ECC內(nèi)存技術(shù)詳解

1、ECC內(nèi)存技術(shù)詳解！ECC是“Error Checking and Correcting”的簡(jiǎn)寫，中文名稱是“錯(cuò)誤檢查和糾正”。ECC是一種能夠?qū)崿F(xiàn)“錯(cuò)誤檢查和糾正”的技術(shù)，ECC內(nèi)存就是應(yīng)用了這種技術(shù)的內(nèi)存，一般多應(yīng)用在服務(wù)器及圖形工作站上，這將使整個(gè)電腦系統(tǒng)在工作時(shí)更趨于安全穩(wěn)定。要了解ECC技術(shù)，就不能不提到Parity（奇偶校驗(yàn)）。在ECC技術(shù)出現(xiàn)之前，內(nèi)存中應(yīng)用最多的是另外一種技術(shù)，就是Parity（奇偶校驗(yàn)）。我們知道，在數(shù)字電路中，最小的數(shù)據(jù)單位就是叫“比特（bit）”，也叫數(shù)據(jù)“位”，“比特”也是內(nèi)存中的最小單位，它是通過“1”和“0”來表示數(shù)據(jù)高、低電平信號(hào)的。在數(shù)字電路中8

2、個(gè)連續(xù)的比特是一個(gè)字節(jié)（byte），在內(nèi)存中不帶“奇偶校驗(yàn)”的內(nèi)存中的每個(gè)字節(jié)只有8位，若它的某一位存儲(chǔ)出了錯(cuò)誤，就會(huì)使其中存儲(chǔ)的相應(yīng)數(shù)據(jù)發(fā)生改變而導(dǎo)致應(yīng)用程序發(fā)生錯(cuò)誤。而帶有“奇偶校驗(yàn)”的內(nèi)存在每一字節(jié)（8位）外又額外增加了一位用來進(jìn)行錯(cuò)誤檢測(cè)。比如一個(gè)字節(jié)中存儲(chǔ)了某一數(shù)值（1、0、1、0、1、0、1、1），把這每一位相加起來（10101011=5）。若其結(jié)果是奇數(shù)，對(duì)于偶校驗(yàn)，校驗(yàn)位就定義為1，反之則為0；對(duì)于奇校驗(yàn)，則相反。當(dāng)CPU返回讀取存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)時(shí)，它會(huì)再次相加前8位中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，計(jì)算結(jié)果是否與校驗(yàn)位相一致。當(dāng)CPU發(fā)現(xiàn)二者不同時(shí)就作出視圖糾正這些錯(cuò)誤，但Parity有個(gè)缺點(diǎn)，當(dāng)內(nèi)存

3、查到某個(gè)數(shù)據(jù)位有錯(cuò)誤時(shí)，卻并不一定能確定在哪一個(gè)位，也就不一定能修正錯(cuò)誤，所以帶有奇偶校驗(yàn)的內(nèi)存的主要功能僅僅是“發(fā)現(xiàn)錯(cuò)誤”，并能糾正部分簡(jiǎn)單的錯(cuò)誤。   通過上面的分析我們知道Parity內(nèi)存是通過在原來數(shù)據(jù)位的基礎(chǔ)上增加一個(gè)數(shù)據(jù)位來檢查當(dāng)前8位數(shù)據(jù)的正確性，但隨著數(shù)據(jù)位的增加Parity用來檢驗(yàn)的數(shù)據(jù)位也成倍增加，就是說當(dāng)數(shù)據(jù)位為16位時(shí)它需要增加2位用于檢查，當(dāng)數(shù)據(jù)位為32位時(shí)則需增加4位，依此類推。特別是當(dāng)數(shù)據(jù)量非常大時(shí)，數(shù)據(jù)出錯(cuò)的幾率也就越大，對(duì)于只能糾正簡(jiǎn)單錯(cuò)誤的奇偶檢驗(yàn)的方法就顯得力不從心了，正是基于這樣一種情況，一種新的內(nèi)存技術(shù)應(yīng)允而生了，這就是ECC（錯(cuò)誤

