電腦基本硬件配置和參數(shù)說明

1、.電腦根本硬件配置和參數(shù)說明1電腦根本硬件配置和參數(shù)說明12020-12-21 11：24六：顯存容量顯存容量是顯卡上本地顯存的容量數(shù)，這是選擇顯卡的關鍵參數(shù)之一。顯存容量的大小決定著顯存臨時存儲數(shù)據(jù)的才能，在一定程度上也會影響顯卡的性能。顯存容量也是隨著顯卡的開展而逐步增大的，并且有越來越增大的趨勢。顯存容量從早期的512KB、1MB、2MB等極小容量，開展到8MB、12MB、16MB、32MB、64MB，一直到目前主流的128MB、256MB和高檔顯卡的512MB，某些專業(yè)顯卡甚至已經(jīng)具有1GB的顯存了。值得注意的是，顯存容量越大并不一定意味著顯卡的性能就越高，因為決定顯卡性能的三要素首先

2、是其所采用的顯示芯片，其次是顯存帶寬這取決于顯存位寬和顯存頻率，最后才是顯存容量。一款顯卡終究應該裝備多大的顯存容量才適宜是由其所采用的顯示芯片所決定的，也就是說顯存容量應該與顯示核心的性能相匹配才合理，顯示芯片性能越高由于其處理才能越高所裝備的顯存容量相應也應該越大，而低性能的顯示芯片裝備大容量顯存對其性能是沒有任何幫助的。七：什么是頂點著色單元頂點著色單元是顯示芯片內部用來處理頂點Vertex信息并完成著色工作的并行處理單元。頂點著色單元決定了顯卡的三角形處理和生成才能，所以也是衡量顯示芯片性能特別是3D性能的重要參數(shù)。頂點Vertex是圖形學中的最根本元素，在三維空間中，每個頂點都擁有自

3、己的坐標和顏色值等參數(shù)，三個頂點可以構成成一個三角形，而顯卡所最終生成的立體畫面那么是由數(shù)量繁多的三角形構成的，而三角形數(shù)量的多少就決定了畫面質量的上下，畫面越真實越精巧，就越需要數(shù)量更多的三角形來構成。頂點著色單元就是處理著些信息然后再送給像素渲染單元完成最后的貼圖工作，最后再輸出到顯示器就成為我們所看到的3D畫面。而顯卡的頂點處理才能缺乏，就會導致要么降低畫質，要么降低速度。在一樣的顯示核心下，頂點著色單元的數(shù)量就決定了顯卡的性能上下，數(shù)量越多也就意味著性能越高，例如具有6個頂點著色單元的GeForce6800GT就要比只具有5個頂點著色單元的GeForce6800性能高：但在不同的顯示核

4、心架構下頂點著色單元的數(shù)量多那么并不一定就意味著性能越高，這還要取決于頂點著色單元的效率以及顯卡的其它參數(shù)，例如具有4個頂點著色單元的Radeon9800Pro其性能還不如只具有3個頂點著色單元的GeForce6600GT。最后來個補充說明顯卡的主要構成極其參數(shù)1、顯示芯片型號、版本級別、開發(fā)代號、制造工藝、核心頻率2、顯存類型、位寬、容量、封裝類型、速度、頻率3、技術象素渲染管線、頂點著色引擎數(shù)、3DAPI、RAMDAC頻率及支持MAX分辨率4、PCB板PCB層數(shù)、顯卡接口、輸出接口、散熱裝置5、品牌1、顯示芯片顯示芯片，又稱圖型處理器-GPU，它在顯卡中的作用，就如同CPU在電腦中的作用一

5、樣。更直接的比喻就是大腦在人身體里的作用。先簡要介紹一下常見的消費顯示芯片的廠商：Intel、ATI、nVidia、VIAS3、SIS、Matrox、3DLabs。Intel、VIAS3、SIS主要消費集成芯片；ATI、nVidia以獨立芯片為主，是目前市場上的主流，但由于ATi如今已經(jīng)被AMD收購，以后是否會繼續(xù)出獨立顯示芯片很難說了；Matrox、3DLabs那么主要面向專業(yè)圖形市場。由于ATI和nVidia根本占據(jù)了主流顯卡市場，下面主要將主要針對這兩家公司的產(chǎn)品做介紹。型號ATi公司的主要品牌Radeon鐳系列，其型號由早其的RadeonXpress200到RadeonX300、X55

6、0、X600、X700、X800、X850到近期的RadeonX1300、X1600、X1800、X1900、X1950性能依次由低到高。nVIDIA公司的主要品牌GeForce系列，其型號由早其的GeForce256、GeForce2100/200/400、GeForce3200/500、GeForce4420/440/460/4000/4200/4400/4600/4800到GeForceFX5200/5500/5600/5700/5800/5900/5950、GeForce6100/6150/6200/6400/6500/6600/6800/再到近其的GeForce7300/7600/7

