異質(zhì)結(jié)和MIS結(jié)構(gòu).教學(xué)資料

1、 如圖表示兩種不同的半導(dǎo)體材料沒有形成異質(zhì)結(jié)前后的熱平衡能帶圖。 有下標(biāo)“1”者為禁帶寬度小的半導(dǎo)體材料的物理參數(shù)，有下標(biāo)“2”者為 禁帶寬度大的半導(dǎo)體材料的物理參數(shù)。 圖1 形成突變pn異質(zhì)結(jié)之前和之后的平均能帶圖 （1）突變反型異質(zhì)結(jié)能帶圖）突變反型異質(zhì)結(jié)能帶圖 如從圖中可見，在形成異質(zhì)結(jié)之前，p型半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)EF1的位置 為 而n型的半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)EF2的位置為 當(dāng)這兩塊導(dǎo)電類型相反的半導(dǎo)體材料緊密接觸形成異質(zhì)結(jié)時(shí)，由于n型半 導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)位置高，電子將從n型半導(dǎo)體流向p半導(dǎo)體，同時(shí)空穴在與 電子相反的方向流動(dòng)，直至兩塊半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)相等為止。 111 vF EE 222 cF

2、 EE 這時(shí)兩塊半導(dǎo)體有統(tǒng)一的費(fèi)米能級(jí)，即 因而異質(zhì)結(jié)處于熱平衡狀態(tài)。兩塊半導(dǎo)體材料交界面的兩端形成了空 間電荷區(qū)。n型半導(dǎo)體一邊為正空間電荷區(qū)，p型半導(dǎo)體一邊為負(fù)空間電荷 區(qū)。正負(fù)空間電荷間產(chǎn)生電場(chǎng)，也稱為內(nèi)建電場(chǎng)，因?yàn)殡妶?chǎng)存在，電子在 空間電荷區(qū)中各點(diǎn)有附加電勢(shì)能，是空間電荷區(qū)中的能帶發(fā)生彎曲。由于 EF2比EF1高，則能帶總的彎曲量就是真空電子能級(jí)的彎曲量即 21FFF EEE 1221FFDDD EEqVqVqV 顯然 處于熱平衡狀態(tài)的pn異質(zhì)結(jié)的能帶圖如圖1右圖所示。 從圖中看到有兩塊半導(dǎo)體材料的交界面即附近的能帶可反應(yīng)出兩個(gè)特 點(diǎn)：1.能帶發(fā)生了彎曲。2.能帶再交界面處不連續(xù)，有一

3、個(gè)突變。 兩種半導(dǎo)體的導(dǎo)帶底在交界面的處突變 為 而價(jià)帶頂?shù)耐蛔?為 21DDD VVV c E 21 c E v E 2112 ggv EEE 而且 以上結(jié)果對(duì)所有突變異質(zhì)結(jié)普遍適用。 如下圖所示，突變np異質(zhì)結(jié)能帶圖，其情況與pn異質(zhì)結(jié)類似。 22ggvc EEEE NP異質(zhì)結(jié)能帶圖 （2）突變同型異質(zhì)結(jié)的能帶圖 圖2為均是n型的兩種不同的半導(dǎo)體材料形成的異質(zhì)結(jié)之間的平衡能 帶圖；右圖為形成異質(zhì)結(jié)之后的平衡能帶圖。當(dāng)兩種半導(dǎo)體材料緊密接觸 形成異質(zhì)結(jié)時(shí)，由于禁帶寬度大的n型半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)比禁帶寬度小的 高，所以電子將從前者向后者流動(dòng)。 圖2：形成同型異質(zhì)結(jié)前后的能帶圖 對(duì)于反型異質(zhì)結(jié)，兩

4、種半導(dǎo)體材料的交界面兩邊都成了耗盡層；而在 同型異質(zhì)結(jié)中，一般必有一變成為積累層。 如下圖所示，pp異質(zhì)結(jié)在熱平衡時(shí)的能帶圖。其情況與nn異質(zhì)結(jié)類似。 實(shí)際上由于形成異質(zhì)結(jié)的兩種半導(dǎo)體材料的禁帶寬度、電子親和能及功函 數(shù)的不同，能帶的交界面附近的變化情況會(huì)有所不同。 以突變pn異質(zhì)結(jié)為例，如圖所示： 設(shè)p型和n型半導(dǎo)體中的雜志都是均勻分布的，則交界面兩邊的勢(shì)壘區(qū)中 的電荷密度可以寫成 2220 1101 )(, )(, D A qNxxxx qNxxxx 突變反型異質(zhì)結(jié)的接觸電勢(shì)差及勢(shì)壘區(qū)寬度突變反型異質(zhì)結(jié)的接觸電勢(shì)差及勢(shì)壘區(qū)寬度 勢(shì)壘區(qū)總寬度為 勢(shì)壘區(qū)內(nèi)的正負(fù)電荷總量相等，即 上式可以化簡(jiǎn)為

