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文檔簡(jiǎn)介
1、cigs(銅銦鎵硒)薄膜太陽(yáng)能電池cigs thin films and solar cells 上海大學(xué)2011級(jí)研究生 目 錄v各類(lèi)太陽(yáng)能電池的發(fā)展現(xiàn)狀vccigs薄膜太陽(yáng)能電池v研究展望v參考文獻(xiàn)太陽(yáng)能電池的發(fā)展現(xiàn)狀v太陽(yáng)能的地位太陽(yáng)能的地位:隨著原油儲(chǔ)備的消耗,油價(jià)、電價(jià)的持續(xù)上升,以及石油燃料引起的氣候問(wèn)題,人們對(duì)可持續(xù)能源的需求變得十分迫切,利用太陽(yáng)能來(lái)發(fā)電無(wú)疑是世界未來(lái)能源的理想選擇。萬(wàn)物生長(zhǎng)靠太陽(yáng)。由于太陽(yáng)能清潔安全、取之不竭,很多國(guó)家將目光投向了清潔的太陽(yáng)能發(fā)電。國(guó)際能源署的報(bào)告顯示,到2030年,全球電力需求將翻番。因此,采用太陽(yáng)能等可再生能源發(fā)電無(wú)疑是有效的解決方法。v
2、太陽(yáng)能電池的發(fā)展概況太陽(yáng)能電池的發(fā)展概況 太陽(yáng)能電池具有許多其他發(fā)電方式所不具備的優(yōu)點(diǎn): 不消耗燃料, 不受地域限制, 規(guī)??伸`活組合, 無(wú)污染、無(wú)噪音, 安全可靠, 維護(hù)簡(jiǎn)單, 建設(shè)周期短, 最具有大規(guī)模應(yīng)用的可能性。 世界各國(guó)政府為大力發(fā)展太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè), 采取了各種政策和措施,以此促進(jìn)本國(guó)太陽(yáng)能裝機(jī)量。2002 - 2008 年世界各國(guó)太陽(yáng)能裝機(jī)容量逐年遞增, 如圖1 所示 據(jù)photon 資料報(bào)導(dǎo), 2008 年全球太陽(yáng)能電池生產(chǎn)企業(yè)排名, 如表1 所示。德國(guó)qcells 榜首位置依然穩(wěn)固, 其中最大變化是中、日企業(yè)的位置發(fā)生對(duì)調(diào), 以無(wú)錫尚德為代表的中國(guó)企業(yè)產(chǎn)能增長(zhǎng)迅速,見(jiàn)下表1: 表1
3、 2008 年全球前10 名太陽(yáng)能電池生產(chǎn)企業(yè)v太陽(yáng)能電池的種類(lèi) 太陽(yáng)能電池是通過(guò)光電效應(yīng)或光化學(xué)效應(yīng)直接把光能轉(zhuǎn)化為電能的裝置。目前太陽(yáng)能電池主要有晶體硅型和薄膜型2 大類(lèi)型。如圖2 所示。圖2 太陽(yáng)能電池的主要種類(lèi)v晶體硅型晶體硅型 晶體硅太陽(yáng)能電池可分為單晶硅太陽(yáng)能電池和多晶硅太陽(yáng)能電池, 是目前國(guó)際上的主流產(chǎn)品, 占世界太陽(yáng)能電池市場(chǎng)80%。 1.單晶硅太陽(yáng)能電池v 單晶硅太陽(yáng)能電池在實(shí)驗(yàn)室的轉(zhuǎn)換效率為25% , 而工業(yè)生產(chǎn)的光電轉(zhuǎn)換效率僅達(dá)15% , 且單晶硅要求的晶體純度達(dá)99. 999 999% 以上, 生產(chǎn)成本高, 難以推廣應(yīng)用。 單晶硅太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換效率達(dá)15% 左右, 其制