7、800/7900/7950性能依次由低到高。版本級別除了上述標準版本之外，還有些特殊版，特殊版一般會在標準版的型號后面加個后綴，常見的有：ATi：SESimplifyEdition簡化版通常只有64bit內存界面,或者是像素流水線數(shù)量減少。ProProfessionalEdition專業(yè)版高頻版，一般比標版在管線數(shù)量/頂點數(shù)量還有頻率這些方面都要略微高一點。XTeXTreme高端版是ATi系列中高端的，而nVIDIA用作低端型號。XTPEeXTremePremiumEditionXT白金版高端的型號。XLeXtremeLimited高端系列中的較低端型號ATI最新推出的R430中的高頻版XTX

8、XTeXtreme高端版X1000系列發(fā)布之后的新的命名規(guī)那么。CECrossfireEdition穿插火力版穿插火力。VIVOVIDEOINandVIDEOOUT指顯卡同時具備視頻輸入與視頻捕捉兩大功能。HMHyperMemory可以占用內存的顯卡nVIDIA：ZT在XT根底上再次降頻以降低價格。XT降頻版，而在ATi中表示最高端。LELowerEdition低端版和XT根本一樣，ATi也用過。MX平價版，群眾類。GTS/GS低頻版。GE比GS稍強點，其實就是超了頻的GS。GT高頻版。比GS高一個檔次因為GT沒有縮減管線和頂點單元。GTO比GT稍強點,有點汽車中GTO的味道。Ultra在GF

9、7系列之前代表著最高端，但7系列最高端的命名就改為GTX。GTXGTeXtreme加強版，降頻或者縮減流水管道后成為GT，再繼續(xù)縮水成為GS版本。GT2雙GPU顯卡。TITitanium鈦一般就是代表了nVidia的高端版本。Go多用語挪動平臺。TCTurboCache可以占用內存的顯卡在所有硬件當中只有硬盤的開展速度是最慢的。參數(shù)不多但有必要理解你的硬盤一：接口類型硬盤接口是硬盤與主機系統(tǒng)間的連接部件，作用是在硬盤緩存和主機內存之間傳輸數(shù)據(jù)。不同的硬盤接口決定著硬盤與計算機之間的連接速度，在整個系統(tǒng)中，硬盤接口的優(yōu)劣直接影響著程序運行快慢和系統(tǒng)性能好壞。從整體的角度上，硬盤接口分為IDE、S

10、ATA、SCSI和光纖通道四種，IDE接口硬盤多用于家用產(chǎn)品中，也部分應用于效勞器，SCSI接口的硬盤那么主要應用于效勞器市場，而光纖通道只在高端效勞器上，價格昂貴。SATA是種新生的硬盤接口類型，還正出于市場普及階段，在家用市場中有著廣泛的前景。在IDE和SCSI的大類別下，又可以分出多種詳細的接口類型，又各自擁有不同的技術標準，具備不同的傳輸速度，比方ATA100和SATA；Ultra160SCSI和Ultra320SCSI都代表著一種詳細的硬盤接口，各自的速度差異也較大。IDE IDE的英文全稱為"IntegratedDriveElectronics"，即"

11、電子集成驅動器"，它的本意是指把"硬盤控制器"與"盤體"集成在一起的硬盤驅動器。把盤體與控制器集成在一起的做法減少了硬盤接口的電纜數(shù)目與長度，數(shù)據(jù)傳輸?shù)目煽啃缘玫搅嗽鰪姡脖P制造起來變得更容易，因為硬盤消費廠商不需要再擔憂自己的硬盤是否與其它廠商消費的控制器兼容。對用戶而言，硬盤安裝起來也更為方便。IDE這一接口技術從誕生至今就一直在不斷開展，性能也不斷的進步，其擁有的價格低廉、兼容性強的特點，為其造就了其它類型硬盤無法替代的地位。IDE代表著硬盤的一種類型，但在實際的應用中，人們也習慣用IDE來稱呼最早出現(xiàn)IDE類型硬盤ATA-1，這種類型的

12、接口隨著接口技術的開展已經(jīng)被淘汰了，而其后開展分支出更多類型的硬盤接口，比方ATA、UltraATA、DMA、UltraDMA等接口都屬于IDE硬盤。SCSI SCSI的英文全稱為"SmallComputerSystemInterface"小型計算機系統(tǒng)接口，是同IDEATA完全不同的接口，IDE接口是普通PC的標準接口，而SCSI并不是專門為硬盤設計的接口，是一種廣泛應用于小型機上的高速數(shù)據(jù)傳輸技術。SCSI接口具有應用范圍廣、多任務、帶寬大、CPU占用率低，以及熱插拔等優(yōu)點，但較高的價格使得它很難如IDE硬盤般普及，因此SCSI硬盤主要應用于中、高端效勞器和高檔工作站中

