模擬電子技術(shù)

1、第一章第一章 半導(dǎo)體器件半導(dǎo)體器件1. 半導(dǎo)體中兩種載流子半導(dǎo)體中兩種載流子帶負(fù)電的帶負(fù)電的自由電子自由電子帶正電的帶正電的空穴空穴 2. 本征半導(dǎo)體中，自由電子和空穴總是成對出現(xiàn)，本征半導(dǎo)體中，自由電子和空穴總是成對出現(xiàn)，稱為稱為 電子電子 - 空穴對?？昭▽?。3. 本征半導(dǎo)體中本征半導(dǎo)體中自由電子自由電子和和空穴空穴的濃度的濃度用用 ni 和和 pi 表示，顯然表示，顯然 ni = pi 。4. 由于物質(zhì)的運(yùn)動(dòng)，自由電子和空穴不斷的產(chǎn)生又由于物質(zhì)的運(yùn)動(dòng)，自由電子和空穴不斷的產(chǎn)生又不斷的復(fù)合。不斷的復(fù)合。在一定的溫度下，產(chǎn)生與復(fù)合運(yùn)動(dòng)會(huì)達(dá)到在一定的溫度下，產(chǎn)生與復(fù)合運(yùn)動(dòng)會(huì)達(dá)到平衡，載流子的濃

2、度就一定了。平衡，載流子的濃度就一定了。5. 載流子的濃度與溫度密切相關(guān)，它隨著溫度的升載流子的濃度與溫度密切相關(guān)，它隨著溫度的升高，基本按指數(shù)規(guī)律增加。高，基本按指數(shù)規(guī)律增加。雜質(zhì)半導(dǎo)體有兩種雜質(zhì)半導(dǎo)體有兩種N 型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體P 型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體在在硅或鍺的晶體中摻入少量的硅或鍺的晶體中摻入少量的 5 價(jià)價(jià)雜質(zhì)元素，如磷、雜質(zhì)元素，如磷、銻、砷等，即構(gòu)成銻、砷等，即構(gòu)成 N 型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體( (或稱電子型半導(dǎo)體或稱電子型半導(dǎo)體) )。自由電子自由電子濃度遠(yuǎn)大于空穴的濃度，即濃度遠(yuǎn)大于空穴的濃度，即 n p 。電子稱電子稱為多數(shù)載流子為多數(shù)載流子( (簡稱多子簡稱多子) )，空穴稱為少數(shù)載

3、流子空穴稱為少數(shù)載流子( (簡簡稱少子稱少子) )。在在硅或鍺的晶體中摻入少量的硅或鍺的晶體中摻入少量的 3 價(jià)價(jià)雜質(zhì)元素，如硼、雜質(zhì)元素，如硼、鎵、銦等，即構(gòu)成鎵、銦等，即構(gòu)成 P 型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體?？昭昭舛榷嘤陔娮訚舛?，即濃度多于電子濃度，即 p n。空穴為多數(shù)載流子空穴為多數(shù)載流子，電子為少數(shù)載流子。電子為少數(shù)載流子。說明：說明：1. 摻入雜質(zhì)的濃度決定多數(shù)載流子濃度；溫度決摻入雜質(zhì)的濃度決定多數(shù)載流子濃度；溫度決定少數(shù)載流子的濃度。定少數(shù)載流子的濃度。3. 雜質(zhì)半導(dǎo)體總體上保持電中性。雜質(zhì)半導(dǎo)體總體上保持電中性。 4. 雜質(zhì)半導(dǎo)體的表示方法如下圖所示。雜質(zhì)半導(dǎo)體的表示方法如下圖所示

