大連半導(dǎo)體硅片項(xiàng)目投資分析報(bào)告（模板范本）

1、泓域咨詢(xún) /大連半導(dǎo)體硅片項(xiàng)目投資分析報(bào)告目錄第一章 行業(yè)、市場(chǎng)分析6一、 行業(yè)發(fā)展態(tài)勢(shì)6二、 行業(yè)發(fā)展態(tài)勢(shì)9三、 半導(dǎo)體硅片市場(chǎng)規(guī)模與發(fā)展態(tài)勢(shì)12第二章 項(xiàng)目背景分析16一、 半導(dǎo)體硅片需求情況16二、 半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展情況19三、 半導(dǎo)體硅片介紹及主要種類(lèi)22第三章 項(xiàng)目緒論28一、 項(xiàng)目概述28二、 項(xiàng)目提出的理由30三、 項(xiàng)目總投資及資金構(gòu)成30四、 資金籌措方案31五、 項(xiàng)目預(yù)期經(jīng)濟(jì)效益規(guī)劃目標(biāo)31六、 原輔材料及設(shè)備31七、 項(xiàng)目建設(shè)進(jìn)度規(guī)劃32八、 環(huán)境影響32九、 報(bào)告編制依據(jù)和原則32十、 研究范圍33十一、 研究結(jié)論34十二、 主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)一覽表34主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)一覽表34第四

2、章 選址方案分析37一、 項(xiàng)目選址原則37二、 建設(shè)區(qū)基本情況37三、 創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)發(fā)展40四、 社會(huì)經(jīng)濟(jì)發(fā)展目標(biāo)43五、 產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向44六、 項(xiàng)目選址綜合評(píng)價(jià)47第五章 建設(shè)內(nèi)容與產(chǎn)品方案48一、 建設(shè)規(guī)模及主要建設(shè)內(nèi)容48二、 產(chǎn)品規(guī)劃方案及生產(chǎn)綱領(lǐng)48產(chǎn)品規(guī)劃方案一覽表48第六章 建筑工程說(shuō)明50一、 項(xiàng)目工程設(shè)計(jì)總體要求50二、 建設(shè)方案50三、 建筑工程建設(shè)指標(biāo)52建筑工程投資一覽表52第七章 組織機(jī)構(gòu)及人力資源54一、 人力資源配置54勞動(dòng)定員一覽表54二、 員工技能培訓(xùn)54第八章 勞動(dòng)安全分析57一、 編制依據(jù)57二、 防范措施58三、 預(yù)期效果評(píng)價(jià)61第九章 原輔材料分析62一、

3、 項(xiàng)目建設(shè)期原輔材料供應(yīng)情況62二、 項(xiàng)目運(yùn)營(yíng)期原輔材料供應(yīng)及質(zhì)量管理62第十章 項(xiàng)目進(jìn)度計(jì)劃64一、 項(xiàng)目進(jìn)度安排64項(xiàng)目實(shí)施進(jìn)度計(jì)劃一覽表64二、 項(xiàng)目實(shí)施保障措施65第十一章 項(xiàng)目節(jié)能說(shuō)明66一、 項(xiàng)目節(jié)能概述66二、 能源消費(fèi)種類(lèi)和數(shù)量分析67能耗分析一覽表68三、 項(xiàng)目節(jié)能措施68四、 節(jié)能綜合評(píng)價(jià)70第十二章 投資計(jì)劃71一、 編制說(shuō)明71二、 建設(shè)投資71建筑工程投資一覽表72主要設(shè)備購(gòu)置一覽表73建設(shè)投資估算表74三、 建設(shè)期利息75建設(shè)期利息估算表75固定資產(chǎn)投資估算表76四、 流動(dòng)資金77流動(dòng)資金估算表78五、 項(xiàng)目總投資79總投資及構(gòu)成一覽表79六、 資金籌措與投資計(jì)劃8

4、0項(xiàng)目投資計(jì)劃與資金籌措一覽表80第十三章 項(xiàng)目招投標(biāo)方案82一、 項(xiàng)目招標(biāo)依據(jù)82二、 項(xiàng)目招標(biāo)范圍82三、 招標(biāo)要求83四、 招標(biāo)組織方式85五、 招標(biāo)信息發(fā)布89第十四章 風(fēng)險(xiǎn)評(píng)估分析90一、 項(xiàng)目風(fēng)險(xiǎn)分析90二、 項(xiàng)目風(fēng)險(xiǎn)對(duì)策92第十五章 項(xiàng)目總結(jié)分析95第一章 行業(yè)、市場(chǎng)分析一、 行業(yè)發(fā)展態(tài)勢(shì)1、半導(dǎo)體硅片向大尺寸方向發(fā)展在摩爾定律的影響下，半導(dǎo)體硅片正在不斷向大尺寸的方向發(fā)展。在未來(lái)一段時(shí)間內(nèi)，300mm半導(dǎo)體硅片仍將作為主流尺寸，同時(shí)100-150mm半導(dǎo)體硅片產(chǎn)能將逐步向200mm硅片轉(zhuǎn)移，而200mm硅片產(chǎn)能將逐步向300mm硅片轉(zhuǎn)移。向大尺寸方向發(fā)展是半導(dǎo)體硅片行業(yè)最基本的

5、發(fā)展趨勢(shì)。2、行業(yè)集中度較高過(guò)去30年間，半導(dǎo)體硅片行業(yè)集中度持續(xù)提升。20世紀(jì)90年代，全球主要的半導(dǎo)體硅片企業(yè)超過(guò)20家。2016-2018年，全球前五大硅片企業(yè)的市場(chǎng)份額已從85%提升至93%。半導(dǎo)體硅片行業(yè)兼具技術(shù)密集型、資本密集型與人才密集型的特征。行業(yè)龍頭企業(yè)通過(guò)多年的技術(shù)積累和規(guī)模效應(yīng)，已經(jīng)建立了較高的行業(yè)壁壘。半導(dǎo)體行業(yè)的周期性較強(qiáng)，規(guī)模較小的企業(yè)難以在行業(yè)低谷時(shí)期生存，而行業(yè)龍頭企業(yè)由于產(chǎn)品種類(lèi)較為豐富、與行業(yè)上下游的談判能力更強(qiáng)、單位固定成本更低，更容易承受行業(yè)的周期性波動(dòng)。通過(guò)并購(gòu)的方式實(shí)現(xiàn)外延式擴(kuò)張是一些半導(dǎo)體硅片龍頭企業(yè)發(fā)展壯大的路徑。如信越化學(xué)在1999年并購(gòu)了日立

6、的硅片業(yè)務(wù)；SUMCO為住友金屬工業(yè)的硅制造部門(mén)、聯(lián)合硅制造公司以及三菱硅材料公司合并而成；環(huán)球晶圓在2012年收購(gòu)了東芝陶瓷旗下的CovalentMaterials的半導(dǎo)體晶圓業(yè)務(wù)之后成為全球第六大半導(dǎo)體硅片廠，并于2016年收購(gòu)了正在虧損的SunEdisonSemiconductorLimited、丹麥TopsilSemiconductorMaterialsA/S半導(dǎo)體事業(yè)部，進(jìn)一步提升其市場(chǎng)占有率，也提高了整個(gè)行業(yè)的集中度。3、終端新興應(yīng)用涌現(xiàn)半導(dǎo)體硅片行業(yè)除了受宏觀經(jīng)濟(jì)影響，亦受到具體終端市場(chǎng)的影響。例如2010年，全球宏觀經(jīng)濟(jì)增速僅4%，但由于iPhone4和iPad的推出，大幅拉動(dòng)

7、了半導(dǎo)體行業(yè)的需求，2010年全球半導(dǎo)體行業(yè)收入增長(zhǎng)達(dá)32%。2017年開(kāi)始，大數(shù)據(jù)、云計(jì)算、人工智能、新能源汽車(chē)、區(qū)塊鏈等新興終端應(yīng)用的出現(xiàn)，半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)入了多種新型需求同時(shí)爆發(fā)的新一輪上行周期。4、全球半導(dǎo)體行業(yè)區(qū)域轉(zhuǎn)移半導(dǎo)體行業(yè)具有生產(chǎn)技術(shù)工序多、產(chǎn)品種類(lèi)多、技術(shù)更新?lián)Q代快、投資高風(fēng)險(xiǎn)大、下游應(yīng)用廣泛等特點(diǎn)，疊加下游新興應(yīng)用市場(chǎng)的不斷涌現(xiàn)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈從集成化到垂直化分工的趨勢(shì)越來(lái)越明確，并經(jīng)歷了兩次空間上的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移。第一次為20世紀(jì)70年代從美國(guó)向日本轉(zhuǎn)移，第二次是20世紀(jì)80年代向韓國(guó)與中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)轉(zhuǎn)移。目前，全球半導(dǎo)體行業(yè)正在開(kāi)始第三次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，即向中國(guó)大陸轉(zhuǎn)移。歷史上兩次成功的產(chǎn)