13、。光纖通道光纖通道的英文拼寫是FibreChannel，和SCIS接口一樣光纖通道最初也不是為硬盤設計開發(fā)的接口技術，是專門為網(wǎng)絡系統(tǒng)設計的，但隨著存儲系統(tǒng)對速度的需求，才逐漸應用到硬盤系統(tǒng)中。光纖通道硬盤是為進步多硬盤存儲系統(tǒng)的速度和靈敏性才開發(fā)的，它的出現(xiàn)大大進步了多硬盤系統(tǒng)的通信速度。光纖通道的主要特性有：熱插拔性、高速帶寬、遠程連接、連接設備數(shù)量大等。光纖通道是為在像效勞器這樣的多硬盤系統(tǒng)環(huán)境而設計，能滿足高端工作站、效勞器、海量存儲子網(wǎng)絡、外設間通過集線器、交換機和點對點連接進展雙向、串行數(shù)據(jù)通訊等系統(tǒng)對高數(shù)據(jù)傳輸率的要求。SATA使用SATASerialATA口的硬盤又叫串口硬盤，

14、是將來PC機硬盤的趨勢。2001年，由Intel、APT、Dell、IBM、希捷、邁拓這幾大廠商組成的SerialATA委員會正式確立了SerialATA1.0標準，2002年，雖然串行ATA的相關設備還未正式上市，但SerialATA委員會已搶先確立了SerialATA2.0標準。SerialATA采用串行連接方式，串行ATA總線使用嵌入式時鐘信號，具備了更強的糾錯才能，與以往相比其最大的區(qū)別在于能對傳輸指令不僅僅是數(shù)據(jù)進展檢查，假設發(fā)現(xiàn)錯誤會自動矯正，這在很大程度上進步了數(shù)據(jù)傳輸?shù)目煽啃?。串行接口還具有構造簡單、支持熱插拔的優(yōu)點。串口硬盤是一種完全不同于并行ATA的新型硬盤接口類型，由于采

15、用串行方式傳輸數(shù)據(jù)而知名。相對于并行ATA來說，就具有非常多的優(yōu)勢。首先，SerialATA以連續(xù)串行的方式傳送數(shù)據(jù)，一次只會傳送1位數(shù)據(jù)。這樣能減少SATA接口的針腳數(shù)目，使連接電纜數(shù)目變少，效率也會更高。實際上，SerialATA僅用四支針腳就能完成所有的工作，分別用于連接電纜、連接地線、發(fā)送數(shù)據(jù)和接收數(shù)據(jù)，同時這樣的架構還能降低系統(tǒng)能耗和減小系統(tǒng)復雜性。其次，SerialATA的起點更高、開展?jié)摿Ω?，SerialATA1.0定義的數(shù)據(jù)傳輸率可達150MB/s，這比目前最新的并行ATA即ATA/133所能到達133MB/s的最高數(shù)據(jù)傳輸率還高，而在SerialATA2.0的數(shù)據(jù)傳輸率將到

16、達300MB/s，最終SATA將實現(xiàn)600MB/s的最高數(shù)據(jù)傳輸率。二：SATA與ATA區(qū)別串行高級技術配件SATA是一項新興的標準電子接口技術。SATA的性能有望超過前一代技術-并行ATA，因為它可以提供更高的性能，而本錢卻只是SCSI或光纖通道等傳統(tǒng)存儲技術的一小部分。顧名思義，SATA只是一種串行鏈接接口標準，用來控制及傳輸效勞器或存儲設備到客戶端應用之間的數(shù)據(jù)和信息。SATA用來把硬盤驅動器等存儲設備連接到主板上，從而增強系統(tǒng)性能、進步效率、大幅降低開發(fā)本錢。要理解SATA的優(yōu)點，就需要深化地理解并行ATA。并行ATA是基于集成驅動器電路IDE接口標準的一項硬驅技術，用于傳輸及交換計算

17、機主板總線到磁盤存儲設備間的數(shù)據(jù)。許多低端的網(wǎng)絡連接存儲NAS設備之所以采用并行ATA驅動器，是因為本錢效益。另外，還因為眾多的高帶寬應用，譬如備份與恢復、視頻監(jiān)控、視頻處理以及使用磁盤而不是磁帶的近線存儲。采用SATA的存儲設備配置起來要比采用并行ATA簡便得多，這歸因于其較小的格式參數(shù)。SATA所用的電纜要比并行ATA更長、更細，后者采用又粗又短又容易斷裂的電纜。另外，SATA采用7針數(shù)據(jù)連接器，而不是并行ATA的40針連接器。連接到磁盤驅動器的粗電纜裝配起來比較困難，還會堵住氣流、導致發(fā)熱，這一切都會影響硬件系統(tǒng)的總體性能和穩(wěn)定性。SATA鋪設及安裝起來簡單多了，緊湊性為主板和磁盤驅動器

