半導(dǎo)體二極管三極管來(lái)料檢驗(yàn)規(guī)程

1、電子元器件來(lái)料檢驗(yàn)規(guī)程（一）半導(dǎo)體晶體管部分1 內(nèi)容本規(guī)程規(guī)定了本公司常用半導(dǎo)體二極管、三極管、達(dá)林頓晶體管、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）來(lái)料檢驗(yàn)的抽樣方式、接收標(biāo)準(zhǔn)、檢驗(yàn)測(cè)試方法和所用測(cè)試儀器等具體要求。2 范圍本規(guī)程適用于本公司常用半導(dǎo)體二極管、三極管、達(dá)林頓晶體管、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）來(lái)料檢驗(yàn)和驗(yàn)收。3 引用標(biāo)準(zhǔn)GB2828.1-2003 計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序 第一部分：按接收質(zhì)量限（AQL）檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃GB2421 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 總則GB2423.22 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)Cb：恒定濕熱試驗(yàn)方法GB2421 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)

2、N：溫度變化試驗(yàn)方法GB4798.1  電工電子產(chǎn)品應(yīng)用環(huán)境條件 貯存4 檢驗(yàn)測(cè)試設(shè)備和測(cè)試方法測(cè)試設(shè)備：DW4824型晶體管特性圖示儀（或QT2型晶體管特性圖示儀等） 測(cè)試大功率晶體管專用轉(zhuǎn)接夾具、插座或裝置 數(shù)字萬(wàn)用表、不銹鋼鑷子等應(yīng)手工具晶體管特性圖示儀、數(shù)字萬(wàn)用必須經(jīng)檢定合格并且在計(jì)量檢定的有效期內(nèi)。人員素質(zhì)：能熟練操作使用晶體管特性圖示儀進(jìn)行各種半導(dǎo)體器件參數(shù)測(cè)試，工作態(tài)度嚴(yán)謹(jǐn)、細(xì)心，持有檢驗(yàn)測(cè)試操作合格證或許可證。測(cè)試準(zhǔn)備：晶體管特性圖示儀每次開(kāi)啟，必須預(yù)熱五分鐘。檢查確認(rèn)圖示儀的技術(shù)狀態(tài)完好方能進(jìn)行測(cè)試。每種器件在測(cè)試前都要做外觀檢查：管腳應(yīng)光潔、明亮，管身標(biāo)志清晰、無(wú)

3、劃痕，封裝尺寸應(yīng)符合訂貨要求。4.1 絕緣柵N溝道雙極晶體管IGBT主要測(cè)試參數(shù)：IGBT的特性曲線IGBT的飽和壓降VCES IGBT的柵極閾值電壓VGE（th）IGBT的擊穿電壓VCER測(cè)試方法： 現(xiàn)將上述特性參數(shù)的測(cè)試方法分述如下。4.1.1 測(cè)IGBT的輸出特性曲線按附表1“常規(guī)測(cè)試/輸出特性曲線”欄、測(cè)IGBT的要求，調(diào)整晶體管特性圖示儀各選擇開(kāi)關(guān)的檔位。正確連接相應(yīng)的IGBT測(cè)試夾具、插座或裝置，檢查連接無(wú)誤后，接入待測(cè)的IGBT，圖示儀即顯示一簇該IGBT的輸出特性曲線。該線簇應(yīng)均勻、平滑、無(wú)畸變，為合格（如圖1a所示）。否則為不合格（如圖1b所示）。圖 14.1.2 測(cè)IGBT

4、的飽和壓降VCES在特性曲線中選擇VGE=4.5V的一條曲線，它與IC=7.0A直線的交點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的VC電壓值就是所測(cè)試的IGBT在VGE=4.50V、IC=7.0A時(shí)的飽和壓降VCES。VCES3.0V為合格。否則為不合格。4.1.3 測(cè)IGBT的轉(zhuǎn)移特性曲線按附表1“常規(guī)測(cè)試/轉(zhuǎn)移特性曲線”欄、測(cè)IGBT的要求調(diào)整晶體管特性圖示儀各選擇開(kāi)關(guān)的檔位。正確連接相應(yīng)的IGBT測(cè)試夾具、插座或裝置，檢查連接無(wú)誤后，接入待測(cè)的IGBT，圖示儀即顯示一簇該IGBT的轉(zhuǎn)移特性曲線。該線簇應(yīng)當(dāng)是一組幅度由小到大的、等間距的豎直線段。這些線段的一端在X軸上，另一端連接起來(lái)應(yīng)當(dāng)是一條平滑的曲線。4.1.4 測(cè)I