4、造工藝已相當(dāng)成熟由于單晶硅主要采用西門(mén)子法西門(mén)子法生產(chǎn), 從多晶硅中提煉出單晶, 然后通過(guò)拉硅單晶棒、切割得到單晶硅圓片, 再經(jīng)過(guò)刻蝕, 最后生產(chǎn)成太陽(yáng)能電池組件??梢?jiàn), 其生產(chǎn)過(guò)程耗能較高, 生產(chǎn)成本也相當(dāng)高, 因此推廣應(yīng)用有一定難度, 但目前仍占太陽(yáng)能電池市場(chǎng)份額的主要地位?!?671- 2730( 2010)03-0182-05 太陽(yáng)能電池現(xiàn)狀及其發(fā)展前景 梁昌鑫, 陳孝祺】2 多晶硅太陽(yáng)能電池v 多晶硅太陽(yáng)能電池由于其生產(chǎn)成本和原料價(jià)格低廉, 工業(yè)生產(chǎn)的光電轉(zhuǎn)換效率達(dá)13% 16% ,因此其產(chǎn)業(yè)化發(fā)展較快, 但還需解決低成本、低能耗和高效率的關(guān)鍵技術(shù)。多晶硅太陽(yáng)能電池主要采用改良型西門(mén)
5、子法改良型西門(mén)子法的制造工藝。由于其省卻了單晶硅的純度要求,使制造成本大大降低, 電池的轉(zhuǎn)換效率達(dá)到16%v薄膜太陽(yáng)能電池薄膜太陽(yáng)能電池 由于薄膜電池采用廉價(jià)襯底, 以低溫制造技術(shù)沉積半導(dǎo)體薄膜光伏器件, 鍍膜厚度可薄至2um, 遠(yuǎn)低于晶體硅鍍膜厚度80 300um; 同時(shí), 其生產(chǎn)成本有較大降低, 使能源回收期大大縮短。因此, 各國(guó)相繼開(kāi)發(fā)了各種薄膜太陽(yáng)能電池, 主要產(chǎn)品有多晶硅薄膜電池、主要產(chǎn)品有多晶硅薄膜電池、cdte 薄膜電池、薄膜電池、cis 薄薄膜電池、染料敏化薄膜電池膜電池、染料敏化薄膜電池( dssc) 等。根據(jù)德國(guó)研究機(jī)構(gòu)photon consulting 的報(bào)告顯示, 20
6、08 # 2010 年間薄膜太陽(yáng)能電池產(chǎn)量每年翻番, 至2010 年產(chǎn)能將達(dá)到4180 mw/ a。硅薄膜太陽(yáng)能電池硅薄膜太陽(yáng)能電池 硅薄膜太陽(yáng)能電池是1976 年由calson 和wronski 所發(fā)明, 該種電池生產(chǎn)制造技術(shù)相當(dāng)成熟, 不僅可大量節(jié)省成本和能耗, 而且產(chǎn)品面積有較大增加。但是, 該種電池轉(zhuǎn)化效率相對(duì)較低該種電池轉(zhuǎn)化效率相對(duì)較低, 目前僅為12% 14% , 且光電效率隨使用時(shí)間的增長(zhǎng)而衰退, 為此美國(guó)united solar 公司、日本kameka, uhi 等公司正繼續(xù)研究, 重點(diǎn)研究的是多結(jié)構(gòu)、微晶硅ucsi、疊層型ucsi 的太陽(yáng)能電池等。目目前硅薄膜太陽(yáng)能電池大多采
7、用等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法前硅薄膜太陽(yáng)能電池大多采用等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法( pecvd) .化合物薄膜太陽(yáng)能電池化合物薄膜太陽(yáng)能電池 化合物薄膜太陽(yáng)能電池的光轉(zhuǎn)換效率高光轉(zhuǎn)換效率高, 理論值可達(dá)28%, 又易于薄膜化, 因此, 世界各國(guó)都開(kāi)展了該種電池的研發(fā)。目前主要有碲化鎘 ( cdte) 、銅銦硒( cis, cigs) 太陽(yáng)能電池等。v染料敏化太陽(yáng)能電池 1991 年, 瑞士graetzel 教授等成功研制了染料敏化太陽(yáng)能電池( dssc) , 當(dāng)時(shí)的轉(zhuǎn)換效率僅達(dá)8%。經(jīng)多年研究, 轉(zhuǎn)換效率已提高到10% , 但目前產(chǎn)品的轉(zhuǎn)換效率僅為7% 。由于其成本低、制造容易、設(shè)備簡(jiǎn)單, 因此價(jià)