8、業(yè)轉(zhuǎn)移都帶動(dòng)了目標(biāo)國(guó)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展、垂直化分工進(jìn)程的推進(jìn)和資源優(yōu)化配置。對(duì)于產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移的目標(biāo)國(guó)，其半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)往往從封裝測(cè)試向芯片制造與設(shè)計(jì)延伸，擴(kuò)展至半導(dǎo)體材料與設(shè)備，最終實(shí)現(xiàn)全產(chǎn)業(yè)鏈的整體發(fā)展。與發(fā)達(dá)國(guó)家和地區(qū)相比，目前中國(guó)大陸在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的分工仍處于前期，半導(dǎo)體材料和設(shè)備行業(yè)將成為未來(lái)增長(zhǎng)的重點(diǎn)。受益于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)加速向中國(guó)大陸轉(zhuǎn)移，中國(guó)大陸作為全球最大半導(dǎo)體終端產(chǎn)品消費(fèi)市場(chǎng)，中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的規(guī)模不斷擴(kuò)大，隨著國(guó)際產(chǎn)能不斷向中國(guó)轉(zhuǎn)移，中資、外資半導(dǎo)體企業(yè)紛紛在中國(guó)投資建廠，中國(guó)大陸半導(dǎo)體硅片需求將不斷增長(zhǎng)。5、政策推動(dòng)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)快速發(fā)展半導(dǎo)體行業(yè)是中國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)的重要增長(zhǎng)點(diǎn)、驅(qū)動(dòng)力。近年來(lái)

9、，中國(guó)政府頒布了一系列政策支持半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展。2016年，全國(guó)人大發(fā)布中華人民共和國(guó)國(guó)民經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展第十三個(gè)五年規(guī)劃綱要，明確將培育集成電路產(chǎn)業(yè)體系、大力推進(jìn)先進(jìn)半導(dǎo)體等新興前沿領(lǐng)域創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)化作為中國(guó)近期發(fā)展重點(diǎn)。2017年，科技部將300mm硅片大生產(chǎn)線的應(yīng)用并實(shí)現(xiàn)規(guī)?；N(xiāo)售列為“十三五”先進(jìn)制造技術(shù)領(lǐng)域科技創(chuàng)新專(zhuān)項(xiàng)規(guī)劃。2018年，國(guó)務(wù)院將推動(dòng)集成電路、新材料等產(chǎn)業(yè)發(fā)展列入2018年政府工作報(bào)告。2014年，隨著國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)基金的設(shè)立，各地方亦紛紛設(shè)立了集成電路產(chǎn)業(yè)基金。半導(dǎo)體硅片作為集成電路基礎(chǔ)性、關(guān)鍵性材料，屬于國(guó)家行業(yè)政策與資金重點(diǎn)支持發(fā)展的領(lǐng)域。二、 行業(yè)發(fā)展態(tài)勢(shì)1、半導(dǎo)體

10、硅片向大尺寸方向發(fā)展在摩爾定律的影響下，半導(dǎo)體硅片正在不斷向大尺寸的方向發(fā)展。在未來(lái)一段時(shí)間內(nèi)，300mm半導(dǎo)體硅片仍將作為主流尺寸，同時(shí)100-150mm半導(dǎo)體硅片產(chǎn)能將逐步向200mm硅片轉(zhuǎn)移，而200mm硅片產(chǎn)能將逐步向300mm硅片轉(zhuǎn)移。向大尺寸方向發(fā)展是半導(dǎo)體硅片行業(yè)最基本的發(fā)展趨勢(shì)。2、行業(yè)集中度較高過(guò)去30年間，半導(dǎo)體硅片行業(yè)集中度持續(xù)提升。20世紀(jì)90年代，全球主要的半導(dǎo)體硅片企業(yè)超過(guò)20家。2016-2018年，全球前五大硅片企業(yè)的市場(chǎng)份額已從85%提升至93%。半導(dǎo)體硅片行業(yè)兼具技術(shù)密集型、資本密集型與人才密集型的特征。行業(yè)龍頭企業(yè)通過(guò)多年的技術(shù)積累和規(guī)模效應(yīng)，已經(jīng)建立了較

11、高的行業(yè)壁壘。半導(dǎo)體行業(yè)的周期性較強(qiáng)，規(guī)模較小的企業(yè)難以在行業(yè)低谷時(shí)期生存，而行業(yè)龍頭企業(yè)由于產(chǎn)品種類(lèi)較為豐富、與行業(yè)上下游的談判能力更強(qiáng)、單位固定成本更低，更容易承受行業(yè)的周期性波動(dòng)。通過(guò)并購(gòu)的方式實(shí)現(xiàn)外延式擴(kuò)張是一些半導(dǎo)體硅片龍頭企業(yè)發(fā)展壯大的路徑。如信越化學(xué)在1999年并購(gòu)了日立的硅片業(yè)務(wù)；SUMCO為住友金屬工業(yè)的硅制造部門(mén)、聯(lián)合硅制造公司以及三菱硅材料公司合并而成；環(huán)球晶圓在2012年收購(gòu)了東芝陶瓷旗下的CovalentMaterials的半導(dǎo)體晶圓業(yè)務(wù)之后成為全球第六大半導(dǎo)體硅片廠，并于2016年收購(gòu)了正在虧損的SunEdisonSemiconductorLimited、丹麥Top

12、silSemiconductorMaterialsA/S半導(dǎo)體事業(yè)部，進(jìn)一步提升其市場(chǎng)占有率，也提高了整個(gè)行業(yè)的集中度。3、終端新興應(yīng)用涌現(xiàn)半導(dǎo)體硅片行業(yè)除了受宏觀經(jīng)濟(jì)影響，亦受到具體終端市場(chǎng)的影響。例如2010年，全球宏觀經(jīng)濟(jì)增速僅4%，但由于iPhone4和iPad的推出，大幅拉動(dòng)了半導(dǎo)體行業(yè)的需求，2010年全球半導(dǎo)體行業(yè)收入增長(zhǎng)達(dá)32%。2017年開(kāi)始，大數(shù)據(jù)、云計(jì)算、人工智能、新能源汽車(chē)、區(qū)塊鏈等新興終端應(yīng)用的出現(xiàn)，半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)入了多種新型需求同時(shí)爆發(fā)的新一輪上行周期。4、全球半導(dǎo)體行業(yè)區(qū)域轉(zhuǎn)移半導(dǎo)體行業(yè)具有生產(chǎn)技術(shù)工序多、產(chǎn)品種類(lèi)多、技術(shù)更新?lián)Q代快、投資高風(fēng)險(xiǎn)大、下游應(yīng)用廣泛等特點(diǎn)

13、，疊加下游新興應(yīng)用市場(chǎng)的不斷涌現(xiàn)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈從集成化到垂直化分工的趨勢(shì)越來(lái)越明確，并經(jīng)歷了兩次空間上的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移。第一次為20世紀(jì)70年代從美國(guó)向日本轉(zhuǎn)移，第二次是20世紀(jì)80年代向韓國(guó)與中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)轉(zhuǎn)移。目前，全球半導(dǎo)體行業(yè)正在開(kāi)始第三次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，即向中國(guó)大陸轉(zhuǎn)移。歷史上兩次成功的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移都帶動(dòng)了目標(biāo)國(guó)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展、垂直化分工進(jìn)程的推進(jìn)和資源優(yōu)化配置。對(duì)于產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移的目標(biāo)國(guó)，其半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)往往從封裝測(cè)試向芯片制造與設(shè)計(jì)延伸，擴(kuò)展至半導(dǎo)體材料與設(shè)備，最終實(shí)現(xiàn)全產(chǎn)業(yè)鏈的整體發(fā)展。與發(fā)達(dá)國(guó)家和地區(qū)相比，目前中國(guó)大陸在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的分工仍處于前期，半導(dǎo)體材料和設(shè)備行業(yè)將成為未來(lái)增長(zhǎng)的重點(diǎn)。受益于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

14、加速向中國(guó)大陸轉(zhuǎn)移，中國(guó)大陸作為全球最大半導(dǎo)體終端產(chǎn)品消費(fèi)市場(chǎng)，中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的規(guī)模不斷擴(kuò)大，隨著國(guó)際產(chǎn)能不斷向中國(guó)轉(zhuǎn)移，中資、外資半導(dǎo)體企業(yè)紛紛在中國(guó)投資建廠，中國(guó)大陸半導(dǎo)體硅片需求將不斷增長(zhǎng)。5、政策推動(dòng)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)快速發(fā)展半導(dǎo)體行業(yè)是中國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)的重要增長(zhǎng)點(diǎn)、驅(qū)動(dòng)力。近年來(lái)，中國(guó)政府頒布了一系列政策支持半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展。2016年，全國(guó)人大發(fā)布中華人民共和國(guó)國(guó)民經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展第十三個(gè)五年規(guī)劃綱要，明確將培育集成電路產(chǎn)業(yè)體系、大力推進(jìn)先進(jìn)半導(dǎo)體等新興前沿領(lǐng)域創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)化作為中國(guó)近期發(fā)展重點(diǎn)。2017年，科技部將300mm硅片大生產(chǎn)線的應(yīng)用并實(shí)現(xiàn)規(guī)?；N(xiāo)售列為“十三五”先進(jìn)制造技術(shù)領(lǐng)域科

