變壓器漏感分析(共6頁)

1、精選優(yōu)質(zhì)文檔-傾情為你奉上首先我們要感謝小鵬同學(xué)，能促成此次活動小鵬同學(xué)辛苦了。原創(chuàng)：我們不是科學(xué)家只是使用者我對此的理解為學(xué)習(xí)的資料系統(tǒng)化活學(xué)活用，實(shí)踐整理為自己的東西能把不明白的人講明白的東西（這里說句題外話會做的工程師是死記硬搬了別人東西那么你只能是同等級下最低的那個工程師，會做能把不會的人說明白了，是你把別人的東西活學(xué)活用轉(zhuǎn)換成了自己的東西徒弟多了人際也就打開了，我經(jīng)常跟我教過的人說我教你的東西你要實(shí)踐對比驗證，知道是別人的，做了才是你自己的），所以不需要查字典對原創(chuàng)二字解釋，對你自己理解有幫助就好，當(dāng)然照篇翻的肯定是不行的，當(dāng)然有些太深奧的東西不要去深究我們是使用者理解就好，當(dāng)然透徹

2、的研究更好，但是我們不是專業(yè)科研人員只是使用者所以我們不會有太多的時間研究我們所用到的各種知識。我這就是犯病了非得研究漏感還整到這個點(diǎn)。就像上面說的我們是使用者注重的是理解，會有錯誤的地方，有能幫我糾正想法的十分感謝，輝哥對磁這一塊我比較佩服，輝哥指點(diǎn)指點(diǎn)。大家都知道減小漏感的方法我們來研究一下為什么會減小。設(shè)計上：減小初級繞組的匝數(shù)NP； 增大繞組的寬度（例如選EE型磁芯，以增加骨架寬度b）； 減小各繞組之間的絕緣層； 增加繞組之間的耦合程度。 工藝上：每一組繞組都要繞緊，并且要分布平均引出線的地方要中規(guī)中矩，盡量成直角，緊貼骨架壁不能繞滿一層的要平均疏繞滿一層1、漏感是什么，通俗的大家都理

3、解沒有耦合到副邊的磁通（能量）我翻閱了基本資料，說法都不同，個人更喜歡用下圖理解Np導(dǎo)線流過I就會產(chǎn)生一個磁場，這個磁場穿過相鄰的導(dǎo)線Ns就會在Ns上感應(yīng)一個電壓抵消外界磁場的作用，此感應(yīng)電流同樣作用在Ns上，NpNs電流方向相反，根據(jù)右手定律磁場方向也相反，Ns的磁場阻值下圖d2部分的磁通二次穿過Ns。下圖d2面積中的磁通能量為漏感。             5R9AFD92P28J($DRVKI7H.jpg (27.11 KB, 下載次數(shù): 1) 5 天前 上傳    &

4、#160;磁芯截面積S=r2  Np截面積Sp=r12  Ns截面積Ss=r22      CT3FTBK)WYYU7LO5.jpg (5.84 KB, 下載次數(shù): 0) 5 天前 上傳      OHRQB6LU4PK_CGK3IJRM.jpg (1.99 KB, 下載次數(shù): 0) 5 天前 上傳即不能耦合的那部分磁通，等效為一個單獨(dú)的電感，即漏感。不能再寫了2點(diǎn)半了，明天繼續(xù)吧。HIXDJLBLYD91TB.jpg (6.53 KB, 下載次數(shù): 0)

5、 5 天前 上傳N為初級匝數(shù)，h繞線寬度，d為兩線圈間隙高度，g兩線圈間的平均周長C=2r。這里的周長我理解為r=（r2-r1）/2我們從上式公式去入手看怎么減小漏感。1、減少初級匝數(shù)可以降低漏感。我們代入上述公式，N減小Ls減小。2、增加繞線寬度，代入上述公式h增大Ls減小。3、減小絕緣厚度，代入上述公式d減小Ls減小。4、減小繞組層數(shù)，代入上述公式g減小Ls減小。5、不滿層的繞組選擇疏繞滿層，代入上述公式，h減小Ls減小。6、繞組繞緊且分布均勻，同樣是為了減小g來減小Ls。7、減小氣息降低漏感的方法簡單理解一下就好，各說紛紜沒有一個標(biāo)準(zhǔn)，也不實(shí)用對我們來說是計算Lp Np氣隙那就

6、固定了沒必要在這上面去做文章。8、增加耦合減小漏感，也就是我們說的三明治繞法，這要推導(dǎo)出漏磁通能量 $D7JZ7WLUAKDDMF_L5.jpg (6.04 KB, 下載次數(shù): 0) 5 天前 上傳這里引用趙老師開關(guān)電源中磁性原件81的圖來解釋下， XFO6J0%5VV8ZYB(C5265.jpg (45.47 KB, 下載次數(shù): 0) 5 天前 上傳三明治繞法，Np1、Np2對N2的磁場方向是相反的不疊加，Np1的磁場強(qiáng)度H=Np1匝數(shù)*I/le相對于順序繞法H要減小1/2代入漏磁通能量計算W是減小的，Ls=2W/（I平方），同樣W減小Ls減小。我們再講講漏感對開關(guān)電源的

7、影響：先上一個Vds波形 F1S0LYKEXTFPSUZWFAC.jpg (80.69 KB, 下載次數(shù): 0) 5 天前 上傳Vds即為MOS關(guān)短漏極源極之間的電壓。A區(qū)：橋堆整流后個電壓Vacmax*1.414B區(qū)：Vor反射電壓，又稱去磁電壓，橫線部分為關(guān)斷時間又稱去磁時間。C區(qū)：就是我們所說的漏感了，在開關(guān)管關(guān)短漏感不能耦合到副邊產(chǎn)生一個反電動勢造成電壓尖峰。影響：1、漏感大C區(qū)的電壓高，造成MOS耐壓選取要高增加成本。2、漏感顧名思義不能耦合到付邊的能量造成轉(zhuǎn)換效率的降低，也就是降低了我們電源的效率，目前有北美能源之星歐盟的CE都對效率有要求。3、EMC整改中有一條辦法，改變RCD的參數(shù)，EMC輻射干擾，輻射就是因為電壓電流的跳變產(chǎn)生的利用RCD吸收回路降低這個尖峰有效的抑制EMC。峰值與去磁那一段有一個震蕩為漏感和變壓器結(jié)電容產(chǎn)生，目前會影響什么還沒有碰到過。我寫這帖子的目的是為了讓大家發(fā)現(xiàn)漏感大了不必要去