生產(chǎn)工藝對通訊線電性能的影響

1、生產(chǎn)工藝對通訊線電性能的影響生產(chǎn)工藝對通訊線電性能的影響 v通訊線是作為傳輸通信信號用的線材因此多數(shù)有電氣性能要求包括阻抗衰減串音衰減(近端和遠端等)回波損耗延時對內(nèi)延時差對間延時差等性能。下面就生產(chǎn)中常接觸的一些電氣性能做簡要介紹并簡要列出工藝條件與這些性能之間的關(guān)系供生產(chǎn)線人員參考生產(chǎn)過程中通過調(diào)整各工序的工藝參數(shù)使產(chǎn)品性能達到更佳。 一同軸線v 1特性阻抗v 電磁波延均勻電纜線路傳播而沒有反射時所遇到的阻抗。 v 阻抗Z0=60/()(D/d*Ks) v Z0阻抗介電常數(shù)D絕緣線徑d導(dǎo)體線徑Ks絞合系數(shù)v 影響阻抗的因素介電常數(shù)絕緣線徑導(dǎo)體線徑。 v1)介電常數(shù)是材料本身固有的不同的材料

2、具有不同的介電常數(shù)。可通過發(fā)泡度的大小來改變介電常數(shù)的大小即發(fā)泡度增大介電常數(shù)減小阻抗增大發(fā)泡度減小介電常數(shù)增大阻抗減小。發(fā)泡度不均勻介電常數(shù)不均勻阻抗不均勻。 v2)絕緣線徑絕緣線徑增大阻抗增大絕緣線徑減小阻抗減小。絕緣線徑不均勻阻抗不均勻。 v 3)導(dǎo)體線徑: 導(dǎo)體線徑增大阻抗減小導(dǎo)體線徑減小阻抗增大。導(dǎo)體線徑不均勻阻抗不均勻。 v 2衰減v 衰減是重要參數(shù)之一它反映了電磁能量沿電纜傳輸時的損耗的大小。電纜的衰減越大信號的損耗越嚴重傳輸效率越差。衰減由導(dǎo)體衰減和介質(zhì)衰減兩部分組成它們都與頻率有關(guān)。導(dǎo)體的損耗隨頻率的平方根增加介質(zhì)的損耗與頻率成正比。頻率低時導(dǎo)體影響大頻率越高介質(zhì)對衰減的作用

3、越大高頻時約各占50%。導(dǎo)體是影響衰減的主要因素。v=(0.4343/Z0*D)(D/d*Ks+Fbd)F+2.78*df*F*vFbd編織系數(shù)=(8D+16ds)/(C*N*ds)vds編織導(dǎo)體直徑C編織錠子數(shù)N每錠根數(shù)。vF頻率df介質(zhì)損耗系數(shù)v影響衰減的因素阻抗絕緣線徑導(dǎo)體直徑編織錠子數(shù)每錠根數(shù)。v1)阻抗增大衰減減小v2)絕緣線徑增大阻抗增大衰減減小v3)導(dǎo)體直徑增大衰減減小v4)發(fā)泡度增加介電常數(shù)減小衰減減小v5) 外導(dǎo)體變化的影響va)編織密度增加衰減減小vb)編織+鋁箔結(jié)構(gòu)衰減減小vc)鋁箔厚度增加衰減減小v3回波損耗v回波主要是由于線路中阻抗的變化而產(chǎn)生。電纜制做工藝及電纜結(jié)構(gòu)

4、的不穩(wěn)定均可產(chǎn)生回波。v影響回波損耗的因素導(dǎo)體的均勻性絕緣的均勻性發(fā)泡度的均勻性結(jié)構(gòu)尺寸的均勻性。v1)導(dǎo)體直徑不均勻?qū)w有彎導(dǎo)體不圓回波v2)絕緣芯線偏心橢圓線徑不均勻回波v3)發(fā)泡度不均勻回波v4)編織與外被的松緊也可引起回波的產(chǎn)生v4延時信號從發(fā)射機傳播到接受機所用的時間。vTd=1.016v影響延時的因素介電常數(shù)即延時是由不同的絕緣材料決定的發(fā)泡度。v1)不同材料的介電常數(shù)如下vPE:2.3; 發(fā)泡PE:1.291.64; PVC:38; PP:2.2; FEP:2.1;v2) 發(fā)泡度增加介電常數(shù)減小延時減小。二對絞線v 1阻抗 v Z0=(462(1.3D/d*Ks)/ v 介電常數(shù)

5、D絕緣線徑d導(dǎo)體線徑Ks絞合系數(shù)v 影響阻抗的因素介電常數(shù)絕緣線徑導(dǎo)體線徑對絞節(jié)距繞包松緊(對屏蔽)成纜節(jié)距成纜包帶松緊編織的松緊外被的松緊。v 1) 發(fā)泡度:發(fā)泡度增大介電常數(shù)減小阻抗增大發(fā)泡度減小介電常數(shù)增大阻抗減小。發(fā)泡度不均勻介電常數(shù)不均勻阻抗不均勻。v 2)絕緣線徑絕緣線徑增大阻抗增大絕緣線徑減小阻抗減小。絕緣線徑不均勻阻抗不均勻。v 3)導(dǎo)體線徑: 導(dǎo)體線徑增大阻抗減小導(dǎo)體線徑減小阻抗增大。v 4) 對絞節(jié)距v A)非屏蔽線對對絞節(jié)距加大阻抗增大對絞節(jié)距減小阻抗減小v B)屏蔽線對v 1)繞包對絞節(jié)距減小阻抗增大對絞節(jié)距增大阻抗減小繞包方向與對絞方向相反阻抗大繞包方向與對絞方向相同

