第2章晶體管及其基本放大電路

1、2.1 晶體管晶體管2.2 放大的概念及放大電路的性能指標放大的概念及放大電路的性能指標 2.3 共發(fā)射極放大電路的組成及工作原理共發(fā)射極放大電路的組成及工作原理2.4 放大電路的圖解分析放大電路的圖解分析法法2.5 放大電路的微變等效電路分析法放大電路的微變等效電路分析法 2.6 分壓式穩(wěn)定靜態(tài)工作點電路分壓式穩(wěn)定靜態(tài)工作點電路2.7 共集電極放大電共集電極放大電路路2.8 共基極放大電路共基極放大電路2.9 組合單元放大電路組合單元放大電路2.1.1 2.1.1 晶體管的結(jié)構(gòu)及類型晶體管的結(jié)構(gòu)及類型2.1.2 2.1.2 晶體管的三種連接方式晶體管的三種連接方式2.1.3 2.1.3 晶體

2、管的工作方式晶體管的工作方式本節(jié)重點：本節(jié)重點： 1. 1. 從晶體管內(nèi)部載流子的運動從晶體管內(nèi)部載流子的運動理解理解晶體管的電流晶體管的電流控制與放大作用?？刂婆c放大作用。 2. 2. 掌握掌握晶體管實現(xiàn)放大的內(nèi)部條件與外部條件。晶體管實現(xiàn)放大的內(nèi)部條件與外部條件。 3. 3. 掌握掌握晶體管三極電流之間的關(guān)系。晶體管三極電流之間的關(guān)系。 4. 4. 掌握掌握晶體管的三種工作狀態(tài)及其特點。晶體管的三種工作狀態(tài)及其特點。 5. 5. 熟記熟記晶體管的伏安特性曲線晶體管的伏安特性曲線 6. 6. 晶體管三種狀態(tài)的判斷。晶體管三種狀態(tài)的判斷。 (Semiconductor Transistor)(

3、Semiconductor Transistor)1.1.結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)N NN NP P發(fā)射極發(fā)射極 E E基極基極 B B集電極集電極 C C發(fā)射結(jié)發(fā)射結(jié)集電結(jié)集電結(jié)e emittermitterb baseasec collectorollectorP PP PN NE EB BC C集電區(qū)集電區(qū)體體積較大積較大基區(qū)基區(qū)較薄，摻較薄，摻雜濃度低雜濃度低發(fā)射區(qū)發(fā)射區(qū)摻摻雜濃度最高雜濃度最高2.1.1 晶體管的結(jié)構(gòu)及類型晶體管的結(jié)構(gòu)及類型NPN NPN 型型PNP PNP 型型晶體管實現(xiàn)電流控制與放大作用的晶體管實現(xiàn)電流控制與放大作用的內(nèi)部條件：內(nèi)部條件： 結(jié)構(gòu)上的特點結(jié)構(gòu)上的特點N NN NP

4、P發(fā)射極發(fā)射極 E E基極基極 B B集電極集電極 C CP PP PN NE EB BC CE EC CB BNPN NPN 型型PNP PNP 型型E EC CB B2.2.符號符號箭頭方向箭頭方向表示發(fā)射結(jié)正向偏置時的電流方向表示發(fā)射結(jié)正向偏置時的電流方向。3. 分類分類按材料分：按材料分： 硅管、鍺管硅管、鍺管按功率分：按功率分： 小功率管小功率管 1 W中功率管中功率管 0.5 1 W2.1.2 2.1.2 晶體管的三種連接方式晶體管的三種連接方式 (a) 共發(fā)射極 (b) 共集電極 (c) 共基極圖2-3 晶體管的三種連接方式 2.1.3 晶體管的工作狀態(tài)晶體管的工作狀態(tài) 工作狀態(tài)

5、可分為三種：工作狀態(tài)可分為三種： 放大狀態(tài)放大狀態(tài) 飽和狀態(tài)飽和狀態(tài) 截止狀態(tài)截止狀態(tài) 1. 放大狀態(tài)放大狀態(tài)（發(fā)射結(jié)正向偏置、集電結(jié)反向偏置（發(fā)射結(jié)正向偏置、集電結(jié)反向偏置 ） 晶體管放大的條件：晶體管放大的條件：內(nèi)部內(nèi)部條件條件發(fā)射區(qū)摻雜濃度高發(fā)射區(qū)摻雜濃度高基區(qū)薄且摻雜濃度低基區(qū)薄且摻雜濃度低集電區(qū)體積大集電區(qū)體積大外部外部條件條件發(fā)射結(jié)正偏發(fā)射結(jié)正偏集電結(jié)反偏集電結(jié)反偏1) 發(fā)射區(qū)正偏，發(fā)射區(qū)發(fā)射發(fā)射區(qū)正偏，發(fā)射區(qū)發(fā)射電子電子，形成電流形成電流 IEN。I CN 多數(shù)向多數(shù)向 BC 結(jié)方向擴散形成結(jié)方向擴散形成 ICN。IE少數(shù)與空穴復(fù)合，形成少數(shù)與空穴復(fù)合，形成 IBN 。I BN基