8、格可低于0. 5 美元/wp。 目前美國(guó)k onarka 和英國(guó)g24 innovations 公司已開(kāi)始生產(chǎn)這種太陽(yáng)能電池。 縱觀太陽(yáng)能電池的發(fā)展歷史縱觀太陽(yáng)能電池的發(fā)展歷史, 其關(guān)鍵技術(shù)是提高光電轉(zhuǎn)換效率其關(guān)鍵技術(shù)是提高光電轉(zhuǎn)換效率, 降低生降低生產(chǎn)成本和能耗產(chǎn)成本和能耗, 才能加快太陽(yáng)能電池的推廣應(yīng)用。我們相信隨著世界各國(guó)才能加快太陽(yáng)能電池的推廣應(yīng)用。我們相信隨著世界各國(guó)在太陽(yáng)能電池的不斷研發(fā)成功和產(chǎn)業(yè)化在太陽(yáng)能電池的不斷研發(fā)成功和產(chǎn)業(yè)化, 太陽(yáng)能電池將會(huì)在新能源中占有太陽(yáng)能電池將會(huì)在新能源中占有重要的地位。重要的地位。cigs薄膜太陽(yáng)能電池v據(jù)光伏信息報(bào)道,無(wú)錫尚德ceo施正榮認(rèn)為,為
9、了使太陽(yáng)電池的價(jià)格能夠不斷下降,必須進(jìn)行技術(shù)革新和裝備改造,而技術(shù)革新方面就是使用薄膜電池,既可節(jié)省成本,也可適用于更廣泛的行業(yè)。如果薄膜電池的效率在15%以上,那么,未來(lái)的市場(chǎng)將以薄膜電池為主導(dǎo)。對(duì)光伏組件而言, 薄膜電池的優(yōu)勢(shì)主要體現(xiàn)在:薄膜電池的優(yōu)勢(shì)主要體現(xiàn)在: 1.成本低,這是薄膜光伏技術(shù)的最大優(yōu)勢(shì); 2.一體化集成性,明顯降低了工藝復(fù)雜性和生產(chǎn)成本; 3.不依賴(lài)于硅材料; 4.更適合在高溫環(huán)境下工作; 5.可制造成柔性電池,質(zhì)量輕,運(yùn)輸方便,應(yīng)用廣泛。 圖3是來(lái)自deutsche bank對(duì)各種薄膜光伏電池到2010年的市場(chǎng)狀況,在薄 膜電池的市場(chǎng)中還將以硅基薄膜電池和cdte電池為
10、主流。 圖3 各種薄膜光伏電池到2010年的市場(chǎng)狀況cigs的晶體結(jié)構(gòu)cuinse2黃銅礦晶格結(jié)構(gòu)lcuinse2復(fù)式晶格:a=0.577,c=1.154l直接帶隙半導(dǎo)體,其光吸收系數(shù)高達(dá)105/cm量級(jí)l通過(guò)摻入適量的ga以替代部分in,形成culnse2和cugase2的固熔晶體lga的摻入會(huì)改變晶體的晶格常數(shù),改變了原子之間的作用力,最終實(shí)現(xiàn)了材料禁帶寬度的改變,在1.04一1.7ev范圍內(nèi)可以根據(jù)設(shè)計(jì)調(diào)整,以達(dá)到最高的轉(zhuǎn)化效率vcigs薄膜電池 cigs薄膜制備的聚光太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)化率達(dá)到21.5%,是所有目前研制的薄膜太陽(yáng)電池中最高的轉(zhuǎn)換效率。cu (in,ga)se2可通過(guò)改變in和
11、ga的比例調(diào)整來(lái)優(yōu)化禁帶寬度,可帶隙調(diào)整是可帶隙調(diào)整是cigs系相對(duì)于其他系列電池如系相對(duì)于其他系列電池如cis系、系、si系和系和cdte系等的系等的最大優(yōu)勢(shì),所以對(duì)最大優(yōu)勢(shì),所以對(duì)cis系薄膜太陽(yáng)電池的研究重點(diǎn)就轉(zhuǎn)向系薄膜太陽(yáng)電池的研究重點(diǎn)就轉(zhuǎn)向cigs薄膜太陽(yáng)電池。薄膜太陽(yáng)電池。1 cigs薄膜太陽(yáng)電池結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)薄膜太陽(yáng)電池結(jié)構(gòu)及特點(diǎn) 太陽(yáng)電池的基本原理是光生伏特效應(yīng). 單結(jié)cigs薄膜太陽(yáng)電池的基本結(jié)構(gòu)由襯底、背電極層、吸收層、緩沖層、窗口層、減反層、電極層組成。 典型的cigs薄膜太陽(yáng)電池的結(jié)構(gòu)為:glass/mo/cigs/zns/i-zno/zao/mgf2,如圖4所示。 cig