4、。2. 雜質(zhì)半導(dǎo)體雜質(zhì)半導(dǎo)體載流子的數(shù)目載流子的數(shù)目要遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于本征半導(dǎo)要遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于本征半導(dǎo)體，因而其導(dǎo)電能力大大改善。體，因而其導(dǎo)電能力大大改善。( (a) )N 型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體( (b) ) P 型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體PN 結(jié)及其單向?qū)щ娦越Y(jié)及其單向?qū)щ娦?在一塊半導(dǎo)體單晶上一側(cè)摻雜成為在一塊半導(dǎo)體單晶上一側(cè)摻雜成為 P 型半導(dǎo)體，另型半導(dǎo)體，另一側(cè)摻雜成為一側(cè)摻雜成為 N 型半導(dǎo)體，兩個(gè)區(qū)域的交界處就形成了型半導(dǎo)體，兩個(gè)區(qū)域的交界處就形成了一個(gè)特殊的薄層，一個(gè)特殊的薄層，稱為稱為 PN 結(jié)結(jié)。 PNPN結(jié)結(jié)PN 結(jié)中載流子的運(yùn)動(dòng)結(jié)中載流子的運(yùn)動(dòng)耗盡層耗盡層空間電荷區(qū)空間電荷區(qū)PN1. 擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)擴(kuò)

5、散運(yùn)動(dòng)2. 擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)形成空間電荷區(qū)形成空間電荷區(qū)電 子 和 空 穴電 子 和 空 穴濃度差形成濃度差形成多數(shù)多數(shù)載流子的擴(kuò)散運(yùn)載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。動(dòng)。 PN 結(jié)，耗結(jié)，耗盡層。盡層。PN3. 空間電荷區(qū)產(chǎn)生內(nèi)電場空間電荷區(qū)產(chǎn)生內(nèi)電場PN空間電荷區(qū)空間電荷區(qū)內(nèi)電場內(nèi)電場UD空間電荷區(qū)正負(fù)離子之間電位差空間電荷區(qū)正負(fù)離子之間電位差 UD 電位壁壘電位壁壘； 內(nèi)電場內(nèi)電場；內(nèi)電場阻止多子的擴(kuò)散；內(nèi)電場阻止多子的擴(kuò)散 阻擋層阻擋層。4. 漂移運(yùn)動(dòng)漂移運(yùn)動(dòng)內(nèi)電場有利內(nèi)電場有利于少子運(yùn)動(dòng)于少子運(yùn)動(dòng)漂漂移。移。 少子的運(yùn)動(dòng)少子的運(yùn)動(dòng)與多子運(yùn)動(dòng)方向與多子運(yùn)動(dòng)方向相反相反 阻擋層阻擋層1. 外加正向電壓外

6、加正向電壓又稱正向偏置，簡稱正偏。又稱正向偏置，簡稱正偏。外電場方向外電場方向內(nèi)電場方向內(nèi)電場方向空間電荷區(qū)空間電荷區(qū)VRI空間電荷區(qū)變窄，有利于擴(kuò)散空間電荷區(qū)變窄，有利于擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，電路中有較大的正向電運(yùn)動(dòng)，電路中有較大的正向電流。流。PN在在 PN 結(jié)加上一個(gè)很小的正向電壓，即可得到較大的結(jié)加上一個(gè)很小的正向電壓，即可得到較大的正向電流，為防止電流過大，可接入電阻正向電流，為防止電流過大，可接入電阻 R。2. 外加反向電壓外加反向電壓( (反偏反偏) )反向接法時(shí)，外電場與內(nèi)電場的方向一致，增強(qiáng)了內(nèi)反向接法時(shí)，外電場與內(nèi)電場的方向一致，增強(qiáng)了內(nèi)電場的作用；電場的作用；外電場使空間電荷區(qū)變寬；