15、技創(chuàng)新專(zhuān)項(xiàng)規(guī)劃。2018年，國(guó)務(wù)院將推動(dòng)集成電路、新材料等產(chǎn)業(yè)發(fā)展列入2018年政府工作報(bào)告。2014年，隨著國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)基金的設(shè)立，各地方亦紛紛設(shè)立了集成電路產(chǎn)業(yè)基金。半導(dǎo)體硅片作為集成電路基礎(chǔ)性、關(guān)鍵性材料，屬于國(guó)家行業(yè)政策與資金重點(diǎn)支持發(fā)展的領(lǐng)域。三、 半導(dǎo)體硅片市場(chǎng)規(guī)模與發(fā)展態(tài)勢(shì)1、全球半導(dǎo)體硅片市場(chǎng)規(guī)模與發(fā)展態(tài)勢(shì)由于半導(dǎo)體行業(yè)與全球宏觀經(jīng)濟(jì)形勢(shì)緊密相關(guān)，全球半導(dǎo)體硅片行業(yè)在2009年受經(jīng)濟(jì)危機(jī)影響較為低迷出貨量與銷(xiāo)售額均出現(xiàn)下滑；2010年由于智能手機(jī)放量增長(zhǎng)，硅片行業(yè)大幅反彈。2011年至2016年，全球經(jīng)濟(jì)逐漸復(fù)蘇但依舊較為低迷，硅片行業(yè)亦隨之低速發(fā)展。2017年以來(lái)，受益于

16、半導(dǎo)體終端市場(chǎng)需求強(qiáng)勁，下游傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域計(jì)算機(jī)、移動(dòng)通信、固態(tài)硬盤(pán)、工業(yè)電子市場(chǎng)持續(xù)增長(zhǎng)，新興應(yīng)用領(lǐng)域如人工智能、區(qū)塊鏈、物聯(lián)網(wǎng)、汽車(chē)電子的快速發(fā)展，半導(dǎo)體硅片市場(chǎng)規(guī)模不斷增長(zhǎng)，并于2018年突破百億美元大關(guān)。2、全球各尺寸半導(dǎo)體硅片市場(chǎng)情況2018年，300mm硅片和200mm硅片市場(chǎng)份額分別為63.83%和26.14%，兩種尺寸硅片合計(jì)占比接近90.00%。2011年開(kāi)始，200mm半導(dǎo)體硅片市場(chǎng)占有率穩(wěn)定在25-27%之間。2016年至2017年，由于汽車(chē)電子、智能手機(jī)用指紋芯片、液晶顯示器市場(chǎng)需求快速增長(zhǎng)，200mm硅片出貨面積從2,690.00百萬(wàn)平方英寸上升至3,085.00百萬(wàn)平

17、方英寸，同比增長(zhǎng)14.68%。2018年，受益于汽車(chē)電子、工業(yè)電子、物聯(lián)網(wǎng)等應(yīng)用領(lǐng)域的強(qiáng)勁需求，以及功率器件、傳感器等生產(chǎn)商將部分產(chǎn)能從150mm轉(zhuǎn)移至200mm，帶動(dòng)200mm硅片繼續(xù)保持增長(zhǎng)，200mm硅片出貨面積達(dá)到3,278.00百萬(wàn)平方英寸，同比增長(zhǎng)6.25%。自2000年全球第一條300mm芯片制造生產(chǎn)線建成以來(lái)，300mm半導(dǎo)體硅片市場(chǎng)需求增加，出貨面積不斷上升。2008年，300mm半導(dǎo)體硅片出貨量首次超過(guò)200mm半導(dǎo)體硅片；2009年，300mm半導(dǎo)體硅片出貨面積超過(guò)其他尺寸半導(dǎo)體硅片出貨面積之和。2000年至2018年，由于移動(dòng)通信、計(jì)算機(jī)等終端市場(chǎng)持續(xù)快速發(fā)展，300m

18、m半導(dǎo)體硅片出貨面積從94.00百萬(wàn)平方英寸擴(kuò)大至8,005.00百萬(wàn)平方英寸，市場(chǎng)份額從1.69%大幅提升至2018年的63.83%，成為半導(dǎo)體硅片市場(chǎng)最主流的產(chǎn)品。2016至2018年，由于人工智能、區(qū)塊鏈、云計(jì)算等新興終端市場(chǎng)的蓬勃發(fā)展，300mm半導(dǎo)體硅片出貨面積分別為6,817.00、7,261.00、8,005.00百萬(wàn)平方英寸，年均復(fù)合增長(zhǎng)率為8.36%。3、中國(guó)大陸半導(dǎo)體硅片市場(chǎng)現(xiàn)狀及前景2008年至2013年，中國(guó)大陸半導(dǎo)體硅片市場(chǎng)發(fā)展趨勢(shì)與全球半導(dǎo)體硅片市場(chǎng)一致。2014年起，隨著中國(guó)各半導(dǎo)體制造生產(chǎn)線投產(chǎn)、中國(guó)半導(dǎo)體制造技術(shù)的不斷進(jìn)步與中國(guó)半導(dǎo)體終端產(chǎn)品市場(chǎng)的飛速發(fā)展，中

19、國(guó)大陸半導(dǎo)體硅片市場(chǎng)步入了飛躍式發(fā)展階段。2016年至2018年，中國(guó)大陸半導(dǎo)體硅片銷(xiāo)售額從5.00億美元上升至9.92億美元，年均復(fù)合增長(zhǎng)率高達(dá)40.88%，遠(yuǎn)高于同期全球半導(dǎo)體硅片的年均復(fù)合增長(zhǎng)率25.65%。中國(guó)作為全球最大的半導(dǎo)體產(chǎn)品終端市場(chǎng)，預(yù)計(jì)未來(lái)隨著中國(guó)芯片制造產(chǎn)能的持續(xù)擴(kuò)張，中國(guó)半導(dǎo)體硅片市場(chǎng)的規(guī)模將繼續(xù)以高于全球市場(chǎng)的速度增長(zhǎng)。半導(dǎo)體硅片作為芯片制造的關(guān)鍵材料，市場(chǎng)集中度很高，目前全球半導(dǎo)體硅片市場(chǎng)主要被日本、德國(guó)、韓國(guó)、中國(guó)臺(tái)灣等國(guó)家和地區(qū)的知名企業(yè)占據(jù)。中國(guó)大陸的半導(dǎo)體硅片企業(yè)主要生產(chǎn)150mm及以下的半導(dǎo)體硅片，僅有少數(shù)幾家企業(yè)具有200mm半導(dǎo)體硅片的生產(chǎn)能力。201

20、7年以前，300mm半導(dǎo)體硅片幾乎全部依賴(lài)進(jìn)口。2018年，硅產(chǎn)業(yè)集團(tuán)子公司上海新昇作為中國(guó)大陸率先實(shí)現(xiàn)300mm硅片規(guī)?；N(xiāo)售的企業(yè)，打破了300mm半導(dǎo)體硅片國(guó)產(chǎn)化率幾乎為0%的局面。第二章 項(xiàng)目背景分析一、 半導(dǎo)體硅片需求情況90%以上的芯片需要使用半導(dǎo)體硅片制造。半導(dǎo)體硅片企業(yè)的下游客戶(hù)是芯片制造企業(yè)，包括大型綜合晶圓代工企業(yè)及專(zhuān)注于存儲(chǔ)器制造、傳感器制造與射頻芯片制造等領(lǐng)域的芯片制造企業(yè)。半導(dǎo)體硅片的終端應(yīng)用領(lǐng)域涵蓋智能手機(jī)、便攜式設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)、汽車(chē)電子、人工智能、工業(yè)電子、軍事、航空航天等眾多行業(yè)。隨著科學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展，新興終端市場(chǎng)還將不斷涌現(xiàn)。1、下游產(chǎn)能情況（1）芯片制造產(chǎn)能

21、情況2017至2020年，全球芯片制造產(chǎn)能（折合成200mm）預(yù)計(jì)將從1,985萬(wàn)片/月增長(zhǎng)至2,407萬(wàn)片/月，年均復(fù)合增長(zhǎng)率6.64%；中國(guó)芯片制造產(chǎn)能從276萬(wàn)片/月增長(zhǎng)至460萬(wàn)片/月，年均復(fù)合增長(zhǎng)率18.50%。近年來(lái)，隨著中芯國(guó)際、華力微電子、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、華虹宏力等中國(guó)大陸芯片制造企業(yè)的持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)，中國(guó)大陸芯片制造產(chǎn)能增速高于全球芯片產(chǎn)能增速。隨著芯片制造產(chǎn)能的增長(zhǎng)，對(duì)于半導(dǎo)體硅片的需求仍將持續(xù)增長(zhǎng)。目前，中國(guó)大陸企業(yè)的300mm芯片制造產(chǎn)能低于200mm芯片制造產(chǎn)能。隨著中國(guó)大陸芯片制造企業(yè)技術(shù)實(shí)力的不斷提升，預(yù)計(jì)到2020年，中國(guó)大陸企業(yè)300mm制造芯片產(chǎn)能將會(huì)超過(guò)200mm制造