12、s薄膜太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)金屬柵電極減反射膜(mgf2)窗口層zno過(guò)渡層cds光吸收層cigs金屬背電極mo玻璃襯底低阻azo高阻zno金屬柵電極減反射膜(mgf2)金屬柵電極減反射膜(mgf2)金屬柵電極窗口層zno減反射膜(mgf2)金屬柵電極窗口層zno減反射膜(mgf2)金屬柵電極過(guò)渡層cds窗口層zno減反射膜(mgf2)金屬柵電極過(guò)渡層cds窗口層zno減反射膜(mgf2)金屬柵電極光吸收層cigs過(guò)渡層cds窗口層zno減反射膜(mgf2)金屬柵電極光吸收層cigs光吸收層cigs過(guò)渡層cds光吸收層cigs過(guò)渡層cds光吸收層cigs窗口層zno過(guò)渡層cds光吸收層cigs金屬柵
13、電極減反射膜(mgf2)金屬柵電極減反射膜(mgf2)金屬柵電極窗口層zno減反射膜(mgf2)金屬柵電極金屬柵電極減反射膜(mgf2)金屬柵電極減反射膜(mgf2)金屬柵電極窗口層zno減反射膜(mgf2)金屬柵電極金屬柵電極減反射膜(mgf2)金屬柵電極減反射膜(mgf2)金屬柵電極窗口層zno減反射膜(mgf2)金屬柵電極窗口層zno減反射膜(mgf2)金屬柵電極過(guò)渡層cds窗口層zno減反射膜(mgf2)金屬柵電極過(guò)渡層cds窗口層zno減反射膜(mgf2)金屬柵電極光吸收層cigs過(guò)渡層cds窗口層zno減反射膜(mgf2)金屬柵電極光吸收層cigs過(guò)渡層cds窗口層zno減反射膜(
14、mgf2)金屬柵電極金屬背電極mo光吸收層cigs過(guò)渡層cds窗口層zno減反射膜(mgf2)金屬柵電極窗口層zno減反射膜(mgf2)金屬柵電極過(guò)渡層cds窗口層zno減反射膜(mgf2)金屬柵電極過(guò)渡層cds窗口層zno減反射膜(mgf2)金屬柵電極光吸收層cigs過(guò)渡層cds窗口層zno減反射膜(mgf2)金屬柵電極金屬背電極mo光吸收層cigs過(guò)渡層cds窗口層zno減反射膜(mgf2)金屬柵電極金屬背電極mo光吸收層cigs過(guò)渡層cds窗口層zno減反射膜(mgf2)金屬柵電極玻璃襯底金屬背電極mo光吸收層cigs過(guò)渡層cds窗口層zno減反射膜(mgf2)金屬柵電極圖圖4 -1圖圖
15、4-2vcigs薄膜太陽(yáng)電池與薄膜太陽(yáng)電池與cis系、系、si系、系、cdte系薄膜電池相比具有如下顯系薄膜電池相比具有如下顯著的優(yōu)點(diǎn)著的優(yōu)點(diǎn): (1)cigs是由ga取代cis中部分的in得到黃銅礦結(jié)構(gòu)的四元化合物,因此能進(jìn)行帶隙剪裁。太陽(yáng)能理想的吸收禁帶寬度為1.451.5 ev,而cigs的禁帶寬度可在1.021.68 ev范圍內(nèi)調(diào)整,這就為薄膜太陽(yáng)電池最佳帶隙的優(yōu)化提供了新的途徑。可帶隙調(diào)整可帶隙調(diào)整是相對(duì)于si系和cdte系太陽(yáng)電池的最大優(yōu)勢(shì)。 (2)cigs是直接帶隙材料是直接帶隙材料,已知的半導(dǎo)體材料中光吸收系數(shù)最大,最適合薄膜化。cigs膜厚度12m時(shí)就可以將太陽(yáng)光全部吸收,大
