48、上升的過程，放緩或回落后又會重新經(jīng)歷一次更強勁的復蘇。近年來，隨著半導體行業(yè)整體景氣度的提升，全球半導體設(shè)備市場呈現(xiàn)快速增長態(tài)勢。隨著半導體產(chǎn)業(yè)日趨成熟，特別是集成電路和微觀器件產(chǎn)業(yè)不斷地出現(xiàn)更多半導體產(chǎn)品，半導體終端應用越來越廣。隨著終端應用逐漸滲透到國民經(jīng)濟各個領(lǐng)域，下游客戶晶圓廠的資本性支出的波動和行業(yè)周期性有望降低。（4）細分行業(yè)概述近年來全球集成電路和以LED為代表的光電子器件的銷售額合計占所有半導體產(chǎn)品銷售額的90%以上，是半導體產(chǎn)品最重要的組成部分。半導體設(shè)備主要服務于這兩類產(chǎn)品的制造環(huán)節(jié)，將半導體設(shè)備行業(yè)進一步細分，細分行業(yè)為集成電路設(shè)備行業(yè)中的刻蝕設(shè)備行業(yè)和LED設(shè)備行業(yè)中的

49、MOCVD設(shè)備行業(yè)?？涛g設(shè)備行業(yè)概況集成電路設(shè)備包括晶圓制造設(shè)備、封裝設(shè)備和測試設(shè)備等，晶圓制造設(shè)備的市場規(guī)模占比超過集成電路設(shè)備整體市場規(guī)模的80%。晶圓制造設(shè)備從類別上講可以分為刻蝕、光刻、薄膜沉積、檢測、涂膠顯影等十多類，其合計投資總額通常占整個晶圓廠投資總額的75%左右，其中刻蝕設(shè)備、光刻設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備是集成電路前道生產(chǎn)工藝中最重要的三類設(shè)備。根據(jù)SEMI統(tǒng)計，2017年按全球晶圓制造設(shè)備銷售金額占比類推，目前刻蝕設(shè)備、光刻機和薄膜沉積設(shè)備分別占晶圓制造設(shè)備價值量約24%、23%和18%。隨著集成電路芯片制造工藝的進步，線寬不斷縮小、芯片結(jié)構(gòu)3D化，晶圓制造向7納米、5納米以及更先

50、進的工藝發(fā)展。由于普遍使用的浸沒式光刻機受到波長限制，14納米及以下的邏輯器件微觀結(jié)構(gòu)的加工將通過等離子體刻蝕和薄膜沉積的工藝組合多重模板效應來實現(xiàn)，使得相關(guān)設(shè)備的加工步驟增多。在需求增長較快的刻蝕設(shè)備領(lǐng)域，行業(yè)集中度較高，泛林半導體占據(jù)刻蝕設(shè)備市場份額半壁江山。隨著集成電路中器件互連層數(shù)增多，刻蝕設(shè)備的使用量不斷增大，泛林半導體由于其刻蝕設(shè)備品類齊全，從65納米、45納米設(shè)備市場起逐步超過應用材料和東京電子，成為行業(yè)龍頭。TheInformationNetwork數(shù)據(jù)顯示，泛林半導體在刻蝕設(shè)備行業(yè)的市場占有率從2012年的約45%提升至2017年的約55%，主要替代了東京電子的市場份額。排名

51、第二的東京電子的市場份額從2012年的30%降至2017年的20%。應用材料位于第三，2017年約占19%的市場份額。前三大公司在2017年占據(jù)刻蝕設(shè)備總市場份額的94%，行業(yè)集中度高，技術(shù)壁壘明顯。MOCVD設(shè)備行業(yè)概況LED產(chǎn)業(yè)鏈由襯底加工、LED外延片生產(chǎn)、芯片制造和器件封裝組成。該產(chǎn)業(yè)鏈中主要涉及的設(shè)備包括：襯底加工需要的單晶爐、多線切割機；制造外延片需要的MOCVD設(shè)備；制造芯片需要的光刻、刻蝕、清洗、檢測設(shè)備；封裝需要的貼片機、固晶機、焊線臺和灌膠機等。LED外延片的制備是LED芯片生產(chǎn)的重要步驟，與集成電路在多種核心設(shè)備間循環(huán)的制造工藝不同，主要通過MOCVD單種設(shè)備實現(xiàn)。MOC

52、VD設(shè)備作為LED制造中最重要的設(shè)備，其采購金額一般占LED生產(chǎn)線總投入的一半以上，因此MOCVD設(shè)備的數(shù)量成為衡量LED制造商產(chǎn)能的直觀指標。近年來，中國LED芯片產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展帶動了作為產(chǎn)業(yè)核心設(shè)備的MOCVD設(shè)備需求量的快速增長。高工LED數(shù)據(jù)顯示，2015年至2017年中國MOCVD設(shè)備保有量從1,222臺增長至1,718臺，年均復合增長率達18%。根據(jù)LEDinside統(tǒng)計，中國已成全球MOCVD設(shè)備最大的需求市場，MOCVD設(shè)備保有量占全球比例已超40%。高工LED目前MOCVD設(shè)備下游應用主要包括藍光LED，藍光LED則主要用于照明領(lǐng)域。藍光LED與熒光粉的組合促生了取代白熾燈、

