集成電路前道工藝、設(shè)備及市場分析-終

1、RCsLRRW氧化膜氧化膜pnnP型擴(kuò)散層型擴(kuò)散層（電阻）（電阻）基區(qū)擴(kuò)散電阻基區(qū)擴(kuò)散電阻VCCLw氧化膜氧化膜pN+平板型電容平板型電容鋁電極鋁電極N-epi隔離隔離槽槽N疊式結(jié)構(gòu)電容疊式結(jié)構(gòu)電容氧化膜氧化膜電容極板電容極板nBECpn+n-epin+P-SiP+P+S發(fā)射區(qū)發(fā)射區(qū)(N+型型)基區(qū)基區(qū)(P型型)集電區(qū)集電區(qū)(N型外延層型外延層)襯底襯底(P型型)n+-BLnpnBECCBENPNBECSisourcedrain上層的氮化物上層的氮化物金屬連接的源極金屬連接的源極金屬連接的柵極金屬連接的柵極漏極金屬連接漏極金屬連接多晶硅柵極多晶硅柵極摻雜的多晶硅摻雜的多晶硅氧化層氧化層?xùn)艠O氧化

2、層?xùn)艠O氧化層源極源極(S)漏極漏極(D)柵極柵極(G)n+n+P型硅基板型硅基板柵極（多晶硅）柵極（多晶硅）絕緣層（絕緣層（SiO2）半半導(dǎo)導(dǎo)體體基基板板漏極漏極源極源極silicon substratesilicon substrate氧化層氧化層silicon substrateShadow on photoresist曝光曝光區(qū)區(qū)掩模版掩模版Ultraviolet Lightsilicon substrate非感光區(qū)域非感光區(qū)域silicon substrate感光區(qū)域感光區(qū)域silicon substratesilicon substratesilicon substratesilic

3、on substratesilicon substratesilicon substrate沉積氧化層沉積氧化層silicon substrate柵極氧化層?xùn)艠O氧化層?xùn)艠O氧化層?xùn)艠O氧化層silicon substrate柵極氧化層?xùn)艠O氧化層silicon substrategate柵極氧化層?xùn)艠O氧化層多晶硅柵極多晶硅柵極silicon substrategate離子注入形成源極離子注入形成源極sourcedrain離子源離子源光刻膠在離子注入后去除光刻膠在離子注入后去除silicon substrategatesourcedrainsilicon substratesourcedrain氮化物

4、氮化物silicon substrate連接孔連接孔drainsourcesilicon substrate連接孔連接孔drainsourcesilicon substratedrainsource連接點(diǎn)連接點(diǎn)光刻PVDCVDALD數(shù)據(jù)來源：應(yīng)用材料，西南證券整理數(shù)據(jù)來源：中國報(bào)告網(wǎng)日本信越日本信越 28%日本勝高日本勝高25%德國世創(chuàng)德國世創(chuàng)15%韓國韓國LG9%臺灣環(huán)球晶臺灣環(huán)球晶圓圓17%其他其他6%晶圓晶圓市場占有率市場占有率數(shù)據(jù)來源：中國報(bào)告網(wǎng)Screen52%TEL20%Lam13%SEMES10%ACM3%其他其他2%清洗清洗市場占有率市場占有率數(shù)據(jù)來源：Screen數(shù)據(jù)來源：S

5、creen數(shù)據(jù)來源：Screen數(shù)據(jù)來源：盛美半導(dǎo)體Hitachi43%TEL38%ASM14%其他其他5%氧化氧化/擴(kuò)散設(shè)備擴(kuò)散設(shè)備占有率占有率數(shù)據(jù)來源：中國產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)ASML76%Nikon11%Canon6%其他其他7%光刻機(jī)市場光刻機(jī)市場占有率占有率數(shù)據(jù)來源：中國產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)100.00%92.68%63.64%76.34%30.23%7.32%36.36%2.15%11.63%21.51%58.14%0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%EUV 光刻機(jī)ArFi 光刻機(jī)ArF 光刻機(jī)KrF光刻機(jī)i-line光刻機(jī)2017年度全球光刻機(jī)市場份額ASMLNikon

6、Canon數(shù)據(jù)來源：各公司官網(wǎng)總結(jié)2011-2017年度全球光刻機(jī)總銷售情況u2011-2017累計(jì)銷售銷售光刻機(jī)1920臺，其中ASML1209臺，Nikon302臺，Canon409臺。公司EUV 光刻機(jī)（臺）ArFi 光刻機(jī)（臺）ArF 光刻機(jī)（臺）KrF光刻機(jī)（臺）i-line光刻機(jī)（臺）總計(jì)（臺）ASML26539494691261209Nikon0734664119302Canon00090319409總計(jì)266129562356419201.35%31.88%4.95%32.45%29.38%EUV 光刻機(jī)ArFi 光刻機(jī)ArF 光刻機(jī)KrF光刻機(jī)i-line光刻機(jī)數(shù)據(jù)來源：各公