5、 設(shè)V(x)代表勢(shì)壘區(qū)中x電的電勢(shì)，則突變反型異質(zhì)結(jié)交界面兩邊的泊 松方程分別為： 121002 ddxxxxX D QxxqNxxqN DA )()( 022101 1 2 02 10 A D N N xx xx 將以上兩式積分一次得 1 1 2 1 2 )( A qN dx xVd 2 2 2 2 2 )( D qN dx xVd 01 xxx 20 xxx 1 1 11 )( C xqN dx xdV A 2 2 22 )( C xqN dx xdV D 01 xxx 20 xxx 因勢(shì)壘區(qū)外是電中性的，電場(chǎng)集中在勢(shì)壘區(qū)內(nèi)，故邊界條件為 由邊界條件得： 代入原式為 0)( 1 1 11

6、xx dx dV xE 0)( 1 1 11 xx dx dV xE 2 22 2 1 11 1 , xqN C xqN C DA 1 111 )()( xxqN dx xdV A 2 222 )()( xxqN dx xdV D 對(duì)以上兩式繼續(xù)積分得 在熱平衡條件下，異質(zhì)結(jié)的接觸電勢(shì)差VD為 而VD在交界面p型半導(dǎo)體一側(cè)的電勢(shì)差為 1 1 11 1 2 1 1 2 )(D xxqNxqN xV AA 2 2 22 2 2 2 2 2 )(D xxqNxqN xV DD )()( 1122 xVxVVD )()( 11011 xVxVVD 而VD在交界面n型半導(dǎo)體一側(cè)的電勢(shì)差為 在交界面處，電

7、勢(shì)連續(xù)變化，故 令V1(x1)=0，則VD=V2(x2)，并代入式V1(X) 、V2(X)中得 因此，將D1、D2分別代入原式得 )()( 02222 xVxVVD 21DDD VVV 2 2 22 2 1 2 11 1 2 , 2 xqN VD xqN D D D A 由V1(x0)=V2(x0)，即得接觸電勢(shì)差VD為 而 1 2 11 1 2 )( )( xxqN xV A 2 2 22 2 2 )( )( xxqN VxV D D 2 2 022 1 2 101 2 )( 2 )( )( xxqNxxqN xV DA D V 1 2 101 D1 2 )( xxqN V A 2 2 02

8、D2 D2 2 )( xxqN V 由式 得： 將上述兩式代入VD(x)得 從而算得勢(shì)壘區(qū)寬度XD為 21 2 10 ) DA DD NN XN xx （ 21 A1 02 )（ DA D NN XN xx 2 21 1 11 2 21 2 12 21 2 DA DA A DA DD AD NN XN N NN XN N q V 2 1 112221 2 2121 2 ADDA DDA D NNNqN VNN X 121002 ddxxxxX D QxxqNxxqN DA )()( 022101 在交界面兩側(cè)，兩種半導(dǎo)體中的勢(shì)壘寬度分別為 將上述兩式分別代入VD1 、VD2中得： 2 1 D2

9、2111 221 101 2 NNqN VN xxd AA DD 2 1 22112 A121 022 2 DAD D NNqN VN xxd 2211 22 1 DA DD D NN VN V 2211 A12 2 DA D D NN VN V 得 VD1與VD2之比為 以上是在沒有外加電壓的情況下，突變反型異質(zhì)結(jié)處于熱平衡狀態(tài)時(shí) 得到的一些公式。若在異質(zhì)結(jié)上施加外加電壓V?？梢缘玫疆愘|(zhì)結(jié)處于非 平衡狀態(tài)時(shí)的一系列公式： 11 22 2 1 A D D D N N V V 21 1 21 2 21 2 12 21 2 DA DA D DA DD AD NN XN N NN XN N q VV