5、GBT的柵極閾值電壓VGE（th）觀測(cè)特性曲線與IC=1mA直線的交點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的VBE電壓值，就是該IGBT在該測(cè)試溫度下的柵極閾值電壓VGE（th）。此時(shí)VBE=VGE（th）。所測(cè)得的VGE（th）在該IGBT的標(biāo)稱柵極閾值電壓范圍內(nèi)為合格。否則為不合格。4.1.5 測(cè)IGBT的擊穿電壓VCER按附表1“擊穿電壓測(cè)試”欄、測(cè)IGBT的要求，調(diào)整晶體管特性圖示儀各選擇開(kāi)關(guān)的檔位。接入待測(cè)的IGBT并使柵極懸空，使峰值電壓由0V緩慢增加，觀測(cè)特性曲線的形狀及擊穿點(diǎn)電壓，此電壓在該IGBT的標(biāo)稱擊穿電壓范圍內(nèi)為合格。否則為不合格。注意：操作人員應(yīng)避免直接接觸高壓電極，并且每測(cè)試完一只IGBT的擊穿

6、電壓，都要將“峰值電壓調(diào)節(jié)”旋鈕調(diào)節(jié)回0，以保障人員和設(shè)備安全。4.2 達(dá)林頓大功率NPN晶體管 主要測(cè)試參數(shù)：達(dá)林頓晶體管的共射輸出特性曲線達(dá)林頓晶體管的飽和壓降BVCES 達(dá)林頓晶體管的共射極電流放大系數(shù)達(dá)林頓晶體管的反向擊穿電壓BVCE0測(cè)試方法：現(xiàn)將上述特性參數(shù)的測(cè)試方法分述如下。4.2.1 測(cè)達(dá)林頓晶體管的共發(fā)射極輸出特性曲線按附表1“常規(guī)測(cè)試/輸出特性曲線”欄、測(cè)達(dá)林頓晶體管的要求，調(diào)整晶體管特性圖示儀各選擇開(kāi)關(guān)的檔位。正確連接相應(yīng)的達(dá)林頓晶體管測(cè)試夾具、插座或裝置，檢查連接無(wú)誤后，接入待測(cè)的IGBT，圖示儀即顯示一簇該達(dá)林頓晶體管的共發(fā)射極輸出特性曲線。該線簇應(yīng)均勻、平滑、無(wú)畸變

7、，為合格（如圖2a所示）。否則為不合格（如圖2b所示）。圖 24.2.2 測(cè)達(dá)林頓晶體管的飽和壓降BVCES觀測(cè)達(dá)林頓晶體管的共發(fā)射極輸出特性曲線IC=6A的直線與飽和區(qū)某一特性曲線的交點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的VCE值，就是該測(cè)達(dá)林頓晶體管在基極注入電流足夠大且集電極電流IC=6A時(shí)的飽和壓降VCES。觀測(cè)到的VCES值在該達(dá)林頓晶體管的標(biāo)稱飽和壓降范圍內(nèi)為合格，否則為不合格。4.2.3 測(cè)達(dá)林頓晶體管的共射極電流放大系數(shù)觀測(cè)達(dá)林頓晶體管的共發(fā)射極輸出特性曲線IC=6A的直線與放大區(qū)某一特性曲線的交點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的IB值，即可粗略地計(jì)算出在該工作點(diǎn)對(duì)應(yīng)的共發(fā)射極電流放大系數(shù) =（1.011.20）IC/IB值在該