7、外電場使空間電荷區(qū)變寬；不利于擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，有利于漂移運(yùn)動(dòng)，漂移電流大于擴(kuò)不利于擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，有利于漂移運(yùn)動(dòng)，漂移電流大于擴(kuò)散電流，電路中產(chǎn)生反向電流散電流，電路中產(chǎn)生反向電流 I ；由于少數(shù)載流子濃度很低，反向電流數(shù)值非常小。由于少數(shù)載流子濃度很低，反向電流數(shù)值非常小。綜上所述：綜上所述：當(dāng)當(dāng) PN 結(jié)正向偏置時(shí)，回路中將產(chǎn)生一個(gè)較大的正結(jié)正向偏置時(shí)，回路中將產(chǎn)生一個(gè)較大的正向電流，向電流， PN 結(jié)處于結(jié)處于 導(dǎo)通狀態(tài)導(dǎo)通狀態(tài)；當(dāng)；當(dāng) PN 結(jié)反向偏置時(shí)，結(jié)反向偏置時(shí)，回路中反向電流非常小，幾乎等于零，回路中反向電流非常小，幾乎等于零， PN 結(jié)處于結(jié)處于截止截止?fàn)顟B(tài)狀態(tài)?？梢?，可見， PN 結(jié)具

8、有結(jié)具有單向?qū)щ娦詥蜗驅(qū)щ娦浴６O管的伏安特性二極管的伏安特性在二極管的兩端加上電壓，測量流過管子的電流，在二極管的兩端加上電壓，測量流過管子的電流，I = f ( (U ) )之間的關(guān)系曲線之間的關(guān)系曲線。604020 0.002 0.00400.5 1.02550I / mAU / V正向特性正向特性硅管的伏安特性硅管的伏安特性死區(qū)電壓死區(qū)電壓擊穿電壓擊穿電壓U(BR)反向特性反向特性 50I / mAU / V0.20.4 25510150.010.02鍺管的伏安特性鍺管的伏安特性0二極管具有單向?qū)щ娦?。加正向電壓時(shí)導(dǎo)通，呈現(xiàn)二極管具有單向?qū)щ娦?。加正向電壓時(shí)導(dǎo)通，呈現(xiàn)很小的正向電阻，如

9、同開關(guān)閉合；加反向電壓時(shí)截止，很小的正向電阻，如同開關(guān)閉合；加反向電壓時(shí)截止，呈現(xiàn)很大的反向電阻，如同開關(guān)斷開。呈現(xiàn)很大的反向電阻，如同開關(guān)斷開。從二極管伏安特性曲線可以看出，二極管的電壓與從二極管伏安特性曲線可以看出，二極管的電壓與電流變化不呈線性關(guān)系，其內(nèi)阻不是常數(shù)，所以二極管電流變化不呈線性關(guān)系，其內(nèi)阻不是常數(shù)，所以二極管屬于非線性器件。屬于非線性器件。穩(wěn)壓穩(wěn)壓管管一種特殊的面接觸型半一種特殊的面接觸型半導(dǎo)體硅二極管。導(dǎo)體硅二極管。穩(wěn)壓管穩(wěn)壓管工作于反向擊穿工作于反向擊穿區(qū)區(qū)。 I/mAU/VO+ 正向正向 +反向反向 U( (b) )穩(wěn)壓管符號穩(wěn)壓管符號( (a) )穩(wěn)壓管伏安特性穩(wěn)壓

10、管伏安特性+ I三極管三極管的結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)常用的三極管的結(jié)構(gòu)有硅平面管和鍺合金管兩種類常用的三極管的結(jié)構(gòu)有硅平面管和鍺合金管兩種類型。型。( (a) )平面型平面型( (NPN) )( (b) )合金型合金型( (PNP) )NecNPb二氧化硅二氧化硅becPNPe 發(fā)射極，發(fā)射極，b 基 極 ，基 極 ， c 集電極。集電極。( (a) )NPN 型型ecb符號符號集電區(qū)集電區(qū)集電結(jié)集電結(jié)基區(qū)基區(qū)發(fā)射結(jié)發(fā)射結(jié)發(fā)射區(qū)發(fā)射區(qū)集電極集電極 c基極基極 b發(fā)射極發(fā)射極 eNNP三極管內(nèi)部結(jié)構(gòu)要求：三極管內(nèi)部結(jié)構(gòu)要求：1. 發(fā)射區(qū)高摻雜。發(fā)射區(qū)高摻雜。2. 基區(qū)做得很薄基區(qū)做得很薄。通常只有幾微米到幾

