降壓型PWM_AC-DC開關(guān)電源設(shè)計(jì)

1、2009 - 2010學(xué)年 第 2學(xué)期 電力電子技術(shù)課 程 設(shè) 計(jì) 報(bào) 告題 目: 降壓型 PWM AC-DC開關(guān)電源課程設(shè)計(jì)專 業(yè): 電氣自動(dòng)化本班 級(jí): 07自動(dòng)化本姓 名: 畢飛飛指導(dǎo)教師: 焦俊生成 績(jī):電氣工程系2010年 6 月 16 日課 程 設(shè) 計(jì) 任 務(wù) 書學(xué)生班級(jí): 07自動(dòng)化本 學(xué)生姓名:畢飛飛 學(xué)號(hào): 0709111001 設(shè)計(jì)名稱:降壓型 PWM AC-DC 開關(guān)電源課程設(shè)計(jì)起止日期: 2010-6-10至 2010-6-17 指導(dǎo)教師:焦俊生 目 錄1.3 開關(guān)電源的發(fā)展展望 . . 62. 降壓型 PWM AC-DC開關(guān)電源設(shè)計(jì)的基本要求 . 73. 電路總體方案

2、的設(shè)計(jì)及相關(guān)原理 . 74. 主電路設(shè)計(jì)及參數(shù)計(jì)算 . . 6 4.1 主電路的設(shè)計(jì) . 64.2 主電路的參數(shù)確定 . . 85. 控制電路、驅(qū)動(dòng)電路及保護(hù)電路的設(shè)計(jì) . 12 5.1 控制及驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì) . . 125.2 保護(hù)電路的設(shè)計(jì) . 136. 課程設(shè)計(jì)總結(jié) . 14 參考文獻(xiàn) . 14 附錄 . 151. 引 言1.1開關(guān)電源的概念開關(guān)電源 (Switch Mode Power Supply , SMPS 是以功率半導(dǎo)體器件為開關(guān)元 件, 利用現(xiàn)代電力電子技術(shù), 控制開關(guān)管開通和關(guān)斷的時(shí)間比率, 維持穩(wěn)定輸出 電壓的一種電源。 開關(guān)電源和線性電源相比, 二者的成本都隨著輸出功率的

3、增加 而增長(zhǎng), 但二者增長(zhǎng)速率各異。 線性電源成本在某一輸出功率點(diǎn)上, 反而高于開 關(guān)電源, 這一點(diǎn)稱為成本反轉(zhuǎn)點(diǎn)。 開關(guān)電源高頻化是其發(fā)展的方向, 高頻化使開 關(guān)電源小型化, 并使開關(guān)電源進(jìn)入更廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域, 特別是在高新技術(shù)領(lǐng)域的 應(yīng)用, 推動(dòng)了高新技術(shù)產(chǎn)品的小型化、 輕便化。 另外開關(guān)電源的發(fā)展與應(yīng)用在節(jié) 約能源、節(jié)約資源及保護(hù)環(huán)境方面都具有重要的意義。開關(guān)電源中應(yīng)用的電力電子器件主要為二極管、 IGBT 和 MOSFET 。 一般由脈 沖寬度調(diào)制 (PWM 控制 IC 和 MOSFET 構(gòu)成。 開關(guān)電源電路主要由整流濾波電路、 DC-DC 控制器(內(nèi)含變壓器 、開關(guān)占空比控制器以及取

4、樣比較電路等模塊組成。脈沖寬度調(diào)制(PWM ,是英文“ Pulse Width Modulation ”的縮寫,簡(jiǎn) 稱脈寬調(diào)制, 脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式, 其根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來 調(diào)制晶體管柵極或基極的偏置, 來實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出晶體管或晶體管導(dǎo) 通時(shí)間的改變,這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定, 是利用微處理器的數(shù)字輸出來對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。 廣泛應(yīng)用在從測(cè)量、通信到功率控制與變換的許多領(lǐng)域中。脈沖寬度調(diào)制 (PWM 基于采樣控制理論中的一個(gè)重要結(jié)論,即沖量相等 而形狀不同的窄脈沖加在具有慣性的環(huán)節(jié)上時(shí),其效果基本相同。在控制時(shí) 對(duì)半導(dǎo)體開關(guān)器件