4、檢查和糾正），這種技術(shù)也是在原來的數(shù)據(jù)位上外加校驗(yàn)位來實(shí)現(xiàn)的。不同的是兩者增加的方法不一樣，這也就導(dǎo)致了兩者的主要功能不太一樣。它與Parity不同的是如果數(shù)據(jù)位是8位，則需要增加5位來進(jìn)行ECC錯(cuò)誤檢查和糾正，數(shù)據(jù)位每增加一倍，ECC只增加一位檢驗(yàn)位，也就是說當(dāng)數(shù)據(jù)位為16位時(shí)ECC位為6位，32位時(shí)ECC位為7位，數(shù)據(jù)位為64位時(shí)ECC位為8位，依此類推，數(shù)據(jù)位每增加一倍，ECC位只增加一位。總之，在內(nèi)存中ECC能夠容許錯(cuò)誤，并可以將錯(cuò)誤更正，使系統(tǒng)得以持續(xù)正常的操作，不致因錯(cuò)誤而中斷，且ECC具有自動(dòng)更正的能力，可以將Parity無(wú)法檢查出來的錯(cuò)誤位查出并將錯(cuò)誤修正。目前一些廠商推出的入

5、門級(jí)低端服務(wù)器使用的多是普通PC用的SD RAM，不帶ECC功能，在選購(gòu)時(shí)應(yīng)該注意這個(gè)指標(biāo)。適用類型 根據(jù)內(nèi)存條所應(yīng)用的主機(jī)不同，內(nèi)存產(chǎn)品也各自不同的特點(diǎn)。臺(tái)式機(jī)內(nèi)存是DIY市場(chǎng)內(nèi)最為普遍的內(nèi)存，價(jià)格也相對(duì)便宜。筆記本內(nèi)存則對(duì)尺寸、穩(wěn)定性、散熱性方面有一定的要求，價(jià)格要高于臺(tái)式機(jī)內(nèi)存。而應(yīng)用于服務(wù)器的內(nèi)存則對(duì)穩(wěn)定性以及內(nèi)存糾錯(cuò)功能要求嚴(yán)格，同樣穩(wěn)定性也是著重強(qiáng)調(diào)的。臺(tái)式機(jī)內(nèi)存筆記本內(nèi)存就是應(yīng)用于筆記本電腦的內(nèi)存產(chǎn)品，筆記本內(nèi)存只是使用的環(huán)境與臺(tái)式機(jī)內(nèi)存不同，在工作原理方面并沒有什么區(qū)別。只是因?yàn)楣P記本電腦對(duì)內(nèi)存的穩(wěn)定性、體積、散熱性方面的需求，筆記本內(nèi)存在這幾方面要優(yōu)于臺(tái)式機(jī)內(nèi)存，價(jià)格方面也要

6、高于臺(tái)式機(jī)內(nèi)存。筆記本內(nèi)存筆記本誕生于臺(tái)式機(jī)的486年代，在那個(gè)時(shí)代的筆記本電腦，所采用的內(nèi)存各不相同，各種品牌的機(jī)型使用的內(nèi)存千奇百怪，甚至同一機(jī)型的不同批次也有不同的內(nèi)存，規(guī)格極其復(fù)雜，有的機(jī)器甚至使用PCMICA閃存卡來做內(nèi)存。進(jìn)入到臺(tái)式機(jī)的586時(shí)代，筆記本廠商開始推廣72針的SO DIMM標(biāo)準(zhǔn)筆記本內(nèi)存，而市場(chǎng)上還同時(shí)存在著多種規(guī)格的筆記本內(nèi)存，諸如：72針5伏的FPM；72針5伏的EDO；72針3.3伏的FPM；72針3.3伏的EDO。此幾種類型的筆記本內(nèi)存都已成為“古董”級(jí)的寶貝，早已在市場(chǎng)內(nèi)消失了。在進(jìn)入到“奔騰”時(shí)代，144針的3.3伏的EDO標(biāo)準(zhǔn)筆記本內(nèi)存。在往后隨著臺(tái)式機(jī)