10、 2 1 221121 2 2121 2 DADA DDA D NNNqN VVNN X 2 1 22111 221 10 ( )(2 )( DAA DD NNqN VVN xx 2 1 22112 A121 02 ( )(2 )( DAD D NNqN VVN xx 2211 22 11 )( DA DD D NN VVN VV 2211 A11 22 )( DA D D NN VVN VV 11 22 22 11 A D D D N N VV VV 以上所得公式，將下標(biāo)1與2互換之后，就能用于突變np異質(zhì)結(jié) 。 突變反型異質(zhì)結(jié)的勢(shì)壘電容，可以用和計(jì)算普通pn結(jié)的勢(shì)壘電容類似 的 方法計(jì)算如

11、下： 將 聯(lián)立得 將外加偏壓下XD的表達(dá)式代入得 21 21 DA DDA NN qXNN Q 2 1 2211 2121 )(2 DA DDA NN VVNqN Q 突變反型異質(zhì)結(jié)的勢(shì)壘電容突變反型異質(zhì)結(jié)的勢(shì)壘電容 121002 ddxxxxX D QxxqNxxqN DA )()( 022101 有微分電容C=dQ/dV，即可求的單位面積勢(shì)壘電容和外加電壓的關(guān)系 為： 若結(jié)面積為A，則勢(shì)壘電容為 將上式寫成如下形式 2 1 2211 2121 )(2 VVNN NqN AACC DDA DA TT 2 1 2211 2121 _2 VVNN NqN dV dQ C DDA DA T 212

12、1 2211 2 )(2 )( 1 DA DNA T NqN VVNN C 可見， 與外電壓V呈線性關(guān)系。而直線的斜率是 若已知一種半導(dǎo)體材料中的雜質(zhì)濃度，則由斜率可算出另一種半導(dǎo)體 材料中的雜質(zhì)濃度。 突變同型異質(zhì)結(jié)的若干公式突變同型異質(zhì)結(jié)的若干公式 對(duì)于突變同型異質(zhì)結(jié)，禁帶寬度小的半導(dǎo)體一側(cè)是積累層，禁帶寬度 大的半導(dǎo)體一側(cè)是耗盡層。從電中性條件和泊松方程求得的接觸電勢(shì)差為 超越函數(shù)。有關(guān)公式如下： 2 )(1 T C 2121 2211 2 2 DA DAT NqN NN dV Cd 在 時(shí)，有 1 22 11 1 1e 0 D k qv D D DD V q kT N N VV D q

13、TkVD/ 01 1 2 1 2 1 220 11 11 220 1 D DD D D D NTk VNq qN NTk V 2 1 2 22 202 2 D D qN V dxx 12DDD VVV 如圖半導(dǎo)體異質(zhì)pn結(jié)界面導(dǎo)帶連接處存在一勢(shì)壘尖峰，根據(jù)尖峰高低的不 同有兩種情況。上圖表示勢(shì)壘尖峰 低于p區(qū)導(dǎo)帶底的情況，稱為低勢(shì)壘 尖峰情況，下圖表示勢(shì)壘尖峰高于p 區(qū)導(dǎo)帶底的情況，稱為高勢(shì)壘尖峰 情況。 突變異質(zhì)結(jié)突變異質(zhì)結(jié)pn結(jié)的電流結(jié)的電流電壓特性電壓特性 低勢(shì)壘尖峰與高勢(shì)壘尖峰情形 根據(jù)上述，低尖峰勢(shì)壘情形是異質(zhì)結(jié)的電子流主要有擴(kuò)散機(jī)制決定，可 用擴(kuò)散模型處理，如下圖中表示其正偏壓時(shí)的

14、能帶圖。p型半導(dǎo)體中少數(shù) 載流子濃度n10與n型半導(dǎo)體中多數(shù)載流子濃度的關(guān)系為： 取交界面x=0，當(dāng)異質(zhì)結(jié)加正 向偏壓V時(shí) Tk EqV nn cD 0 0201 exp Tk qV n Tk EVVq nxn cD 0 10 0 2011 expexp 異質(zhì)結(jié)正偏壓時(shí)的能帶圖 在穩(wěn)定情況下，p型半導(dǎo)體中注入少數(shù)載流子運(yùn)動(dòng)的連續(xù)性方程為 其通解為 由邊界條件，x=-時(shí)，n(-)=n10，得A=0；當(dāng)x=-x1時(shí)，將n1(-x1)代入上式有： 從而求得電子擴(kuò)散電流密度 0 11 2 1 2 n n nxn dx xnd D 11 11 expexp nn L x B L x Anxn 1 1 0