8、達(dá)林頓晶體管的標(biāo)稱電流放大系數(shù)范圍內(nèi)為合格，否則為不合格。4.2.4 測(cè)達(dá)林頓晶體管的反向擊穿電壓BVCE0 按附表1“擊穿電壓測(cè)試”欄、測(cè)達(dá)林頓晶體管的要求，調(diào)整晶體管特性圖示儀各選擇開(kāi)關(guān)的檔位。接入待測(cè)的達(dá)林頓晶體管并使基極懸空，使峰值電壓由0V緩慢增加，觀測(cè)特性曲線的形狀及擊穿點(diǎn)電壓VCE，此電壓即為達(dá)林頓晶體管基極開(kāi)路時(shí)的擊穿電壓BVCE0，BVCE0在該達(dá)林頓晶體管的標(biāo)稱擊穿電壓范圍內(nèi)為合格。否則為不合格。注意：操作人員應(yīng)避免直接接觸高壓電極，并且每測(cè)試完一只達(dá)林頓晶體管的反向擊穿電壓，都要將“峰值電壓調(diào)節(jié)”旋鈕調(diào)節(jié)回0，以保障人員和設(shè)備安全。4.3 小功率晶體管 主要測(cè)試參數(shù)：小功

9、率晶體管的共發(fā)射極輸出特性曲線小功率晶體管的飽和壓降VCES 小功率晶體管的共射極電流放大系數(shù)小功率晶體管基極開(kāi)路時(shí)的反向擊穿電壓BVCE0 小功率晶體管基極開(kāi)路時(shí)的穿透電流ICE0測(cè)試方法：現(xiàn)將上述特性參數(shù)的測(cè)試方法分述如下。4.3.1 測(cè)小功率晶體管的共發(fā)射極輸出特性曲線 按附表1“常規(guī)測(cè)試/輸出特性曲線”欄、測(cè)NPN晶體管的要求，調(diào)整晶體管特性圖示儀各選擇開(kāi)關(guān)的檔位。正確連接相應(yīng)的NPN晶體管測(cè)試夾具、插座或裝置，檢查連接無(wú)誤后，接入待測(cè)的小功率NPN晶體管，圖示儀即顯示一簇該小功率NPN晶體管的共發(fā)射極輸出特性曲線。該線簇應(yīng)均勻、平滑、無(wú)畸變，為合格（如圖3a所示）。否則為不合格（如圖

10、3b所示）。PNP晶體管NPN晶體管圖 34.3.2 測(cè)小功率晶體管的飽和壓降BVCES 觀測(cè)小功率NPN晶體管的共發(fā)射極輸出特性曲線IC=10mA的直線與飽和區(qū)某一特性曲線的交點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的VCE值，就是該小功率NPN晶體管在基極注入電流足夠大且集電極電流IC=10mA時(shí)的飽和壓降BVCES。觀測(cè)到的VCES值在該小功率晶體管的標(biāo)稱飽和壓降范圍內(nèi)為合格，否則為不合格。4.3.3 測(cè)小功率晶體管的共射極電流放大系數(shù) 觀小功率NPN晶體管的共發(fā)射極輸出特性曲線IC=10mA的直線與放大區(qū)某一特性曲線的交點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的IB值，即可粗略地計(jì)算出在該工作點(diǎn)對(duì)應(yīng)的共發(fā)射極電流放大系數(shù) =（1.011.20）IC

11、/IB值在該小功率NPN晶體管的標(biāo)稱電流放大系數(shù)范圍內(nèi)為合格，否則為不合格。4.3.4 測(cè)小功率晶體管基極開(kāi)路時(shí)的反向擊穿電壓BVCE0按附表1“擊穿電壓測(cè)試”欄、測(cè)小功率NPN晶體管的要求，調(diào)整晶體管特性圖示儀各選擇開(kāi)關(guān)的檔位。接入待測(cè)的小功率NPN并使基極懸空，使峰值電壓由0V緩慢增加，觀測(cè)特性曲線的形狀及擊穿點(diǎn)電壓VCE，此電壓即為小功率NPN晶體管基極開(kāi)路時(shí)的擊穿電壓BVCE0，BVCE0在該小功率晶體管的標(biāo)稱擊穿電壓范圍內(nèi)為合格。否則為不合格。4.3.5 測(cè)小功率晶體管基射極開(kāi)路時(shí)的穿透電流ICE0在測(cè)小功率晶體管基極開(kāi)路時(shí)的反向擊穿電壓BVCE0的基礎(chǔ)上，將“階梯作用”轉(zhuǎn)向“關(guān)”狀

