核磁共振波譜法

1、12第一節(jié)第一節(jié) 概論概論永久磁鐵永久磁鐵：提供外磁場，提供外磁場，要求穩(wěn)定性好，均勻，不要求穩(wěn)定性好，均勻，不均勻性小于六千萬分之一。均勻性小于六千萬分之一。掃場線圈。掃場線圈。射頻振蕩器射頻振蕩器：線圈垂直線圈垂直于外磁場，發(fā)射一定頻率于外磁場，發(fā)射一定頻率的電磁輻射信號。的電磁輻射信號。60MHz或或100MHz。一、一、 核磁共振波譜的產(chǎn)生核磁共振波譜的產(chǎn)生3核磁共振波譜儀核磁共振波譜儀4二、二、 傅立葉變換核磁共振儀傅立葉變換核磁共振儀v不是通過掃場或不是通過掃場或掃頻產(chǎn)生共振；掃頻產(chǎn)生共振；v恒定磁場，施加恒定磁場，施加全頻脈沖，產(chǎn)生共全頻脈沖，產(chǎn)生共振，采集產(chǎn)生的感振，采集產(chǎn)生的

2、感應(yīng)電流信號，經(jīng)過應(yīng)電流信號，經(jīng)過傅立葉變換獲得一傅立葉變換獲得一般核磁共振譜圖。般核磁共振譜圖。5傅立葉變換傅立葉變換6超導(dǎo)核磁共振波譜儀：超導(dǎo)核磁共振波譜儀： 永久磁鐵和電磁鐵永久磁鐵和電磁鐵： 磁場強度100 kG 開始時，大電流一次性勵磁后，閉合線圈，產(chǎn)生穩(wěn)定的磁場，長年保持不變；溫度升高，“失超”；重新勵磁。 超導(dǎo)核磁共振波譜儀超導(dǎo)核磁共振波譜儀： 200-400HMz；可 高達(dá)600-700HMz；7 若原子核存在自旋，產(chǎn)生核磁矩。若原子核存在自旋，產(chǎn)生核磁矩。 第二節(jié)第二節(jié) 基本原理基本原理是不是所有的原子是不是所有的原子核都能產(chǎn)生核磁距核都能產(chǎn)生核磁距1. 原子核的自旋原子核的

3、自旋) 1(2IIhPP自旋角動量自旋角動量核磁矩核磁矩8 質(zhì)量數(shù)（質(zhì)量數(shù)（a a） 原子序數(shù)（原子序數(shù)（Z Z） 自旋量子（自旋量子（I） 例子例子 偶數(shù)偶數(shù) 偶數(shù)偶數(shù) 0 12C, 16O, 32S 奇數(shù)奇數(shù) 奇或偶奇或偶 1/2, 3/2, 5/2 I=1/2, 1H, 13C, 15N I=3/2, 1B, 79Br 偶數(shù)偶數(shù) 奇數(shù)奇數(shù) 1，2，3 2H, 14N, 58Co, 10B I 0的核為磁性核，可以產(chǎn)生NMR信號。I = 0的核為非磁性核，無NMR信號。自旋量子數(shù)與原子核的質(zhì)量數(shù)及質(zhì)子數(shù)關(guān)系這類原子核的核電荷分布可看作一個橢圓體，電荷分布不均勻，共振吸收復(fù)雜，研究應(yīng)用較少；

4、p與n同為偶數(shù)，I = 0。如 12C, 16O, 32S等。p + n =奇數(shù)，I =半整數(shù)(1/2, 3/2等)。 如 1H, 13C, 15N, 17O, 31P等。p與n同為奇數(shù)，I =整數(shù)。如2H, 6Li等。質(zhì)子數(shù)質(zhì)子數(shù)p, 中子數(shù)中子數(shù)n9圖示：磁性核在外加磁場中的行為u 無外加磁場時，樣品中的磁性核任意取向。無外加磁場時，樣品中的磁性核任意取向。u 放入磁場中，發(fā)生空間量子化，核磁矩按一放入磁場中，發(fā)生空間量子化，核磁矩按一定方向排列。定方向排列。10H0m=1/2m=-1/2m=1m= - 1m=0m=2m=1m=0m= - 1m= - 2I=1/2I=1I=2zzzPm=1