6、極電流基極電流少數(shù)在基區(qū)與空穴復(fù)合少數(shù)在基區(qū)與空穴復(fù)合形成的電流形成的電流(IBN)集電區(qū)少子漂移集電區(qū)少子漂移(ICBO)I CBOIB即：即：IB = IBN ICBO 2)電子在基區(qū)的復(fù)合和傳輸電子在基區(qū)的復(fù)合和傳輸(1) 放大狀態(tài)下晶體管中載流子的傳輸過程放大狀態(tài)下晶體管中載流子的傳輸過程IE= IEN + IEP IEN IENIE IEN = IBN + ICN IC 3) 集電結(jié)反向偏置形成集電極電流集電結(jié)反向偏置形成集電極電流 ICI C = ICN + ICBO 穿透電流穿透電流（2）晶體管的電流分配關(guān)系）晶體管的電流分配關(guān)系IB = I BN ICBO IC = ICN +

7、 ICBOBNCNII CBOBCBOCIIII BNCNENEIIII 共射直流電流放大系數(shù)共射直流電流放大系數(shù) IE = IC + IBCBOB)1 (IICEOBII CEOB )1 (II CEOI集電極收集到的電子數(shù)與在基區(qū)復(fù)合掉的電子數(shù)之比，意味著基區(qū)每復(fù)合一個電子，則有 個電子擴散到集電區(qū)去。BCEIII BC II BE )1(II CEOBE )1(III IE = IC + IBCEOBCIII 共基直流電流放大系數(shù) ECNII的值小于1且接近于1，一般為0.950.99。 的關(guān)系的關(guān)系IIIIIIII1EEECNECNBNCNIIIIIIII1BNEBNCNBNCNECN

8、它是集電極收集的電子數(shù)它是集電極收集的電子數(shù)與發(fā)射極發(fā)射的總電子數(shù)與發(fā)射極發(fā)射的總電子數(shù)的比值的比值 (3) (3) 晶體管的放大作用晶體管的放大作用放大狀態(tài)放大狀態(tài)各電極電位之間的關(guān)系是各電極電位之間的關(guān)系是： NPN型：型： UCUBUE PNP型：型： UCUBUE晶體管實現(xiàn)電流放大的晶體管實現(xiàn)電流放大的外部偏置條件：外部偏置條件： 發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏 電流放大作用的實質(zhì)電流放大作用的實質(zhì)是通過改變基極電流是通過改變基極電流IB的大的大小，達到控制小，達到控制IC的目的，而并不是真正把微小電流的目的，而并不是真正把微小電流放大了，因此，晶體管稱為電流控制型器件。

9、放大了，因此，晶體管稱為電流控制型器件。 定義定義 ：保持工作點處：保持工作點處UCE不變，集電極電流變化不變，集電極電流變化量與基極電流變化量之比，稱為共發(fā)射極交流電流量與基極電流變化量之比，稱為共發(fā)射極交流電流放大系數(shù)。即放大系數(shù)。即 常數(shù)CEBCUII 定義定義 ：保持工作點處：保持工作點處UCB不變，集電極電流不變，集電極電流變化量與發(fā)變化量與發(fā) 射極電流變化量之比，稱為共基極交射極電流變化量之比，稱為共基極交流電流放大系數(shù)。流電流放大系數(shù)。 即即 常數(shù)CBECUII在數(shù)值上 2. 飽和狀態(tài)飽和狀態(tài) (發(fā)射結(jié)正向偏置、集電結(jié)正向偏置發(fā)射結(jié)正向偏置、集電結(jié)正向偏置) 集電極電位低于基極電