11、十微米，。通常只有幾微米到幾十微米，而且而且摻雜較少摻雜較少。3. 集電結(jié)面積大。集電結(jié)面積大。三極管放大的外部條件三極管放大的外部條件：外加電源的極性應(yīng)使：外加電源的極性應(yīng)使發(fā)射發(fā)射結(jié)處于正向偏置結(jié)處于正向偏置狀態(tài)，而狀態(tài)，而集電結(jié)處于反向偏置集電結(jié)處于反向偏置狀態(tài)。狀態(tài)。三極管三極管的電流分配的電流分配關(guān)系關(guān)系:BBBEIIII)1 (三個(gè)極的電流之間滿足節(jié)點(diǎn)電流定律，即三個(gè)極的電流之間滿足節(jié)點(diǎn)電流定律，即IE = IC + IBBCII 共射直流電流放大系數(shù)共射直流電流放大系數(shù) 近似等于近似等于 IC 與與 IB 之比。之比。 一般一般 值約為幾十值約為幾十 幾百。幾百。 一、輸入特性一

12、、輸入特性常數(shù)常數(shù) CE)(BEBUUfI ( (1) ) UCE = 0 時(shí)的輸入特時(shí)的輸入特性曲線性曲線RbVBBcebIB+UBE_VBBIB+UBE_bceV/BEUO0CE UIB/ A 當(dāng)當(dāng) UCE = 0 時(shí)，基極和發(fā)時(shí)，基極和發(fā)射極之間相當(dāng)于兩個(gè)射極之間相當(dāng)于兩個(gè) PN 結(jié)并結(jié)并聯(lián)。所以，當(dāng)聯(lián)。所以，當(dāng) b、e 之間加正之間加正向電壓時(shí)，應(yīng)為兩個(gè)二極管向電壓時(shí)，應(yīng)為兩個(gè)二極管并聯(lián)后的正向伏安特性。并聯(lián)后的正向伏安特性。( (2) ) UCE 0 時(shí)的輸入特性曲線時(shí)的輸入特性曲線當(dāng)當(dāng) UCE 0 時(shí)，這個(gè)電壓有利于將發(fā)射區(qū)擴(kuò)散到基區(qū)的時(shí)，這個(gè)電壓有利于將發(fā)射區(qū)擴(kuò)散到基區(qū)的電子收集

13、到集電極。電子收集到集電極。UCE UBE，三極管處于放大狀態(tài)。，三極管處于放大狀態(tài)。 * 特性右移特性右移( (因集電因集電結(jié)開始吸引電子結(jié)開始吸引電子) )V2CE UV/BEUO0CE UIB/ AUCE 1 時(shí)的輸入特性具有實(shí)用意義。時(shí)的輸入特性具有實(shí)用意義。IBUCEICVCCRbVBBcebRCV V A mAUBE* UCE 1 V，特性，特性曲線重合。曲線重合。二、輸出特性二、輸出特性IC / mAUCE /V100 A80A60 A40 A20 AIB = 0O 5 10 154321劃分三個(gè)區(qū)：截止區(qū)、劃分三個(gè)區(qū)：截止區(qū)、放大區(qū)和飽和區(qū)。放大區(qū)和飽和區(qū)。截止區(qū)截止區(qū)放放大大