18、騰出了多余的空間。SATA還采用低電壓差分信號技術，這與低功耗和冷卻的需求相一致。信號電壓從并行ATA的5伏降低到了SATA的區(qū)區(qū)0.7伏。這不僅降低了磁盤驅動器的功耗，還縮小了開關控制器的尺寸。這項接口技術采用了8/10位編碼方法，即把8位數(shù)據(jù)字節(jié)編碼成10位字符進展傳輸。采用串行技術以及8/10位編碼法，不僅進步了總體的傳輸性能，還完全繞開了并行傳輸存在的問題。這種數(shù)據(jù)完好性很高的方案提供了必要的嵌入計時和重要的數(shù)據(jù)完好性檢查功能，而這正是高速傳輸所需要的。SATA采用了點對點拓撲構造，而不是普遍應用于并行ATA或SCSI技術的基于總線的架構，所以SATA可以為每個連接設備提供全部帶寬，從

19、而進步了總體性能。據(jù)SATA工作組SerialATAWorkingGroup聲稱，由于進度表包括了三代增強型數(shù)據(jù)傳輸速率：設備的突發(fā)速率分別為150Mbps、300Mbps和600Mbps，SATA因此保證了長達10年的穩(wěn)定而安康的開展期。這項新標準還向后兼容，這樣串行格式轉換成并行格式就更方便了，反之亦然，而且還會加快采用SATA的速度。由于采用柔韌的細電纜、熱插拔連接器、進步了數(shù)據(jù)可靠性和保障性，而且軟件上完全兼容，SATA將給廉價的網(wǎng)絡存儲產(chǎn)品帶來宏大的市場時機。許多磁盤驅動器和芯片消費商已經(jīng)宣布推出支持SATA的產(chǎn)品，由80余家廠商組成的SATA工作組也得到了業(yè)界的廣泛支持。目前，SA

20、TA的本錢比并行ATA高出15%左右，但差距正在迅速縮小。預計在不遠的將來，SATA的本錢將與如今的并行ATA持平。三：筆記本硬盤尺寸：筆記本電腦所使用的硬盤一般是2.5英寸，而臺式機為3.5英寸，由于兩者的制作工藝技術參數(shù)不同，首先，2.5硬盤只是使用一個或兩個磁盤進展工作，而3.5的硬盤最多可以裝配五個進展工作；另外，由于3.5硬盤的磁盤直徑較大，那么可以相對提供較大的存儲容量；假設只是進展區(qū)域密度存儲容量比較的話，2.5硬盤的表現(xiàn)也相當令人滿意。筆記本電腦硬盤是筆記本電腦中為數(shù)不多的通用部件之一，根本上所有筆記本電腦硬盤都是可以通用的。厚度：但是筆記本電腦硬盤有個臺式機硬盤沒有的參數(shù)，就

21、是厚度，標準的筆記本電腦硬盤有9.5，12.5，17.5mm三種厚度。9.5mm的硬盤是為超輕超薄機型設計的，12.5mm的硬盤主要用于厚度較大光軟互換和全內置機型，至于17.5mm的硬盤是以前單碟容量較小時的產(chǎn)物，如今已經(jīng)根本沒有機型采用了。轉數(shù)：筆記本電腦硬盤如今最快的是5400轉2MCache，支持DMA100主流型號只有4200轉512KCache，支持DMA66，但其速度和如今臺式機最慢的5400轉512KCache硬盤比較起來也相差甚遠，由于筆記本電腦硬盤采用的是2.5英寸盤片，即使轉速一樣時，外圈的線速度也無法和3.5英寸盤片的臺式機硬盤相比，筆記本電腦硬盤如今已經(jīng)是筆記本電腦性

22、能進步最大的瓶頸。接口類型：筆記本電腦硬盤一般采用3種形式和主板相連：用硬盤針腳直接和主板上的插座連接，用特殊的硬盤線和主板相連，或者采用轉接口和主板上的插座連接。不管采用哪種方式，效果都是一樣的，只是取決于廠家的設計。早期的筆記本的接口采用的主要是UltraATA/DMA33，然而筆記本硬盤轉速以及容量的進步使得它成為一個阻礙本本電腦速度的瓶頸。為此正如臺式機的開展趨勢，UltraATA/DMA66/100/133也被運用到了筆記本硬盤上。目前使用的是UltraATA100，E-IDE接口的產(chǎn)品在提供了高達100MB/s最大傳輸率的同時還將CPU從數(shù)據(jù)流中解放了出來。如今SATA串口技術已在

23、廣泛使用在了臺式機的硬盤中，目前在筆記本硬盤中也開場廣泛應用SerialATA接口技術，采用該接口僅以四只針腳便能完成所有工作。該技術重要之處在于可使接口驅動電路體積變得更加簡潔，高達150Mb/s的傳輸速度使廠商能更容易地制造出對處理器依賴性更小的微型高速筆記本硬盤。容量及采用技術：由于應用程序越來越龐大，硬盤容量也有愈來愈高的趨勢，對于筆記本電腦的硬盤來說，不但要求其容量大，還要求其體積小。為解決這個矛盾，筆記本電腦的硬盤普遍采用了磁阻磁頭MR技術或擴展磁阻磁頭MRX技術，MR磁頭以極高的密度記錄數(shù)據(jù)，從而增加了磁盤容量、進步數(shù)據(jù)吞吐率，同時還能減少磁頭數(shù)目和磁盤空間，進步磁盤的可靠性和抗