15、 10 exp1exp n L x Tk qV nB 上式為由n型區(qū)注入p型區(qū)的電子擴(kuò)散電流密度，以下計(jì)算由p型區(qū)注 入n型區(qū)的空穴電流密度。從p區(qū)價(jià)帶頂?shù)目昭▌?shì)壘高度為 在熱平衡時(shí)n型半導(dǎo)體中少數(shù)載流子空穴的濃度與p型半導(dǎo)體中的空穴 濃度關(guān)系 正向電壓V時(shí)在n區(qū)x=x2處的空穴濃度增加為 VVDD EqVEqVqV 21 Tk EqV pp VD 0 1020 exp 1exp 01 10111 1 1 Tk qV L nqD dx nxnd qDJ n n xx nn 與前面相同，求解空穴擴(kuò)散方程，從而求得空穴擴(kuò)散電流密度 由上述Jn、Jp可得外加電壓，通過(guò)異質(zhì)pn結(jié)的總電流為 Tk qV

16、 p Tk EVVq pp VD 0 20 0 1020 expexp 1exp 02 202 202 2 2 Tk qV L pqD dx pxpd qDJ p p xx pp 1exp 0 20 2 2 10 1 1 Tk qV p L D n L D qJJJ p p n n np 上式證明正向電壓時(shí)電流隨電壓按指數(shù)關(guān)系增加。 對(duì)于高尖峰勢(shì)壘情形，如圖所示，通過(guò)異質(zhì)結(jié)的電流是由發(fā)射 機(jī)制控制的，以下用熱電子發(fā)射模型計(jì)算其電流密度。 設(shè)n區(qū)電子熱運(yùn)動(dòng)平均速度為： 則單位時(shí)間從n區(qū)撞擊到勢(shì)壘處單位面積 上的電子數(shù)為： 2 1 2 0 20 2 1 2 0 20 2 20 2 8 4 1 4

17、m Tk n m Tk n v n 圖：高尖峰勢(shì)壘情形 2 1 2 0 2 8 m Tk v 故由n區(qū)注入p區(qū)的電子電流密度 同理得到從p區(qū)注入n區(qū)電子流密度為 得到 Tk VVq m Tk qnJ D 0 22 2 1 0 202 exp 2 Tk VVqE m Tk qnJ Dc 0 11 2 1 0 101 exp 2 Tk VVq m Tk qnJ D 0 12 2 1 0 201 exp 2 總電流密度 由于異質(zhì)結(jié)情況的復(fù)雜性，上式也只得到了小部分異質(zhì)結(jié)實(shí)驗(yàn)結(jié)果 的證實(shí)。正向電壓時(shí)，主要由從n區(qū)注入p區(qū)的電子流形成，則 說(shuō)明發(fā)射模型也同樣得到正向時(shí)電流隨電壓按指數(shù)關(guān)系增加。 不能用于

18、加反向電壓的情況。 Tk qV Tk qV Tk qV m Tk qnJJJ D 0 1 0 2 0 2 2 1 0 2012 expexpexp 2 Tk qV Tk qV J 00 2 expexp 異質(zhì)異質(zhì)pn結(jié)的應(yīng)用結(jié)的應(yīng)用 對(duì)于NPN型雙極型晶體管，其結(jié)構(gòu)如圖所示，發(fā)射結(jié)效率定義為 pn n JJ J NPN型雙極型晶體管結(jié)構(gòu) 式中Jn和Jp分別表示由發(fā)射區(qū)注入基區(qū)的電子電流濃度和由基區(qū)注入 發(fā)射區(qū)的空穴電流密度，當(dāng) 接近于1時(shí)，才能獲得高的電流放大倍數(shù)。 對(duì)于同質(zhì)結(jié)的雙晶體管，為了提高電子發(fā)射效率，發(fā)射區(qū)的摻雜濃度應(yīng)較 基區(qū)摻雜濃度高幾個(gè)數(shù)量級(jí)，這就限制了基區(qū)摻雜濃度不能太高，增加