5、的導(dǎo)通和關(guān)斷進(jìn)行控制 , 使輸出端得到一系列幅值相等而 寬度不相等的脈沖 , 用這些脈沖來代替正弦波或其他所需要的波形 . 按一定 的規(guī)則對(duì)各脈沖的寬度進(jìn)行調(diào)制 , 既可改變逆變電路輸出電壓的大小 , 也可 改變輸出頻率 .PWM 運(yùn)用于開關(guān)電源控制時(shí)首先保持主電路開關(guān)元件的恒定工作 周期(T=ton+toff ,再由輸出信號(hào)與基準(zhǔn)信號(hào)的差值來控制閉環(huán)反饋,以調(diào)節(jié) 導(dǎo)通時(shí)間 ton ,最終控制輸出電壓(或電流的穩(wěn)定。PWM的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是從處理器到被控系統(tǒng)信號(hào)都是數(shù)字形式的,無需進(jìn)行 數(shù)模轉(zhuǎn)換。 讓信號(hào)保持為數(shù)字形式可將噪聲影響降到最小。 噪聲只有在強(qiáng)到 足以將邏輯 1改變?yōu)檫壿?0或?qū)⑦壿?0改

6、變?yōu)檫壿?1時(shí), 也才能對(duì)數(shù)字信號(hào) 產(chǎn)生影響。對(duì)噪聲抵抗能力的增強(qiáng)是 PWM 相對(duì)于模擬控制的另外一個(gè)優(yōu)點(diǎn), 而且這 也是在某些時(shí)候?qū)?PWM 用于通信的主要原因。 從模擬信號(hào)轉(zhuǎn)向 PWM 可以極大 地延長(zhǎng)通信距離。 在接收端, 通過適當(dāng)?shù)?RC 或 LC 網(wǎng)絡(luò)可以濾除調(diào)制高頻方 波并將信號(hào)還原為模擬形式。將一種直流電壓變換成另一種固定的或可調(diào)的直流電壓的過程稱為DC-DC 交換完成這一變幻的電路稱為 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。 根據(jù)輸入電路與輸出電 路的關(guān)系, DC-DC 轉(zhuǎn)換器可分為非隔離式 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和隔離式 DC-DC 轉(zhuǎn) 換器。降壓型 DC-DC 開關(guān)電源屬于非隔離式的。降壓型 D

7、C-DC 轉(zhuǎn)換器主電路圖如下: 其中,功率 IGBT 為開關(guān)調(diào)整元件,它的導(dǎo)通與關(guān)斷由控制電路決定; L 和 C 為濾波元件。驅(qū)動(dòng) VT 導(dǎo)通時(shí),負(fù)載電壓 Uo=Uin,負(fù)載電流 Io 按指 數(shù)上升;控制 VT 關(guān)斷時(shí),二極管 VD 可保持輸出電流連續(xù),所以通常稱為 續(xù)流二極管。負(fù)載電流經(jīng)二極管 VD 續(xù)流,負(fù)載電壓 Uo 近似為零,負(fù)載電 流呈指數(shù)曲線下降。為了使負(fù)載電流連續(xù)且脈動(dòng)小,通常串聯(lián) L 值較大的 電感。至一個(gè)周期 T 結(jié)束,在驅(qū)動(dòng) VT 導(dǎo)通,重復(fù)上一周期過程。當(dāng)電路工 作于穩(wěn)態(tài)時(shí),負(fù)載電流在一個(gè)周期的初值和終值相等。負(fù)載電壓的平均值 為式中, ton 為 VT 處于導(dǎo)通的時(shí)間,

8、 toff 為 VT 處于關(guān)斷的時(shí)間; T 為開關(guān)管 控制信號(hào)的周期,即 ton+toff; 為開關(guān)管導(dǎo)通時(shí)間與控制信號(hào)周期之比, 通常稱為控制信號(hào)的占空比。從該式可以看出, ,占空比最大為 1,若減小 占空比,該電路輸出電壓總是低于輸入電壓,因此將其稱為降壓型 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。負(fù)載電流的平均值為若負(fù)載中電感值較小,則在 VT 管斷后,負(fù)載電流會(huì)在一個(gè)周期內(nèi)衰減為零,出 現(xiàn)負(fù)載電流斷續(xù)的情況。因此有降壓 DC-DC 開關(guān)電源有非連續(xù)電流模式(DCM 和連續(xù)電流模式(CCM 兩種工作模式。波形圖如下所示:in on in off on on in o U T t U t t t U U =+