7、內(nèi)存中SDRAM的普及，筆記本內(nèi)存也出現(xiàn)了144針的SDRAM。現(xiàn)在DDR的筆記本內(nèi)存也在市面中較為普遍了，而在一些輕薄筆記本內(nèi)，還有些機(jī)型使用與普通機(jī)型不同的Micro DIMM接口內(nèi)存。對(duì)于多數(shù)的筆記本電腦都并沒有配備單獨(dú)的顯存，而是采用內(nèi)存共享的形式，內(nèi)存要同時(shí)負(fù)擔(dān)內(nèi)存和顯存的存儲(chǔ)作用，因此內(nèi)存對(duì)于筆記本電腦性能的影響很大。服務(wù)器內(nèi)存服務(wù)器是企業(yè)信息系統(tǒng)的核心，因此對(duì)內(nèi)存的可靠性非常敏感。服務(wù)器上運(yùn)行著企業(yè)的關(guān)鍵業(yè)務(wù)，內(nèi)存錯(cuò)誤可能造成服務(wù)器錯(cuò)誤并使數(shù)據(jù)永久丟失。因此服務(wù)器內(nèi)存在可靠性方面的要求很高，所以服務(wù)器內(nèi)存大多都帶有Buffer（緩存器），Register（寄存器），ECC（錯(cuò)誤糾

8、正代碼），以保證把錯(cuò)誤發(fā)生可能性降到最低。服務(wù)器內(nèi)存具有普通PC內(nèi)存所不具備的高性能、高兼容性和高可靠性。主頻內(nèi)存主頻和CPU主頻一樣，習(xí)慣上被用來表示內(nèi)存的速度，它代表著該內(nèi)存所能達(dá)到的最高工作頻率。內(nèi)存主頻是以MHz（兆赫）為單位來計(jì)量的。內(nèi)存主頻越高在一定程度上代表著內(nèi)存所能達(dá)到的速度越快。內(nèi)存主頻決定著該內(nèi)存最高能在什么樣的頻率正常工作。目前市面上已推出的內(nèi)存產(chǎn)品中最高能達(dá)到560MHz的主頻，而較為主流的是333MHz和400MHz的DDR內(nèi)存。大家知道，計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的時(shí)鐘速度是以頻率來衡量的。晶體振蕩器控制著時(shí)鐘速度，在石英晶片上加上電壓，其就以正弦波的形式震動(dòng)起來，這一震動(dòng)可以通過

9、晶片的形變和大小記錄下來。晶體的震動(dòng)以正弦調(diào)和變化的電流的形式表現(xiàn)出來，這一變化的電流就是時(shí)鐘信號(hào)。而內(nèi)存本身并不具備晶體振蕩器，因此內(nèi)存工作時(shí)的時(shí)鐘信號(hào)是由主板芯片組的北橋或直接由主板的時(shí)鐘發(fā)生器提供的，也就是說內(nèi)存無(wú)法決定自身的工作頻率，其實(shí)際工作頻率是由主板來決定的。一般情況下內(nèi)存的工作頻率是和主板的外頻相一致的，通過主板的調(diào)節(jié)CPU的外頻也就調(diào)整了內(nèi)存的實(shí)際工作頻率。內(nèi)存工作時(shí)有兩種工作模式，一種是同步工作模式，此模式下內(nèi)存的實(shí)際工作頻率與CPU外頻一致，這是大部分主板所采用的默認(rèn)內(nèi)存工作模式。另外一種是異步工作模式，這樣允許內(nèi)存的工作頻率與CPU外頻可存在一定差異，它可以讓內(nèi)存工作在