10、位，集電結(jié)正向偏置，集電極電位低于基極電位，集電結(jié)正向偏置，不利于集電極從基區(qū)收集非平衡少數(shù)載流子，從不利于集電極從基區(qū)收集非平衡少數(shù)載流子，從發(fā)射區(qū)擴散到基區(qū)的非平衡少子在基區(qū)復(fù)合的數(shù)發(fā)射區(qū)擴散到基區(qū)的非平衡少子在基區(qū)復(fù)合的數(shù)量增大，而進入集電區(qū)的數(shù)量減少，集電極電流量增大，而進入集電區(qū)的數(shù)量減少，集電極電流不再隨基極電流的增大而增大，基極電流失去了不再隨基極電流的增大而增大，基極電流失去了對集電極電流的控制作用（晶體管失去了放大能對集電極電流的控制作用（晶體管失去了放大能力），集電極電流好像飽和了。力），集電極電流好像飽和了。 2. 飽和狀態(tài)飽和狀態(tài) (兩個結(jié)都正偏兩個結(jié)都正偏) IC主要

11、受主要受UCE的控制，隨著的控制，隨著UCE的增大，集電結(jié)由的增大，集電結(jié)由正向偏置向零偏變化過程中，集電區(qū)收集電子的能力正向偏置向零偏變化過程中，集電區(qū)收集電子的能力逐步增強，集電極電流逐步增強，集電極電流IC隨隨UCE的增大而增大。的增大而增大。 V30CES.UV10CES.U 晶體管工作于飽和狀態(tài)時的晶體管工作于飽和狀態(tài)時的UCE稱為集電極稱為集電極飽和飽和電壓降電壓降，記作，記作UCES。處于深度飽和時，。處于深度飽和時，鍺管鍺管:硅管硅管: 3. 截止狀態(tài)截止狀態(tài) （兩個結(jié)都反偏）（兩個結(jié)都反偏） 晶體管發(fā)射結(jié)反向偏置或零偏晶體管發(fā)射結(jié)反向偏置或零偏(UBE0)，集電，集電結(jié)反向偏

12、置結(jié)反向偏置(UBC0），不利于發(fā)射極多數(shù)載流子），不利于發(fā)射極多數(shù)載流子的擴散運動，發(fā)射極電流幾乎為零，此時，集電極的擴散運動，發(fā)射極電流幾乎為零，此時，集電極流過反向飽和電流流過反向飽和電流IC=ICBO， 基極電流：基極電流： IB= ICBO， ICBO很小可忽略不計，認為晶體管很小可忽略不計，認為晶體管處于截止狀態(tài)。處于截止狀態(tài)。 例例 三極管三極管3 3個電極的對地電位如圖所示，試判個電極的對地電位如圖所示，試判斷三極管的工作狀態(tài)。斷三極管的工作狀態(tài)。放大狀態(tài)放大狀態(tài)截止狀態(tài)截止狀態(tài)飽和狀態(tài)飽和狀態(tài)兩個結(jié)正偏兩個結(jié)正偏兩個結(jié)反偏兩個結(jié)反偏發(fā)射結(jié)正偏發(fā)射結(jié)正偏 集電結(jié)反偏集電結(jié)反偏解

13、解:(a) uBE=0.7V, uBC=-4.3V, 發(fā)射結(jié)正偏發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏集電結(jié)反偏，三極管處于三極管處于放大狀態(tài)放大狀態(tài);(b) uBE =-1V,uBC 0條件：條件：兩個結(jié)正偏兩個結(jié)正偏特點：特點：IC IB臨界飽和時：臨界飽和時： uCE = uBE深度飽和時：深度飽和時：CEBE0.3 V ( (硅管硅管) )UCE( (SAT) )= =0.1 V ( (鍺管鍺管) )iC / mAuCE /V50 A40 A30 A20 A10 AIB = 0O 2 4 6 8 4321放大區(qū)放大區(qū)截止區(qū)截止區(qū)飽飽和和區(qū)區(qū)ICEOBE0UBC0U此區(qū)域中此區(qū)域中UCE UBE,集電結(jié)

14、正偏，集電結(jié)正偏， IBIC，UCE 0.3V 較小時較小時, 管子的集電極電流管子的集電極電流基本上不隨基極基本上不隨基極電流電流而變化而變化, 這種現(xiàn)象稱為飽和。這種現(xiàn)象稱為飽和。飽和區(qū)：飽和區(qū)：iC明顯受明顯受uCE控控制的區(qū)域，該區(qū)域內(nèi)，制的區(qū)域，該區(qū)域內(nèi)，一般一般uCE0.7V(硅管硅管)。飽和狀態(tài)的晶體管等效為閉合的開關(guān)飽和狀態(tài)的晶體管等效為閉合的開關(guān)兩個結(jié)正偏兩個結(jié)正偏飽和狀態(tài)：飽和狀態(tài)： 4. 擊穿區(qū)：擊穿區(qū)：條件：條件：發(fā)射結(jié)正偏發(fā)射結(jié)正偏 集電結(jié)反偏集電結(jié)反偏特點：特點：集電結(jié)發(fā)生集電結(jié)發(fā)生 了雪崩擊穿了雪崩擊穿 基極開路基極開路(IB=0)時，使集電極發(fā)生擊穿的時，使集電

