半導(dǎo)體的主要特征

1、1.1.1 本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體導(dǎo)體：導(dǎo)體：自然界中很容易導(dǎo)電的物質(zhì)稱為自然界中很容易導(dǎo)電的物質(zhì)稱為導(dǎo)體導(dǎo)體，金屬，金屬一般都是導(dǎo)體。一般都是導(dǎo)體。絕緣體：絕緣體：有的物質(zhì)幾乎不導(dǎo)電，稱為有的物質(zhì)幾乎不導(dǎo)電，稱為絕緣體絕緣體，如橡，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。皮、陶瓷、塑料和石英。半導(dǎo)體：半導(dǎo)體：另有一類物質(zhì)的導(dǎo)電特性處于導(dǎo)體和絕緣另有一類物質(zhì)的導(dǎo)電特性處于導(dǎo)體和絕緣體之間，稱為體之間，稱為半導(dǎo)體半導(dǎo)體，如鍺、硅、砷化鎵，如鍺、硅、砷化鎵和一些硫化物、氧化物等。和一些硫化物、氧化物等。一、一、導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體2上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)+14

2、284Si硅原子結(jié)構(gòu)示意圖硅原子結(jié)構(gòu)示意圖+3228 18Ge鍺原子結(jié)構(gòu)示意圖鍺原子結(jié)構(gòu)示意圖4原子結(jié)構(gòu)示意圖原子結(jié)構(gòu)示意圖+4硅、鍺原子硅、鍺原子的簡(jiǎn)化模型的簡(jiǎn)化模型上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)平面結(jié)構(gòu)平面結(jié)構(gòu)立體結(jié)構(gòu)立體結(jié)構(gòu)+4+4+4+4+4+4+4+4+41. 本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體就是本征半導(dǎo)體就是完全純凈的完全純凈的半導(dǎo)體半導(dǎo)體上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)+4+4+4+4+4+4+4+4+4共價(jià)鍵共價(jià)鍵價(jià)電子價(jià)電子上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)+4+4+4+4+4+4+4+4+4本本征征半半導(dǎo)

3、導(dǎo)體體受受熱熱或或光光照照上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)本本征征激激發(fā)發(fā)產(chǎn)產(chǎn)生生電電子子和和空空穴穴自由電子自由電子空穴空穴+4+4+4+4+4+4+4+4+4上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)電子空穴電子空穴成對(duì)產(chǎn)生成對(duì)產(chǎn)生+4+4+4+4+4+4+4+4+4上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)+4+4+4+4+4+4+4+4+4上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)+4+4+4+4+4+4+4+4+4電子空穴電子空穴復(fù)合，成復(fù)合，成對(duì)消失對(duì)消失上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)動(dòng)畫動(dòng)

4、畫1010上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 本征激發(fā)使本征激發(fā)使空穴空穴和和自由電子自由電子成對(duì)產(chǎn)生。成對(duì)產(chǎn)生。相遇相遇復(fù)合復(fù)合時(shí)，又時(shí)，又成對(duì)成對(duì)消失。消失。 小結(jié)小結(jié)空穴濃度（空穴濃度（np)=電子濃度電子濃度(nn)溫度溫度T一定時(shí)一定時(shí)np nn=K(T)K(T) 與溫度有關(guān)的常數(shù)與溫度有關(guān)的常數(shù) 上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)在在外外電電場(chǎng)場(chǎng)作作用用下下+4+4+4+4+4+4+4+4+4U上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)電電子子運(yùn)運(yùn)動(dòng)動(dòng)形形成成電電子子電電流流+4+4+4+4+4+4+4+4+4U上頁上頁下頁

5、下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)+4+4+4+4+4+4+4+4+4U上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)+4+4+4+4+4+4+4+4+4U上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)+4+4+4+4+4+4+4+4+4U上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)+4+4+4+4+4+4+4+4+4U上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)+4+4+4+4+4+4+4+4+4U價(jià)電子填價(jià)電子填補(bǔ)空穴而補(bǔ)空穴而使空穴移使空穴移動(dòng)，形成動(dòng)，形成空穴電流空穴電流上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)動(dòng)畫動(dòng)

