影響材料導電率的因素 (1)

1、 影影響電接觸過程中的導電性能的響電接觸過程中的導電性能的因素因素報告報告人人:薛博宇薛博宇 SDEM一、目錄目錄 1.金屬導電的機理金屬導電的機理 2.影響金屬基體導電率的因素影響金屬基體導電率的因素 3.金屬的接觸電阻金屬的接觸電阻 SDEM1 1、金屬導電的機理、金屬導電的機理 經(jīng)典電子論認為金屬的電阻是由于電子和晶格碰撞的結果, 得出金屬的電導率 ，(=1/），式中代表電子的平均自由程，n為金屬中自由電子的平均密度，e為電子電量，m為電子平均質量，V為電子的運動速度,+emvne/2 nKT8v 從金屬的電子理論導出歐姆定律的微分形式從金屬的電子理論導出歐姆定律的微分形式設導體內的恒定

2、場強為設導體內的恒定場強為 ，則電子的加速度，則電子的加速度為為 EeemEemFa/ 電子兩次碰撞的時間間隔為電子兩次碰撞的時間間隔為t ，上次碰撞后的初速，上次碰撞后的初速度為度為 ，則則 0vemtEevv/0 統(tǒng)計平均后，初速度的平均值為零，統(tǒng)計平均后，初速度的平均值為零，則則 emtEev/ 平均時間間隔等于平均自由程除以平均速平均時間間隔等于平均自由程除以平均速率率 vt/ 1 1、金屬導電的機理、金屬導電的機理 則由和得平則由和得平均漂移速均漂移速度度 emvEev/ 電流密度為電流密度為 )/(emvEenevne Emvnee)/(2 E其中，電導率為其中，電導率為emvne

3、/2 1 1、金屬導電的機理、金屬導電的機理SRLSILSLILIRLVESI SDEM3.3.金屬的接觸電阻金屬的接觸電阻從從電導率表達式知：電導率與自由電子的密度成正比，電導率表達式知：電導率與自由電子的密度成正比，與電子的平均自由程成正比；還定性地說明了溫度升高與電子的平均自由程成正比；還定性地說明了溫度升高，電導率下降的原因。，電導率下降的原因。1 1、金屬電阻產(chǎn)生的機理、金屬電阻產(chǎn)生的機理emvne/2 SDEM2.影響金影響金屬基體導屬基體導電率的電率的因素因素 1、不同的金屬具有不同的電、不同的金屬具有不同的電子密度。子密度。 2、溫、溫度和金度和金屬的結構缺陷會屬的結構缺陷會降

4、低電子平均自由程降低電子平均自由程。 SDEM2 2.1.1自自由電子密由電子密度不同的金屬導電狀況度不同的金屬導電狀況+電場電場方向方向+AgAl SDEM2 2.1.1自由電子密度不同的金屬導電狀況自由電子密度不同的金屬導電狀況電子密度電子密度 ，其中，其中m是元素質量密度是元素質量密度，A是元素相對原子量，是元素相對原子量，Z是單個原子提供的自由電子數(shù)是單個原子提供的自由電子數(shù)，與最外層電子數(shù)相關。，與最外層電子數(shù)相關。幾種元素的自由電子密度幾種元素的自由電子密度元素自由電子密度 /cm3電阻率/（m）Fe1.69x102310Cu0.84x10231.75Al0.6x10232.9Ag

5、0.58x10231.650246810120246電阻率電阻率/（m）電阻率/（m）自由電子密度 /cm3 SDEM2.22.2常見金屬的電子平均自由程常見金屬的電子平均自由程金金屬屬電子平均電子平均自由程自由程/nm電阻率電阻率/（m）Ag52.71.65Cu39.31.75Au35.52.3Al14.92.9W14.25.501234560102030405060電阻率電阻率/（m）電阻率/（m）電子平均自由程/nm SDEM2.2.12.2.1缺缺陷陷量不同的金屬導電狀況的對比量不同的金屬導電狀況的對比+電場電場方向方向+退火態(tài)鋼退火態(tài)鋼淬火態(tài)鋼淬火態(tài)鋼 SDEM2.2.12.2.1缺