5、/2 m= -1/2H0H11v 若無外磁場，由于核的無序排列，不同自旋方向的若無外磁場，由于核的無序排列，不同自旋方向的核不存在能級差別。核不存在能級差別。v 磁性核放入磁場中，出現(xiàn)與磁場平行（低能量）和磁性核放入磁場中，出現(xiàn)與磁場平行（低能量）和反平行（高能量）兩種能量狀態(tài)，能量差反平行（高能量）兩種能量狀態(tài)，能量差 E=hE=h 。12自旋核核磁矩與能級的關(guān)系02HhhE02H磁旋比磁旋比 13lH0 越大，越大， E越大越大14(1) 核有自旋核有自旋(磁性核磁性核)(2)外磁場外磁場,能級裂分能級裂分;(3)照射頻率與外磁場的比值照射頻率與外磁場的比值 0 / H0 = / (2 )

6、2. 2. 共振條件共振條件15討論討論:共振條件共振條件： 0 / H0 = / (2 )（1）對于同一種核）對于同一種核 ，磁旋比，磁旋比 為定值，為定值， H0變，射頻頻率變，射頻頻率 變。變。（2）不同原子核，磁旋比）不同原子核，磁旋比 不同，產(chǎn)生共振的條件不同，需要不同，產(chǎn)生共振的條件不同，需要的磁場強度的磁場強度H0和射頻頻率和射頻頻率 不同。不同。 （3） 固定固定H0 ，改變，改變 （掃頻掃頻） ，不同原子核在不同頻率處發(fā)，不同原子核在不同頻率處發(fā)生共振。也可固定生共振。也可固定 ，改變，改變H0 （掃場掃場）。掃場方式應(yīng)用較多。）。掃場方式應(yīng)用較多。 氫核（氫核（1H）：）：

7、 1.409 T 共振頻率共振頻率 60 MHz 2.305 T 共振頻率共振頻率 100 MHz 磁場強度磁場強度H0的單位：的單位：1高斯（高斯（GS）=10-4 T（特斯拉）（特斯拉）163. 3. 弛豫歷程弛豫歷程不同能級上分布的核數(shù)目可由不同能級上分布的核數(shù)目可由Boltzmann 定律計算：定律計算：若磁場強度若磁場強度1.4092T；溫度；溫度300K；則高低能態(tài)的；則高低能態(tài)的1H核數(shù)比：核數(shù)比：kThHkTEeenn20低高k：Boltzmann常數(shù)，1.3810-23JK-199999. 03001038. 114. 324092. 11068. 21063. 623834

8、enn低高低能態(tài)的核數(shù)僅比高能態(tài)核數(shù)多十萬分之一低能態(tài)的核數(shù)僅比高能態(tài)核數(shù)多十萬分之一17當(dāng)高能態(tài)核數(shù)等于低當(dāng)高能態(tài)核數(shù)等于低能態(tài)核數(shù)，不會再有能態(tài)核數(shù)，不會再有射頻吸收，射頻吸收，NMR信信號消失，此謂號消失，此謂飽和飽和。核弛豫歷程核弛豫歷程高能高能態(tài)的核以非輻射的態(tài)的核以非輻射的方式回到低能態(tài)。方式回到低能態(tài)。18第三節(jié)第三節(jié) 化學(xué)位移化學(xué)位移19對于氫核，在對于氫核，在1.4092T,應(yīng)吸收應(yīng)吸收60MHz電磁波電磁波1.1.屏蔽效應(yīng)屏蔽效應(yīng) 理想化的、裸露的氫核；滿足共振條件：理想化的、裸露的氫核；滿足共振條件： 0 = H0 / (2 )屏蔽效應(yīng)使氫核實際受到的外磁場作用減小：屏蔽