14、區(qū)區(qū)飽飽和和區(qū)區(qū)放放大大區(qū)區(qū)1. 截止區(qū)截止區(qū)IB 0 的區(qū)的區(qū)域。域。兩個(gè)結(jié)都處于反向偏兩個(gè)結(jié)都處于反向偏置。置。IB= 0 時(shí)，時(shí)，IC = ICEO。 硅硅管約等于管約等于 1 A，鍺管約為，鍺管約為幾十幾十 幾百微安。幾百微安。常數(shù)常數(shù) B)(CECIUfI截止區(qū)截止區(qū)截止區(qū)截止區(qū)2. 放大區(qū)：放大區(qū)：條件：條件：發(fā)射結(jié)正偏發(fā)射結(jié)正偏集電結(jié)反偏集電結(jié)反偏特點(diǎn)特點(diǎn)：各條輸出特性曲各條輸出特性曲線比較平坦，近似為水平線，線比較平坦，近似為水平線，且等間隔。且等間隔。二、輸出特性二、輸出特性IC / mAUCE /V100 A80A60 A40 A20 AIB =0O 5 10 154321

15、放放大大區(qū)區(qū)集電極電流和基極電流集電極電流和基極電流體現(xiàn)放大作用，即體現(xiàn)放大作用，即BC II 放放大大區(qū)區(qū)放放大大區(qū)區(qū)對對 NPN 管管 UBE 0，UBC 0 UBC 0 。 特點(diǎn)特點(diǎn)：IC 基本上不隨基本上不隨 IB 而變化，在飽和區(qū)三極管失而變化，在飽和區(qū)三極管失去放大作用。去放大作用。 I C IB。 當(dāng)當(dāng) UCE = UBE，即，即 UCB = 0 時(shí)，稱時(shí)，稱臨界飽和臨界飽和，UCE UBE時(shí)稱為時(shí)稱為過飽和過飽和。飽和管壓降飽和管壓降 UCES 0.4 V( (硅管硅管) )，UCES 2 時(shí)，則RUVII1BECCREF2C +VCCRIREF+VT1VT2IC2IB1IB2

16、2IBIC2UBE1UBE2二、比例電流源R1R2由圖可得UBE1 + IE1R1 = UBE2 + IE2R2由于 UBE1 UBE2 ，則22E11ERIRI 忽略基極電流，可得REF211C212CIRRIRRI 兩個(gè)三極管的集電極電流之比近似與發(fā)射極電阻的阻值成反比，故稱為比例電流源。比例電流源微電流源 在鏡像電流源的基礎(chǔ)上接入電阻 Re。+VCCRIREFVT1VT2IC22IBIC1ReRe 引入Re使 UBE2 UBE1，且 IC2 0，VT1 導(dǎo)通，VT2 截止iC1：+VCC VT1 RL 地uI u 時(shí)，uO = + UOPP當(dāng) u+ u 時(shí), uO = UOPP1. uO

17、 的值只有兩種可能在非線性區(qū)內(nèi)，(u+ u)可能很大，即 u+ u。 “虛地”不存在2. 理想運(yùn)放的輸入電流等于零0 iiR2 = R1 / RF由于“虛斷”，i+= 0，u+ = 0；由于“虛短”， u = u+ = 0“虛地”由 iI = iF ，得Fo1IRuuRuu IFIofRRuuAu 反相比例運(yùn)算電路由于反相輸入端“虛地”，電路的輸入電阻為Rif = R1當(dāng) R1 RF 時(shí)，Auf = -1單位增益倒相器同相比例運(yùn)算電路根據(jù)“虛短”和“虛斷”的特點(diǎn)，可知i+ = i- = 0；又 u = u+ = uOF11uRRRu 所以所以IOF11uuRRR 所所以以IFIOf1RRuuA