10、高出或低于系統(tǒng)總線速度33MHz，又或者讓內(nèi)存和外頻以3：4、4：5等，定比例的頻率上。利用異步工作模式技術(shù)就可以避免以往超頻而導(dǎo)致的內(nèi)存瓶頸問題。舉個(gè)例子：一塊845E的主板最大只能支持DDR266內(nèi)存，其主頻是266MHz，這是DDR內(nèi)存的等效頻率，其實(shí)際工作頻率是133MHz。在正常情況下（不進(jìn)行超頻），該主板上內(nèi)存工作頻率最高可以設(shè)置到DDR266的模式。但如果主板支持內(nèi)存異步功能，那么就可以采用內(nèi)存、外頻頻率以5：4的比例模式下工作，這樣內(nèi)存的工作頻率就可以達(dá)到166MHz，此時(shí)主板就可以支持DDR333（等效頻率333MHz，實(shí)際頻率166MHz）了。目前的主板芯片組幾乎都支持內(nèi)存

11、異步，英特爾公司從810系列到目前較新的875系列都支持，而威盛公司則從693芯片組以后全部都提供了此功能。傳輸類型傳輸類型指內(nèi)存所采用的內(nèi)存類型，不同類型的內(nèi)存?zhèn)鬏旑愋透饔胁町?，在傳輸率、工作頻率、工作方式、工作電壓等方面都有不同。目前市場(chǎng)中主要有的內(nèi)存類型有SDRAM、DDR SDRAM和RDRAM三種，其中DDR SDRAM內(nèi)存占據(jù)了市場(chǎng)的主流，而SDRAM內(nèi)存規(guī)格已不再發(fā)展，處于被淘汰的行列。RDRAM則始終未成為市場(chǎng)的主流，只有部分芯片組支持，而這些芯片組也逐漸退出了市場(chǎng)，RDRAM前景并不被看好。SDRAM DDR RDRAM DDR2接口類型接口類型是根據(jù)內(nèi)存條金手指上導(dǎo)電觸片的

12、數(shù)量來劃分的，金手指上的導(dǎo)電觸片也習(xí)慣稱為針腳數(shù)（Pin）。因?yàn)椴煌膬?nèi)存采用的接口類型各不相同，而每種接口類型所采用的針腳數(shù)各不相同。筆記本內(nèi)存一般采用144Pin、200Pin接口；臺(tái)式機(jī)內(nèi)存則基本使用168Pin和184Pin接口。對(duì)應(yīng)于內(nèi)存所采用的不同的針腳數(shù)，內(nèi)存插槽類型也各不相同。目前臺(tái)式機(jī)系統(tǒng)主要有SIMM、DIMM和RIMM三種類型的內(nèi)存插槽，而筆記本內(nèi)存插槽則是在SIMM和DIMM插槽基礎(chǔ)上發(fā)展而來，基本原理并沒有變化，只是在針腳數(shù)上略有改變。金手指金手指（connecting finger）是內(nèi)存條上與內(nèi)存插槽之間的連接部件，所有的信號(hào)都是通過金手指進(jìn)行傳送的。金手指由眾多

13、金黃色的導(dǎo)電觸片組成，因其表面鍍金而且導(dǎo)電觸片排列如手指狀，所以稱為“金手指”。金手指實(shí)際上是在覆銅板上通過特殊工藝再覆上一層金，因?yàn)榻鸬目寡趸詷O強(qiáng)，而且傳導(dǎo)性也很強(qiáng)。不過因?yàn)榻鸢嘿F的價(jià)格，目前較多的內(nèi)存都采用鍍錫來代替，從上個(gè)世紀(jì)90年代開始錫材料就開始普及，目前主板、內(nèi)存和顯卡等設(shè)備的“金手指”幾乎都是采用的錫材料，只有部分高性能服務(wù)器/工作站的配件接觸點(diǎn)才會(huì)繼續(xù)采用鍍金的做法，價(jià)格自然不菲。內(nèi)存金手指內(nèi)存處理單元的所有數(shù)據(jù)流、電子流正是通過金手指與內(nèi)存插槽的接觸與PC系統(tǒng)進(jìn)行交換，是內(nèi)存的輸出輸入端口，因此其制作工藝對(duì)于內(nèi)存連接顯得相當(dāng)重要。內(nèi)存插槽最初的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)通過單獨(dú)的芯片安裝內(nèi)