6、阻抗小v 2)拖包對絞節(jié)距減小阻抗減小對絞節(jié)距增大阻抗增大v 5)繞包繞包張力小鋁箔松阻抗大繞包張力大鋁箔緊阻抗小。 v 6)成纜節(jié)距(非對屏蔽)成纜節(jié)距增大阻抗增大成纜節(jié)距減小阻抗減小。 v 7)成纜包帶(非對屏蔽) 成纜包帶松阻抗增大成纜包帶緊阻抗減小。v 8)編織的松緊(非對屏蔽) 編織緊阻抗減小編織松阻抗增大。v 9)外被的松緊(非對屏蔽) 外被松阻抗大外被緊阻抗小。 v2衰減 v影響衰減的因素導(dǎo)體絕緣介質(zhì)絕緣線徑頻率對絞節(jié)距對屏蔽松緊對屏蔽厚度成纜節(jié)距總屏蔽總屏蔽厚度對內(nèi)延時差。 v1)導(dǎo)體v導(dǎo)體線徑大衰減小導(dǎo)體線徑小衰減大v導(dǎo)體絞合節(jié)距增大衰減減小導(dǎo)體絞合節(jié)距減小衰減增大v導(dǎo)體絞合

7、質(zhì)量差(起股松散不圓整等)高頻衰減跳動。 v2)絕緣介質(zhì)介電常數(shù)小衰減小介電常數(shù)大衰減大v發(fā)泡度增大介電常數(shù)減小衰減減小發(fā)泡度減小介電常數(shù)增大衰減增大。v3)絕緣線徑絕緣線徑增大阻抗增大衰減減小絕緣線徑減小阻抗減小衰減增大。 v4)頻率越高衰減越大。 v 5)對絞節(jié)距對絞節(jié)距增大衰減減小對絞節(jié)距減小衰減增大。v 6)對屏蔽無論是何種屏蔽加了屏蔽后衰減都要比無屏蔽時大。v 鋁箔繞包過緊衰減增大鋁箔繞包松衰減減小鋁箔繞包緊高頻衰減無跳動鋁箔繞包過緊低頻衰減跳動鋁箔繞包松高頻衰減有跳動。v 鋁箔繞包不平整高頻衰減跳動。v 鋁箔繞包方向與對絞方向相反衰減減小。v 7)對屏蔽厚度鋁箔厚度增加衰減減小鋁箔

8、厚度減小衰減增大。v 鋁箔厚繞包時不容易繞緊可導(dǎo)致高頻衰減跳動。v 8)成纜節(jié)距: 成纜節(jié)距增大衰減減小成纜節(jié)距減小衰減增大。v 9)總屏蔽: 屏蔽厚度及密度增加衰減減小屏蔽厚度及密度減小衰減增大。v 10)對內(nèi)延時差大衰減偏大。v 3串音 v 電磁波從一個傳輸回路(主串回路)串入另一個傳輸回路(被串回路)的現(xiàn)象稱為串音。這是電纜回路間的干擾是電磁場的作用。當回路不對稱導(dǎo)體直徑不同或線間距離不同都會影響串音。串音衰減表示能量從主串回路串入被串回路時的衰減程度。串音衰減越大,在串音過程中能量的衰減越大串音的影響就越小反之串音的影響就越嚴重。我們平常所說的串音即指串音衰減。v 近端串音衰減主串回路

9、發(fā)送功率串到被串回路近端后的衰減值。v 遠端串音衰減主串回路發(fā)送功率串到被串回路遠端后的衰減值。v 影響串音的因素絕緣芯線對絞芯線的對稱性對絞節(jié)距的大小對絞節(jié)距的配合。v 1)絕緣芯線絕緣芯線的偏心橢圓線徑不均勻串音v 2)對絞芯線的對稱性2根芯線的放線張力不均節(jié)距不均勻串音v 3)對絞節(jié)距的大小節(jié)距減小串音增大節(jié)距增大串音減小。v 4)對絞節(jié)距的配合節(jié)距的配合應(yīng)遵循一定的規(guī)律通過公式計算得出才可使串音性能提高。 v4回波損耗 v影響回波損耗的因素導(dǎo)體的均勻性絕緣的均勻性發(fā)泡度的均勻性結(jié)構(gòu)尺寸的均勻性。v1)導(dǎo)體直徑不均勻?qū)w有彎導(dǎo)體不圓回波v2)絕緣芯線偏心橢圓線徑不均勻回波v3)發(fā)泡度不均勻回波v4)結(jié)構(gòu)尺寸的均勻性對絞節(jié)距不均勻回波。v 5延時 v 影響延時的因素介電常數(shù)即延時是由不同的絕緣材料決定的發(fā)泡度對絞節(jié)距成纜節(jié)距。 v 1)發(fā)泡度增加介電常數(shù)減小延時減小。v 2)對絞節(jié)距增加延時減小。v 3)成纜節(jié)距增加延時減小。v6對內(nèi)延時差一個對絞組內(nèi)芯與芯間傳播延時的差值。 v影響對內(nèi)延時差的因素絕緣芯線的均勻性發(fā)泡度的均勻性對絞節(jié)距對絞放線張力的一致性。 v1)2根對絞芯線不均勻(導(dǎo)體絕緣)對內(nèi)延時差偏大v2