18、u 得：由于該電路為電壓串聯(lián)負(fù)反饋，所以輸入電阻很高；輸出電阻很高。當(dāng) RF = 0 或 R1 = 時(shí)，Auf = 1電壓跟隨器R2 = R1 / RF差分比例運(yùn)算電路11RR FFRR 在理想條件下，由于“虛斷”，i+ = i = 0IF1FuRRRu OF11IF1FuRRRuRRRu 由于“虛短”， u+ = u ，所以：IF1FOF11IF1FuRRRuRRRuRRR 1FIIOfRRuuuAu 電壓放大倍數(shù)差 模 輸 入電阻Rif = 2R1FF11;RRRR反相輸入求和電路F321/RRRRR 由于“虛斷”，i = 0所以：i1 + i2 + i3 = iF又因“虛地”，u = 0

19、所以：FO3I32I21I1RuRuRuRu )(I33FI22FI11FOuRRuRRuRRu 當(dāng) R1 = R2 = R3 = R 時(shí)，)(I3I2I11FOuuuRRu 同相輸入求和電路由于“虛斷”，i = 0，所以：RuRuuRuuRuu 3I32I21I1解得：I33I22I11uRRuRRuRRu 其中：RRRRR /321由于“虛短”，u+ = u)(1()1()1(I33I22I111F1F1FOuRRuRRuRRRRuRRuRRu 積分電路RR 由于“虛地”，u = 0，故uO = uC又由于“虛斷”，iI = iC ，故uI = iIR = iCR得： tuRCtiCuuC

20、Cd1d1IO = RC積分時(shí)間常數(shù) 功能：實(shí)現(xiàn)波形變換及移相功能：實(shí)現(xiàn)波形變換及移相微分電路基本微分電路由于“虛斷”，i = 0，故iC = iR又由于“虛地”， u+ = u- = 0 ，故tuRCRiRiuCRddCO 可見，輸出電壓正比于輸入電壓對時(shí)間的微分。 功能：實(shí)現(xiàn)波形變換及移相功能：實(shí)現(xiàn)波形變換及移相對數(shù)電路對數(shù)電路指數(shù)指數(shù)電路電路對數(shù)電路對數(shù)電路uI1uI2lnuI1lnuI2求和電路lnuI1+ lnuI2指數(shù)電路uO = uI1uI2乘法電路乘法電路除法電路除法電路對數(shù)電路對數(shù)電路uI1uI2lnuI1lnuI2減法電路lnuI1- lnuI2指數(shù)電路I2I1Ouuu 第

21、六章放大電路中的反饋第六章放大電路中的反饋放大電路中的反饋，是指將放大電路輸出電量(輸出電壓或輸出電流)的一部分或全部，通過一定的方式，反送回輸入回路中。UBEQ UBQ - ICQRE將輸出電流 ICQ(IEQ) 反饋回輸入回路，改變UBEQ，使 ICQ 穩(wěn)定。由此可見，欲穩(wěn)定電路中的某個(gè)電量，應(yīng)采取措施將該電量反饋回輸入回路。反饋的分類:1.正反饋、負(fù)反饋反饋極性的判斷方法：瞬時(shí)極性法。2.直流反饋和交流反饋直流負(fù)反饋可穩(wěn)定靜態(tài)工作點(diǎn)，交流負(fù)反饋用以改善放大電路的性能。3.電壓反饋和電流反饋判斷方法：假設(shè)將輸出端交流短路，如果反饋信號消失，則為電壓反饋；否則為電流反饋。4.串聯(lián)反饋和并聯(lián)反

22、饋反饋信號與輸入信號在輸入回路中以電壓形式求和，為串聯(lián)反饋；如果二者以電流形式求和，為并聯(lián)反饋。一、電壓串聯(lián)負(fù)反饋 (a)電路圖反饋信號與輸出電壓成正比，集成運(yùn)放的凈輸入電壓等于輸入電壓與反饋電壓之差，(b)方框圖電壓放大倍數(shù)：反饋系數(shù)：因?yàn)椋核苑答佅禂?shù)：二、電壓并聯(lián)負(fù)反饋(a)電路圖反饋信號與輸出電壓成正比，凈輸入電流等于外加輸入電流與反饋電流之差 (b)方框圖放大倍數(shù)：轉(zhuǎn)移電阻反饋系數(shù)：因?yàn)椋核苑答佅禂?shù)：三、電流串聯(lián)負(fù)反饋 (a)電路圖反饋信號與輸出電流成正比，凈輸入電壓等于外加輸入信號與反饋信號之差(b)方框圖轉(zhuǎn)移電導(dǎo)反饋系數(shù)：因?yàn)椋核苑答佅禂?shù)：四、電流并聯(lián)負(fù)反饋(a)電路圖 反饋