14、存，那時(shí)內(nèi)存芯片都采用DIP（Dual ln-line Package，雙列直插式封裝）封裝，DIP芯片是通過安裝在插在總線插槽里的內(nèi)存卡與系統(tǒng)連接，此時(shí)還沒有正式的內(nèi)存插槽。DIP芯片有個(gè)最大的問題就在于安裝起來很麻煩，而且隨著時(shí)間的增加，由于系統(tǒng)溫度的反復(fù)變化，它會(huì)逐漸從插槽里偏移出來。隨著每日頻繁的計(jì)算機(jī)啟動(dòng)和關(guān)閉，芯片不斷被加熱和冷卻，慢慢地芯片會(huì)偏離出插槽。最終導(dǎo)致接觸不好，產(chǎn)生內(nèi)存錯(cuò)誤。早期還有另外一種方法是把內(nèi)存芯片直接焊接在主板或擴(kuò)展卡里，這樣有效避免了DIP芯片偏離的問題，但無(wú)法再對(duì)內(nèi)存容量進(jìn)行擴(kuò)展，而且如果一個(gè)芯片發(fā)生損壞，整個(gè)系統(tǒng)都將不能使用，只能重新焊接一個(gè)芯片或更換包

15、含壞芯片的主板，此種方法付出的代價(jià)較大，也極為不方便。對(duì)于內(nèi)存存儲(chǔ)器，大多數(shù)現(xiàn)代的系統(tǒng)都已采用單內(nèi)聯(lián)內(nèi)存模塊（Single Inline Memory Module，SIMM）或雙內(nèi)聯(lián)內(nèi)存模塊（Dual Inline Memory，DIMM）來替代單個(gè)內(nèi)存芯片。這些小板卡插入到主板或內(nèi)存卡上的特殊連接器里。SIMM DIMM RIMM容量?jī)?nèi)存容量是指該內(nèi)存條的存儲(chǔ)容量，是內(nèi)存條的關(guān)鍵性參數(shù)。內(nèi)存容量以MB作為單位，可以簡(jiǎn)寫為M。內(nèi)存的容量一般都是2的整次方倍，比如64MB、128MB、256MB等，一般而言，內(nèi)存容量越大越有利于系統(tǒng)的運(yùn)行。目前臺(tái)式機(jī)中主流采用的內(nèi)存容量為256MB或512MB

16、，64MB、128MB的內(nèi)存已較少采用。     系統(tǒng)對(duì)內(nèi)存的識(shí)別是以Byte（字節(jié)）為單位，每個(gè)字節(jié)由8位二進(jìn)制數(shù)組成，即8bit（比特，也稱“位”）。按照計(jì)算機(jī)的二進(jìn)制方式，1Byte=8bit；1KB=1024Byte；1MB=1024KB；1GB=1024MB；1TB=1024GB。   系統(tǒng)中內(nèi)存的數(shù)量等于插在主板內(nèi)存插槽上所有內(nèi)存條容量的總和，內(nèi)存容量的上限一般由主板芯片組和內(nèi)存插槽決定。不同主板芯片組可以支持的容量不同，比如Inlel的810和815系列芯片組最高支持512MB內(nèi)存，多余的部分無(wú)法識(shí)別。目前多數(shù)芯片組可以

17、支持到2GB以上的內(nèi)存。此外主板內(nèi)存插槽的數(shù)量也會(huì)對(duì)內(nèi)存容量造成限制，比如使用128MB一條的內(nèi)存，主板由兩個(gè)內(nèi)存插槽，最高可以使用256MB內(nèi)存。因此在選擇內(nèi)存時(shí)要考慮主板內(nèi)存插槽數(shù)量，并且可能需要考慮將來有升級(jí)的余地。內(nèi)存電壓內(nèi)存正常工作所需要的電壓值，不同類型的內(nèi)存電壓也不同，但各自均有自己的規(guī)格，超出其規(guī)格，容易造成內(nèi)存損壞。SDRAM內(nèi)存一般工作電壓都在3.3伏左右，上下浮動(dòng)額度不超過0.3伏；DDR SDRAM內(nèi)存一般工作電壓都在2.5伏左右，上下浮動(dòng)額度不超過0.2伏；而DDR2 SDRAM內(nèi)存的工作電壓一般在1.8V左右。具體到每種品牌、每種型號(hào)的內(nèi)存，則要看廠家了，但都會(huì)遵循