9、=RU I o o =1.2 開關(guān)電源的發(fā)展簡(jiǎn)介 3能源在每個(gè)國(guó)家中的地位都是舉足輕重, 關(guān)乎興衰的, 所以如何開發(fā)并合理 利用能源是一個(gè)重要的課題。 特別對(duì)于我國(guó)這樣的能源消耗大國(guó)和貧乏國(guó), 更是 如此。我國(guó)、美國(guó)和俄羅斯等大國(guó)始終把能源技術(shù)列為國(guó)家關(guān)鍵性的科技領(lǐng)域。 能源技術(shù)的其中一個(gè)重要方面就是電力電子技術(shù),這是一門結(jié)合了微電子學(xué)、 電機(jī)學(xué)、 控制理論等多種學(xué)科的交叉性邊沿學(xué)科, 它利用功率半導(dǎo)體器件對(duì)電網(wǎng) 功率、 電流、 電壓、 頻率、 相位進(jìn)行精確控制和處理, 使得電力電子裝置小型化、 高頻化、智能化,效率和性能得以大幅度提高。開關(guān)電源技術(shù)屬于電力電子技術(shù), 它運(yùn)用功率變換器進(jìn)行電能

10、變換, 經(jīng)過變 換電能, 可以滿足各種對(duì)參數(shù)的要求。 這些變換包括交流到直流 (AC-DC, 即整流 , 直流到交流 (DC-AC, 即逆變 , 交流到交流 (AC-AC, 即變壓 , 直流到直流 (DC-DC。 廣義地說, 利用半導(dǎo)體功率器件作為開關(guān), 將一種電源形式轉(zhuǎn)變?yōu)榱硪环N電源形 式的主電路都叫做開關(guān)變換器電路; 轉(zhuǎn)變時(shí)用自動(dòng)控制閉環(huán)穩(wěn)定輸出并有保護(hù)環(huán) 節(jié)則稱為開關(guān)電源(SwitchingPower Supply 。由于其高效節(jié)能可帶來巨大經(jīng)濟(jì) 效益,因而引起社會(huì)各方面的重視而得到迅速推廣。電源管理芯片實(shí)際上也是指具有自動(dòng)控制環(huán)路和保護(hù)電路的 DC-DC 變換芯 片,是開關(guān)電源的核心控

11、制芯片。電源管理芯片在 90年代中后期問世,由于替 換了大部分分立器件, 使開關(guān)電源的整體性能得到大幅度提高, 同時(shí)降低了成本, 因而顯示出強(qiáng)大的生命力。我國(guó)開關(guān)電源起源于 1970年代末期, 到 1980年代中期, 開關(guān)電源產(chǎn)品開始 推廣應(yīng)用。那時(shí)的開關(guān)電源產(chǎn)品采用的是頻率為 20 kHz以下的 PWM 技術(shù),其效 率只能達(dá)到 60%70%。經(jīng)過 20多年的不斷發(fā)展,新型功率器件的研發(fā)為開關(guān)電 源的高頻化莫定了基礎(chǔ),功率 MOSFET 和 IGBT 的應(yīng)用使中、小功率開關(guān)電源工 作頻率高達(dá)到 400kHz(AC/DC和 1MHz(DC/DC。軟開關(guān)技術(shù)的出現(xiàn),真正實(shí)現(xiàn)了 開關(guān)電源的高頻化,