6、畫1919上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)(1) 在半導(dǎo)體中有兩種在半導(dǎo)體中有兩種載流子載流子這就是這就是半導(dǎo)體和金屬導(dǎo)電半導(dǎo)體和金屬導(dǎo)電原理的原理的 本質(zhì)區(qū)別本質(zhì)區(qū)別a. 電阻率大電阻率大(2) 本征半導(dǎo)體的特點(diǎn)本征半導(dǎo)體的特點(diǎn)b. 導(dǎo)電性能隨溫度變化大導(dǎo)電性能隨溫度變化大小結(jié)小結(jié)帶正電的帶正電的空穴空穴帶負(fù)電的帶負(fù)電的自由電子自由電子本征半導(dǎo)體不能在半導(dǎo)體器件中直接使用本征半導(dǎo)體不能在半導(dǎo)體器件中直接使用上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)1.1.2N型半導(dǎo)體和型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體 在在本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體硅或鍺中硅或鍺中摻入微量摻入微量

7、的其它適當(dāng)?shù)钠渌m當(dāng)元元素素后所形成的半導(dǎo)體后所形成的半導(dǎo)體根據(jù)摻雜的不同，雜質(zhì)半導(dǎo)體分為根據(jù)摻雜的不同，雜質(zhì)半導(dǎo)體分為N型導(dǎo)型導(dǎo)體體P型導(dǎo)型導(dǎo)體體(1) N型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體 摻入五價(jià)雜質(zhì)元素（如磷、砷）的雜質(zhì)半導(dǎo)體摻入五價(jià)雜質(zhì)元素（如磷、砷）的雜質(zhì)半導(dǎo)體上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)+4+4+4+4+4+4+4+4+4摻入少量五價(jià)雜質(zhì)元素磷摻入少量五價(jià)雜質(zhì)元素磷P P上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)+4+4+4+4+4+4+4+4+4P P上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)多出多出一個(gè)一個(gè)電子電子出現(xiàn)出現(xiàn)了一了一個(gè)正個(gè)正

8、離子離子+4+4+4+4+4+4+4+4P P上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)+ + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + +半導(dǎo)體中產(chǎn)生了大量的自由電子和正離子半導(dǎo)體中產(chǎn)生了大量的自由電子和正離子上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)動(dòng)畫動(dòng)畫2626上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)c. 電子是多數(shù)載流子，簡(jiǎn)稱多子電子是多數(shù)載流子，簡(jiǎn)稱多子; ;空穴是少數(shù)載流空穴是少數(shù)載流 子，簡(jiǎn)稱少子。子，簡(jiǎn)稱少子。e. 因電子帶負(fù)電，稱這種半導(dǎo)

9、體為因電子帶負(fù)電，稱這種半導(dǎo)體為N(negative)型或型或 電子型半導(dǎo)體。電子型半導(dǎo)體。f. 因摻入的雜質(zhì)給出電子，又稱之為施主雜質(zhì)。因摻入的雜質(zhì)給出電子，又稱之為施主雜質(zhì)。b. N型半導(dǎo)體中型半導(dǎo)體中產(chǎn)生了大量的產(chǎn)生了大量的( (自由）電子和正離子自由）電子和正離子。小結(jié)小結(jié)d. np nn=K(T)a. N型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中摻入少量五價(jià)雜質(zhì)摻入少量五價(jià)雜質(zhì) 元素形成的。元素形成的。上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)(2) P型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體 在本征半導(dǎo)體中摻入在本征半導(dǎo)體中摻入三價(jià)雜質(zhì)元素三價(jià)雜質(zhì)元素，如硼等。如硼等。B B+4+4+

10、4+4+4+4+4+4+4上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)+4+4+4+4+4+4+4+4+4B B上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)出出現(xiàn)現(xiàn)了了一一個(gè)個(gè)空空位位+4+4+4+4+4+4B B+4+4上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)+4+4+4+4+4+4B B+4+4負(fù)離子負(fù)離子空穴空穴上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -半導(dǎo)體中產(chǎn)生了大量的空穴和負(fù)離子半導(dǎo)體

11、中產(chǎn)生了大量的空穴和負(fù)離子上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)動(dòng)畫動(dòng)畫3333上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)c. 空穴是多數(shù)載流子空穴是多數(shù)載流子, ,電子是少數(shù)載流子。電子是少數(shù)載流子。e. 因空穴帶正電，稱這種半導(dǎo)體為因空穴帶正電，稱這種半導(dǎo)體為P(positive)型或型或 空穴型半導(dǎo)體?？昭ㄐ桶雽?dǎo)體。f. 因摻入的雜質(zhì)接受電子，故稱之為受主雜質(zhì)。因摻入的雜質(zhì)接受電子，故稱之為受主雜質(zhì)。a. P型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中摻入少量的三價(jià)摻入少量的三價(jià) 雜質(zhì)元素形成的。雜質(zhì)元素形成的。b. P型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體產(chǎn)生大量的空穴和