18、SDRAM內(nèi)存3.3伏、DDR SDRAM內(nèi)存2.5伏、DDR2 SDRAM內(nèi)存1.8伏的基本要求，在允許的范圍內(nèi)浮動(dòng)。顆粒封裝顆粒封裝其實(shí)就是內(nèi)存芯片所采用的封裝技術(shù)類型，封裝就是將內(nèi)存芯片包裹起來，以避免芯片與外界接觸，防止外界對(duì)芯片的損害。空氣中的雜質(zhì)和不良?xì)怏w，乃至水蒸氣都會(huì)腐蝕芯片上的精密電路，進(jìn)而造成電學(xué)性能下降。不同的封裝技術(shù)在制造工序和工藝方面差異很大，封裝后對(duì)內(nèi)存芯片自身性能的發(fā)揮也起到至關(guān)重要的作用。隨著光電、微電制造工藝技術(shù)的飛速發(fā)展，電子產(chǎn)品始終在朝著更小、更輕、更便宜的方向發(fā)展，因此芯片元件的封裝形式也不斷得到改進(jìn)。芯片的封裝技術(shù)多種多樣，有DIP、POFP、TSOP

19、、BGA、QFP、CSP等等，種類不下三十種，經(jīng)歷了從DIP、TSOP到BGA的發(fā)展歷程。芯片的封裝技術(shù)已經(jīng)歷了幾代的變革，性能日益先進(jìn)，芯片面積與封裝面積之比越來越接近，適用頻率越來越高，耐溫性能越來越好，以及引腳數(shù)增多，引腳間距減小，重量減小，可靠性提高，使用更加方便。DIP封裝 TSOP封裝 BGA封裝 CSP封裝傳輸標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存是計(jì)算機(jī)內(nèi)部最為關(guān)鍵的部件之一，其有很嚴(yán)格的制造要求。而其中的傳輸標(biāo)準(zhǔn)則代表著對(duì)內(nèi)存速度方面的標(biāo)準(zhǔn)。不同類型的內(nèi)存，無(wú)論是SDRAM、DDR SDRAM，還是RDRAM都有不同的規(guī)格，每種規(guī)格的內(nèi)存在速度上是各不相同的。傳輸標(biāo)準(zhǔn)是內(nèi)存的規(guī)范，只有完全符合該規(guī)范才能說

20、該內(nèi)存采用了此傳輸標(biāo)準(zhǔn)。比如說傳輸標(biāo)準(zhǔn)PC3200內(nèi)存，代表著此內(nèi)存為工作頻率200MHz，等效頻率為400MHz的DDR內(nèi)存，也就是常說的DDR400。傳輸標(biāo)準(zhǔn)術(shù)購(gòu)買內(nèi)存的首要選擇條件之一，它代表著該內(nèi)存的速度。目前市場(chǎng)中所有的內(nèi)存?zhèn)鬏敇?biāo)準(zhǔn)有SDRAM的PC100、PC133；DDR SDRAM的PC1600、PC2100、PC2700、PC3200、PC3500、PC3700；RDRAM的PC600、PC800和PC1066等。SDRAM傳輸標(biāo)準(zhǔn) DDR傳輸標(biāo)準(zhǔn) DDR2傳輸標(biāo)準(zhǔn) RDRAM傳輸標(biāo)準(zhǔn)CL設(shè)置 內(nèi)存負(fù)責(zé)向CPU提供運(yùn)算所需的原始數(shù)據(jù)，而目前CPU運(yùn)行速度超過內(nèi)存數(shù)據(jù)傳輸速度很