9、效應(yīng)使氫核實際受到的外磁場作用減?。?H=（1- ）H0 ：屏蔽常數(shù)。屏蔽常數(shù)。 越大，屏蔽效應(yīng)越大。越大，屏蔽效應(yīng)越大。 0 = / (2 ) （1- ）H0 屏蔽的存在，共振需更強的外磁場屏蔽的存在，共振需更強的外磁場(相對于裸露的氫核相對于裸露的氫核)。核外電子及其它因素對抗外加磁場的現(xiàn)象稱為屏蔽效應(yīng)。核外電子及其它因素對抗外加磁場的現(xiàn)象稱為屏蔽效應(yīng)。200 = / (2 ) （1- ）H02.2.化學(xué)位移化學(xué)位移的表示方法的表示方法21661010)ppm(標(biāo)準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)試樣610)ppm(標(biāo)準(zhǔn)試樣標(biāo)準(zhǔn)HHH若固定磁場強度若固定磁場強度H0，掃頻：，掃頻：若固定照射頻率若固定照射頻率0

10、，掃場：，掃場：22 用一臺用一臺60 MHz60 MHz的的 NMRNMR儀器，測得某質(zhì)子共振時所儀器，測得某質(zhì)子共振時所需射頻場的頻率比需射頻場的頻率比TMSTMS的高的高162 Hz162 Hz，)(70.210106016266ppm)(70.2101010027066ppm例：例： 用一臺用一臺100MHZ的的 NMR儀器，進(jìn)行上述同樣測試儀器，進(jìn)行上述同樣測試就有就有 Hz270參試vv23用頻率的相對差值表示的好處：用頻率的相對差值表示的好處：24相對標(biāo)準(zhǔn)：相對標(biāo)準(zhǔn)：A.四甲基硅烷四甲基硅烷Si(CH3)4 （TMS） B.以重水為溶劑的樣品，因以重水為溶劑的樣品，因TMS不溶于

11、水，不溶于水， 可采用可采用4,4-二甲基二甲基-4-硅代戊磺酸鈉硅代戊磺酸鈉(DSS)為什么用為什么用TMS作為基準(zhǔn)作為基準(zhǔn)? a. 12個氫處于完全相同的化學(xué)環(huán)境，只產(chǎn)生一個尖峰；個氫處于完全相同的化學(xué)環(huán)境，只產(chǎn)生一個尖峰； b.屏蔽強烈，位移最大。與有機化合物中的質(zhì)子峰不重迭；屏蔽強烈，位移最大。與有機化合物中的質(zhì)子峰不重迭； c.化學(xué)惰性；易溶于有機溶劑；沸點低，易回收化學(xué)惰性；易溶于有機溶劑；沸點低，易回收。與裸露的氫核相比，與裸露的氫核相比，TMS的化學(xué)位移最大，但規(guī)定的化學(xué)位移最大，但規(guī)定 TMS=025高場高場低場低場26影響因素影響因素內(nèi)部因素內(nèi)部因素( (分子結(jié)構(gòu)分子結(jié)構(gòu))

12、 )外部因素外部因素基團(tuán)的電負(fù)性基團(tuán)的電負(fù)性磁各向異磁各向異性性雜化效應(yīng)雜化效應(yīng)分子間氫鍵分子間氫鍵溶劑效應(yīng)溶劑效應(yīng)3. 3. 化學(xué)位移的影響因素化學(xué)位移的影響因素(P152)(P152)27（1 1）相鄰基團(tuán)或原子電負(fù)性相鄰基團(tuán)或原子電負(fù)性 氫核核外成鍵電子云產(chǎn)生抗磁氫核核外成鍵電子云產(chǎn)生抗磁屏蔽效應(yīng)屏蔽效應(yīng)。與質(zhì)子相連元素的電負(fù)與質(zhì)子相連元素的電負(fù)性越強，吸電子作用越強，屏蔽作性越強，吸電子作用越強，屏蔽作用減弱，信號峰在低場出現(xiàn)。用減弱，信號峰在低場出現(xiàn)。28質(zhì)子在分子中所處的質(zhì)子在分子中所處的空間位置不同，其屏空間位置不同，其屏蔽作用不同的現(xiàn)象稱蔽作用不同的現(xiàn)象稱為磁各向異性。為磁各向