12、態(tài)，Y軸集電極電流調(diào)整到0.1×0.01mA(或0.5×0.01mA或最小電流檔)。接入待測(cè)的小功率NPN并使基極懸空，使峰值電壓由0V緩慢增加，觀測(cè)在被測(cè)小功率晶體管正常工作電壓范圍內(nèi)的集電極電流值IC，此電流就是該小功率晶體管基極開(kāi)路時(shí)的穿透電流ICE0。所測(cè)得的ICE0在該小功率晶體管基射極開(kāi)路時(shí)的穿透電流ICE0的標(biāo)稱范圍內(nèi)，為合格，否則為不合格。PNP小功率晶體管的測(cè)試方法與此基本相同。只是要按附表1各測(cè)試項(xiàng)目欄中測(cè)NPN晶體管的要求調(diào)整晶體管特性圖示儀各選擇開(kāi)關(guān)的檔位。4.4 二極管主要測(cè)試參數(shù)：二極管的V-A特性曲線二極管的正向壓降VF二極管的反向電流I0二極

13、管的反向擊穿電壓BVR 測(cè)試方法：現(xiàn)將上述特性參數(shù)的測(cè)試方法分述如下。4.4.1 測(cè)二極管的V-A特性曲線按附表1“常規(guī)測(cè)試/輸出特性曲線” 欄、測(cè)二極管的要求調(diào)整晶體管特性圖示儀各選擇開(kāi)關(guān)的檔位。正確連接相應(yīng)的二極管測(cè)試夾具、插座或裝置，檢查連接無(wú)誤后，接入待測(cè)的二極管，圖示儀即顯示該二極管的V-A特性曲線。該曲線應(yīng)平滑、陡峭、呈指數(shù)變化，為合格（如圖4a所示）。否則為不合格（如圖4b所示）。圖 44.4.2 測(cè)二極管的正向電壓降VF對(duì)應(yīng)于特性曲線上標(biāo)稱工作電流值的垂直直線與X軸的交點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的電壓坐標(biāo)值，即是在該電流下二極管的正向電壓降VF。所測(cè)得的二極管的正向電壓降，在該二極管的標(biāo)稱值范圍

14、內(nèi)為合格，否則為不合格。4.4.3 測(cè)二極管的反向電流I0按附表1“擊穿電壓測(cè)試”欄、測(cè)二極管的要求，調(diào)整晶體管特性圖示儀各選擇開(kāi)關(guān)的檔位。接入待測(cè)的二極管，使峰值電壓由0V緩慢增加，觀測(cè)在被測(cè)二極管正常工作電壓范圍內(nèi)的反向電流值I0。所測(cè)得的反向電流I0，在該二極管的標(biāo)稱值范圍內(nèi)為合格，否則為不合格。4.4.4 測(cè)二極管的反向擊穿電壓BVR 緊接著反向電流的測(cè)試，使峰值電壓繼續(xù)緩慢增加，觀測(cè)在被測(cè)二極管剛剛被擊穿時(shí)的擊穿點(diǎn)的電壓值，就是該二極管的反向擊穿電壓BVR。所測(cè)得的反向擊穿電壓BVR，在該二極管的標(biāo)稱值范圍內(nèi)為合格，否則為不合格。4.5 可焊性檢查(槽焊法)以上半導(dǎo)體器件的引出腳都要

15、按下述方法進(jìn)行可焊性檢查。4.5.1 錫槽溫度：235±5；浸漬時(shí)間3±0.5S；浸入深度：與引出腳或焊盤平齊。4.5.2 試驗(yàn)完畢用5倍以上的放大鏡檢查，浸漬部位表面應(yīng)浸潤(rùn)覆蓋一層光滑的、明亮的焊錫涂層，缺陷比率（例如針孔或出現(xiàn)未浸潤(rùn)面）不得多于5%，且這些缺陷不得集中在元件的相同部位。5 驗(yàn)收規(guī)則 如果沒(méi)有特殊規(guī)定，電子元器件的驗(yàn)收，應(yīng)包括抽樣檢驗(yàn)和接收試驗(yàn)。5.1 抽樣 樣品應(yīng)按正常檢驗(yàn)AQL一次抽樣方案，從來(lái)料批中隨機(jī)抽取。AQL按表51的規(guī)定，檢查水平。5.2 檢驗(yàn)項(xiàng)目及測(cè)試方法檢驗(yàn)項(xiàng)目及測(cè)試方法如表51所列表51 檢驗(yàn)項(xiàng)目和測(cè)試方法器件類別常規(guī)檢驗(yàn)特殊檢驗(yàn)檢驗(yàn)項(xiàng)