22、芯片制造產(chǎn)能。（2）半導(dǎo)體器件需求增速情況3DNAND存儲(chǔ)器芯片主要使用300mm拋光片。近年來(lái)，3DNAND存儲(chǔ)器的產(chǎn)能快速增長(zhǎng)，其主要原因是用于大數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的固態(tài)硬盤(pán)SSD（SolidStateDisk）需求的增長(zhǎng)以及智能手機(jī)與便攜式設(shè)備單位存儲(chǔ)密度的提升。SEMI預(yù)計(jì)，2019年3DNAND存儲(chǔ)器芯片產(chǎn)能增速將達(dá)4.01%，3DNAND存儲(chǔ)器芯片產(chǎn)能的快速增長(zhǎng)將拉動(dòng)對(duì)300mm拋光片的需求。圖像傳感器主要使用各尺寸外延片、SOI硅片。圖像傳感器用于將光學(xué)影像轉(zhuǎn)化為數(shù)字信號(hào)，在智能手機(jī)、汽車(chē)電子、視頻監(jiān)視網(wǎng)絡(luò)中廣泛應(yīng)用。隨著多攝像頭手機(jī)成為市場(chǎng)的主流產(chǎn)品，預(yù)計(jì)2019年圖像傳感器產(chǎn)能增速將達(dá)

23、到21%，圖像傳感器將成為半導(dǎo)體行業(yè)近年增長(zhǎng)最強(qiáng)勁的細(xì)分領(lǐng)域之一。功率器件主要用于電子電力的開(kāi)關(guān)、功率轉(zhuǎn)換、功率放大、線路保護(hù)等，是在電力控制電路和電源開(kāi)關(guān)電路中必不可少的電子元器件，主要使用200mm及以下拋光片與SOI硅片。2、全球晶圓代工市場(chǎng)規(guī)模2016年、2017年、2018年，全球晶圓代工市場(chǎng)規(guī)模分別為500.05億美元、548.17億美元、577.32億美元，年均復(fù)合增長(zhǎng)率7.45%。根據(jù)ICInsights統(tǒng)計(jì)，受益于中國(guó)近年來(lái)IC設(shè)計(jì)公司數(shù)量的增長(zhǎng)、規(guī)模的擴(kuò)張，中國(guó)晶圓代工企業(yè)業(yè)務(wù)規(guī)模隨之?dāng)U大。2017年，中國(guó)晶圓代工企業(yè)銷(xiāo)售收入增長(zhǎng)30%，實(shí)現(xiàn)收入75.72億美元；2018年

24、，中國(guó)晶圓代工企業(yè)銷(xiāo)售收入增速進(jìn)一步提高，高達(dá)41%，是2018年全球晶圓代工市場(chǎng)規(guī)模增速5%的8倍，實(shí)現(xiàn)收入106.90億美元。3、半導(dǎo)體芯片制造市場(chǎng)規(guī)模根據(jù)WSTS分類(lèi)標(biāo)準(zhǔn)，半導(dǎo)體芯片主要可分為集成電路、分立器件、傳感器與光電子器件四種類(lèi)別，其中，集成電路包括存儲(chǔ)器、模擬芯片、邏輯芯片與微處理器。2018年，全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售額4,687.78億美元，其中，集成電路、光電子器件、分立器件和傳感器銷(xiāo)售額分別為3,932.88億美元、380.32億美元、241.02億美元和133.56億美元。（1）集成電路市場(chǎng)規(guī)模2016年至2018年，在大數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的固態(tài)硬盤(pán)SSD（SolidStateDisk）

25、需求的增長(zhǎng)，以及智能手機(jī)與便攜式設(shè)備單位存儲(chǔ)密度的提升的帶動(dòng)下，存儲(chǔ)器銷(xiāo)售額由767.67億美元大幅增長(zhǎng)至1,579.67億美元，年均復(fù)合增長(zhǎng)率43.45%。（2）傳感器市場(chǎng)規(guī)模2016年至2018年，傳感器銷(xiāo)售額從108.21億美元上升至133.56億美元，年均復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)11.10%。傳感器主要包括單一材料傳感器、復(fù)合材料CMOS傳感器與MEMS傳感器。隨著多攝像頭手機(jī)的普及，CMOS圖像傳感器增長(zhǎng)迅速；手機(jī)新增的指紋識(shí)別功能也增加了對(duì)于傳感器的需求；自動(dòng)駕駛技術(shù)的快速發(fā)展，增加了對(duì)圖像傳感器、激光雷達(dá)、超聲波傳感器多種類(lèi)型傳感器的需求。二、 半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展情況1、半導(dǎo)體簡(jiǎn)介半導(dǎo)體是指在常

26、溫下導(dǎo)電性能介于絕緣體與導(dǎo)體之間的材料。常見(jiàn)的半導(dǎo)體包括硅、鍺等元素半導(dǎo)體及砷化鎵、氮化鎵等化合物半導(dǎo)體。半導(dǎo)體是電子產(chǎn)品的核心，是信息產(chǎn)業(yè)的基石，亦被稱(chēng)為現(xiàn)代工業(yè)的“糧食”。半導(dǎo)體行業(yè)具有技術(shù)難度高、投資規(guī)模大、產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)長(zhǎng)、產(chǎn)品種類(lèi)多、更新迭代快、下游應(yīng)用廣泛的特點(diǎn)，產(chǎn)業(yè)鏈呈垂直化分工格局。半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)鏈包含設(shè)計(jì)、制造和封裝測(cè)試環(huán)節(jié)，半導(dǎo)體材料和設(shè)備屬于芯片制造、封測(cè)的支撐性行業(yè)。半導(dǎo)體產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)通信、計(jì)算機(jī)、汽車(chē)電子、醫(yī)療電子、工業(yè)電子、人工智能、軍工航天等行業(yè)。2、半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展情況2018年全球半導(dǎo)體行業(yè)銷(xiāo)售額4,687.78億美元，同比增長(zhǎng)13.72%；中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)銷(xiāo)售

27、額1,581.00億美元，同比增長(zhǎng)20.22%。2008至2018年，中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)在國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策、下游終端應(yīng)用市場(chǎng)發(fā)展的驅(qū)動(dòng)下迅速擴(kuò)張，占全球半導(dǎo)體行業(yè)的比重比從18.16%上升至33.73%，在全球半導(dǎo)體行業(yè)中的重要性日益上升。半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)規(guī)?？傮w呈波動(dòng)上升趨勢(shì)，與宏觀經(jīng)濟(jì)、下游應(yīng)用需求以及自身產(chǎn)能庫(kù)存等因素密切相關(guān)。盡管半導(dǎo)體行業(yè)長(zhǎng)期處于增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，但短期需求呈現(xiàn)一定的波動(dòng)性。2009年，受全球經(jīng)濟(jì)危機(jī)影響，全球GDP同比下降1.76%，半導(dǎo)體行業(yè)銷(xiāo)售額同比下降9.00%；2010年，宏觀經(jīng)濟(jì)回暖，全球GDP同比增長(zhǎng)4.32%，半導(dǎo)體行業(yè)銷(xiāo)售額因宏觀經(jīng)濟(jì)上行與第四代iPhone、第一代i

28、Pad等終端電子產(chǎn)品的興起，同比增速高達(dá)31.80%，處于歷史增長(zhǎng)高位；2011年至2016年，全球GDP以3%左右的增長(zhǎng)率低速發(fā)展，半導(dǎo)體行業(yè)銷(xiāo)售額增速亦在10%以下。2017年，全球GDP增速3.14%，但因半導(dǎo)體產(chǎn)品終端市場(chǎng)需求強(qiáng)勁，下游傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域計(jì)算機(jī)、移動(dòng)通信、固態(tài)硬盤(pán)、工業(yè)電子市場(chǎng)持續(xù)增長(zhǎng)，新興應(yīng)用領(lǐng)域如人工智能、區(qū)塊鏈、物聯(lián)網(wǎng)、汽車(chē)電子的快速發(fā)展，全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售收入實(shí)現(xiàn)21.60%的年增長(zhǎng)率，標(biāo)志著全球半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)入了新一輪的、受終端需求驅(qū)動(dòng)的上行周期。WSTS預(yù)測(cè)2019年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為4,065.87億美元，同比下降13.30%，并預(yù)測(cè)2020年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)將出現(xiàn)反

29、彈，市場(chǎng)規(guī)模達(dá)4,260.75億美元，同比上升4.8%。雖然中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)銷(xiāo)售規(guī)模持續(xù)擴(kuò)張，但中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)依然嚴(yán)重依賴(lài)進(jìn)口。根據(jù)海關(guān)總署統(tǒng)計(jì)，2018年，中國(guó)集成電路進(jìn)口金額達(dá)3,120.58億美元，連續(xù)第四年超過(guò)原油進(jìn)口金額，位列中國(guó)進(jìn)口商品第一位，并且貿(mào)易逆差還在不斷擴(kuò)大。中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程嚴(yán)重滯后于國(guó)內(nèi)快速增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求，中國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)進(jìn)口替代空間巨大。當(dāng)前，中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于產(chǎn)業(yè)升級(jí)的關(guān)鍵階段，實(shí)現(xiàn)核心技術(shù)的“自主可控”是中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)現(xiàn)階段最重要的目標(biāo)。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)按產(chǎn)品類(lèi)別可分為集成電路、光電子器件、分立器件和傳感器四類(lèi)。2018年，全球集成電路、光電子器件、分立器件和傳感