13、異性?；蚪谢蚪羞h(yuǎn)程屏蔽效應(yīng)。遠(yuǎn)程屏蔽效應(yīng)。（2 2）磁各向異性）磁各向異性苯環(huán)苯環(huán)雙鍵雙鍵三鍵三鍵 2.99 2.99 9.289.28HHHHHHHHHHHHHHHHH 29苯環(huán)苯環(huán)環(huán)內(nèi)正屏蔽區(qū)環(huán)內(nèi)正屏蔽區(qū)環(huán)外去屏蔽區(qū)環(huán)外去屏蔽區(qū)30雙鍵雙鍵31三鍵三鍵鍵軸向為屏蔽鍵軸向為屏蔽區(qū)，其它為去區(qū)，其它為去屏蔽區(qū)。屏蔽區(qū)。3233（3 3）氫鍵效應(yīng)）氫鍵效應(yīng)形成氫鍵后形成氫鍵后1 1H H核屏蔽作用減少，氫鍵屬于去屏蔽效應(yīng)。核屏蔽作用減少，氫鍵屬于去屏蔽效應(yīng)。344. 4. 各種質(zhì)子的大致化學(xué)位移各種質(zhì)子的大致化學(xué)位移35CH30.9CH21.3CH1.4C CH3O2.1C C H2.4O CH

14、33.34CCH4.76H6.58C HO910C OHO91236一、一、 自旋偶合與自旋分裂自旋偶合與自旋分裂 每類氫核不總表現(xiàn)為每類氫核不總表現(xiàn)為單峰，有時多重峰。單峰，有時多重峰。原因：相鄰兩個氫原因：相鄰兩個氫核之間的自旋偶合核之間的自旋偶合（自旋干擾）。（自旋干擾）。第四節(jié)第四節(jié) 自旋偶合和自旋體系自旋偶合和自旋體系37裂分裂分產(chǎn)生的裂距，產(chǎn)生的裂距，用用J 表表示示, , 單位單位 HznJab： n化學(xué)鍵的個數(shù)。比如：2J, 3J, JH-H,JC-H 38自旋偶合自旋偶合39峰裂分?jǐn)?shù)峰裂分?jǐn)?shù)40n0123456二次式展開系數(shù)二次式展開系數(shù)峰形峰形單峰單峰(single)二重峰

15、二重峰(doublet)三重峰三重峰(triplet)四重峰四重峰(quartet)五重峰五重峰(quintet)六重峰六重峰(sextet)七重峰七重峰(septet)41峰裂分?jǐn)?shù)峰裂分?jǐn)?shù)C CH3HC CH HH1:11:3:3:11:11:2:142峰裂分?jǐn)?shù)峰裂分?jǐn)?shù)CCHHHHHCCH3HCH31H核與核與n個不等價個不等價1H核相鄰時核相鄰時(偶合常數(shù)不等偶合常數(shù)不等)，裂分，裂分峰數(shù)：峰數(shù)：（n+1)( n +1)個；個；CCCCHaHcHbHd(nb+1)(nc+1)(nd+1)=22 2=8Ha裂分為裂分為8重峰重峰1:3:3:11:2:11:11:6:15:20:15:6:14