19、基 區(qū)的電阻，而為了減小基區(qū)電阻，基區(qū)寬度就不能太薄，影響了頻率特性 的提高。 采用寬禁帶n型半導(dǎo)體和窄禁帶p型半導(dǎo)體形成的異質(zhì)結(jié)作為發(fā)射結(jié)，則 獲得高的注入比和發(fā)射效率，使基區(qū)厚度大大減薄，從而大大提高晶體管 的頻率特性。使用這種結(jié)構(gòu)制作的雙極晶體管稱為異質(zhì)結(jié)雙極晶體管。 由前面分析，可得異質(zhì)pn結(jié)電子電流與空穴電流的注入比為 在p區(qū)和n區(qū)雜質(zhì)完全電離的情況上式可表為： 其中E=EC+EV式中Dn1、Dn2及Lp2、Ln1相差不大，都在同一數(shù)量級(jí)，而 可遠(yuǎn)大于1，由式中可以看出，即使p區(qū)摻雜濃度很大，仍看 可以得到很大的注入比。 Tk E LnD LnD J J np pn p n 0110

20、2 2201 exp Tk E LnD LnD J J nAp pDn p n 0112 221 exp Tk E 0 exp 以寬禁帶n型 和窄禁帶p型GaAs組成的pn結(jié) 為例，其禁帶寬 度之差 ，設(shè)p區(qū)摻雜濃度 為 ，n區(qū)摻雜濃度 為 。 由上式可得 這表明即使禁帶寬n區(qū)摻雜濃度較p區(qū)低近兩個(gè)數(shù)量級(jí)，但注入比仍可 高達(dá) ，異質(zhì)pn結(jié)的這一高注入特性是區(qū)別于同質(zhì)pn結(jié)的 主要 特點(diǎn)之一，也因此得到重要應(yīng)用。 AsGaAl 7 . 03 . 0 eVE37. 0 319 102 cm 317 105 cm 4 01 2 104exp Tk E N N J J A D p n 4 104 MI

21、SMIS結(jié)構(gòu)及其應(yīng)用結(jié)構(gòu)及其應(yīng)用 場(chǎng)效應(yīng)晶體管（英語(yǔ)：場(chǎng)效應(yīng)晶體管（英語(yǔ)：field-effect transistorfield-effect transistor，縮寫：，縮寫：FETFET ）是一種通過(guò)電場(chǎng)效應(yīng)控制電流的電子元件。它依靠電場(chǎng)去控制）是一種通過(guò)電場(chǎng)效應(yīng)控制電流的電子元件。它依靠電場(chǎng)去控制 導(dǎo)電溝道形狀，因此能控制半導(dǎo)體材料中某種類型載流子的溝道導(dǎo)電溝道形狀，因此能控制半導(dǎo)體材料中某種類型載流子的溝道 的導(dǎo)電性。場(chǎng)效應(yīng)管工作的關(guān)鍵部分為金屬的導(dǎo)電性。場(chǎng)效應(yīng)管工作的關(guān)鍵部分為金屬絕緣層絕緣層半導(dǎo)體半導(dǎo)體 (MIS)(MIS)接觸的結(jié)構(gòu)，如下圖所示：接觸的結(jié)構(gòu)，如下圖所示： 金屬

22、對(duì)應(yīng)的電極為柵極，其外加偏壓金屬對(duì)應(yīng)的電極為柵極，其外加偏壓 為為VG。當(dāng)。當(dāng)VG=0時(shí)，該結(jié)構(gòu)的能帶時(shí)，該結(jié)構(gòu)的能帶結(jié)結(jié) 構(gòu)如構(gòu)如圖圖所示所示： MIS接觸平衡時(shí)的能帶結(jié)構(gòu)接觸平衡時(shí)的能帶結(jié)構(gòu) 隨著金屬與半導(dǎo)體之間所加偏隨著金屬與半導(dǎo)體之間所加偏 壓壓VG的變化，其能帶結(jié)構(gòu)呈現(xiàn)出的變化，其能帶結(jié)構(gòu)呈現(xiàn)出 以下以下不同的狀態(tài)。不同的狀態(tài)。 （1 1）多數(shù)載流子堆積狀態(tài)（積累層）多數(shù)載流子堆積狀態(tài)（積累層） V VG G000時(shí)，表面處空時(shí)，表面處空 穴被排斥走，當(dāng)空穴被排斥走，當(dāng)空 穴勢(shì)壘足夠高時(shí)，穴勢(shì)壘足夠高時(shí)， 表面層價(jià)帶空穴極表面層價(jià)帶空穴極 為稀少，可認(rèn)為該為稀少，可認(rèn)為該 層多子空穴