30、器銷(xiāo)售額分別為3,932.88億美元、380.32億美元、241.02億美元和133.56億美元，較2017年分別增長(zhǎng)14.60%、9.25%、11.32%和6.24%，在全球半導(dǎo)體行業(yè)占比分別為83.90%、8.11%、5.14%和2.85%。集成電路系半導(dǎo)體行業(yè)中增速最快、占比最高的行業(yè)。3、半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展情況半導(dǎo)體材料包括半導(dǎo)體制造材料與半導(dǎo)體封測(cè)材料。根據(jù)SEMI統(tǒng)計(jì)，2018年全球半導(dǎo)體制造材料市場(chǎng)規(guī)模為330.18億美元，同比增長(zhǎng)17.14%；全球半導(dǎo)體封裝測(cè)試材料市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)為197.01億美元，同比增長(zhǎng)3.02%。2009年至今，制造材料市場(chǎng)規(guī)模增速一直高于封測(cè)材料市場(chǎng)增速

31、。2009年，制造材料市場(chǎng)規(guī)模與封測(cè)材料市場(chǎng)規(guī)模相當(dāng)，經(jīng)過(guò)近十年發(fā)展，制造材料市場(chǎng)規(guī)模是封測(cè)材料市場(chǎng)規(guī)模的1.68倍。半導(dǎo)體制造材料主要包括硅片、電子氣體、光掩膜、光刻膠配套化學(xué)品、拋光材料、光刻膠、濕法化學(xué)品與濺射靶材等。根據(jù)SEMI統(tǒng)計(jì)，2018年硅片、電子氣體、光掩膜、光刻膠配套化學(xué)品的銷(xiāo)售額分別為120.98億美元、42.73億美元、40.41億美元、22.76億美元，分別占全球半導(dǎo)體制造材料行業(yè)36.64%、12.94%、12.24%、6.89%的市場(chǎng)份額。半導(dǎo)體硅片占比最高，為半導(dǎo)體制造的核心材料。三、 半導(dǎo)體硅片介紹及主要種類(lèi)1、半導(dǎo)體硅片簡(jiǎn)介常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料包括硅（Si）、鍺（

32、Ge）等元素半導(dǎo)體及砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）等化合物半導(dǎo)體。相較于鍺，硅的熔點(diǎn)為1,415，高于鍺的熔點(diǎn)937，較高的熔點(diǎn)使硅可以廣泛應(yīng)用于高溫加工工藝中；硅的禁帶寬度大于鍺，更適合制作高壓器件。相較于砷化鎵，硅安全無(wú)毒、對(duì)環(huán)境無(wú)害，而砷元素為有毒物質(zhì)；并且鍺、砷化鎵均沒(méi)有天然的氧化物，在晶圓制造時(shí)還需要在表面沉積多層絕緣體，這會(huì)導(dǎo)致下游晶圓制造的生產(chǎn)步驟增加從而使生產(chǎn)成本提高。硅基半導(dǎo)體材料是目前產(chǎn)量最大、應(yīng)用最廣的半導(dǎo)體材料，90%以上的半導(dǎo)體產(chǎn)品是用硅基材料制作的。硅在地殼中占比約27%，是除了氧元素之外第二豐富的元素，硅元素以二氧化硅和硅酸鹽的形式大量存在于沙子、巖石、礦物

33、中，儲(chǔ)量豐富并且易于取得。通常將95-99%純度的硅稱(chēng)為工業(yè)硅。沙子、礦石中的二氧化硅經(jīng)過(guò)純化，可制成純度98%以上的硅；高純度硅經(jīng)過(guò)進(jìn)一步提純變?yōu)榧兌冗_(dá)99.9999999%至99.999999999%（9-11個(gè)9）的超純多晶硅；超純多晶硅在石英坩堝中熔化，并摻入硼（P）、磷（B）等元素改變其導(dǎo)電能力，放入籽晶確定晶向，經(jīng)過(guò)單晶生長(zhǎng)，制成具有特定電性功能的單晶硅錠。熔體的溫度、提拉速度和籽晶/石英坩堝的旋轉(zhuǎn)速度決定了單晶硅錠的尺寸和晶體質(zhì)量，而熔體中的硼（P）、磷（B）等雜質(zhì)元素的濃度決定了單晶硅錠的電特性。單晶硅錠經(jīng)過(guò)切片、研磨、蝕刻、拋光、外延（如有）、鍵合（如有）、清洗等工藝步驟，制

34、造成為半導(dǎo)體硅片。在半導(dǎo)體硅片上可布設(shè)晶體管及多層互聯(lián)線，使之成為具有特定功能的集成電路或半導(dǎo)體器件產(chǎn)品。在生產(chǎn)環(huán)節(jié)中，半導(dǎo)體硅片需要盡可能地減少晶體缺陷，保持極高的平整度與表面潔凈度，以保證集成電路或半導(dǎo)體器件的可靠性。2、半導(dǎo)體硅片的主要種類(lèi)1965年，戈登摩爾提出摩爾定律：集成電路上所集成的晶體管數(shù)量，每隔18個(gè)月就提升一倍，相應(yīng)的集成電路性能增強(qiáng)一倍，成本隨之下降一半。對(duì)于芯片制造企業(yè)而言，這意味著需要不斷提升單片硅片可生產(chǎn)的芯片數(shù)量、降低單片硅片的制造成本以便與摩爾定律同步。半導(dǎo)體硅片的直徑越大，在單片硅片上可制造的芯片數(shù)量就越多，單位芯片的成本隨之降低。半導(dǎo)體硅片的尺寸（以直徑計(jì)算

35、）主要有50mm（2英寸）、75mm（3英寸）、100mm（4英寸）、150mm（6英寸）、200mm（8英寸）與300mm（12英寸）等規(guī)格。在摩爾定律的影響下，半導(dǎo)體硅片正在不斷向大尺寸的方向發(fā)展。為提高生產(chǎn)效率并降低成本，向大尺寸演進(jìn)是半導(dǎo)體硅片制造技術(shù)的發(fā)展方向。硅片尺寸越大，在單片硅片上制造的芯片數(shù)量就越多，單位芯片的成本隨之降低。同時(shí)，在圓形的硅片上制造矩形的芯片會(huì)使硅片邊緣處的一些區(qū)域無(wú)法被利用，必然會(huì)浪費(fèi)部分硅片。硅片的尺寸越大，相對(duì)而言硅片邊緣的損失會(huì)越小，有利于進(jìn)一步降低芯片的成本。例如，在同樣的工藝條件下，300mm半導(dǎo)體硅片的可使用面積超過(guò)200mm硅片的兩倍以上，可使

36、用率（衡量單位晶圓可生產(chǎn)的芯片數(shù)量的指標(biāo)）是200mm硅片的2.5倍左右。半導(dǎo)體硅片尺寸越大，對(duì)半導(dǎo)體硅片的生產(chǎn)技術(shù)、設(shè)備、材料、工藝的要求越高。目前，全球市場(chǎng)主流的產(chǎn)品是200mm、300mm直徑的半導(dǎo)體硅片，下游芯片制造行業(yè)的設(shè)備投資也與200mm和300mm規(guī)格相匹配?？紤]到大部分200mm及以下芯片制造生產(chǎn)線投產(chǎn)時(shí)間較早，絕大部分設(shè)備已折舊完畢，因此200mm及以下半導(dǎo)體硅片對(duì)應(yīng)的芯片制造成本往往較低，在部分領(lǐng)域使用200mm及以下半導(dǎo)體硅片的綜合成本可能并不高于300mm半導(dǎo)體硅片。此外，在高精度模擬電路、射頻前端芯片、嵌入式存儲(chǔ)器、CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）圖像傳感器、高壓M

37、OS等特殊產(chǎn)品方面，200mm及以下芯片制造的工藝更為成熟。綜上，200mm及以下半導(dǎo)體硅片的需求依然存在。隨著汽車(chē)電子、工業(yè)電子等應(yīng)用的驅(qū)動(dòng)，200mm半導(dǎo)體硅片的需求呈上漲趨勢(shì)。目前，除上述特殊產(chǎn)品外，200mm及以下半導(dǎo)體硅片的需求主要來(lái)源于功率器件、電源管理器、非易失性存儲(chǔ)器、MEMS、顯示驅(qū)動(dòng)芯片與指紋識(shí)別芯片等，終端應(yīng)用領(lǐng)域主要為移動(dòng)通信、汽車(chē)電子、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)電子等。目前，300mm半導(dǎo)體硅片的需求主要來(lái)源于存儲(chǔ)芯片、圖像處理芯片、通用處理器芯片、高性能FPGA（現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列）與ASIC（專(zhuān)用集成電路），終端應(yīng)用主要為智能手機(jī)、計(jì)算機(jī)、云計(jì)算、人工智能、SSD（固態(tài)存儲(chǔ)硬盤(pán)）