16、大降低了材料的成本,而多晶硅膜太陽(yáng)電池其膜厚通常在2030m (3) cigs薄膜不會(huì)產(chǎn)生光致衰變現(xiàn)象薄膜不會(huì)產(chǎn)生光致衰變現(xiàn)象即沒(méi)有sw效應(yīng)(a-si:h薄膜經(jīng)較長(zhǎng)時(shí)間的強(qiáng)光照射或電流通過(guò),在其內(nèi)部將產(chǎn)生缺陷而使薄膜的使用性能下降 ,稱(chēng)為stable wronski效應(yīng))。 (4)cigs薄膜可用鈉鈣玻璃作襯底,不僅成本低、膨脹系數(shù)相近、薄膜可用鈉鈣玻璃作襯底,不僅成本低、膨脹系數(shù)相近、還因微量的還因微量的na摻雜而提高電池的轉(zhuǎn)換效率和成品率。摻雜而提高電池的轉(zhuǎn)換效率和成品率。cigs薄膜在玻璃襯底上形成缺陷很少的、晶粒巨大的高品質(zhì)結(jié)晶,而這種晶粒尺寸是一般的多晶薄膜根本無(wú)法達(dá)到的。 v2 c
17、igs薄膜制備工藝薄膜制備工藝 cigs 太陽(yáng)能電池吸收光的范圍廣, 轉(zhuǎn)換效率高, 穩(wěn)定性好, 制造成本低, 但由于其制造工藝復(fù)雜、成品率較低, 目前尚難實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。目前主要的研發(fā)公司有shell solar, w urth solar, show a shell, zsw 等。w urth solar 公司的cigs 太陽(yáng)能電池制造工藝如圖5 所示。目前主要制造企業(yè)有美國(guó)global solar energy、德國(guó)qcell 和w urth solar 等公司。 圖5 cigs 太陽(yáng)能電池制造工藝 fig. 5 the manufacture process of cigsv3. cigs薄
18、膜制備和性能薄膜制備和性能 3.1 3種典型的種典型的cigs薄膜制備方法薄膜制備方法 cigs薄膜太陽(yáng)電池吸收層為cigs薄膜,對(duì)光電轉(zhuǎn)化效率有著決定性的影響。現(xiàn)階段,薄膜太陽(yáng)電池中的吸收層cigs薄膜的制備形成了蒸鍍法、硒化法、電蒸鍍法、硒化法、電化學(xué)沉積化學(xué)沉積3種主要的方法。這這3種方法各有優(yōu)點(diǎn)種方法各有優(yōu)點(diǎn):蒸鍍法適合制備高轉(zhuǎn)化效率的薄膜,硒化法適合于制備低成本的薄膜,化學(xué)沉積法適合于制備大面積薄膜。蒸鍍法和硒化法已經(jīng)比較成熟,化學(xué)沉積法正處于研究階段。 蒸鍍法蒸鍍法是cigs薄膜最早的制備方法,經(jīng)過(guò)長(zhǎng)期的發(fā)展,形成一步法、兩步法、三步法和“in-line”工藝等4種典型的工藝,如圖
19、6所示蒸鍍法還未實(shí)現(xiàn)工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)。v硒化法硒化法 人們多年研究結(jié)果表明:cigs薄膜性質(zhì)主要依賴(lài)于cu/in/ga原子配比和硒化條件,與中間的生長(zhǎng)過(guò)程無(wú)關(guān),如果將將cu、in、ga分別成膜,并單獨(dú)硒化處理,分別成膜,并單獨(dú)硒化處理,只需改變只需改變cu/in/ga配比和硒化條件配比和硒化條件,使得工藝較三步蒸鍍法簡(jiǎn)化許多,于是硒化法得到了迅速的發(fā)展。硒化法的典型工藝是先預(yù)制含硒化法的典型工藝是先預(yù)制含cu、in和和ga元素的合金元素的合金薄膜,然后在薄膜,然后在h2se或固態(tài)源的硒蒸汽中硒化熱處理形成或固態(tài)源的硒蒸汽中硒化熱處理形成cigs薄膜。薄膜。其中固態(tài)源硒化法因成本低、設(shè)備和工藝容