23、信號與輸出電流成正比，凈輸入電流等于外加輸入信號與反饋信號之差：(b)方框圖電流放大倍數(shù)：反饋系數(shù)：因?yàn)椋核苑答佅禂?shù)：反饋的一般表達(dá)式無反饋時(shí)放大網(wǎng)絡(luò)的放大倍數(shù)；開環(huán)放大倍數(shù)因?yàn)椋核裕旱茫洪]環(huán)放大倍數(shù)深度負(fù)反饋結(jié)論：深負(fù)反饋放大電路的放大倍數(shù)主要由反饋網(wǎng)絡(luò)的反饋系數(shù)決定，能保持穩(wěn)定。負(fù)反饋對放大電路性能的影響1.提高放大倍數(shù)的穩(wěn)定性放大倍數(shù)的相對變化量：結(jié)論：引入負(fù)反饋后，放大倍數(shù)的穩(wěn)定性提高了 (1 + AF) 倍。2.減小非線性失真和抑制干擾3.展寬頻帶4.改變輸入電阻和輸出電阻1. 串聯(lián)負(fù)反饋使輸入電阻增大2. 并聯(lián)負(fù)反饋使輸入電阻減小3. 電壓負(fù)反饋使輸出電阻減小4. 電流負(fù)反饋使

24、輸出電阻增大負(fù)反饋放大電路的分析計(jì)算對于電壓串聯(lián)負(fù)反饋，中的 代表閉環(huán)電壓放大倍數(shù)，因而可直接估算出負(fù)反饋放大電路的閉環(huán)電壓放大倍數(shù)。因而：常用的校正措施最簡單的方法是減小反饋系數(shù)或反饋深度，使得在滿足相位條件時(shí)不滿足幅度條件。但是，由于反饋深度下降，不利于放大電路其他性能的改善，因此通常采用接入電容或 RC 元件組成校正網(wǎng)絡(luò)，以消除自激振蕩。第八章信號處理電路第八章信號處理電路濾波電路的作用和分類作用：選頻。分類： 低通濾波器、 高通濾波器、 帶通濾波器和帶阻濾波器。通帶截止頻率電壓比較器電壓比較器將一個(gè)模擬量輸入電壓與一個(gè)參考電壓進(jìn)行比較，輸出只有兩種可能的狀態(tài)：高電平或低電平。比較器中的集成運(yùn)放一般工作在非線性區(qū)；處于開環(huán)狀態(tài)或引入正反饋。分類：過零比較器、單限比較器、滯回比較器及雙限比較器。簡單的過零比較器由于理想運(yùn)放的開環(huán)差模增益為無窮大，所以當(dāng) uI 0 時(shí)，uO = - UOPP ；過零比較器的傳輸特性為：uIuO+UOpp-UOppOUOPP 為集成運(yùn)放的最大輸出電壓。閾值電壓：當(dāng)比較器的輸出電壓由一種狀態(tài)跳變?yōu)榱硪环N狀態(tài)所對應(yīng)的輸入電壓。利用穩(wěn)壓管限幅的過零比較器設(shè)任何一個(gè)穩(wěn)壓管被反向擊穿時(shí)，兩個(gè)穩(wěn)壓管兩端總的的穩(wěn)定電壓為 UZ UOppuIuO+UOpp -UOppO+UZ-UZ當(dāng) uI 0