16、3峰裂分?jǐn)?shù)峰裂分?jǐn)?shù)CCCHaHcBrHbHbHcHbHaHa裂分為裂分為多少多少重峰？重峰？01234JcaJbaJca JbaHa裂分峰裂分峰:(3+1)(2+1)=12偶合常數(shù)相等偶合常數(shù)相等時，實際時，實際Ha裂分峰裂分峰n+n1(5+1)=6強度比近似為：強度比近似為：1:5:10:10:5:1441. 1. 化學(xué)等價化學(xué)等價 有相同化學(xué)環(huán)境的核具有相同的化學(xué)位移，這種有相同有相同化學(xué)環(huán)境的核具有相同的化學(xué)位移，這種有相同化學(xué)位移的核，稱為化學(xué)等價?；瘜W(xué)位移的核，稱為化學(xué)等價?；瘜W(xué)不等價例子：化學(xué)不等價例子： 對映異構(gòu)體對映異構(gòu)體 C HOHCHH3CCH3OHH3CH3CCH(CH3

17、)2 在手性溶劑中：兩個在手性溶劑中：兩個CH3化學(xué)不等價化學(xué)不等價 在非手性溶劑中：兩個在非手性溶劑中：兩個CH3化學(xué)等價化學(xué)等價磁等價與磁不等價磁等價與磁不等價45 化學(xué)等價質(zhì)子與化學(xué)不等價質(zhì)子的判斷化學(xué)等價質(zhì)子與化學(xué)不等價質(zhì)子的判斷 - 可通過可通過對稱操作對稱操作或或快速機制快速機制（如構(gòu)象轉(zhuǎn)換）互換的質(zhì)子（如構(gòu)象轉(zhuǎn)換）互換的質(zhì)子是是化學(xué)等價化學(xué)等價的。的。 - 不可通過對稱操作或快速機制（構(gòu)象轉(zhuǎn)換）互換的質(zhì)子不可通過對稱操作或快速機制（構(gòu)象轉(zhuǎn)換）互換的質(zhì)子是是化學(xué)不等價化學(xué)不等價的。的。 - 與手性碳原子相連的與手性碳原子相連的 CH2 上的兩個質(zhì)子是化學(xué)不等價的上的兩個質(zhì)子是化學(xué)不

18、等價的對稱軸旋轉(zhuǎn)對稱軸旋轉(zhuǎn)等位質(zhì)子等位質(zhì)子化學(xué)等價質(zhì)子化學(xué)等價質(zhì)子對映異位質(zhì)子對映異位質(zhì)子非手性環(huán)境為化學(xué)等價非手性環(huán)境為化學(xué)等價手性環(huán)境為化學(xué)不等價手性環(huán)境為化學(xué)不等價對稱操作對稱操作其他對稱操作其他對稱操作 （如對稱面）（如對稱面）46分子中一組化學(xué)等價核分子中一組化學(xué)等價核(化學(xué)位移相同化學(xué)位移相同)與分子中的其它任何一與分子中的其它任何一個核都有相同強弱的偶合，則這組核稱為磁等價核。個核都有相同強弱的偶合，則這組核稱為磁等價核。磁等同例子：磁等同例子：CHHHCHHFFCH2C CHHHHHH化學(xué)等價化學(xué)等價磁等價磁等價二個二個H核化學(xué)等價，核化學(xué)等價，磁等價磁等價二個二個F核化學(xué)等價

19、，核化學(xué)等價，磁等價磁等價六個六個H核化學(xué)核化學(xué)等價磁等價等價磁等價2. 磁等價磁等價47兩核（或基團(tuán)）磁等價條件兩核（或基團(tuán)）磁等價條件A. 化學(xué)等價化學(xué)等價（化學(xué)位移相同）（化學(xué)位移相同）B. 對組外任一個核具有相同的偶合常數(shù)對組外任一個核具有相同的偶合常數(shù)C. 在無組外核干擾時，組內(nèi)核雖有偶合，但不裂分。在無組外核干擾時，組內(nèi)核雖有偶合，但不裂分。Ha，Hb化學(xué)等價，磁不等同。化學(xué)等價，磁不等同。J Ha FaJ Hb FaFa，F(xiàn)b化學(xué)等價，磁不等同?；瘜W(xué)等價，磁不等同。C CHaHbFaFbYH2H3H4H2H33J5JCOH3CNHHXYH2H3H2H3磁不同等例子：磁不同等例子：

