暨南大學考研電子技術基礎2010

1、暨南大曝JINAN UNIVERSITY2010年招收攻讀碩士學位研究生入學考試試題*學科、專業(yè)名稱：081001通信與信息系統(tǒng)、081002信號與信息處理、430109電子與通信 工程研究方向：01光電子與光通信、02通信網絡與信息系統(tǒng)、03微電子器件與集成電路設計、04多媒體技術與信息安全、05無線通信與傳感技術；01機器人與測控系統(tǒng)、02量子信息與 量子系統(tǒng)、03信息技術與智能儀器、04通信信號處理及SoC設計、05圖像處理與應用系統(tǒng)； 01光通信與無線通信、02網絡與多媒體技術、03微電子技術與集成電路設計、04測控系統(tǒng)與智能儀器、05信息系統(tǒng)與信息處理技術 考試科目名稱：823電子技

2、術基礎考生注意：所有答案必須寫在答題紙（卷）上，寫在本試題上一律不給分。一、判斷下列說法是否正確，凡對者打“V ”，錯者打“ x ”（答案必須寫在答題紙上）。（共10小題,每小題2分,共20分）1、一個理想對稱的差分放大電路，既能放大差模輸入信號，也有可能 放大共模輸入信號。2、場效應管依靠電場控制漏極電流，故不能稱為電壓控制器件。3、電流源作為放大電路的有源負載可以取代大直流供電電源。4、本征半導體溫度升高后兩種載流子濃度仍然相等。5、空間電荷區(qū)內的位移電流是少數載流子在內電場作用下形成的。6、放大電路的輸出電阻與負載有關。7、由對稱晶體管構成的OCLE補電路不會產生交越失真。8、采用通用型

3、集成運放組成的有源濾波電路常作為高頻濾波電路。9、放大電路級數越多，引入負反饋后就越難產生高頻白激振蕩。10、理想集成運放總是具有虛開路特性。二、填充（答案須寫在答題紙上）（共5小題,每小題2分,共10分）1、由雙極型晶體管構成的單級放大器，如果將發(fā)射極與集電極對調， 它們的增益會。2、如果輸入信號的頻率為10kHz12kHz ,為了防止干擾信 號的混入，應選用 濾波電路。3、 某差分放大器的共模增益為0.01，差模增益為1000,其共模抑制 比為dB。4、為了使濾波電路的選頻特性不隨輸出電阻變化，應選用 濾 波電路。5、 某電壓放大電路，其輸出端接 1kQ的電阻負載，輸入正弦信號電 壓和電流

4、的峰-峰值分別為10mV和10 g,現(xiàn)測量到輸出正弦電壓信 號的峰-峰值為2V,則該放大電路的功率增益為 dB。考試科目：823電子技術基礎共 8 頁，第 # 頁三、單項選擇題（答案必須寫在答題紙上）（共5小題，每小題2分,共10分）1、 欲得到電壓一電流轉換電路，應在放大電路中引入 。A.電壓串聯(lián)負反饋B.電流并聯(lián)負反饋C.電流串聯(lián)負反饋D.電壓并聯(lián)負反饋2、 中的集成運放一般宜引入負反饋。A.運算電路B. 正弦波振蕩器C.電壓比較器 D.以上都不是3、 目前在正弦波振蕩器中沒有被廣泛應用的振蕩器是 。A.RC振蕩器 B.RL振蕩器C.LC振蕩器D.石英晶體振蕩器4、 晶體管工作在 工作狀態(tài)

5、時的效率最高。A.甲類 B. 乙類 C. 丙類 D. 甲乙類5、 正偏二極管端電壓增加5%,通過二極管的電流 。A.增大約5%B.增大小于5%C.增大大于5%D.基本不變。四、簡答題（答案須寫在答題紙上）（共6小題，每小題5分,共30分） 1、圖示電路中，低頻正弦電壓 vs（t）=i5sgt（V）, Si穩(wěn)壓管V，=8 V。試畫出穩(wěn)壓管兩端的電壓&的波形考試科目：823電子技術基礎共 8頁，第 5頁2、電路如圖所示。Ti、T2和T3分別構成什么電路？ Di和D2在電路 中起什么作用？1R 3 1r1 fD 1 ED 2、i b- zR 2T 2T iT 3+V c cR L U o-V

6、 C C3、畫出普通過零比較器電路，并舉例畫出輸入一正弦信號時輸出信 號的波形。4、負反饋可改善放大器的一些什么特性？5、已知741型運放的f0dB= 106 Hz,現(xiàn)用這類運放構成一個帶寬至少 為4 kHz、增益為10000的放大電路，問：用一級同相電壓放大電路 能否達到要求？若不能，說明原因，并給出解決方案。6、假定某放大器工作是穩(wěn)定的，其電壓增益函數的幅頻特性波特圖 如圖所示，試寫它的電壓增益頻率特性函數 Av (jf)的表達式。I dB100五、綜合題（答案須寫在答題紙上，共8小題，每小題10分，共80分） 1、以理想運放和模擬乘法器為基本單元，設計一個電路，實現(xiàn)Uo=K Ju： +U

7、|22的運算功能?？荚嚳颇浚?23電子技術基礎共8 頁，第 9頁5如圖電路中,Va = 10sin( 2 兀，2k t) + 0.2sin( 2兀，1k t + 90 )(V),vb= 10sin( 2 一 * 2 k *t) 0.1sin(2 一 * 1k * t 90 )(V),求Vo,并指2、窗口比較器如圖所示，Url<Urh，試求傳輸特性曲線。3、出Va、Vb和V。主要含有什么頻率成分?4、在圖所示的兩個反饋電路中，集成運放都具有理想的特性，判 斷電路中的反饋是正反饋還是負反饋，并指出是何種反饋組態(tài)；求 出令和勺的大小；寫出各電路閉環(huán)放大倍數的表達式 （要求對電壓礦A反饋寫出N表

8、達式，對電流反饋寫出"'表達式）。5、正弦波振蕩電路如圖所示，A為理想運放，請標出A的同相端“ + ”和反本端”；若電路起振，估算振蕩頻率 =?為穩(wěn)幅的需要，非 線性電阻Rt,應具有正溫度系數還是負溫度系數？6. 一共射放大電路如圖所示，6 =150, Ri=500kQ , R2=250kQ , Ri = 100Q , R2=1.9k Q ,Rc=2k Q ,RL=2k Q ,Vcc=15V,rbe=200( Q )+626(mV)/I e(mA)。粗略估算直流工作點(UBeq 0)；粗略估算電壓放大倍 數Au。+VRe1RRRlO7、如圖所示電路中，已知 NMOS 管的 UGs(th)=2V, lDo=0.2mA。 Rg1 Rg1+V DD+V DDVdd=20V。 Rg1=8.3MQ , Rg2=1.7MQ , Rd=100k。計算電路的直流工 作點，A： Ro .Ci：ICoRg2X 1±8 .圖示電路中，各晶體管的參數均相同，6