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文檔簡介
1、1.BSF基本理論w BSF的發(fā)展是一個重大進步,經(jīng)歷了30年的發(fā)展。背表面的重摻雜,B、Al同屬于第三主族元素,形成背部的反射場,提高了電池片的內(nèi)量子效率。w 優(yōu)化和控制BSF的性能具有重要的意義,例如摻雜的曲線和BSF的厚度(鈍化性能),硅片彎曲,背電場的反射率,BSF的均勻性等參數(shù)都會對電池片的性能產(chǎn)生重要的影響。w 主要試驗用品:a. Al漿料:Ferro53-038, b. 硅片:(100)晶相 c. RTP爐 2.BSF形成的基本過程w 2.1 典型燒結(jié)曲線及BSF形成的溫度區(qū)間w 2.2 從AlSi相圖看Al與Si的反應過程w 2.3 BSF形成的基本過程及模型2.1 典型燒結(jié)曲
2、線及BSF形成的溫度區(qū)間BSF形成的溫度區(qū)間位于:26區(qū)間2.2 從AlSi相圖看Al與Si的反應過程2到6的過程反應了AlSi合金在燒結(jié)過程中Si在 Al中的熔解和分凝過程2.3 BSF形成的基本過程及模型3.氧化層與燒結(jié)氣氛w 3.1 Al漿燒結(jié)前后微觀形貌的變化w 3.2 氧化層的厚度w 3.3 燒結(jié)氣氛的影響3.1 Al漿燒結(jié)前后微觀形貌的變化EDX分析表明:燒結(jié)后漿料中含有了Si和O原子3.2 氧化層的厚度對比burnout后和燒結(jié)后的重量,表明燒結(jié)過程中,1的Al被氧化。3.3 燒結(jié)氣氛的影響純N2氣氛下燒結(jié),漿料不穩(wěn)定并且會導致漿料坍塌,收縮純O2氣氛下燒結(jié),Al漿料易發(fā)生鼓泡破
3、裂,通常會導致硅片破裂4.Al-Si內(nèi)界面研究w 4.1 Al-Si界面基本狀態(tài)w 4.2 Al-Si界面薄層微觀結(jié)構(gòu)w 4.3 BSF反射模型4.1 Al-Si界面基本狀態(tài)4.2 Al-Si界面薄層微觀結(jié)構(gòu)4.2 Al-Si界面薄層微觀結(jié)構(gòu)4.3 BSF反射模型w BSF的反射率大致在75-80之間w 導致BSF反射率低的原因有: 1.背面粗糙度過大; 2.燒結(jié)后的BSF不連續(xù)w RBSF(1-Rfca)【0.9*90%(Si-Al)+0.1*0%(片層結(jié)構(gòu))】 Rfca自由載流子吸收率; 90的BSF是被SiAl合金層覆蓋; 10的BSF是被片層狀結(jié)構(gòu)覆蓋。 5. BSF生長的影響因素紅黑
4、線比較: 保溫時間延長,BSF增厚綠黑線比較: 升溫速率變慢,BSF增厚紅藍線比較: 升溫速率過快,BSF變薄綠黑線比較: 升溫速率慢,則Al可已充分利用。反之,升溫速率快,保溫時間變短,也可以使Al充分利用6. 不均勻BSF的形成w 6.1 Al擴散沉積的不均勻w 6.2 AlSi 凝聚偏聚6.1 Al擴散沉積的不均勻6.2 AlSi 凝聚偏聚7 結(jié)論w 1.燒結(jié)氣氛中充足的氧氣供量對于加厚和強化用以包裹液態(tài)鋁和硅氧化物殼層至關(guān)重要。w 2.硅鋁的合金化過程發(fā)生于漿料顆粒和硅片的緊密接觸處。w 3.為了形成緊密的BSF層,在燒結(jié)溫度的峰值處要形成Al-Si的合金溶液,通常鋁的比例和成分要求最少6mg/cm2 。w 4.大成分含量的Al(大于10 mg/cm2)用的并不是很多。燒結(jié)后,通常會在BSF和漿料顆
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