12、負(fù)離子產(chǎn)生大量的空穴和負(fù)離子。小結(jié)小結(jié)d. np nn=K(T)上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)當(dāng)摻入三價(jià)元素的密度大于五價(jià)元素的密度時(shí)，可當(dāng)摻入三價(jià)元素的密度大于五價(jià)元素的密度時(shí)，可將將N型轉(zhuǎn)為型轉(zhuǎn)為P型；型；雜質(zhì)半導(dǎo)體的轉(zhuǎn)型雜質(zhì)半導(dǎo)體的轉(zhuǎn)型當(dāng)摻入五價(jià)元素的密度大于三價(jià)元素的密度時(shí)，可當(dāng)摻入五價(jià)元素的密度大于三價(jià)元素的密度時(shí)，可將將P型轉(zhuǎn)為型轉(zhuǎn)為N N型。型。說明：說明：1. 摻入雜質(zhì)的濃度決定多數(shù)載流子濃度；溫度決摻入雜質(zhì)的濃度決定多數(shù)載流子濃度；溫度決 定少數(shù)載流子的濃度。定少數(shù)載流子的濃度。3. 雜質(zhì)半導(dǎo)體總體上保持電中性。雜質(zhì)半導(dǎo)體總體上保持電中性。 4. 雜

13、質(zhì)半導(dǎo)體的表示方法如下圖所示。雜質(zhì)半導(dǎo)體的表示方法如下圖所示。2. 雜質(zhì)半導(dǎo)體雜質(zhì)半導(dǎo)體載流子的數(shù)目載流子的數(shù)目要遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于本征半導(dǎo)要遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于本征半導(dǎo)體，因而其導(dǎo)電能力大大改善。體，因而其導(dǎo)電能力大大改善。( (a) )N 型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體( (b) ) P 型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體圖圖 雜質(zhì)半導(dǎo)體的的簡(jiǎn)化表示法雜質(zhì)半導(dǎo)體的的簡(jiǎn)化表示法37 在一塊半導(dǎo)體單晶上一側(cè)摻雜成為在一塊半導(dǎo)體單晶上一側(cè)摻雜成為 P 型半導(dǎo)體，型半導(dǎo)體，另一側(cè)摻雜成為另一側(cè)摻雜成為 N 型半導(dǎo)體，兩個(gè)區(qū)域的交界處就形型半導(dǎo)體，兩個(gè)區(qū)域的交界處就形成了一個(gè)特殊的薄層，成了一個(gè)特殊的薄層，稱為稱為 PN 結(jié)結(jié)。 PNPN結(jié)結(jié)圖圖 PN

14、 結(jié)的形成結(jié)的形成一、一、PN 結(jié)的形成結(jié)的形成1.1.3PN結(jié)及其單向?qū)щ娦越Y(jié)及其單向?qū)щ娦?8華成英 物質(zhì)因濃度差而產(chǎn)生的運(yùn)動(dòng)稱為擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。氣物質(zhì)因濃度差而產(chǎn)生的運(yùn)動(dòng)稱為擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。氣體、液體、固體均有之。體、液體、固體均有之。擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)P區(qū)空穴區(qū)空穴濃度遠(yuǎn)高濃度遠(yuǎn)高于于N區(qū)。區(qū)。N區(qū)自由電區(qū)自由電子濃度遠(yuǎn)高子濃度遠(yuǎn)高于于P區(qū)。區(qū)。 擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)使靠近接觸面擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)使靠近接觸面P區(qū)的空穴濃度降低、靠近接觸面區(qū)的空穴濃度降低、靠近接觸面N區(qū)的自由電子濃度降低，產(chǎn)生內(nèi)電場(chǎng)。區(qū)的自由電子濃度降低，產(chǎn)生內(nèi)電場(chǎng)。華成英 PN 結(jié)的形成 因電場(chǎng)作用所產(chǎn)因電場(chǎng)作用所產(chǎn)生的運(yùn)動(dòng)稱為漂移生的運(yùn)動(dòng)稱為漂移運(yùn)動(dòng)