38、等較為高端領(lǐng)域。根據(jù)制造工藝分類(lèi)，半導(dǎo)體硅片主要可以分為拋光片、外延片與以SOI硅片為代表的高端硅基材料。單晶硅錠經(jīng)過(guò)切割、研磨和拋光處理后得到拋光片。拋光片經(jīng)過(guò)外延生長(zhǎng)形成外延片，拋光片經(jīng)過(guò)氧化、鍵合或離子注入等工藝處理后形成SOI硅片。隨著集成電路特征線寬的不斷縮小，光刻機(jī)的景深也越來(lái)越小，硅片上極其微小的高度差都會(huì)使集成電路布線圖發(fā)生變形、錯(cuò)位，這對(duì)硅片表面平整度提出了苛刻的要求。此外，硅片表面顆粒度和潔凈度對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)品的良品率也有直接影響。拋光工藝可去除加工表面殘留的損傷層，實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體硅片表面平坦化，并進(jìn)一步減小硅片的表面粗糙度以滿(mǎn)足芯片制造工藝對(duì)硅片平整度和表面顆粒度的要求。拋光片可

39、直接用于制作半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于存儲(chǔ)芯片與功率器件等，也可作為外延片、SOI硅片的襯底材料。外延是通過(guò)化學(xué)氣相沉積的方式在拋光面上生長(zhǎng)一層或多層，摻雜類(lèi)型、電阻率、厚度和晶格結(jié)構(gòu)都符合特定器件要求的新硅單晶層。外延技術(shù)可以減少硅片中因單晶生長(zhǎng)產(chǎn)生的缺陷，具有更低的缺陷密度和氧含量。外延片常在CMOS電路中使用，如通用處理器芯片、圖形處理器芯片等，由于外延片相較于拋光片含氧量、含碳量、缺陷密度更低，提高了柵氧化層的完整性，改善了溝道中的漏電現(xiàn)象，從而提升了集成電路的可靠性。除此之外，通常在低電阻率的硅襯底上外延生長(zhǎng)一層高電阻率的外延層，應(yīng)用于二極管、IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）等功率器件的制

40、造。功率器件常用在大功率和高電壓的環(huán)境中，硅襯底的低電阻率可降低導(dǎo)通電阻，高電阻率的外延層可以提高器件的擊穿電壓。外延片提升了器件的可靠性，并減少了器件的能耗，因此在工業(yè)電子、汽車(chē)電子等領(lǐng)域廣泛使用。SOI硅片即絕緣體上硅，是常見(jiàn)的硅基材料之一，其核心特征是在頂層硅和支撐襯底之間引入了一層氧化物絕緣埋層。SOI硅片的優(yōu)勢(shì)在于可以通過(guò)絕緣埋層實(shí)現(xiàn)全介質(zhì)隔離，這將大幅減少硅片的寄生電容以及漏電現(xiàn)象，并消除了閂鎖效應(yīng)。SOI硅片具有寄生電容小、短溝道效應(yīng)小、低壓低功耗、集成密度高、速度快、工藝簡(jiǎn)單、抗宇宙射線粒子的能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。因此，SOI硅片適合應(yīng)用在要求耐高壓、耐惡劣環(huán)境、低功耗、集成度高的芯片

41、上，如射頻前端芯片、功率器件、汽車(chē)電子、傳感器以及星載芯片等。第三章 項(xiàng)目緒論一、 項(xiàng)目概述（一）項(xiàng)目基本情況1、項(xiàng)目名稱(chēng)：大連半導(dǎo)體硅片項(xiàng)目2、承辦單位名稱(chēng)：xx有限責(zé)任公司3、項(xiàng)目性質(zhì)：新建4、項(xiàng)目建設(shè)地點(diǎn)：xx5、項(xiàng)目聯(lián)系人：姜xx（二）主辦單位基本情況公司依據(jù)公司法等法律法規(guī)、規(guī)范性文件及公司章程的有關(guān)規(guī)定，制定并由股東大會(huì)審議通過(guò)了董事會(huì)議事規(guī)則，董事會(huì)議事規(guī)則對(duì)董事會(huì)的職權(quán)、召集、提案、出席、議事、表決、決議及會(huì)議記錄等進(jìn)行了規(guī)范。 公司將依法合規(guī)作為新形勢(shì)下實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量發(fā)展的基本保障，堅(jiān)持合規(guī)是底線、合規(guī)高于經(jīng)濟(jì)利益的理念，確立了合規(guī)管理的戰(zhàn)略定位，進(jìn)一步明確了全面合規(guī)管理責(zé)任。公

42、司不斷強(qiáng)化重大決策、重大事項(xiàng)的合規(guī)論證審查，加強(qiáng)合規(guī)風(fēng)險(xiǎn)防控，確保依法管理、合規(guī)經(jīng)營(yíng)。嚴(yán)格貫徹落實(shí)國(guó)家法律法規(guī)和政府監(jiān)管要求，重點(diǎn)領(lǐng)域合規(guī)管理不斷強(qiáng)化，各部門(mén)分工負(fù)責(zé)、齊抓共管、協(xié)同聯(lián)動(dòng)的大合規(guī)管理格局逐步建立，廣大員工合規(guī)意識(shí)普遍增強(qiáng)，合規(guī)文化氛圍更加濃厚。經(jīng)過(guò)多年的發(fā)展，公司擁有雄厚的技術(shù)實(shí)力，豐富的生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)管理經(jīng)驗(yàn)和可靠的產(chǎn)品質(zhì)量保證體系，綜合實(shí)力進(jìn)一步增強(qiáng)。公司將繼續(xù)提升供應(yīng)鏈構(gòu)建與管理、新技術(shù)新工藝新材料應(yīng)用研發(fā)。集團(tuán)成立至今，始終堅(jiān)持以人為本、質(zhì)量第一、自主創(chuàng)新、持續(xù)改進(jìn)，以技術(shù)領(lǐng)先求發(fā)展的方針。公司不斷推動(dòng)企業(yè)品牌建設(shè)，實(shí)施品牌戰(zhàn)略，增強(qiáng)品牌意識(shí)，提升品牌管理能力，實(shí)現(xiàn)從產(chǎn)品服務(wù)

43、經(jīng)營(yíng)向品牌經(jīng)營(yíng)轉(zhuǎn)變。公司積極申報(bào)注冊(cè)國(guó)家及本區(qū)域著名商標(biāo)等，加強(qiáng)品牌策劃與設(shè)計(jì)，豐富品牌內(nèi)涵，不斷提高自主品牌產(chǎn)品和服務(wù)市場(chǎng)份額。推進(jìn)區(qū)域品牌建設(shè)，提高區(qū)域內(nèi)企業(yè)影響力。（三）項(xiàng)目建設(shè)選址及用地規(guī)模本期項(xiàng)目選址位于xx，占地面積約30.00畝。項(xiàng)目擬定建設(shè)區(qū)域地理位置優(yōu)越，交通便利，規(guī)劃電力、給排水、通訊等公用設(shè)施條件完備，非常適宜本期項(xiàng)目建設(shè)。（四）產(chǎn)品規(guī)劃方案根據(jù)項(xiàng)目建設(shè)規(guī)劃，達(dá)產(chǎn)年產(chǎn)品規(guī)劃設(shè)計(jì)方案為：xxx噸半導(dǎo)體硅片/年。二、 項(xiàng)目提出的理由功率器件主要用于電子電力的開(kāi)關(guān)、功率轉(zhuǎn)換、功率放大、線路保護(hù)等，是在電力控制電路和電源開(kāi)關(guān)電路中必不可少的電子元器件，主要使用200mm及以下拋光

44、片與SOI硅片。2016年、2017年、2018年，全球晶圓代工市場(chǎng)規(guī)模分別為500.05億美元、548.17億美元、577.32億美元，年均復(fù)合增長(zhǎng)率7.45%?？傮w看，“十三五”時(shí)期是大連經(jīng)濟(jì)轉(zhuǎn)型升級(jí)的關(guān)鍵時(shí)期。需要在國(guó)家戰(zhàn)略布局中把握重大機(jī)遇，積極主動(dòng)適應(yīng)、把握和引領(lǐng)新常態(tài)，堅(jiān)持發(fā)展實(shí)體經(jīng)濟(jì)大方向，著力發(fā)揮創(chuàng)新和開(kāi)放引領(lǐng)作用，全力解決產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)優(yōu)化升級(jí)、經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)動(dòng)力轉(zhuǎn)換、提高供給體系質(zhì)量效率、培育發(fā)展新動(dòng)力等關(guān)鍵問(wèn)題，全面提升社會(huì)民生事業(yè)發(fā)展水平，使城鄉(xiāng)居民更多更好地共享發(fā)展成果。同時(shí)，要進(jìn)一步增強(qiáng)憂(yōu)患意識(shí)和風(fēng)險(xiǎn)意識(shí)，著力在化解矛盾、補(bǔ)齊短板上取得新突破，保障新常態(tài)下經(jīng)濟(jì)社會(huì)持續(xù)健康發(fā)展。