20、 48自旋系統(tǒng)分類自旋系統(tǒng)分類 自旋系統(tǒng)自旋系統(tǒng)：把幾個互相偶：把幾個互相偶合的核，按偶合作用的強合的核，按偶合作用的強弱，分成不同的自旋系統(tǒng)，弱，分成不同的自旋系統(tǒng)，系統(tǒng)內(nèi)部的核互相偶合，系統(tǒng)內(nèi)部的核互相偶合，但不和系統(tǒng)外的任何核相但不和系統(tǒng)外的任何核相互作用。系統(tǒng)與系統(tǒng)之間互作用。系統(tǒng)與系統(tǒng)之間是隔離的是隔離的.OOOCH3CH3自旋系統(tǒng)分子中幾個核相互發(fā)生自旋偶合作用的獨立體系。分子中幾個核相互發(fā)生自旋偶合作用的獨立體系。49相差很大從左至右代表化學(xué)位移由大到小數(shù)字表示相應(yīng)磁等價核的個數(shù)。若核組內(nèi)的核為磁不等價時，則用A、A、B、B加以區(qū)別。AB 相近的兩個核AM 相差較遠(yuǎn)的兩個核AX

21、相差很大的兩個核AX2, AX3, A2X350例：CHCl2CH2Cl 高化學(xué)位移(A)處有三重峰，低化學(xué)位移(X)處有雙峰CHBr2CH3 AX3 高化學(xué)位移(A)處有四重峰，低化學(xué)位移(X)處有雙峰高化學(xué)位移(A)處有四重峰，低化學(xué)位移(X)處有三重峰A2X3 AX2 CH3CH2 Br 51一級譜的特點一級譜的特點非一級譜（二級譜）非一級譜（二級譜） v一般情況下，譜峰數(shù)目超過一般情況下，譜峰數(shù)目超過n+1規(guī)律所計算的數(shù)目規(guī)律所計算的數(shù)目v組內(nèi)各峰之間強度關(guān)系復(fù)雜組內(nèi)各峰之間強度關(guān)系復(fù)雜v一般情況下，一般情況下， 和和J不能不能從譜圖中可直接讀出從譜圖中可直接讀出裂分峰數(shù)符和裂分峰數(shù)符

22、和n+1規(guī)律，規(guī)律，多重峰的峰高比為二項式的各項系數(shù)比多重峰的峰高比為二項式的各項系數(shù)比核間干擾小，核間干擾小，多重峰的中間位置是該組質(zhì)子的化學(xué)位移多重峰的中間位置是該組質(zhì)子的化學(xué)位移多重峰的裂距是偶合常數(shù)10/J52一一. .峰面積和氫核數(shù)目峰面積和氫核數(shù)目464 223COCH2CH3COCH2CH3OO第四節(jié)第四節(jié) 氫譜解析氫譜解析53譜圖中化合物的結(jié)構(gòu)信息譜圖中化合物的結(jié)構(gòu)信息（1）峰的數(shù)目：標(biāo)志分子中磁不等性質(zhì)子的種類，）峰的數(shù)目：標(biāo)志分子中磁不等性質(zhì)子的種類，多少種；多少種；（2）峰的強度）峰的強度(面積面積)：每類質(zhì)子的數(shù)目：每類質(zhì)子的數(shù)目(相對相對)，多少個；多少個；（3）峰的

23、位移）峰的位移( )：每類質(zhì)子所處的化學(xué)環(huán)境，每類質(zhì)子所處的化學(xué)環(huán)境，化合物中位置；化合物中位置；（4）峰的裂分?jǐn)?shù)：）峰的裂分?jǐn)?shù)：相鄰碳原子上質(zhì)子數(shù)；相鄰碳原子上質(zhì)子數(shù)；（5）偶合常數(shù)）偶合常數(shù)(J)：確定化合物構(gòu)型確定化合物構(gòu)型。54二.譜圖解析譜圖解析步驟譜圖解析步驟i.由分子式求不飽合度由分子式求不飽合度ii.由積分曲線求由積分曲線求1H核的相對數(shù)目核的相對數(shù)目iii. 解析各基團(tuán)解析各基團(tuán) 首先解析：首先解析：再解析：再解析： H3CO,H3CNAr,H3CCO,H3CC,H3C( 低場信號低場信號 ) 最后解析：最后解析：芳烴質(zhì)子和其它質(zhì)子芳烴質(zhì)子和其它質(zhì)子 活潑氫活潑氫D2O交換，