15、。運(yùn)動(dòng)。 參與擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)和漂移運(yùn)動(dòng)的載流子數(shù)目相同，達(dá)到動(dòng)態(tài)參與擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)和漂移運(yùn)動(dòng)的載流子數(shù)目相同，達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡，就形成了平衡，就形成了PN結(jié)。結(jié)。漂移運(yùn)動(dòng)漂移運(yùn)動(dòng) 由于擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)使由于擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)使P區(qū)與區(qū)與N區(qū)的交界面缺少多數(shù)載流子，形成區(qū)的交界面缺少多數(shù)載流子，形成內(nèi)電場(chǎng)，從而阻止擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的進(jìn)行。內(nèi)電場(chǎng)使空穴從內(nèi)電場(chǎng)，從而阻止擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的進(jìn)行。內(nèi)電場(chǎng)使空穴從N區(qū)向區(qū)向P區(qū)、自由電子從區(qū)、自由電子從P區(qū)向區(qū)向N 區(qū)運(yùn)動(dòng)。區(qū)運(yùn)動(dòng)。華成英 PN結(jié)加正向電壓導(dǎo)通：結(jié)加正向電壓導(dǎo)通： 耗盡層變窄，擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)加耗盡層變窄，擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)加劇，由于外電源的作用，形劇，由于外電源的作用，形成擴(kuò)散電流，成擴(kuò)散電流，PNPN

16、結(jié)處于導(dǎo)通結(jié)處于導(dǎo)通狀態(tài)。狀態(tài)。PN結(jié)加反向電壓截止：結(jié)加反向電壓截止： 耗盡層變寬，阻止擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，耗盡層變寬，阻止擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，有利于漂移運(yùn)動(dòng)，形成漂移電有利于漂移運(yùn)動(dòng)，形成漂移電流。由于電流很小，故可近似流。由于電流很小，故可近似認(rèn)為其截止。認(rèn)為其截止。PN 結(jié)的單向?qū)щ娦员匾獑?？必要嗎？擴(kuò)散與漂移的動(dòng)態(tài)平衡擴(kuò)散與漂移的動(dòng)態(tài)平衡擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)使空間電荷區(qū)增大，擴(kuò)散電流逐漸減小；擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)使空間電荷區(qū)增大，擴(kuò)散電流逐漸減小；隨著內(nèi)電場(chǎng)的增強(qiáng)，漂移運(yùn)動(dòng)逐漸增加；隨著內(nèi)電場(chǎng)的增強(qiáng)，漂移運(yùn)動(dòng)逐漸增加；當(dāng)擴(kuò)散電流與漂移電流相等時(shí)，當(dāng)擴(kuò)散電流與漂移電流相等時(shí)，PN 結(jié)總的電流等結(jié)總的電流等于零，空間電荷區(qū)的寬度達(dá)

17、到穩(wěn)定。于零，空間電荷區(qū)的寬度達(dá)到穩(wěn)定。對(duì)稱結(jié)對(duì)稱結(jié)即即擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)與漂移運(yùn)動(dòng)達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡。擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)與漂移運(yùn)動(dòng)達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡。PN不對(duì)稱結(jié)不對(duì)稱結(jié)42耗盡層耗盡層圖圖 1.1.7PN 結(jié)加反相電壓時(shí)截止結(jié)加反相電壓時(shí)截止 反向電流又稱反向電流又稱反向飽和電流反向飽和電流。對(duì)溫度十分敏感對(duì)溫度十分敏感，隨著溫度升高，隨著溫度升高， IS 將急劇增大將急劇增大。PN外電場(chǎng)方向外電場(chǎng)方向內(nèi)電場(chǎng)方向內(nèi)電場(chǎng)方向VRIS43 當(dāng)當(dāng) PN 結(jié)正向偏置時(shí)，回路中將產(chǎn)生一個(gè)較大結(jié)正向偏置時(shí)，回路中將產(chǎn)生一個(gè)較大的正向電流，的正向電流， PN 結(jié)處于結(jié)處于 導(dǎo)通狀態(tài)導(dǎo)通狀態(tài)； 當(dāng)當(dāng) PN 結(jié)反向偏置時(shí)，回路中反向電流非