12、它不僅可以減少電源的體積和重量, 而且提高了開關(guān)電源的 效率。目前,采用軟開關(guān)技術(shù)的國(guó)產(chǎn)開關(guān)電源,其效率已達(dá)到 93%。但是,目前 我國(guó)的開關(guān)電源技術(shù)與世界上先進(jìn)的國(guó)家相比仍有較大的差距。開關(guān)電源的發(fā)展歷史可以追溯到幾十年前,可分為下列幾個(gè)時(shí)期:1.電子管穩(wěn)壓電源時(shí)期 (1950年代 。此時(shí)期主要為電子管直流電源和磁飽 和交流電源,這種電源體積大、耗能多、效率低。2.晶體管穩(wěn)壓電源時(shí)期 (1960年代 -1970年代中期 。隨著晶體管技術(shù)的發(fā) 展,晶體管穩(wěn)壓電源得到迅速發(fā)展,電子管穩(wěn)壓電源逐漸被淘汰。3.低性能穩(wěn)壓電源時(shí)期 (1970年代 -1980年代末期 。出現(xiàn)了晶體管自激式 開關(guān)穩(wěn)壓電源

13、,工作頻率在 20kHz 以下,工作效率 60%左右。隨著壓控率 器件的出現(xiàn),促進(jìn)了電源技術(shù)的極大發(fā)展,它可使兆瓦級(jí)的逆變電源設(shè)計(jì) 簡(jiǎn)化, 可取代需要強(qiáng)迫換流的晶閘管, 目前仍在使用。 功率 MOSFET 的出現(xiàn), 構(gòu)成了高頻電力電子技術(shù), 其開關(guān)頻率可達(dá) l00kHz 以上, 并且可并聯(lián)大電 流輸出。4.高性能的開關(guān)穩(wěn)壓電源時(shí)期 (1990年代 至今 。隨著新型功率器件和脈 寬調(diào)制 (PWM電路的出現(xiàn)和各種零電壓、零電流變換拓?fù)潆娐返膹V泛應(yīng)用 出現(xiàn)了小體積、高效率、高可靠性的混合集成 DC-DC 電源。1.3 開關(guān)電源的發(fā)展展望1. 半導(dǎo)體和電路器件是開關(guān)電源發(fā)展的重要支撐。2. 高頻、高效

14、、低壓化、標(biāo)準(zhǔn)化是開關(guān)電源主要發(fā)展趨勢(shì):1低電壓化半導(dǎo)體工藝等級(jí)在未來十年將從 0.18微米向 50納米工藝邁進(jìn), 芯片所需最 低電壓最終將變?yōu)?0.6V ,但輸出電流將朝著大電流方向發(fā)展。2高效化應(yīng)用各種軟開關(guān)技術(shù),包括無源無損軟開關(guān)技術(shù)、有源軟開關(guān)技術(shù),如 ZVS/ZCS諧振、準(zhǔn)諧振;恒頻零開關(guān)技術(shù);零電壓、零電流轉(zhuǎn)換技術(shù)及目前同步 整流用 MOSFET 代替整流二極管都能大大地提高模塊在低輸出電壓時(shí)的效率,而 效率的提高使得敞開式無散熱器的電源模塊有了實(shí)現(xiàn)的可能。3大電流、高密度化4高頻化為了縮小開關(guān)電源的體積, 提高電源的功率密度并改善其動(dòng)態(tài)響應(yīng), 小功率 DC -DC 變換器的開關(guān)頻

15、率已將現(xiàn)在的 200500kHz 提高到 1MHz 以上,但高頻 化又會(huì)產(chǎn)生新的問題, 如開關(guān)損耗以及無源元件的損耗增大, 高頻寄生參數(shù)以及 高頻電磁干擾增大等。5在封裝結(jié)構(gòu)上正朝著薄型,甚至超薄型方向發(fā)展2. 降壓型 PWM AC-DC開關(guān)電源設(shè)計(jì)的基本要求設(shè)計(jì)一款降壓型 PWM AC-DC開關(guān)電源,設(shè)計(jì)參數(shù)如下:輸入?yún)?shù):1. 輸入交流電壓:單相 AC220V2. 輸入電壓變動(dòng)范圍:±20%3. 輸入頻率:50Hz ±2Hz輸出參數(shù) :1. 輸出直流電壓:24V2. 輸出功率:約 200W設(shè)計(jì)基本要求 :1. 設(shè)計(jì)主電路;2. 設(shè)計(jì)控制電路和保護(hù)電路;3. 計(jì)算主電路電