45、三、 項(xiàng)目總投資及資金構(gòu)成本期項(xiàng)目總投資包括建設(shè)投資、建設(shè)期利息和流動(dòng)資金。根據(jù)謹(jǐn)慎財(cái)務(wù)估算，項(xiàng)目總投資11452.94萬(wàn)元，其中：建設(shè)投資9498.98萬(wàn)元，占項(xiàng)目總投資的82.94%；建設(shè)期利息133.81萬(wàn)元，占項(xiàng)目總投資的1.17%；流動(dòng)資金1820.15萬(wàn)元，占項(xiàng)目總投資的15.89%。四、 資金籌措方案（一）項(xiàng)目資本金籌措方案項(xiàng)目總投資11452.94萬(wàn)元，根據(jù)資金籌措方案，xx有限責(zé)任公司計(jì)劃自籌資金（資本金）5991.13萬(wàn)元。（二）申請(qǐng)銀行借款方案根據(jù)謹(jǐn)慎財(cái)務(wù)測(cè)算，本期工程項(xiàng)目申請(qǐng)銀行借款總額5461.81萬(wàn)元。五、 項(xiàng)目預(yù)期經(jīng)濟(jì)效益規(guī)劃目標(biāo)1、項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)年預(yù)期營(yíng)業(yè)收入（SP）

46、：22000.00萬(wàn)元。2、年綜合總成本費(fèi)用（TC）：17295.74萬(wàn)元。3、項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)年凈利潤(rùn)（NP）：3438.76萬(wàn)元。4、財(cái)務(wù)內(nèi)部收益率（FIRR）：24.11%。5、全部投資回收期（Pt）：5.23年（含建設(shè)期12個(gè)月）。6、達(dá)產(chǎn)年盈虧平衡點(diǎn)（BEP）：8733.48萬(wàn)元（產(chǎn)值）。六、 原輔材料及設(shè)備（一）項(xiàng)目主要原輔材料該項(xiàng)目主要原輔材料包括非離子乳化劑、羥基改性硅油、環(huán)氧改性硅油、高含氫硅油、端環(huán)氧改性、硅油、硬脂酸、二乙醇胺、冰醋酸、氯鉑酸、烯丙基聚氧、乙烯醚、正己酸、濃硫酸。（二）主要設(shè)備主要設(shè)備包括：自動(dòng)計(jì)量包裝機(jī)、刮邊均質(zhì)攪拌釜、刮邊均質(zhì)攪拌釜、滴加罐、均質(zhì)攪拌釜、軟片反

47、應(yīng)釜、軟片切片機(jī)、軟片包裝運(yùn)輸機(jī)、冷凍機(jī)、乙烯基硅油反應(yīng)釜、冷卻器、回流罐。七、 項(xiàng)目建設(shè)進(jìn)度規(guī)劃項(xiàng)目計(jì)劃從可行性研究報(bào)告的編制到工程竣工驗(yàn)收、投產(chǎn)運(yùn)營(yíng)共需12個(gè)月的時(shí)間。八、 環(huán)境影響本期工程項(xiàng)目設(shè)計(jì)中采用了清潔生產(chǎn)工藝，應(yīng)用清潔原材料，生產(chǎn)清潔產(chǎn)品，同時(shí)采取完善和有效的清潔生產(chǎn)措施，能夠切實(shí)起到消除和減少污染的作用；因此，本期工程項(xiàng)目建成投產(chǎn)后，各項(xiàng)環(huán)境指標(biāo)均符合國(guó)家和地方清潔生產(chǎn)的標(biāo)準(zhǔn)要求。九、 報(bào)告編制依據(jù)和原則（一）編制依據(jù)1、本期工程的項(xiàng)目建議書(shū)。2、相關(guān)部門(mén)對(duì)本期工程項(xiàng)目建議書(shū)的批復(fù)。3、項(xiàng)目建設(shè)地相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃。4、項(xiàng)目承辦單位可行性研究報(bào)告的委托書(shū)。5、項(xiàng)目承辦單位提供的其

48、他有關(guān)資料。（二）編制原則1、堅(jiān)持科學(xué)發(fā)展觀，采用科學(xué)規(guī)劃，合理布局，一次設(shè)計(jì)，分期實(shí)施的建設(shè)原則。2、根據(jù)行業(yè)未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)，合理制定生產(chǎn)綱領(lǐng)和技術(shù)方案。3、堅(jiān)持市場(chǎng)導(dǎo)向原則，根據(jù)行業(yè)的現(xiàn)有格局和未來(lái)發(fā)展方向，優(yōu)化設(shè)備選型和工藝方案，使企業(yè)的建設(shè)與未來(lái)的市場(chǎng)需求相吻合。4、貫徹技術(shù)進(jìn)步原則，產(chǎn)品及工藝設(shè)備選型達(dá)到目前國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平。同時(shí)合理使用項(xiàng)目資金，將先進(jìn)性與實(shí)用性有機(jī)結(jié)合，做到投入少、產(chǎn)出多，效益最大化。5、嚴(yán)格遵守“三同時(shí)”設(shè)計(jì)原則，對(duì)項(xiàng)目可能產(chǎn)生的污染源進(jìn)行綜合治理，使其達(dá)到國(guó)家規(guī)定的排放標(biāo)準(zhǔn)。十、 研究范圍依據(jù)國(guó)家產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策和有關(guān)部門(mén)的行業(yè)發(fā)展規(guī)劃以及項(xiàng)目承辦單位的實(shí)際情況，按照項(xiàng)

49、目的建設(shè)要求，對(duì)項(xiàng)目的實(shí)施在技術(shù)、經(jīng)濟(jì)、社會(huì)和環(huán)境保護(hù)等領(lǐng)域的科學(xué)性、合理性和可行性進(jìn)行研究論證。研究、分析和預(yù)測(cè)國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)供需情況與建設(shè)規(guī)模，并提出主要技術(shù)經(jīng)濟(jì)指標(biāo)，對(duì)項(xiàng)目能否實(shí)施做出一個(gè)比較科學(xué)的評(píng)價(jià)，其主要內(nèi)容包括如下幾個(gè)方面:1、確定建設(shè)條件與項(xiàng)目選址。2、確定企業(yè)組織機(jī)構(gòu)及勞動(dòng)定員。3、項(xiàng)目實(shí)施進(jìn)度建議。4、分析技術(shù)、經(jīng)濟(jì)、投資估算和資金籌措情況。5、預(yù)測(cè)項(xiàng)目的經(jīng)濟(jì)效益和社會(huì)效益及國(guó)民經(jīng)濟(jì)評(píng)價(jià)。十一、 研究結(jié)論項(xiàng)目建設(shè)符合國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策，具有前瞻性；項(xiàng)目產(chǎn)品技術(shù)及工藝成熟，達(dá)到大批量生產(chǎn)的條件，且項(xiàng)目產(chǎn)品性能優(yōu)越，是推廣型產(chǎn)品；項(xiàng)目產(chǎn)品采用了目前國(guó)內(nèi)最先進(jìn)的工藝技術(shù)方案；項(xiàng)目設(shè)施對(duì)環(huán)境

50、的影響經(jīng)評(píng)價(jià)分析是可行的；根據(jù)項(xiàng)目財(cái)務(wù)評(píng)價(jià)分析，經(jīng)濟(jì)效益好，在財(cái)務(wù)方面是充分可行的。十二、 主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)一覽表主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)一覽表序號(hào)項(xiàng)目單位指標(biāo)備注1占地面積20000.00約30.00畝1.1總建筑面積34818.141.2基底面積12000.001.3投資強(qiáng)度萬(wàn)元/畝309.542總投資萬(wàn)元11452.942.1建設(shè)投資萬(wàn)元9498.982.1.1工程費(fèi)用萬(wàn)元8290.902.1.2其他費(fèi)用萬(wàn)元927.002.1.3預(yù)備費(fèi)萬(wàn)元281.082.2建設(shè)期利息萬(wàn)元133.812.3流動(dòng)資金萬(wàn)元1820.153資金籌措萬(wàn)元11452.943.1自籌資金萬(wàn)元5991.133.2銀行貸款萬(wàn)元5461.