15、極發(fā)生擊穿的UCE值，值，記為記為U(BR)CEO 。輸出特性三個區(qū)域的特點輸出特性三個區(qū)域的特點: :(1)放大區(qū)放大區(qū) 條件條件：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。 特點特點： IC= IB , 且且 IC = IB(2) 飽和區(qū)：飽和區(qū)： 條件：條件：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏。發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏。 特點：特點： IBIC，UCE UCES(3) 截止區(qū)：截止區(qū)： 條件：條件：發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏。發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏。 特點：特點： IB=0 ， IC=ICEO 0 集電結(jié)的空間電荷區(qū)變窄，內(nèi)電場減弱，集電結(jié)收集集電結(jié)的空間電荷區(qū)變窄，內(nèi)電場減弱，集電結(jié)收集載流子的能

16、量降低，載流子的能量降低，C不再隨著不再隨著B作線性變化，出作線性變化，出現(xiàn)發(fā)射極發(fā)射有余，而集電極收集不足現(xiàn)象。現(xiàn)發(fā)射極發(fā)射有余，而集電極收集不足現(xiàn)象。 2.1.5 晶體管的直流模型晶體管的直流模型 輸入特性近似 輸出特性近似 由晶體管的伏安特性曲線可知，晶體管的輸入輸出特性是非線性的，它是一種復(fù)雜的非線性器件。當晶體管工作于直流時，其非線性主要表現(xiàn)為三種截然不同的工作狀態(tài)，即放大、截止和飽和狀態(tài)。在實際應(yīng)用中，根據(jù)實現(xiàn)的功能不同，可通過外電路將晶體管偏置在需要的某一種狀態(tài)。 截止狀態(tài)模型放大狀態(tài)模型 飽和狀態(tài)模型 1. 截止狀態(tài)直流模型當外電路使UBEUBE(on)時，發(fā)射結(jié)反向偏置，晶體

17、管截止。此時，IB=0，IC=0，晶體管b、e極間和c、e極間相當于開路 截止狀態(tài)模型放大狀態(tài)模型 飽和狀態(tài)模型 2. 放大狀態(tài)直流模型放大狀態(tài)直流模型當外電路使晶體管UBEUBE(on)，且UBEUCE時，則發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)反向偏置，晶體管工作于放大狀態(tài)。此時，一般認為晶體管發(fā)射結(jié)導(dǎo)通電壓UBE=UBE(on)，集電極直流電流IC=IB，IC受IB的控制，晶體管c、e極間可等效為一個受IB控制的受控電流源IB 截止狀態(tài)模型放大狀態(tài)模型 飽和狀態(tài)模型 3. 飽和狀態(tài)直流模型飽和狀態(tài)直流模型當外電路使晶體管UBEUBE(on)，且UBEUCE時，則發(fā)射結(jié)、集電結(jié)均正向偏置，晶體管工作于飽和

18、狀態(tài)。此時，一般認為晶體管發(fā)射結(jié)導(dǎo)通電壓UBE =UBE(on)，集-射極間電壓為飽和壓降UCES，晶體管c、e極間相當于接了一個恒壓源UCES 2.1.6 2.1.6 晶體三極管的主要參數(shù)晶體三極管的主要參數(shù)一、電流放大系數(shù)一、電流放大系數(shù)1. 1. 共發(fā)射極電流放大系數(shù)共發(fā)射極電流放大系數(shù)i iC C / mA/ mAu uCECE /V /V50 50 A A40 40 A A30 30 A A20 20 A A10 10 A AI IB B = 0 = 0O O 2 4 6 2 4 6 8 8 4 43 32 21 1 直流電流放大系數(shù)直流電流放大系數(shù)BCCBOBCBOCBNCNIII

19、IIIII 交流電流放大系數(shù)交流電流放大系數(shù) BiiC一般為幾十一般為幾十 幾百幾百Q(mào)82A1030A1045. 263 80108 . 0A1010A10)65. 145. 2(63 在分立元件電路中在分立元件電路中, ,一般取一般取 在在2010020100范圍內(nèi)的管子范圍內(nèi)的管子 , ,太小電流放大作用差太小電流放大作用差, , 太大受溫度影響大太大受溫度影響大, ,性能穩(wěn)定性差性能穩(wěn)定性差. . iC / mAuCE /V50 A40 A30 A20 A10 AIB = 0O 2 4 6 8 43212. 共基極電流放大系數(shù)共基極電流放大系數(shù) 11BCCECIIIII 1 一般在一般在