16、力電子器件參數(shù);4. 繪制主電路、控制電路和保護(hù)電路電路圖;5. 繪制完整電路圖。3. 電路總體方案的設(shè)計(jì)及相關(guān)原理電源有一種輸入,即單相 220V 交流電壓,設(shè)計(jì)輸入電壓變動(dòng)范圍為 ±20%。有一種輸出:24V 直流電壓,輸出功率約為 200W 。交流 220V 經(jīng)過一個(gè)濾波整流 電路后得到直流電壓,送入 DC-DC 降壓斬波電路,控制電路提供控制信號(hào)控制 IGBT 的關(guān)斷,調(diào)節(jié)直流電壓的占空比,最后經(jīng)過 LC 濾波電路的到所需電壓。通 過對(duì)輸出電壓的取樣, 比較和放大, 調(diào)節(jié)控制脈沖的寬度, 以達(dá)到穩(wěn)壓輸出的目 的。開關(guān)電源原理框圖如下:整流部分是利用具有單向?qū)ㄐ缘亩O管構(gòu)成橋

17、式電路來實(shí)現(xiàn)的; 濾波部分是利 用電容電感器件的儲(chǔ)能效應(yīng),構(gòu)成 LC 電路來實(shí)現(xiàn)的;降壓部分是利用降壓斬波 電路來實(shí)現(xiàn),控制方式為脈寬調(diào)制控制(PWM ,即在控制時(shí)對(duì)半導(dǎo)體開關(guān)器件 的導(dǎo)通和關(guān)斷進(jìn)行控制 , 使輸出端得到一系列幅值相等而寬度不相等的脈沖 , 用這些脈沖來代替正弦波或其他所需要的波形。本次設(shè)計(jì)的開關(guān)電源控制時(shí) 首先保持主電路開關(guān)元件的恒定工作周期(T=ton+toff ,再由輸出信號(hào)與基準(zhǔn) 信號(hào)的差值來控制閉環(huán)反饋, 以調(diào)節(jié)導(dǎo)通時(shí)間 ton , 最終控制輸出電壓 (或電流 的穩(wěn)定。4. 主電路設(shè)計(jì)及參數(shù)計(jì)算4.1 主電路的設(shè)計(jì)主電路主要完成對(duì)交流的整流濾波,對(duì)直流電壓降壓和濾波三

18、個(gè)工作。 整流電路圖設(shè)計(jì)如下: 平均值,在經(jīng)過 LC 濾波電路是電壓穩(wěn)定。降壓斬波電路設(shè)計(jì)如下圖:脈寬調(diào)制控制型號(hào)有 IGBT 驅(qū)動(dòng)電路發(fā)出; RCD 保護(hù)電路用以緩沖 IGBT 在高頻工 作環(huán)境下關(guān)斷時(shí)因?yàn)檎螂娏餮杆俳档投删€路電感在器件兩端感應(yīng)出的過電 壓。 工作時(shí)的波形圖如下: 4.2 主電路的參數(shù)確定設(shè)計(jì)輸入電流為頻率 50Hz 的單相 220V 交流電,其脈沖周期為:經(jīng)過整流后得到的是只有正半部分的正弦波幅值與輸入電壓一樣, 但周期為輸入 電壓一般,即sHzf T in in 205011=ss T T in 102202=設(shè)計(jì)輸出電壓為直流 24V 穩(wěn)壓,電流為 8A 直流。占空

19、比 通常取 0.40.45,該 電路取 =0.42,考慮 IGBT 和二極管的導(dǎo)通壓降取 0.8V ,電感壓降取 0.2V 。于 是可以得到:設(shè)計(jì)輸出功率為 200W ,所以可以確定:又由于 Uin2=Uo1,確定電阻 R1=100,一次側(cè)與二次側(cè)線圈匝數(shù)比 N1/N2=2, 可以確定整流濾波電路中的回路電流及分壓電阻 R0為:對(duì)于整流濾波電路中的四個(gè)二極管 VD1、 VD2、 VD3、 VD4,它們承受的反向最大 峰值電壓為輸入電壓 Uin 最大值的一半,約為 77.8V ;流過的最大平均電流約為 0.5952A 。 所以我們可以選擇正向平均電流 I(AV大于 0.62A , 反向重復(fù)峰值電