21、多，因此很多情況下CPU都需要等待內(nèi)存提供數(shù)據(jù)，這就是常說的“CPU等待時(shí)間”。內(nèi)存?zhèn)鬏斔俣仍铰?，CPU等待時(shí)間就會(huì)越長(zhǎng)，系統(tǒng)整體性能受到的影響就越大。因此，快速的內(nèi)存是有效提升CPU效率和整機(jī)性能的關(guān)鍵之一。在實(shí)際工作時(shí)，無(wú)論什么類型的內(nèi)存，在數(shù)據(jù)被傳輸之前，傳送方必須花費(fèi)一定時(shí)間去等待傳輸請(qǐng)求的響應(yīng)，通俗點(diǎn)說就是傳輸前傳輸雙方必須要進(jìn)行必要的通信，而這種就會(huì)造成傳輸?shù)囊欢ㄑ舆t時(shí)間。CL設(shè)置一定程度上反映出了該內(nèi)存在CPU接到讀取內(nèi)存數(shù)據(jù)的指令后，到正式開始讀取數(shù)據(jù)所需的等待時(shí)間。不難看出同頻率的內(nèi)存，CL設(shè)置低的更具有速度優(yōu)勢(shì)。上面只是給大家建立一個(gè)基本的CL概念，而實(shí)際上內(nèi)存延遲的基本因

22、素絕對(duì)不止這些。內(nèi)存延遲時(shí)間有個(gè)專門的術(shù)語(yǔ)叫“Latency”。要形象的了解延遲，我們不妨把內(nèi)存當(dāng)成一個(gè)存儲(chǔ)著數(shù)據(jù)的數(shù)組，或者一個(gè)EXCEL表格，要確定每個(gè)數(shù)據(jù)的位置，每個(gè)數(shù)據(jù)都是以行和列編排序號(hào)來標(biāo)示，在確定了行、列序號(hào)之后該數(shù)據(jù)就唯一了。內(nèi)存工作時(shí)，在要讀取或?qū)懭肽硵?shù)據(jù)，內(nèi)存控制芯片會(huì)先把數(shù)據(jù)的列地址傳送過去，這個(gè)RAS信號(hào)（Row Address Strobe，行地址信號(hào)）就被激活，而在轉(zhuǎn)化到行數(shù)據(jù)前，需要經(jīng)過幾個(gè)執(zhí)行周期，然后接下來CAS信號(hào)（Column Address Strobe，列地址信號(hào)）被激活。在RAS信號(hào)和CAS信號(hào)之間的幾個(gè)執(zhí)行周期就是RAS-to-CAS延遲時(shí)間。在C

23、AS信號(hào)被執(zhí)行之后同樣也需要幾個(gè)執(zhí)行周期。此執(zhí)行周期在使用標(biāo)準(zhǔn)PC133的SDRAM大約是2到3個(gè)周期；而DDR RAM則是4到5個(gè)周期。在DDR中，真正的CAS延遲時(shí)間則是2到2.5個(gè)執(zhí)行周期。RAS-to-CAS的時(shí)間則視技術(shù)而定，大約是5到7個(gè)周期，這也是延遲的基本因素。CL設(shè)置較低的內(nèi)存具備更高的優(yōu)勢(shì)，這可以從總的延遲時(shí)間來表現(xiàn)。內(nèi)存總的延遲時(shí)間有一個(gè)計(jì)算公式，總延遲時(shí)間=系統(tǒng)時(shí)鐘周期×CL模式數(shù)+存取時(shí)間（tAC）。首先來了解一下存取時(shí)間（tAC）的概念，tAC是Access Time from CLK的縮寫，是指最大CAS延遲時(shí)的最大數(shù)輸入時(shí)鐘，是以納秒為單位的，與內(nèi)存時(shí)鐘周期是完全不同的概念，雖然都是以納秒為單位。存取時(shí)間（tAC）代表著讀取、寫入的時(shí)間，而時(shí)鐘頻率則代表內(nèi)存的速度。舉個(gè)例子來計(jì)算一下總延遲時(shí)間，比如一條DDR333內(nèi)存其存取時(shí)間為6ns，其內(nèi)