7、司官網(wǎng)總結(jié)數(shù)據(jù)來源：ASML官網(wǎng)數(shù)據(jù)來源：ASML官網(wǎng)數(shù)據(jù)來源：Canon官網(wǎng)數(shù)據(jù)來源：SMEE官網(wǎng)u美國的泛林半導(dǎo)體（LAM）52.7%；u日本的東京電子（TEL）19.7%；u美國的應(yīng)用材料（AMAT）18.1%；uTOP3 市場占率高達(dá)90.5%；其他9.5%u國內(nèi)廠家有中微半導(dǎo)體、北方華創(chuàng)、上海新陽、沈陽芯源、蘇州偉仕泰克、中電科48所LAM53%TEL20%AMAT18%其他其他9%刻蝕設(shè)備市場刻蝕設(shè)備市場占有率占有率數(shù)據(jù)來源：中國產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)數(shù)據(jù)來源：BARRONS數(shù)據(jù)來源：LAM Research數(shù)據(jù)來源：LAM ResearchAMAT70%Axcelis20%其他其他10%離子

8、注入機(jī)市場離子注入機(jī)市場占有率占有率數(shù)據(jù)來源：應(yīng)用材料官網(wǎng)AMAT40%Axcelis32%AIBT25%其他其他3%低能離子注入機(jī)市場低能離子注入機(jī)市場占有率占有率數(shù)據(jù)來源：Variant Market Research薄膜沉積市場細(xì)分薄膜沉積市場細(xì)分?jǐn)?shù)據(jù)來源：Variant Market ResearchLAM19%TEL21%AMAT30%其他其他30%CVD設(shè)備市場設(shè)備市場占有率占有率數(shù)據(jù)來源：中國產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)Ulvac5%Evatec6%AMAT85%其他其他4%PVD設(shè)備市場設(shè)備市場占有率占有率數(shù)據(jù)來源：中國產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)數(shù)據(jù)來源：應(yīng)用材料數(shù)據(jù)來源：應(yīng)用材料數(shù)據(jù)來源：北方華創(chuàng)數(shù)據(jù)來源：北

9、方華創(chuàng)Ebara23%AMAT75%其他其他2%CMP設(shè)備市場設(shè)備市場占有率占有率數(shù)據(jù)來源：應(yīng)用材料KLA52%AMAT12%Hitachi11%Nanometrics4%Hermes Microvision3%Nova2%其他其他16%檢測設(shè)備市場占有率檢測設(shè)備市場占有率數(shù)據(jù)來源：數(shù)據(jù)來源：VLSI數(shù)據(jù)來源：wind數(shù)據(jù)來源：wind數(shù)據(jù)來源：wind數(shù)據(jù)來源：科磊官網(wǎng)數(shù)據(jù)來源：各公司官網(wǎng)排名排名公司公司主要產(chǎn)品領(lǐng)域主要產(chǎn)品領(lǐng)域2017年?duì)I收年?duì)I收（單位：億（單位：億美元）美元）較較2016年年增長率（增長率（%）1美國應(yīng)用材料（Applied Materials）沉積、刻蝕、離子注入、化學(xué)

10、機(jī)械研磨等107382美國泛林半導(dǎo)體（Lam Research）刻蝕、沉積、清洗等84.4623日本東京電子（Tokyo Electron）沉積、刻蝕、勻膠顯影設(shè)備等72.03484荷蘭阿斯麥（ASML）光刻設(shè)備71.86415美國科磊半導(dǎo)體（KLA-Tencor）硅片檢測、量測設(shè)備28.32176日本迪恩士（Screen Semiconductor Solution）清洗、刻蝕設(shè)備13.917韓國的細(xì)美事（SEMES）清洗、封裝設(shè)備10.51428日本日立高新（Hitachi high-technologies）沉積、刻蝕、封裝貼片設(shè)備10.359日本日立國際電氣（Hitachi KOKUSAI）熱處理設(shè)備9.78410日本大幅（Daifuku）無塵室搬運(yùn)設(shè)備6.94611荷蘭先域（ASM International）沉積、封裝鍵合設(shè)備6.53112日本尼康（Nikon）光刻設(shè)備6.3-16數(shù)據(jù)來源：SEMIu隨著5G、AI、大數(shù)據(jù)、云計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)等新興行業(yè)需求的逐步提升是重要的行業(yè)驅(qū)動力，2018年半導(dǎo)體銷售數(shù)量超過1萬億u2018年半導(dǎo)體設(shè)備銷售額627.3億美元，增長10.8