16、目檢驗(yàn)方法AQL抽樣數(shù)Ac/Re抽樣數(shù)Ac/Re二極管外觀目測(cè)0.41251/21000/1電特性參數(shù)4.40.0112500/11000/1三極管外觀目測(cè)0.41251/21000/1電特性參數(shù)4.30.0112500/11000/1達(dá)林頓管外觀目測(cè)0.41251/21000/1電特性參數(shù)4.20.0112500/11000/1IGBT外觀目測(cè)0.41251/21000/1電特性參數(shù)4.10.0112500/11000/1 注：特殊檢驗(yàn)：是指對(duì)于那些經(jīng)長(zhǎng)期考核的質(zhì)量信得過(guò)單位或合格器材供應(yīng)單位而言的，對(duì)于他們供應(yīng)的器件，已經(jīng)委托該器材供應(yīng)單位代為檢驗(yàn)。此處抽驗(yàn)只起監(jiān)督作用。此外還要定期抽樣進(jìn)

17、行接收試驗(yàn)。5.3 接收試驗(yàn)接收試驗(yàn)的樣品從常規(guī)檢驗(yàn)合格的樣品中抽取，樣品數(shù)量隨來(lái)料批量的大小來(lái)定。一般每種器件應(yīng)取510只為宜。試驗(yàn)項(xiàng)目與試驗(yàn)方法如表52所列。表52 試驗(yàn)項(xiàng)目與試驗(yàn)方法試驗(yàn)項(xiàng)目試驗(yàn)條件試驗(yàn)方法電性能測(cè)試nAc/Re高溫存儲(chǔ)125+3 存儲(chǔ)68h。室溫下放置2h，再進(jìn)行電測(cè)試按“4 檢驗(yàn)測(cè)試方法”進(jìn)行50/1低溫存儲(chǔ)40-3 存儲(chǔ)68h。室溫下放置2h，再再進(jìn)行電測(cè)試按“4 檢驗(yàn)測(cè)試方法”進(jìn)行50/1高低溫沖擊試驗(yàn)125+340-3 2h/每種溫度，10次。室溫下放置2h，再再進(jìn)行電測(cè)試按“4 檢驗(yàn)測(cè)試方法”進(jìn)行50/1濕熱試驗(yàn)溫度40+3 相對(duì)濕度90±5% 濕熱

18、條件保持48h，室溫下放置2h，再再進(jìn)行電測(cè)試按“4 檢驗(yàn)測(cè)試方法”進(jìn)行50/1注：表中的“n”為樣品數(shù)5.4 不合格品處理檢驗(yàn)的不合格批，退供應(yīng)部門處理。如果生產(chǎn)急需，檢驗(yàn)不合格的項(xiàng)目又非器件的主要性能指標(biāo)時(shí)，可安排進(jìn)行100%的篩選測(cè)試，將篩選出來(lái)的合格品驗(yàn)收入庫(kù)，不合格品退供應(yīng)部門處理。附表1 測(cè)試IGBT、功率達(dá)林頓晶體管、小功率NPN/PNP管、1N系列二極管時(shí)晶體管特性圖示儀的開(kāi)關(guān)檔位常規(guī)測(cè)試輸出特性曲線圖示儀檔位測(cè)IGBT測(cè)達(dá)林頓測(cè)PNP測(cè)NPN測(cè)二極管峰值電壓范圍010V010V010V010V010V峰值電壓調(diào)節(jié)10V10V10V10V10V掃描極性功耗電阻2或12或10.2K0.2K0.2K電壓/度1V1V12V12V0.1V電流/度1A1A12mA12mA10mA階梯作用重復(fù)重復(fù)重復(fù)重復(fù)重復(fù)階梯極性階梯幅度/級(jí)1V1mA0.1mA0.1mAX軸電壓UBE1V轉(zhuǎn)移特性峰值電壓范圍010V功耗電阻2或1電流/度0.2mAVBE0.5V階梯選擇1mA/級(jí)公共部分階梯幅度/