20、易實(shí)現(xiàn)、安全環(huán)保,得到了人們的廣泛注。缺缺點(diǎn)點(diǎn)是設(shè)備比較龐大,設(shè)備投資大,制備cigs薄膜時(shí)間長(zhǎng),濺射靶材使用率低,制造成本高。難點(diǎn)。難點(diǎn)主要集中在后硒化工藝,如硒氣氛的氣流、襯底加熱器的分布和過(guò)程控制。(薄膜太陽(yáng)電池的研發(fā)現(xiàn)狀和產(chǎn)業(yè)發(fā)展 洪瑞江,沈輝)v電沉積制備方法電沉積制備方法正在成為大面積cigs薄膜制備的一種方法,從原來(lái)的多步沉積到現(xiàn)在的一步共一步共沉積沉積,發(fā)展非常迅速。電沉積cigs薄膜的前驅(qū)體的選擇比較單一,除了se元素的前驅(qū)體是h2seo3以外,其他三種元素的前驅(qū)體主要是其硫酸鹽和氯化鹽。大面積cigs薄膜研究的最終目的是想通過(guò)一步共沉積實(shí)現(xiàn).但是由于cu、in、ga和se的
21、電極電位相差很大,對(duì)于一步共沉積難度大,通常是通過(guò)調(diào)整沉積電位、溶液ph值、添加緩釋劑、溶液成分比例來(lái)使這4種元素的電極電位相差不大,最終達(dá)到一步共沉積。v3.2 cigs薄膜性能研究薄膜性能研究 小面積的cigs薄膜太陽(yáng)電池轉(zhuǎn)換率已超過(guò)19%,比世界上效率最高的單晶si電池效率的25%低6%,比理想黑體電池的理論極限的33%低14%,因此cigs薄膜性能研究最終的目的是尋求提高薄膜轉(zhuǎn)化效率的途徑。一般有兩種提高效率一般有兩種提高效率的途徑的途徑:一是通過(guò)摻雜來(lái)改變薄膜成分,二是通過(guò)優(yōu)化工藝來(lái)提高薄膜本身的質(zhì)量,改善薄膜的表面與界面。 對(duì)于cigs薄膜來(lái)說(shuō),cu/(in+ga)和ga/(in+
22、ga)的比例在電池性能方面起著重要的作用,cu/(in+ga)的比例影響薄膜的形貌,的比例影響薄膜的形貌,ga/(in+ga)的比例影響禁帶的比例影響禁帶寬度。摻雜濃度越高,禁帶越寬,但同時(shí)會(huì)增加很多缺陷寬度。摻雜濃度越高,禁帶越寬,但同時(shí)會(huì)增加很多缺陷。 3.3 cigs薄膜太陽(yáng)能電池的研究進(jìn)展薄膜太陽(yáng)能電池的研究進(jìn)展v cigs薄膜制備已取得很大的進(jìn)展,但由于電池本身材料和器件結(jié)構(gòu)的復(fù)雜性,導(dǎo)致cigs太陽(yáng)能電池產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程緩慢。下面介紹近年來(lái)出現(xiàn)的新的研究方向及進(jìn)展情況。 干法過(guò)渡層干法過(guò)渡層 目前干法沉積薄膜的主要觀點(diǎn)是用 mocvd 、alcvd (atomic layer chemi
23、cal vapor deposition)及蒸發(fā)的方法來(lái)沉積緩沖層,這些方法都屬于“軟”沉積方法,不會(huì)在沉積過(guò)程中對(duì)吸收層材料帶來(lái)?yè)p傷。 無(wú)無(wú)cd工藝工藝 由于cd會(huì)污染環(huán)境,因此在制備cigs薄膜過(guò)程中,最好的方式是發(fā)展無(wú)cd工藝。 表2給出了目前研制的各種無(wú)鎘緩沖層。 表2 各種無(wú)cd緩沖層的cigs太陽(yáng)電池最高效率及研究單位日本青山大學(xué)的nakada采用鋅鹽、氨水和硫脲配成的溶液分3次連續(xù)cbd(chemical bath deposition) 沉積zns,所制備的cigs電池效率達(dá)到了18.6%。用改進(jìn)的cbd工藝制備的單層zns的電池效率達(dá)到了18.5%。無(wú)cd緩沖層cigs電池研究已經(jīng)取得了巨大的進(jìn)展,將取代cds成為cigs薄膜太陽(yáng)電池緩沖層的主角。v非真空低成本工藝非真空低成本工藝 對(duì)于cigs薄膜太陽(yáng)電池來(lái)說(shuō),采用非真空方法來(lái)制備,顯著的優(yōu)點(diǎn)是可以降低昂貴真空設(shè)備的投入,進(jìn)一步降低電池成本。目前非真空法主要分為主要分為涂覆法和
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