24、解析消失的信號交換，解析消失的信號 由化學(xué)位移，偶合常數(shù)和峰數(shù)目用一級譜解析由化學(xué)位移，偶合常數(shù)和峰數(shù)目用一級譜解析 參考參考 IR，UV，MS和其它數(shù)據(jù)推斷解構(gòu)和其它數(shù)據(jù)推斷解構(gòu) 得出結(jié)論，驗證解構(gòu)得出結(jié)論，驗證解構(gòu)COOH,CHO556個質(zhì)子處于完全相同的化學(xué)環(huán)境，單峰。個質(zhì)子處于完全相同的化學(xué)環(huán)境，單峰。沒有直接與吸電子基團(tuán)（或元素）相連，在高場出現(xiàn)。沒有直接與吸電子基團(tuán)（或元素）相連，在高場出現(xiàn)。1. 譜圖解析（1）56譜圖解析（ 2 ） 質(zhì)子質(zhì)子a與質(zhì)子與質(zhì)子b所處的化學(xué)環(huán)境不所處的化學(xué)環(huán)境不同，兩個單峰。同，兩個單峰。單峰：沒有相鄰碳單峰：沒有相鄰碳原子（或相鄰碳原原子（或相鄰碳原

25、子無質(zhì)子）子無質(zhì)子） 質(zhì)子質(zhì)子b直接與吸電子元素相連，產(chǎn)生去屏蔽效應(yīng)，峰在直接與吸電子元素相連，產(chǎn)生去屏蔽效應(yīng)，峰在低場（相對與質(zhì)子低場（相對與質(zhì)子a ）出現(xiàn)。）出現(xiàn)。 質(zhì)子質(zhì)子a也受其影響，峰也向低場位移。也受其影響，峰也向低場位移。57譜圖解析（ 3 ）裂分與位移裂分與位移58譜圖解析（ 4 ）苯環(huán)上的質(zhì)子在低場出現(xiàn)。為什么？苯環(huán)上的質(zhì)子在低場出現(xiàn)。為什么？為什么為什么1H比比6H的化學(xué)位移大？的化學(xué)位移大？59對比602. 譜圖解析與結(jié)構(gòu)(1)確定5223化合物化合物 C10H12O28 7 6 5 4 3 2 1 061譜圖解析與結(jié)構(gòu)確定步驟正確結(jié)構(gòu)：正確結(jié)構(gòu)： 2.1單峰三個氫，單峰

26、三個氫，CH3峰峰 結(jié)構(gòu)中有氧原子，可能具有：結(jié)構(gòu)中有氧原子，可能具有：COCH3 7.3芳環(huán)上氫，單峰烷基單取代芳環(huán)上氫，單峰烷基單取代3.0 4.302.1 3.0和和 4.30三重峰和三重峰三重峰和三重峰 OCH2CH2相互偶合峰相互偶合峰 52121022UCH2CH2OCOCH3abc62譜圖解析與結(jié)構(gòu)(2)確定9 5.30 3.38 1.37C7H16O3，推斷其結(jié)構(gòu)推斷其結(jié)構(gòu)6163結(jié)構(gòu)(2)確定過程C7H16O3， U =（2+7x2-16)/2=0a. 3.38和和 1.37 四重峰和三重峰四重峰和三重峰 CH2CH3相互偶合峰相互偶合峰 b. 3.38含有含有OCH2 結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)中有三個氧原子，可能具有結(jié)構(gòu)中有三