陶瓷電容MLCC漏電失效分析_第1頁
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文檔簡介

1、MLCC漏電失效分析1. 案例背景客戶端在老化實(shí)驗(yàn)測試階段發(fā)現(xiàn)MLCC出現(xiàn)漏電失效,其不良比率不詳,該MLCC焊接工藝為回流焊接工藝。 2. 分析方法簡述通過外觀檢查OK樣品與NG樣品表面未見明顯異常。  通過X射線透視檢查,OK樣品和NG樣品內(nèi)部均未發(fā)現(xiàn)裂紋孔洞等異常。將OK樣品和NG樣品分別切片,然后在金相顯微鏡下放大拍照觀察MLCC內(nèi)部結(jié)構(gòu),NG樣品電容內(nèi)部存在鎳瘤及熱應(yīng)力裂紋,而OK樣品未見異常。 通過對樣品剖面SEM/EDS分析, NG樣品電容內(nèi)部電極層不連續(xù),存在明顯鎳瘤;其鎳瘤周圍多條向外延伸裂紋并在裂縫通道內(nèi)發(fā)現(xiàn)明顯碳化痕跡(EDS結(jié)果中

2、C含量高達(dá)50%),此應(yīng)為熱應(yīng)力裂紋,裂紋的存在直接導(dǎo)致電容性能異常;而OK樣品電容內(nèi)部電極層連續(xù),陶瓷介質(zhì)層致密未發(fā)現(xiàn)孔洞及鎳瘤,電容性能良好。  3. 分析與討論失效模式分析:多層陶瓷電容器(MLCC)本身的內(nèi)在可靠性十分優(yōu)良,可長時(shí)間穩(wěn)定使用。但如果器件本身存在缺陷或在組裝過程中引入缺陷,則會對可靠性產(chǎn)生嚴(yán)重的影響。陶瓷多層電容器(MLCC)失效的原因一般分為外部因素和內(nèi)在因素。內(nèi)在因素包括: 陶瓷介質(zhì)內(nèi)空洞、介質(zhì)層分層;外部因素包括:熱應(yīng)力裂紋及機(jī)械應(yīng)力裂紋。 1)陶瓷介質(zhì)內(nèi)的孔洞所謂的陶瓷介質(zhì)內(nèi)的孔洞是指在相鄰電極間的介質(zhì)層中存在較大的孔洞,這些孔洞由于

3、內(nèi)部可能含有水汽或離子,在端電極間施加電壓時(shí),降低此處的耐壓強(qiáng)度,導(dǎo)致此處發(fā)生過電擊穿現(xiàn)象。 2)介質(zhì)層分層多層陶瓷電容的燒結(jié)為多層材料堆疊共燒,燒結(jié)溫度在1000以上。層間結(jié)合力不強(qiáng),燒結(jié)過程中內(nèi)部污染物揮發(fā),燒結(jié)工藝控制不當(dāng)都可能導(dǎo)致分層的發(fā)生。值得一提的是,某些分層還可能導(dǎo)致陶瓷介質(zhì)內(nèi)部產(chǎn)生裂紋,或在介質(zhì)層內(nèi)出現(xiàn)斷續(xù)的電極顆粒等,這些都與電容器的生產(chǎn)工藝有關(guān)。分層的直接影響是絕緣電阻降低,電容量減小。 3)熱應(yīng)力裂紋實(shí)際使用中各種溫度沖擊往往容易產(chǎn)生熱應(yīng)力,熱應(yīng)力產(chǎn)生的裂紋主要分布區(qū)域?yàn)樘沾煽拷穗姌O的兩側(cè),常見的表現(xiàn)形式為貫穿瓷體的裂紋,有的裂紋與內(nèi)電極呈現(xiàn)90&#

4、176;。需要強(qiáng)調(diào)的是,這些裂紋產(chǎn)生后,不一定在現(xiàn)場就表現(xiàn)出實(shí)效,大多數(shù)是在使用一段時(shí)間后,水汽或離子進(jìn)入裂紋內(nèi)部,致使電容的絕緣電阻降低而導(dǎo)致電容失效。 4)機(jī)械應(yīng)力裂紋多層陶瓷電容器(MLCC)的特點(diǎn)是能夠承受較大的壓應(yīng)力,但抵抗彎曲能力比較差。器件組裝過程中任何可能產(chǎn)生彎曲變形的操作都可能導(dǎo)致器件開裂。常見的應(yīng)力源有:工藝過程電路板流轉(zhuǎn)操作;流轉(zhuǎn)過程中的人、設(shè)備、重力等因素;元件接插操作;電路測試;單板分割;電路板安裝;電路板定位鉚接;螺絲安裝等。該裂紋一般源于器件上下金屬化端子,沿45°向器件內(nèi)部擴(kuò)展,詳見圖23。  案例失效分析與討論通過外觀檢

5、查OK樣品與NG樣品表面均完好,未見裂紋、破損等異常。通過X-ray透視檢查,OK樣品和NG樣品內(nèi)部均未發(fā)現(xiàn)裂紋孔洞等異常。將OK樣品和NG樣品分別切片,然后在金相顯微鏡下放大拍照觀察MLCC內(nèi)部結(jié)構(gòu),NG樣品電容內(nèi)部存在鎳瘤及熱應(yīng)力裂紋,而OK樣品未見異常。通過對樣品剖面SEM/EDS分析, NG樣品電容內(nèi)部電極層不連續(xù),存在明顯鎳瘤;其鎳瘤周圍多條向外延伸裂紋并在裂縫通道內(nèi)發(fā)現(xiàn)明顯碳化痕跡(EDS結(jié)果中C含量高達(dá)50%),此應(yīng)為熱應(yīng)力裂紋,裂紋的存在直接導(dǎo)致電容性能異常;而OK樣品電容內(nèi)部電極層連續(xù),陶瓷介質(zhì)層致密未發(fā)現(xiàn)孔洞及鎳瘤,電容性能良好。 4. 結(jié)論綜合測試分析可知,導(dǎo)致產(chǎn)品測試異常的原因?yàn)椋篘G失效的根本原因

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