6、缺陷量不同的金屬導電狀況的對比陷量不同的金屬導電狀況的對比時時效處理對效處理對CuCr25合金導電合金導電率的影響率的影響 SDEM2.2.22.2.2不同溫度下金屬導電狀況的對比不同溫度下金屬導電狀況的對比+電場電場方向方向+AgAl SDEM02E-084E-086E-088E-080.00000011.2E-071.4E-071.6E-071.8E-070.0000002020406080100120電阻率電阻率m溫度溫度AgCuAlW鋼C線性 (Ag)2.2.22.2.2不同溫度下金屬導電狀況的對比不同溫度下金屬導電狀況的對比 SDEM2.影影響金屬基體導電率的響金屬基體導電率的因素因

7、素（1）溫度）溫度 溫度對金屬電阻的影響是由于溫度引起離子晶格溫度對金屬電阻的影響是由于溫度引起離子晶格熱振動造成對電子波的散射，溫度升高會使離子振動熱振動造成對電子波的散射，溫度升高會使離子振動加劇、熱振動振幅加大，原子的無序度增加加劇、熱振動振幅加大，原子的無序度增加，而，而使使電電阻率隨溫度的升高而增加阻率隨溫度的升高而增加。（2）金屬中的缺陷）金屬中的缺陷 金屬中的各種缺金屬中的各種缺陷，如雜質原子、空位、內部（晶陷，如雜質原子、空位、內部（晶界）的位錯和外部的表面造界）的位錯和外部的表面造成成晶格畸變晶格畸變引起電子波散射引起電子波散射，從而影響導電性，從而影響導電性。 SDEM2.

8、42.4實際應用實際應用l 冷冷加工使晶體點陣發(fā)生畸變和產(chǎn)生更多缺陷，從而增加工使晶體點陣發(fā)生畸變和產(chǎn)生更多缺陷，從而增加了電子散射的幾率加了電子散射的幾率，因而電阻率升高。，因而電阻率升高。l 金金屬冷加工變形后，若再進行退火，則可屬冷加工變形后，若再進行退火，則可使電阻降低使電阻降低，尤其當溫度接近再結晶溫，尤其當溫度接近再結晶溫度（度（T再再=0.4T熔熔）時）時，電阻，電阻可恢復到接近冷加工前的水平。但當退火溫度高過再可恢復到接近冷加工前的水平。但當退火溫度高過再結晶溫度時電阻反而又增大了。這是再結晶后新晶粒結晶溫度時電阻反而又增大了。這是再結晶后新晶粒的晶界阻礙了電子運動造成的。的晶

9、界阻礙了電子運動造成的。 17 3.1 接接觸電阻的理論和計算觸電阻的理論和計算一、電接觸的定義和分類： 1、定義：電接觸是導體與導體的接觸處；也稱電接觸是2個或n個導體通過機械方式連接，使電流得以通過的狀態(tài)。 電接觸內表面物理圖景 任何用肉眼看來磨得非常光滑的金屬表面，實際上都是粗糙不平的。 如圖6-1所示，為幾種機械加工后鋼表面輪廓圖并與玻璃表面比較。 由圖可知：不同材料、不同加工法、不同工藝過程所得到的表面微觀狀態(tài)不相同。 6-2 接觸電阻的理論和計算 電流通過兩導體電接觸處的主要現(xiàn)象是接觸處出現(xiàn)局部高溫。產(chǎn)生此現(xiàn)象的原因是電接觸處存在一附加電阻，稱之為接觸電阻。ababURIababU

