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文檔簡介
1、1共價(jià)健共價(jià)健價(jià)電子價(jià)電子本征激發(fā):本征激發(fā): Si Si Si Si空穴空穴自由電子自由電子23 Si Si Si Sip+多余多余電子電子磷原子磷原子在常溫下即可在常溫下即可變?yōu)樽杂呻娮幼優(yōu)樽杂呻娮邮ヒ粋€(gè)電失去一個(gè)電子變?yōu)檎x子變?yōu)檎x子子4. Si Si Si SiB硼原子硼原子空穴空穴5.6多子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)多子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)內(nèi)電場(chǎng)內(nèi)電場(chǎng)少子的漂移運(yùn)動(dòng)少子的漂移運(yùn)動(dòng)濃度差濃度差擴(kuò)散的結(jié)果使空擴(kuò)散的結(jié)果使空間電荷區(qū)變寬。間電荷區(qū)變寬。空間電荷區(qū)也稱空間電荷區(qū)也稱 PN 結(jié)結(jié) +形成空間電荷區(qū)形成空間電荷區(qū)7.PN 結(jié)變窄結(jié)變窄 P接正、接正、N接負(fù)接負(fù) 外電場(chǎng)外電場(chǎng)IF 內(nèi)電場(chǎng)內(nèi)電場(chǎng)PN+8+
2、內(nèi)電場(chǎng)被加內(nèi)電場(chǎng)被加強(qiáng),少子的強(qiáng),少子的漂移加強(qiáng),漂移加強(qiáng),由于少子數(shù)由于少子數(shù)量很少,形量很少,形成很小的反成很小的反向電流。向電流。9UI反向擊穿反向擊穿電壓電壓U(BR)反向特性反向特性PN+PN+10.11例例1:D6V12V3k BAUAB+12例例1:D6V12V3k BAUAB+13例例2:mA43122D IBD16V12V3k AD2UAB+14V sin18itu t 動(dòng)畫動(dòng)畫15NNPBECBECBECPPNBEC16.17EEBRBRC18.BECNNPEBRBECIEICIBBCII19 即管子各電極電壓與電流的關(guān)系曲線即管子各電極電壓與電流的關(guān)系曲線共發(fā)射極電路共發(fā)
3、射極電路輸入回路輸入回路輸出回路輸出回路ICEBUCEUBERBIBEC+20常數(shù)常數(shù) CE)(BEBUUfIIB( A)UBE(V)204060800.40.8UCE 1VO21.IB=020 A40 A60 A80 A100 A常數(shù)常數(shù) B)(CECIUfI36IC(mA )1234UCE(V)912O放大區(qū)放大區(qū)22.10.39練習(xí):分析硅三極管的工作狀態(tài)練習(xí):分析硅三極管的工作狀態(tài)0.20.3910.30.5放大放大截止截止飽和飽和23練習(xí)練習(xí)9.4.10:分析晶體管的工作狀態(tài):分析晶體管的工作狀態(tài)方法方法2:比較:比較Ic與與Ics(飽和時(shí)集電極電流飽和時(shí)集電極電流)假設(shè)三極管處于放
4、大狀態(tài),計(jì)算假設(shè)三極管處于放大狀態(tài),計(jì)算Ic,若若IcIcs 放大放大若若IcIcs 飽和飽和12V1K6VT=5050K(a)方法方法1:比較:比較Uce與與Uces假設(shè)三極管處于放大狀態(tài),計(jì)算假設(shè)三極管處于放大狀態(tài),計(jì)算Uce,若若UCE UCES 放大放大若若UCE UCES 飽和飽和24練習(xí)練習(xí)9.4.10:分析晶體管的工作狀態(tài):分析晶體管的工作狀態(tài)方法方法1:比較:比較Uce與與Uces假設(shè)三極管處于放大狀態(tài),計(jì)算假設(shè)三極管處于放大狀態(tài),計(jì)算Uce,若若UCE UCES 放大放大若若UCE UCES 飽和飽和IBRB + + UBE = 6V IC =IB=50*0.108=5.4m
5、A 6UBE RBIB = 解:解: = (6-0.6)/50K = 0.108mAUCE = UCCRCIC=12-1*5.4=6.6VUCE UCES三極管處于放大狀態(tài)三極管處于放大狀態(tài)12V1K6VT=5050K(a)假設(shè)放大,則假設(shè)放大,則:25練習(xí)練習(xí)9.4.10:分析晶體管的工作狀態(tài):分析晶體管的工作狀態(tài)IBRB + + UBE = 12V IC =IB= 40*0.243 = 9.72mA 120.6 RBIB = 解:解: = 11.4/47K = 0.243mAUCE = UCCRCIC =12-1.5*9.72 =12-14.58 = - 2.58VUce Uces(0.3
6、V)三極管處于飽和狀態(tài)三極管處于飽和狀態(tài)12V 1.5K12VT=4047K(b)假設(shè)放大,則假設(shè)放大,則方法方法1:比較:比較Uce與與Uces26練習(xí)練習(xí)9.4.10:分析晶體管的工作狀態(tài):分析晶體管的工作狀態(tài)不需計(jì)算,直接觀察可不需計(jì)算,直接觀察可知三極管處于截止?fàn)顟B(tài)知三極管處于截止?fàn)顟B(tài)12V 1K-6VT=4020K(c)27練習(xí)練習(xí)9.4.10:分析晶體管的工作狀態(tài):分析晶體管的工作狀態(tài)方法方法2:比較:比較Ic與與Ics假設(shè)三極管處于放大狀態(tài),計(jì)算假設(shè)三極管處于放大狀態(tài),計(jì)算Ic,若若IcIcs 放大放大若若IcIcs 飽和飽和12V1K6VT=5050K(a)IBRB + + U
7、BE = 6V IC =IB=50*0.108=5.4mA 12Uces RCIcs = 解:解: = 11.7/1K = 11.7mA1.1.計(jì)算飽和電流計(jì)算飽和電流I ICSCS,即即Uce=0.3Uce=0.3時(shí)的電流值時(shí)的電流值2.再假設(shè)三極管處于放大狀態(tài),計(jì)算再假設(shè)三極管處于放大狀態(tài),計(jì)算IC3. 分析分析因?yàn)橐驗(yàn)?IcIcs 所以三極管處于放大狀態(tài)所以三極管處于放大狀態(tài)28練習(xí)練習(xí)9.4.10:分析晶體管的工作狀態(tài):分析晶體管的工作狀態(tài)IC =IB= 40*0.243 = 9.72mA解:解: 3.分析分析因?yàn)橐驗(yàn)?IcIcs所以三極管處于飽和狀態(tài)所以三極管處于飽和狀態(tài)12V 1.5K12VT=4047K(b)2.假設(shè)放大,計(jì)算假設(shè)放大,計(jì)算Ic方法方法2 2:比較:比較IcIc與與IcsIcs 12Uces RCIcs = = 11.7/1.5K = 7.8mA1.1.計(jì)算飽和電流計(jì)算飽和電流I ICSCSIBRB + + UBE = 12V 120.6 RBIB =
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