24、干擾、震動性能。它還采用了諸如增強型自適應電池壽命擴展器、PRML數(shù)字通道、新型平滑磁頭加載/卸載等高新技術。四：緩存緩存Cachememory是硬盤控制器上的一塊內存芯片，具有極快的存取速度，它是硬盤內部存儲和外界接口之間的緩沖器。由于硬盤的內部數(shù)據(jù)傳輸速度和外界介面?zhèn)鬏斔俣炔煌?，緩存在其中起到一個緩沖的作用。緩存的大小與速度是直接關系到硬盤的傳輸速度的重要因素，可以大幅度地進步硬盤整體性能。當硬盤存取零碎數(shù)據(jù)時需要不斷地在硬盤與內存之間交換數(shù)據(jù)，假設有大緩存，那么可以將那些零碎數(shù)據(jù)暫存在緩存中，減小外系統(tǒng)的負荷，也進步了數(shù)據(jù)的傳輸速度。硬盤的緩存主要起三種作用：一是預讀取。當硬盤受到CPU

25、指令控制開場讀取數(shù)據(jù)時，硬盤上的控制芯片會控制磁頭把正在讀取的簇的下一個或者幾個簇中的數(shù)據(jù)讀到緩存中由于硬盤上數(shù)據(jù)存儲時是比較連續(xù)的，所以讀取命中率較高，當需要讀取下一個或者幾個簇中的數(shù)據(jù)的時候，硬盤那么不需要再次讀取數(shù)據(jù)，直接把緩存中的數(shù)據(jù)傳輸?shù)絻却嬷芯涂梢粤?，由于緩存的速度遠遠高于磁頭讀寫的速度，所以可以到達明顯改善性能的目的；二是對寫入動作進展緩存。當硬盤接到寫入數(shù)據(jù)的指令之后，并不會馬上將數(shù)據(jù)寫入到盤片上，而是先暫時存儲在緩存里，然后發(fā)送一個"數(shù)據(jù)已寫入"的信號給系統(tǒng)，這時系統(tǒng)就會認為數(shù)據(jù)已經(jīng)寫入，并繼續(xù)執(zhí)行下面的工作，而硬盤那么在空閑不進展讀取或寫入的時候時再將緩

26、存中的數(shù)據(jù)寫入到盤片上。雖然對于寫入數(shù)據(jù)的性能有一定提升，但也不可防止地帶來了平安隱患-假設數(shù)據(jù)還在緩存里的時候突然掉電，那么這些數(shù)據(jù)就會喪失。對于這個問題，硬盤廠商們自然也有解決方法：掉電時，磁頭會借助慣性將緩存中的數(shù)據(jù)寫入零磁道以外的暫存區(qū)域，等到下次啟動時再將這些數(shù)據(jù)寫入目的地；第三個作用就是臨時存儲最近訪問過的數(shù)據(jù)。有時候，某些數(shù)據(jù)是會經(jīng)常需要訪問的，硬盤內部的緩存會將讀取比較頻繁的一些數(shù)據(jù)存儲在緩存中，再次讀取時就可以直接從緩存中直接傳輸。緩存容量的大小不同品牌、不同型號的產(chǎn)品各不一樣，早期的硬盤緩存根本都很小，只有幾百KB，已無法滿足用戶的需求。2MB和8MB緩存是現(xiàn)今主流硬盤所采

27、用，而在效勞器或特殊應用領域中還有緩存容量更大的產(chǎn)品，甚至到達了16MB、64MB等。大容量的緩存雖然可以在硬盤進展讀寫工作狀態(tài)下，讓更多的數(shù)據(jù)存儲在緩存中，以進步硬盤的訪問速度，但并不意味著緩存越大就越出眾。緩存的應用存在一個算法的問題，即便緩存容量很大，而沒有一個高效率的算法，那將導致應用中緩存數(shù)據(jù)的命中率偏低，無法有效發(fā)揮出大容量緩存的優(yōu)勢。算法是和緩存容量相輔相成，大容量的緩存需要更為有效率的算法，否那么性能會大大折扣，從技術角度上說，高容量緩存的算法是直接影響到硬盤性能發(fā)揮的重要因素。更大容量緩存是將來硬盤開展的必然趨勢。五：轉速轉速RotationlSpeed，是硬盤內電機主軸的旋