10、RIababUUababRRjababRRRRj即為導體與導體接觸處產(chǎn)生的一附加電阻，這個電阻定義為接觸電阻。導體電阻比接觸電阻小得多，工程中可近似認為：Rj=Rab3.1 接接觸電阻的理論和計算觸電阻的理論和計算 電接觸學科的奠基人霍爾姆(R. Holm)指出：任何用肉眼看來磨得非常光滑的金屬表面，實際上都是粗糙不平的，當兩金屬表面互相接觸時，只有少數(shù)凸出的點(小面)發(fā)生了真正的接觸，其中僅僅是一小部分金屬接觸或準金屬接觸的斑點才能導電.當電流通過這些很小的導電斑點時，電流線必然會發(fā)生收縮現(xiàn)象，見下圖6-4的示意圖。 其次，由于金屬表面上有膜的存在，如果實際接觸面之間的薄膜能導電，則當電流通

11、過薄膜時將會受到一定阻礙而有另一附加電阻，稱膜電阻，它是構成接觸電阻的另一個分量。式中 Rb：表面間膜電阻； Rs：收縮電阻。jbRRs1s2R +R3.1 接接觸電阻的理論和計算觸電阻的理論和計算 3） 金屬表面膜的形成：金屬表面膜的生長與材料種類、環(huán)境介質的情況，以及其它許多復雜的情況有關。 以銅和銀為例說明金屬表面膜的形成： a、 以銀為例分析 空氣：銀不易氧化； 臭氧：Ag2O，易清除，200即分解； 含H2S的空氣：在銀表面水膜中易生成Ag2S絕緣暗膜，干燥時不易侵蝕銀。Ag2S是半導體，近似于絕緣件。 b、 以銅為例：空氣中，金屬材料表面由吸附膜發(fā)展成肉眼可見的氧化暗膜，生長規(guī)律理

12、論上由氧化速率的拋物線定律決定，但實際的生長規(guī)律復雜。圖6-6示出幾種常見觸頭材料在某些條件下膜的生長厚度與時間的關系。 6-2 接觸電阻的理論和計算3.2 膜電阻的生成與擊穿膜電阻的生成與擊穿 4、絕緣暗膜的擊穿： 1） 半導體特征：如果施加一電壓于具有完整的絕緣暗膜的接觸面之間，當電壓U由0升高，膜電阻由M級下降（但一直保持絕緣狀態(tài)），但膜電阻隨電壓升高而下降；U下降，膜電阻上升。2） U上升至某臨界值（如5伏），膜被擊穿，膜電阻突然消失，接觸面之間的電壓立即下降到零點幾伏的數(shù)量級。 圖6-8表示絕緣膜的這種電擊穿過程 絕緣暗膜的電擊穿過程： 實線：加壓或減壓時，膜處于完好絕緣狀態(tài)； U0

13、：臨界電壓。當UU0，膜被擊穿，用虛線表示，并最終穩(wěn)定在終止點（Rz，Uz）。 霍爾姆把膜的擊穿稱之為膜的熔解。 6-2 接觸電阻的理論和計算3.2 膜電阻的生成與擊穿膜電阻的生成與擊穿 5 5、絕緣暗膜擊穿的機理：、絕緣暗膜擊穿的機理： （1 1） 電擊穿：電擊穿：電場內部電子發(fā)射，形成電子云，使金屬表面局部加熱直至熔化，電場內部電子發(fā)射，形成電子云，使金屬表面局部加熱直至熔化，由于強大靜電力作用，液態(tài)金屬被吸入放電通道而橋接，最后形成金屬的電由于強大靜電力作用，液態(tài)金屬被吸入放電通道而橋接，最后形成金屬的電流通路。流通路。 （2 2） 熱擊穿：熱擊穿：由于膜的不均勻性，使電流集中通過局部電