20、壓 Urrm 大于 156V 的電力二極管用來構(gòu)成全橋。對(duì)于斬波電路中的電力二極管 VD ,承受的最大反向重復(fù)峰值電壓約為 84.2V ,最大正向平均電流 I(AV約為 8.33A ,所以我們可以選擇正向平均電流V V VU U s s t T t s s T t o in on off on 52. 5942. 025 2. 08. 0(8. 5 2. 410(2. 442. 0*102=+=-=-=88. 233. 82433. 824200222AV I U R A Vw U P I o o o o o =-=-=8. 815952. 08. 152. 591102. 08. 0*215

21、952. 010052. 59120121AV V V I V V U U R AV R U I o in in in oI(AV大于 8.5A , 反向重復(fù)峰值電壓 Urrm 大于 169V 的電力二極管作為續(xù)流二極 管。對(duì)于斬波電路中的 IGBT VT,集射極承受的最大電壓 Uce 約為 84.2V ,流過 的最大電流值約為 8.33A , 則最大耗散功率約為 701.2W 。 所以我們可以選擇最大 集射極間電壓大于 85V ,最大集電極電流大于 8.5A ,最大集電極功耗大于 723W 的 IGBT 。綜上所述,主電路的主要參數(shù)如下:所用電力二極管和 IGBT 的導(dǎo)通壓降約為 0.8V

22、,電感壓降約為 0.2V1. 整流濾波電路部分:一次側(cè)與二次側(cè)線圈匝數(shù)比 N1/N2:2輸入電壓 Uin :單相 220V 交流輸出電壓 Uo1:59.52V 直流回路電流平均值 Io1:0.5952A電阻 R0:81.8電阻 R1:100電力二極管 VD1、 VD2、 VD3、 VD4參數(shù):正向平均電流 I(AV 0.62A ,反向重復(fù)峰值電壓 Urrm 156V 2. 降壓斬波電路部分:輸入電壓 Uin2:59.52V 直流輸出電壓 Uo :24V 穩(wěn)壓直流回路電流平均值(輸出電流 Io2:8.33A輸出功率:200W電阻 R2:2.88占空比 :0.42電力二極管:正向平均電流 I(AV

23、 8.5A ,反向重復(fù)峰值電壓 Urrm 169V IGBT參數(shù):最大集射極間電壓 Uces 85V ,最大集電極電流 Ic 8.5A 最大集電極功耗 Pcm 723W5. 控制電路、驅(qū)動(dòng)電路及保護(hù)電路的設(shè)計(jì)5.1 控制及驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì) 4本文設(shè)計(jì)的開關(guān)電源的控制及驅(qū)動(dòng)電路的核心為三菱公司的 M579系列驅(qū)動(dòng) 器。電路圖如下所示: 該集成驅(qū)動(dòng)器的內(nèi)部包含有檢測(cè)電路、 定時(shí)及復(fù)位電路和電氣隔離環(huán)節(jié), 可在發(fā) 生過電流時(shí)能快速響應(yīng)但慢速關(guān)斷 IGBT 。輸出的正驅(qū)動(dòng)電壓為 +15V,負(fù)驅(qū)動(dòng)電 壓為 -10V 。5.2 保護(hù)電路的設(shè)計(jì)本文設(shè)計(jì)的電源電路主要需要對(duì) IGBT 在開通時(shí)采取 di/dt保護(hù)和在關(guān)斷時(shí) 采取過電壓保護(hù),可選擇復(fù)合緩沖電路作為 IGBT 的保護(hù)電路,電路圖如下: 6. 課程設(shè)計(jì)總結(jié)通過本次課程設(shè)計(jì), 使我更加深刻地理解了直流斬波電路以及開關(guān)電源, 了 解了開關(guān)電源的基本結(jié)構(gòu)、 設(shè)計(jì)過程和實(shí)現(xiàn)的功能。 使我了解到開關(guān)電源在電子 設(shè)備、電力設(shè)備和通信系統(tǒng)的直流供電中得到廣泛應(yīng)用,在高頻開關(guān)電源中, DC-DC 變換是其核心。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,高集成度,功能強(qiáng)大的大規(guī)模集 成電路不斷出現(xiàn), 使電子設(shè)備不斷縮小, 重量不斷減輕, 相應(yīng)地要求系統(tǒng)供電電 源的體積和重量相應(yīng)減小, 如何減小開關(guān)電源的體積, 提高其效率,