28、轉速度，也就是硬盤盤片在一分鐘內所能完成的最大轉數(shù)。轉速的快慢是標示硬盤檔次的重要參數(shù)之一，它是決定硬盤內部傳輸率的關鍵因素之一，在很大程度上直接影響到硬盤的速度。硬盤的轉速越快，硬盤尋找文件的速度也就越快，相對的硬盤的傳輸速度也就得到了進步。硬盤轉速以每分鐘多少轉來表示，單位表示為RPM，RPM是RevolutionsPerminute的縮寫，是轉/每分鐘。RPM值越大，內部傳輸率就越快，訪問時間就越短，硬盤的整體性能也就越好。硬盤的主軸馬達帶動盤片高速旋轉，產(chǎn)生浮力使磁頭飄浮在盤片上方。要將所要存取資料的扇區(qū)帶到磁頭下方，轉速越快，那么等待時間也就越短。因此轉速在很大程度上決定了硬盤的速度

29、。家用的普通硬盤的轉速一般有5400rpm、7200rpm幾種，高轉速硬盤也是如今臺式機用戶的首選；而對于筆記本用戶那么是4200rpm、5400rpm為主，雖然已經(jīng)有公司發(fā)布了7200rpm的筆記本硬盤，但在市場中還較為少見；效勞器用戶對硬盤性能要求最高，效勞器中使用的SCSI硬盤轉速根本都采用10000rpm，甚至還有15000rpm的，性能要超出家用產(chǎn)品很多。較高的轉速可縮短硬盤的平均尋道時間和實際讀寫時間，但隨著硬盤轉速的不斷進步也帶來了溫度升高、電機主軸磨損加大、工作噪音增大等負面影響。筆記本硬盤轉速低于臺式機硬盤，一定程度上是受到這個因素的影響。筆記本內部空間狹小，筆記本硬盤的尺寸

30、2.5寸也被設計的比臺式機硬盤3.5寸小，轉速進步造成的溫度上升，對筆記本本身的散熱性能提出了更高的要求；噪音變大，又必須采取必要的降噪措施，這些都對筆記本硬盤制造技術提出了更多的要求。同時轉速的進步，而其它的維持不變，那么意味著電機的功耗將增大，單位時間內消耗的電就越多，電池的工作時間縮短，這樣筆記本的便攜性就收到影響。所以筆記本硬盤一般都采用相對較低轉速的4200rpm硬盤。轉速是隨著硬盤電機的進步而改變的，如今液態(tài)軸承馬達Fluiddynamicbearingmotors已全面代替了傳統(tǒng)的滾珠軸承馬達。液態(tài)軸承馬達通常是應用于精細機械工業(yè)上，它使用的是黏膜液油軸承，以油膜代替滾珠。這樣可

31、以防止金屬面的直接磨擦，將噪聲及溫度被減至最低；同時油膜可有效吸收震動，使抗震才能得到進步；更可減少磨損，進步壽命。六：通過硬盤編號看硬盤信息下面列出幾款常見硬盤的實例編號定義。富士通硬盤編號格式：MHT2040AH MH：前綴名T：系列編號2：2.5英寸040：容量GBA：ATA，假設為B那么為SATA H：5400轉，假設為T那么為4200轉東芝硬盤編號格式：MK1233GAS MK：前綴名12：容量，120GB 33G：不知A：接口為ATA，S為SATA接口S：轉速和緩存，S表示4200轉，X的話那就是5400轉加16M緩存三星硬盤編號格式：MP0804H MP：前綴，也和接口有關系MP

32、開頭的為ATA，HM開頭的為SATA080：容量GB4：好象是單碟容量為40GB請原諒我好象一下吧。-_-H：接口類型.ATA為H，SATA為I西數(shù)硬盤編號格式：WD800VE WD：WesternDigital西部數(shù)據(jù)800：容量,少看個0就對了,80GB V：緩存。V為8M，U為2M E：不知道日立硬盤編號格式：HTE 726060M9AT00 H：日立。T：TravelStar E：用處。E代表效勞器，S代表PC，C代表1.8英寸72：轉速，72當然就是7200轉了。60：本系列產(chǎn)品最大容量，60表示60GB，100G以上的10表示100，12表示120。60：本硬盤容量GBM：9：厚度

33、，單位mm，略去小數(shù)點后尾數(shù)。AT：接口形式。AT=ATA，SA=SATA，CE=ZIF 00：保存位IBM硬盤編號格式IC25N080ATMR04-0 IC：IBM 25：2.5英寸N：硬盤厚度，N代表9.5mm，T代表12.5mm 080：本塊硬盤容量GBAT：接口，ATA MR：系列編號，MR=80GN，CS=40GN/40GNX/60GH，DA=30GN 04：4200轉，假設05那么為5400轉其中后綴：GN：4200轉，9.5mmGNX，5400轉，9.5mmDK23FB-60 DK23：系列名稱F：F表示第6代，A-E依此類推B：5400轉，A的話代表4200轉60：本塊硬盤容量