51、814營(yíng)業(yè)收入萬(wàn)元22000.00正常運(yùn)營(yíng)年份5總成本費(fèi)用萬(wàn)元17295.746利潤(rùn)總額萬(wàn)元4585.027凈利潤(rùn)萬(wàn)元3438.768所得稅萬(wàn)元1146.269增值稅萬(wàn)元993.7310稅金及附加萬(wàn)元119.2411納稅總額萬(wàn)元2259.2312工業(yè)增加值萬(wàn)元7677.1113盈虧平衡點(diǎn)萬(wàn)元8733.48產(chǎn)值14回收期年5.2315內(nèi)部收益率24.11%所得稅后16財(cái)務(wù)凈現(xiàn)值萬(wàn)元5604.20所得稅后第四章 選址方案分析一、 項(xiàng)目選址原則節(jié)約土地資源，充分利用空閑地、非耕地或荒地，盡可能不占良田或少占耕地；應(yīng)充分利用天然地形，選擇土地綜合利用率高、征地費(fèi)用少的場(chǎng)址。二、 建設(shè)區(qū)基本情況大連市，

52、別稱(chēng)濱城，是遼寧省地級(jí)市、副省級(jí)城市、計(jì)劃單列市，國(guó)務(wù)院批復(fù)確定的中國(guó)北方沿海重要的中心城市、港口及風(fēng)景旅游城市。截至2018年，全市下轄7個(gè)區(qū)、1個(gè)縣、代管2個(gè)縣級(jí)市，總面積12573.85平方千米，建成區(qū)面積488.6平方千米，戶(hù)籍人口595.2萬(wàn)人，戶(hù)籍城鎮(zhèn)人口428.54萬(wàn)人，城鎮(zhèn)化率72%。大連地處遼東半島南端、黃渤海交界處，與山東半島隔海相望，是重要的港口、貿(mào)易、工業(yè)、旅游城市?；镜孛矠橹醒敫?，向東西兩側(cè)階梯狀降低；地處北半球的暖溫帶、亞歐大陸的東岸，屬暖溫帶半濕潤(rùn)大陸性季風(fēng)氣候。1981年2月，改稱(chēng)大連市。1985年起，實(shí)行計(jì)劃單列，同年7月國(guó)務(wù)院賦予大連省級(jí)經(jīng)濟(jì)管理權(quán)限。20

53、19年，大連市地區(qū)生產(chǎn)總值7001.7億元，按可比價(jià)格計(jì)算，同比增長(zhǎng)6.5%。2020年6月，經(jīng)中央依法治國(guó)委入選為第一批全國(guó)法治政府建設(shè)示范地區(qū)和項(xiàng)目名單。地區(qū)生產(chǎn)總值可比增長(zhǎng)6.5，分別高于全國(guó)、全省0.4和1個(gè)百分點(diǎn)；規(guī)模以上工業(yè)增加值增長(zhǎng)16.1，分別高于全國(guó)、全省10.4和9.4個(gè)百分點(diǎn)，位居15個(gè)副省級(jí)城市之首，連續(xù)21個(gè)報(bào)告期兩位數(shù)增長(zhǎng)；一般公共預(yù)算收入下降1.6，扣除減稅降費(fèi)等因素影響，可比增長(zhǎng)11.5；固定資產(chǎn)投資下降19.8，扣除2018年恒力、英特爾項(xiàng)目投資基數(shù)較大因素影響，可比增長(zhǎng)11；城鄉(xiāng)居民人均可支配收入分別增長(zhǎng)6.7和10.3，均超過(guò)GDP增長(zhǎng)速度。全市經(jīng)濟(jì)社會(huì)呈

54、現(xiàn)總體平穩(wěn)、穩(wěn)中有進(jìn)的良好態(tài)勢(shì)，高質(zhì)量發(fā)展邁出堅(jiān)實(shí)步伐。2020年是全面建成小康社會(huì)和“十三五”規(guī)劃收官之年。大連將圍繞既定目標(biāo)抓落實(shí)，對(duì)標(biāo)對(duì)表抓進(jìn)度，扎實(shí)做好后續(xù)實(shí)施工作，實(shí)現(xiàn)“十三五”規(guī)劃圓滿(mǎn)收官。以2049城市愿景規(guī)劃為引領(lǐng)，科學(xué)編制“十四五”規(guī)劃，一張藍(lán)圖繪到底，為實(shí)現(xiàn)“兩個(gè)一百年”奮斗目標(biāo)和中華民族偉大復(fù)興中國(guó)夢(mèng)譜寫(xiě)大連篇章。今年全市經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展的主要預(yù)期目標(biāo)是：地區(qū)生產(chǎn)總值增長(zhǎng)與全國(guó)同步，確保完成全面建成小康社會(huì)目標(biāo)任務(wù)；一般公共預(yù)算收入可比增長(zhǎng)2以上；固定資產(chǎn)投資增長(zhǎng)5左右；社會(huì)消費(fèi)品零售總額增長(zhǎng)3左右；外貿(mào)進(jìn)出口總額占全省份額不減；實(shí)際利用外資增長(zhǎng)10左右；城鄉(xiāng)居民人均可支配收

55、入與經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)基本同步；城鎮(zhèn)登記失業(yè)率控制在4.5以?xún)?nèi)；居民消費(fèi)價(jià)格漲幅控制在4以?xún)?nèi)；單位GDP能耗降低完成省下達(dá)計(jì)劃目標(biāo)?！笆濉睍r(shí)期是全面建成小康社會(huì)的決勝階段，是全面振興老工業(yè)基地的關(guān)鍵時(shí)期。我市面臨的國(guó)內(nèi)外發(fā)展環(huán)境更加錯(cuò)綜復(fù)雜，經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展既要準(zhǔn)確把握有利條件、順勢(shì)而為，又要直面風(fēng)險(xiǎn)挑戰(zhàn)、趨利避害。從國(guó)際看，和平與發(fā)展的時(shí)代主題沒(méi)有變，世界經(jīng)濟(jì)在深度調(diào)整中曲折復(fù)蘇，移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)與云計(jì)算、人工智能與先進(jìn)機(jī)器人、3D打印等新一輪科技革命和產(chǎn)業(yè)變革蓄勢(shì)待發(fā)。同時(shí)，國(guó)際金融危機(jī)深層次影響依然存在，全球經(jīng)濟(jì)貿(mào)易增長(zhǎng)乏力，貿(mào)易保護(hù)主義抬頭，東北亞地區(qū)等地緣政治關(guān)系復(fù)雜多變，傳統(tǒng)安全威脅和非傳統(tǒng)安全威

56、脅交織，不穩(wěn)定、不確定因素增多。從國(guó)內(nèi)看，我國(guó)仍處于大有作為的重要戰(zhàn)略機(jī)遇期，內(nèi)涵發(fā)生深刻變化。發(fā)展速度變化、結(jié)構(gòu)優(yōu)化和動(dòng)力轉(zhuǎn)換特征明顯，經(jīng)濟(jì)長(zhǎng)期向好的基本面沒(méi)有改變，經(jīng)濟(jì)發(fā)展邁入“新常態(tài)”?！按蟊妱?chuàng)業(yè)、萬(wàn)眾創(chuàng)新”、中國(guó)制造2025、“互聯(lián)網(wǎng)+”行動(dòng)計(jì)劃等戰(zhàn)略實(shí)施，將為經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)動(dòng)力轉(zhuǎn)換提供新引擎；“一帶一路”建設(shè)、京津冀協(xié)同發(fā)展、長(zhǎng)江經(jīng)濟(jì)帶發(fā)展等戰(zhàn)略實(shí)施將為經(jīng)濟(jì)發(fā)展拓展新空間；全面深化重點(diǎn)領(lǐng)域改革將會(huì)激發(fā)市場(chǎng)主體新活力，創(chuàng)造新的制度紅利。同時(shí)，城鄉(xiāng)區(qū)域發(fā)展不平衡、資源約束趨緊、生態(tài)環(huán)境惡化趨勢(shì)尚未得到根本扭轉(zhuǎn)，基本公共服務(wù)供給不足，收入差距較大，人口老齡化加快，全民文明素質(zhì)和社會(huì)文明程度有待提

57、高，法治建設(shè)有待加強(qiáng)。從大連看，“十三五”時(shí)期我市將呈現(xiàn)一些新的特征。一是進(jìn)入發(fā)展動(dòng)力轉(zhuǎn)換期。經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)動(dòng)力從要素驅(qū)動(dòng)向創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)變，經(jīng)濟(jì)發(fā)展將逐步走向以?xún)?nèi)生動(dòng)力為主的新階段。二是進(jìn)入轉(zhuǎn)型升級(jí)加速期。在創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)、“兩化融合”和消費(fèi)升級(jí)作用下，傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)步伐加快，產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)將加快向以現(xiàn)代服務(wù)業(yè)和新興產(chǎn)業(yè)為主轉(zhuǎn)變，逐步形成以服務(wù)經(jīng)濟(jì)為主導(dǎo)的經(jīng)濟(jì)結(jié)構(gòu)。三是進(jìn)入城市功能提升期。隨著“四個(gè)中心”和現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)聚集區(qū)建設(shè)的加快推進(jìn)以及重大基礎(chǔ)設(shè)施項(xiàng)目相繼建成運(yùn)營(yíng)，大連對(duì)東北老工業(yè)基地的帶動(dòng)服務(wù)作用將進(jìn)一步增強(qiáng)。四是進(jìn)入改革開(kāi)放深化期。行政管理體制改革、國(guó)資國(guó)企改革、金普新區(qū)建設(shè)、創(chuàng)建國(guó)家自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)、主動(dòng)融入“一帶一路”等重大改革和開(kāi)放戰(zhàn)略深入實(shí)施，大連核心城市的功