18、常結(jié)反向偏置時(shí)，回路中反向電流非常小，幾乎等于零，小，幾乎等于零， PN 結(jié)處于結(jié)處于截止?fàn)顟B(tài)截止?fàn)顟B(tài)。）綜上所述：綜上所述：可見，可見， PN 結(jié)具有結(jié)具有單向?qū)щ娦詥蜗驅(qū)щ娦浴?4第一課 電阻元件 電感元件 電容元件1.1.4具有特殊性能的半導(dǎo)體器件具有特殊性能的半導(dǎo)體器件 敏感電阻是指那些電阻特性對(duì)敏感電阻是指那些電阻特性對(duì)外界溫度、電外界溫度、電壓、機(jī)械力、亮度、濕度、磁通密度、氣體濃度壓、機(jī)械力、亮度、濕度、磁通密度、氣體濃度等物理量反映敏感的電阻元件。等物理量反映敏感的電阻元件。 它們常用于它們常用于檢測(cè)檢測(cè)和和控制控制相應(yīng)物理量的裝置中，相應(yīng)物理量的裝置中，是自動(dòng)檢測(cè)和自動(dòng)控制中

19、不可缺少的組成部分。是自動(dòng)檢測(cè)和自動(dòng)控制中不可缺少的組成部分。 按輸入、輸出關(guān)系，敏感電阻器可分為按輸入、輸出關(guān)系，敏感電阻器可分為“緩緩變型變型”和和“突變型突變型”兩種。兩種。第一課 電阻元件 電感元件 電容元件A. 熱敏電阻熱敏電阻 熱敏電阻通常由單晶或多晶等半導(dǎo)體材料構(gòu)成，熱敏電阻通常由單晶或多晶等半導(dǎo)體材料構(gòu)成，是以鈦是以鈦酸鋇為主要原料，輔以微量的鍶、鈦、鋁等化合物加工制成酸鋇為主要原料，輔以微量的鍶、鈦、鋁等化合物加工制成的。的。它是一種電阻值隨溫度變化的電阻，可分為阻值隨溫度它是一種電阻值隨溫度變化的電阻，可分為阻值隨溫度升高而減小的負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻（升高而減小的負(fù)溫度系數(shù)熱

20、敏電阻（MF）和阻值隨溫度升）和阻值隨溫度升高而升高的正溫度系數(shù)熱敏電阻（高而升高的正溫度系數(shù)熱敏電阻（MZ），有緩變型和突變），有緩變型和突變型。型。 主要用于溫度測(cè)量，溫度控制（主要用于溫度測(cè)量，溫度控制（電磁灶控溫電磁灶控溫），），火災(zāi)報(bào)火災(zāi)報(bào)警警，氣象探空，微波和激光功率測(cè)量，在收音機(jī)中作溫度補(bǔ)，氣象探空，微波和激光功率測(cè)量，在收音機(jī)中作溫度補(bǔ)償，在電視機(jī)中作消磁限流電阻。償，在電視機(jī)中作消磁限流電阻。 其符號(hào)為：其符號(hào)為：第一課 電阻元件 電感元件 電容元件B. 光敏電阻（光敏電阻（MG） 光敏電阻是將對(duì)光敏感的材料涂在玻璃上，引出電極制光敏電阻是將對(duì)光敏感的材料涂在玻璃上，引出電極

21、制成的。根據(jù)材料不同，可制成對(duì)某一光源敏感的光敏電阻。成的。根據(jù)材料不同，可制成對(duì)某一光源敏感的光敏電阻。 它是利用半導(dǎo)體光敏效應(yīng)制成的一種元件。電阻值隨入它是利用半導(dǎo)體光敏效應(yīng)制成的一種元件。電阻值隨入射光線的強(qiáng)弱而變化，光線越強(qiáng)，電阻越小。無光照射時(shí)，射光線的強(qiáng)弱而變化，光線越強(qiáng)，電阻越小。無光照射時(shí)，呈現(xiàn)高阻抗，阻值可達(dá)呈現(xiàn)高阻抗，阻值可達(dá)1.5M以上；有光照射時(shí)，材料激發(fā)以上；有光照射時(shí)，材料激發(fā)出自由電子和空穴，其電阻值減小，隨著光強(qiáng)度的增加，阻出自由電子和空穴，其電阻值減小，隨著光強(qiáng)度的增加，阻值可小至值可小至1k以下。以下。 如：可見光敏電阻，主要材料是硫化鎘，應(yīng)用于光電控如：可見光敏電阻，主要材料是硫化鎘，