34、GB內存是必不可少的啦。參數(shù)也不是很多。不用怕。不會頭疼的一：DDR2與DDR DDR2與DDR的區(qū)別與DDR相比，DDR2最主要的改進是在內存模塊速度一樣的情況下，可以提供相當于DDR內存兩倍的帶寬。這主要是通過在每個設備上高效率使用兩個DRAM核心來實現(xiàn)的。作為比照，在每個設備上DDR內存只可以使用一個DRAM核心。技術上講，DDR2內存上仍然只有一個DRAM核心，但是它可以并行存取，在每次存取中處理4個數(shù)據(jù)而不是兩個數(shù)據(jù)。DDR2與DDR的區(qū)別示意圖與雙倍速運行的數(shù)據(jù)緩沖相結合，DDR2內存實現(xiàn)了在每個時鐘周期處理多達4bit的數(shù)據(jù)，比傳統(tǒng)DDR內存可以處理的2bit數(shù)據(jù)高了一倍。DDR

35、2內存另一個改進之處在于，它采用FBGA封裝方式替代了傳統(tǒng)的TSOP方式。然而，盡管DDR2內存采用的DRAM核心速度和DDR的一樣，但是我們仍然要使用新主板才能搭配DDR2內存，因為DDR2的物理規(guī)格和DDR是不兼容的。首先是接口不一樣，DDR2的針腳數(shù)量為240針，而DDR內存為184針；其次，DDR2內存的VDIMM電壓為1.8V，也和DDR內存的2.5V不同。DDR2的定義：DDR2DoubleDataRate2SDRAM是由JEDEC電子設備工程結合委員會進展開發(fā)的新生代內存技術標準，它與上一代DDR內存技術標準最大的不同就是，雖然同是采用了在時鐘的上升/下降延同時進展數(shù)據(jù)傳輸?shù)母?/p>

36、方式，但DDR2內存卻擁有兩倍于上一代DDR內存預讀取才能即：4bit數(shù)據(jù)讀預取。換句話說，DDR2內存每個時鐘可以以4倍外部總線的速度讀/寫數(shù)據(jù)，并且可以以內部控制總線4倍的速度運行。此外，由于DDR2標準規(guī)定所有DDR2內存均采用FBGA封裝形式，而不同于目前廣泛應用的TSOP/TSOP-II封裝形式，F(xiàn)BGA封裝可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性，為DDR2內存的穩(wěn)定工作與將來頻率的開展提供了堅實的根底?；叵肫餌DR的開展歷程，從第一代應用到個人電腦的DDR200經(jīng)過DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術，第一代DDR的開展也走到了技術的極限，已經(jīng)很難通過常規(guī)方法進步

37、內存的工作速度；隨著Intel最新處理器技術的開展，前端總線對內存帶寬的要求是越來越高，擁有更高更穩(wěn)定運行頻率的DDR2內存將是大勢所趨。DDR2與DDR的區(qū)別：在理解DDR2內存諸多新技術前，先讓我們看一組DDR和DDR2技術比照的數(shù)據(jù)。1、延遲問題：從上表可以看出，在同等核心頻率下，DDR2的實際工作頻率是DDR的兩倍。這得益于DDR2內存擁有兩倍于標準DDR內存的4BIT預讀取才能。換句話說，雖然DDR2和DDR一樣，都采用了在時鐘的上升延和下降延同時進展數(shù)據(jù)傳輸?shù)母痉绞?，但DDR2擁有兩倍于DDR的預讀取系統(tǒng)命令數(shù)據(jù)的才能。也就是說，在同樣100MHz的工作頻率下，DDR的實際頻率為

38、200MHz，而DDR2那么可以到達400MHz。這樣也就出現(xiàn)了另一個問題：在同等工作頻率的DDR和DDR2內存中，后者的內存延時要慢于前者。舉例來說，DDR200和DDR2-400具有一樣的延遲，而后者具有高一倍的帶寬。實際上，DDR2-400和DDR400具有一樣的帶寬，它們都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作頻率是200MHz，而DDR2-400的核心工作頻率是100MHz，也就是說DDR2-400的延遲要高于DDR400。2、封裝和發(fā)熱量：DDR2內存技術最大的打破點其實不在于用戶們所認為的兩倍于DDR的傳輸才能，而是在采用更低發(fā)熱量、更低功耗的情況下，DDR2可以獲得更快的

39、頻率提升，打破標準DDR的400MHZ限制。DDR內存通常采用TSOP芯片封裝形式，這種封裝形式可以很好的工作在200MHz上，當頻率更高時，它過長的管腳就會產(chǎn)生很高的阻抗和寄生電容，這會影響它的穩(wěn)定性和頻率提升的難度。這也就是DDR的核心頻率很難打破275MHZ的原因。而DDR2內存均采用FBGA封裝形式。不同于目前廣泛應用的TSOP封裝形式，F(xiàn)BGA封裝提供了更好的電氣性能與散熱性，為DDR2內存的穩(wěn)定工作與將來頻率的開展提供了良好的保障。DDR2內存采用1.8V電壓，相對于DDR標準的2.5V，降低了不少，從而提供了明顯的更小的功耗與更小的發(fā)熱量，這一點的變化是意義重大的。DDR2采用的