23、被耗盡，層多子空穴被耗盡， 稱為耗盡層。稱為耗盡層。 （3 3）少數(shù)載流子反型狀態(tài)（反型層，）少數(shù)載流子反型狀態(tài)（反型層，V VG G0 0 ） 開始出現(xiàn)反型層的條件：開始出現(xiàn)反型層的條件： Fi EE 強(qiáng)反型層出現(xiàn)的條件：型襯底表面處的電子密度等強(qiáng)反型層出現(xiàn)的條件：型襯底表面處的電子密度等 于體內(nèi)的空穴濃度時(shí)。于體內(nèi)的空穴濃度時(shí)。 強(qiáng)反型層條件：強(qiáng)反型層條件：E Ef f-E-Eis is=E =Ei0 i0-E -Ef f 當(dāng)外加電壓繼續(xù)增大，能帶繼當(dāng)外加電壓繼續(xù)增大，能帶繼 續(xù)向下彎曲，表面處的少數(shù)載流續(xù)向下彎曲，表面處的少數(shù)載流 子濃度等于體內(nèi)的多數(shù)載流子濃子濃度等于體內(nèi)的多數(shù)載流子濃

24、 度時(shí)，能帶發(fā)生強(qiáng)反型。此時(shí)，度時(shí)，能帶發(fā)生強(qiáng)反型。此時(shí)， 表面耗盡層寬度達(dá)到一個(gè)極大值表面耗盡層寬度達(dá)到一個(gè)極大值 ，不再隨外加電壓的增加而增加，不再隨外加電壓的增加而增加 ，這是因?yàn)榉葱蛯又蟹e累電子屏，這是因?yàn)榉葱蛯又蟹e累電子屏 蔽了外電場(chǎng)的作用。蔽了外電場(chǎng)的作用。 實(shí)際應(yīng)用實(shí)際應(yīng)用 MIS MIS結(jié)構(gòu)的主要應(yīng)用為場(chǎng)效應(yīng)晶結(jié)構(gòu)的主要應(yīng)用為場(chǎng)效應(yīng)晶 體管體管FETFET。場(chǎng)效應(yīng)管的應(yīng)用非常。場(chǎng)效應(yīng)管的應(yīng)用非常 廣泛，可應(yīng)用于放大電路廣泛，可應(yīng)用于放大電路、用作用作 可變電阻可變電阻、恒流源恒流源，還，還可以用作可以用作 電子開關(guān)電子開關(guān)等等。用作用作MOSFETMOSFET時(shí)，時(shí)， 其結(jié)構(gòu)如

25、圖所示：其結(jié)構(gòu)如圖所示： MOSFET結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu) 如圖所示，襯底引線和源極接地，如圖所示，襯底引線和源極接地， 柵極和漏極接正向偏壓。當(dāng)柵極柵極和漏極接正向偏壓。當(dāng)柵極 電壓較小時(shí)，電壓較小時(shí)，p p型襯底和氧化層的型襯底和氧化層的 界面處尚未達(dá)到反型，源極和漏界面處尚未達(dá)到反型，源極和漏 極未導(dǎo)通；隨著柵極正向偏壓的極未導(dǎo)通；隨著柵極正向偏壓的 增大，增大，p p型襯底達(dá)到反型，在襯底型襯底達(dá)到反型，在襯底 表面處形成表面處形成n n型溝道，使得場(chǎng)效應(yīng)型溝道，使得場(chǎng)效應(yīng) 管源極和漏極導(dǎo)通而通過(guò)反型溝管源極和漏極導(dǎo)通而通過(guò)反型溝 道導(dǎo)電。這一原理可用作電子開道導(dǎo)電。這一原理可用作電子開 關(guān)。關(guān)。MOSFET結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu) 此時(shí)，當(dāng)VDS較小時(shí)溝道區(qū)具有電阻的特性，因此可得： 其中溝道電導(dǎo)： 1、對(duì)于較小的VDS，當(dāng)VGSVT時(shí)，溝道反型層 電荷密度增大，從而增大溝道 電導(dǎo)。gd越大，圖中的ID-VDS的 特性曲線的斜率也越大。如圖 中的曲線(2)所示。 3、當(dāng)VDS增大時(shí)，由于漏電壓 增大，漏端