53、熒光燈的新一代照明市場。更值得注意的是，藍光LED和氮化鎵有密不可分的聯(lián)系，藍光LED研發(fā)取得突破的關(guān)鍵是科學家們找到了氮化鎵這種具有較大禁帶寬度的半導體材料。氮化鎵基LED促進了照明行業(yè)的發(fā)展。目前MOCVD設(shè)備主要用于氮化鎵基及砷化鎵基半導體材料外延生長，其中氮化鎵基LEDMOCVD主要用于生產(chǎn)氮化鎵基LED的外延片。根據(jù)LEDinside的數(shù)據(jù)顯示，2018年全年氮化鎵基MOCVD的新增數(shù)量為215臺，砷化鎵基MOCVD的新增數(shù)量為65臺，氮化鎵基MOCVD設(shè)備約占全部MOCVD市場份額的77%。除藍光LED，MOCVD設(shè)備還可應用于綠光LED、紅光LED、深紫外LED，以及MiniLE

54、D、MicroLED、功率器件等諸多新興領(lǐng)域，MOCVD設(shè)備的市場規(guī)模會有望進一步擴大。第四章 建設(shè)內(nèi)容與產(chǎn)品方案一、建設(shè)規(guī)模及主要建設(shè)內(nèi)容（一）項目場地規(guī)模該項目總占地面積60519.94（折合約90.78畝），預計場區(qū)規(guī)劃總建筑面積76860.32。（二）產(chǎn)能規(guī)模根據(jù)國內(nèi)外市場需求和xx有限責任公司建設(shè)能力分析，建設(shè)規(guī)模確定達產(chǎn)年產(chǎn)高科技設(shè)備10000臺，預計年營業(yè)收入66600.00萬元。二、產(chǎn)品規(guī)劃方案及生產(chǎn)綱領(lǐng)本期項目產(chǎn)品主要從國家及地方產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策、市場需求狀況、資源供應情況、企業(yè)資金籌措能力、生產(chǎn)工藝技術(shù)水平的先進程度、項目經(jīng)濟效益及投資風險性等方面綜合考慮確定。具體品種將根據(jù)市

55、場需求狀況進行必要的調(diào)整，各年生產(chǎn)綱領(lǐng)是根據(jù)人員及裝備生產(chǎn)能力水平，并參考市場需求預測情況確定，同時，把產(chǎn)量和銷量視為一致，本報告將按照初步產(chǎn)品方案進行測算。第五章 項目選址可行性分析一、項目選址原則項目選址應符合城鄉(xiāng)規(guī)劃和相關(guān)標準規(guī)范，有利于產(chǎn)業(yè)發(fā)展、城鄉(xiāng)功能完善和城鄉(xiāng)空間資源合理配置與利用，堅持節(jié)能、保護環(huán)境可持續(xù)利用發(fā)展，經(jīng)濟效益、社會效益、環(huán)境效益三效統(tǒng)一，土地利用最優(yōu)化。二、建設(shè)區(qū)基本情況南通，位于中國東部海岸線與長江交匯處，長江入?？诒币恚c上海市隔江相望，是江蘇唯一同時擁有沿江沿海深水岸線城市。陸域面積8001平方千米，屬長江三角洲沖積平原，處亞熱帶季風氣候。是山水旅游城市，以“

56、中國近代第一城”著稱的歷史文化名城。下轄如東1縣，如皋、啟東、海門、海安4市，崇川、港閘、通州3區(qū)及富民港辦事處（南通經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)）。為全國14個進一步對外開放沿海城市之一，為全國有影響力“紡織之鄉(xiāng)”“建筑之鄉(xiāng)”“教育之鄉(xiāng)”“體育之鄉(xiāng)”“文博之鄉(xiāng)”“長壽之鄉(xiāng)”“平安之鄉(xiāng)”“新僑之鄉(xiāng)”，先后獲全國文明城市、國家環(huán)保模范城市、國家衛(wèi)生城市、國家園林城市、國家生態(tài)市、全國社會治安綜合治理優(yōu)秀城市、全國科技進步先進市、中國服務外包風采城市等榮譽。2018年，南通市常住人口731萬人。其中城鎮(zhèn)人口490.5萬人。實現(xiàn)地區(qū)生產(chǎn)總值8427億元，按可比價格計算，比上年增長7.2%。其中：第一產(chǎn)業(yè)增加值39

57、7.77億元，比上年增長2.2%；第二產(chǎn)業(yè)增加值3947.88億元，比上年增長6.5%；第三產(chǎn)業(yè)增加值4081.35億元，比上年增長8.4%。人均GDP115320元，比上年增長7.1%。按2018年平均匯率計算，人均GDP17427美元。建筑業(yè)總產(chǎn)值8259.18億元。社會消費品零售總額3088.77億元?？v觀國際國內(nèi)發(fā)展環(huán)境，“十三五”時期，南通仍處于大有作為的重要戰(zhàn)略機遇期，但也面臨諸多矛盾疊加、風險隱患增多的嚴峻挑戰(zhàn)。從國際環(huán)境看。和平與發(fā)展的時代主題沒有變，世界多極化、經(jīng)濟全球化、文化多樣化、社會信息化深入發(fā)展，世界經(jīng)濟在深度調(diào)整中曲折復蘇，新一輪科技革命和產(chǎn)業(yè)變革蓄勢待發(fā)。同時，國際金融危機深層次影響在相當長時期依然存在，全球經(jīng)濟貿(mào)易增長乏力，保護主義抬頭，外部環(huán)境中不穩(wěn)定不確定因素增多。從國內(nèi)環(huán)境看。我國經(jīng)濟長期向好基本面沒有改變，經(jīng)濟發(fā)展進入新常態(tài)，正在向形態(tài)更高級、分工