40、新技術：除了以上所說的區(qū)別外，DDR2還引入了三項新的技術，它們是OCD、ODT和PostCAS。OCDOff-ChipDriver：也就是所謂的離線驅動調整，DDRII通過OCD可以進步信號的完好性。DDRII通過調整上拉pull-up/下拉pull-down的電阻值使兩者電壓相等。使用OCD通過減少DQ-DQS的傾斜來進步信號的完好性；通過控制電壓來進步信號品質。ODT：ODT是內建核心的終結電阻器。我們知道使用DDRSDRAM的主板上面為了防止數(shù)據(jù)線終端反射信號需要大量的終結電阻。它大大增加了主板的制造本錢。實際上，不同的內存模組對終結電路的要求是不一樣的，終結電阻的大小決定了數(shù)據(jù)線的信

41、號比和反射率，終結電阻小那么數(shù)據(jù)線信號反射低但是信噪比也較低；終結電阻高，那么數(shù)據(jù)線的信噪比高，但是信號反射也會增加。因此主板上的終結電阻并不能非常好的匹配內存模組，還會在一定程度上影響信號品質。DDR2可以根據(jù)自已的特點內建適宜的終結電阻，這樣可以保證最正確的信號波形。使用DDR2不但可以降低主板本錢，還得到了最正確的信號品質，這是DDR不能比較的。PostCAS：它是為了進步DDRII內存的利用效率而設定的。在PostCAS操作中，CAS信號讀寫/命令可以被插到RAS信號后面的一個時鐘周期，CAS命令可以在附加延遲AdditiveLatency后面保持有效。原來的tRCDRAS到CAS和延

42、遲被ALAdditiveLatency所取代，AL可以在0，1，2，3，4中進展設置。由于CAS信號放在了RAS信號后面一個時鐘周期，因此ACT和CAS信號永遠也不會產(chǎn)生碰撞沖突?？偟膩碚f，DDR2采用了諸多的新技術，改善。目前DDR2尚未完全取代DDR內存，在目前的整機環(huán)境下，DDR2根本可以滿足各類型電腦的應用需求，那么最新一代的DDR3相比DDR2具有哪些優(yōu)勢，使得包括Intel和AMD以及A-DATA在內的眾多國際頂級廠商都致力于DDR3的開發(fā)與應用呢?由于DDR2的數(shù)據(jù)傳輸頻率開展到800MHz時，其內核工作頻率已經(jīng)到達了200MHz，因此，再向上提升較為困難，這就需要采用新的技術來

43、保證速度的可持續(xù)開展性。另外，也是由于速度進步的緣故，內存的地址/命令與控制總線需要有全新的拓樸構造，而且業(yè)界也要求內存要具有更低的能耗，所以，DDR3要滿足的需求就是：1.更高的外部數(shù)據(jù)傳輸率2.更先進的地址/命令與控制總線的拓樸架構3.在保證性能的同時將能耗進一步降低為了滿足上述要求，DDR3在DDR2的根底上采用了以下新型設計：1.8bit預取設計，而DDR2為4bit預取，這樣DRAM內核的頻率只有接口頻率的1/8，DDR3-800的核心工作頻率只有100MHz。2.采用點對點的拓樸架構，以減輕地址/命令與控制總線的負擔。3.采用100nm以下的消費工藝，將工作電壓從1.8V降至1.5

44、V，增加異步重置Reset與ZQ校準功能。DDR3與DDR2幾個主要的不同之處：突發(fā)長度Burst Length，BL由于DDR3的預取為8bit，所以突發(fā)傳輸周期Burst Length，BL也固定為8，而對于DDR2和早期的DDR架構系統(tǒng)，BL=4也是常用的，DDR3為此增加了一個4bit Burst Chop突發(fā)突變形式，即由一個BL=4的讀取操作加上一個BL=4的寫入操作來合成一個BL=8的數(shù)據(jù)突發(fā)傳輸，屆時可通過A12地址線來控制這一突發(fā)形式。而且需要指出的是，任何突發(fā)中斷操作都將在DDR3內存中予以制止，且不予支持，取而代之的是更靈敏的突發(fā)傳輸控制如4bit順序突發(fā)。尋址時序Timing就像DDR2從DDR轉變而來后延遲周期數(shù)增加一樣，DDR3的CL周期也將比DDR2有所進步。DDR2的CL范圍一般在25之間，而DDR3那么在511之間，且附加延遲AL的設計也有所變化。DDR2時AL的范圍是04，而DDR3時AL有三種選項，分別是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3還新增加了一個時序參數(shù)-寫入延遲CWD，這一參數(shù)將根據(jù)詳細的工作頻率而定。DDR3新增的重置Reset功能重置是DDR3新增的一項重要