14、導率較高的點，引起由于膜的不均勻性，使電流集中通過局部電導率較高的點，引起半導體膜的溫度升高，電導率增大，又使電流更加集中和加大，以致發(fā)生最半導體膜的溫度升高，電導率增大，又使電流更加集中和加大，以致發(fā)生最終的熱擊穿，被熔化的金屬最后引入擊穿通道而橋接。終的熱擊穿，被熔化的金屬最后引入擊穿通道而橋接。 （3 3）機械擊穿：機械擊穿： 在接觸元件上施加一定的外力，從而使實際接觸面微觀凸丘接觸在接觸元件上施加一定的外力，從而使實際接觸面微觀凸丘接觸處獲得極高的應力。當凸丘受壓變形時，膜亦隨之破裂?；蛘咴趦山犹帿@得極高的應力。當凸丘受壓變形時，膜亦隨之破裂?；蛘咴趦山佑|面受壓的同時，使兩表面作相對滾

15、滑，將膜磨碎并剝離。觸面受壓的同時，使兩表面作相對滾滑，將膜磨碎并剝離。 膜的機械破壞要求實際接觸面上作用有很高的局部壓力，并且邊膜的機械破壞要求實際接觸面上作用有很高的局部壓力，并且邊面膜比本體金屬應具有大得多的硬度和脆性。為此需要接觸表面有一面膜比本體金屬應具有大得多的硬度和脆性。為此需要接觸表面有一定的粗糙度，使接觸斑點有小的接觸面積，以獲得高的局部接觸壓力，定的粗糙度，使接觸斑點有小的接觸面積，以獲得高的局部接觸壓力，同時選用適當?shù)慕佑|材料和結構。同時選用適當?shù)慕佑|材料和結構。 6-2 接觸電阻的理論和計算3.2 膜電阻的生成與擊穿膜電阻的生成與擊穿 3.33.3、收縮電阻收縮電阻的影

16、響因素的影響因素3. 當理想球形與平面接觸時當理想球形與平面接觸時若呈彈塑性變形若呈彈塑性變形,則為：則為：P：壓力：壓力 r：球半徑：球半徑 H：接觸材料的硬度：接觸材料的硬度 (N/m2 )；2022-4-26第2章接觸電阻理論23PHaRc89.02 1.現(xiàn)現(xiàn)象：象：當接觸壓力當接觸壓力P由小增由小增大時，收縮電阻大時，收縮電阻Rc減??；減??；當接觸壓力進一步增當接觸壓力進一步增大時，大時，Rc的減小變的減小變得非常緩慢；得非常緩慢；當接觸壓力由大減小當接觸壓力由大減小時，時，Rc的增加極其的增加極其緩慢。緩慢。 2022-4-26第2章接觸電阻理論243.3.1 3.3.1 接接觸壓力

17、對收縮電阻的影響觸壓力對收縮電阻的影響 Au接觸表面的收縮電阻與接觸壓力P的關系 材材料料的硬度越高，收縮電阻越大，但硬度提高有利于的硬度越高，收縮電阻越大，但硬度提高有利于表面氧化膜的去除。表面氧化膜的去除。 接觸接觸的壓力越大，收縮電阻越小，但會縮短斷路器彈的壓力越大，收縮電阻越小，但會縮短斷路器彈簧機構的疲勞壽命?；蓹C構的疲勞壽命。 Ag表面不易生成氧化膜，膜電阻??；本身導電率高；表面不易生成氧化膜，膜電阻??；本身導電率高；硬度低，收縮電阻小，是比較理想的電接觸材料。但硬度低，收縮電阻小，是比較理想的電接觸材料。但其本身強度硬度不夠，導致在接觸時容易發(fā)生形變影其本身強度硬度不夠，導致在接觸時容易發(fā)生形變影響壽命，所以經(jīng)常與響壽命，所以經(jīng)常與W、Ni、Fe等高強度材料相配合等高強度材料相配合以提高觸頭的機械壽命。并且其可焊性極好，易發(fā)生以提高觸頭的機械壽命。并且其可焊性極好，易發(fā)生熔焊，所以經(jīng)常