20、 0.98 以上。以上。 Q988. 018080 11BCCECIIIIIECii 二、極間反向飽和電流二、極間反向飽和電流CB 極間反向飽和電流極間反向飽和電流 ICBO，CE 極極間反向飽和電流間反向飽和電流 ICEO。 (a) ICBO (b) ICEO圖2-15 晶體管極間反向電流的測量ICEO = (1+)ICBO集基反向飽和電流集基反向飽和電流 ICBO ,發(fā)射極開路時發(fā)射極開路時,集電極和基極間的反集電極和基極間的反向飽和電流向飽和電流. ICBO是集電結(jié)反偏由少子的漂移形成的反向電是集電結(jié)反偏由少子的漂移形成的反向電流，受溫度的變化影響。流，受溫度的變化影響。鍺管：鍺管：IC

21、BO為微安數(shù)量級，為微安數(shù)量級， 硅管：硅管：I CBO為納安數(shù)量級。為納安數(shù)量級。集射反向飽和電流集射反向飽和電流 ICEO,基極開路時，集電極和發(fā)射極間的基極開路時，集電極和發(fā)射極間的穿透電流穿透電流. ICEO受溫度影響很大，當溫度上升時，受溫度影響很大，當溫度上升時，ICEO增加增加很快，所以很快，所以IC也相應(yīng)增加。也相應(yīng)增加。三極管的溫度特性較差三極管的溫度特性較差。三、極限參數(shù)三、極限參數(shù)1. ICM 集電極最大允許電流，超過時集電極最大允許電流，超過時 值明顯降低。值明顯降低。2. PCM 集電極最大允許功率損耗集電極最大允許功率損耗PC = iC uCE。iCICMU(BR)

22、CEOuCEPCMOICEO安安全全 工工 作作 區(qū)區(qū)U(BR)CBO 發(fā)射極開路時發(fā)射極開路時 C、B 極極間反向擊穿電壓。間反向擊穿電壓。3. U(BR)CEO 基極開路時基極開路時 C、E 極極間反向擊穿電壓。間反向擊穿電壓。U(BR)EBO 集電極極開路時集電極極開路時 E、B 極極間反向擊穿電壓。間反向擊穿電壓。U(BR)CBO U(BR)CEO U(BR)EBO已知已知:ICM = 20 mA, PCM = 100 mW，U(BR)CEO = 20 V，當當 UCE = 10 V 時，時，IC mA當當 UCE = 1 V，則，則 IC mA當當 IC = 2 mA，則，則 UCE

23、 T12. 溫度升高，輸出特性曲線溫度升高，輸出特性曲線向上移。向上移。iCuCE T1iB = 0T2 iB = 0溫度每升高溫度每升高 1 C， (0.5 1)%。輸出特性曲線間距增大。輸出特性曲線間距增大。O溫度每升高溫度每升高 10 C，ICBO 約增大約增大 1 倍。倍。 【例2-3】 晶體管VT的特性曲線如下圖所示，在其上確定 、 、PCM、ICEO、U(BR)CEO。在如下電路中，當開關(guān)S接在A、B、C三個觸點時，判斷晶體管VT的工作狀態(tài)，確定UCE的值。輸出特性曲線 50A)4060()mA23(1BB21CC2BCIIIIII【解【解2.3】98051501. 在輸出特性上P

24、CM與IB1=40A的特性曲線交于點 F（25V，2mA）則 PCM= UCEIC =25V2mA=50mW50A)4060()mA23(1BB21CC2BCIIIIII (a) 特性曲線求 輸出特性IB1=0的特性曲線所對應(yīng)的集電極電流為穿透電流ICEO=10A，該曲線水平部分右端上翹的點所對應(yīng)的橫坐標值為集-射極間反向擊穿電壓U(BR)CEO=50V 例例2-3題解題解 計算臨界飽和電流計算臨界飽和電流ICS、IBS mA4516CCCCCESCCCS.RVRUVIA80504CSBSII當當I IB BIIBSBS時，時，I IC C= = I IB B成立，晶體管處于放大區(qū)；成立，晶體

25、管處于放大區(qū)；當當I IB BI IBSBS時，時，I IC C I IB B，因為晶體管已進入飽和區(qū)，因為晶體管已進入飽和區(qū)，集電極電流不能跟隨基極電流的變化而變化。集電極電流不能跟隨基極電流的變化而變化。 受外電路的限制，晶體管所能提供的最大集電極電受外電路的限制，晶體管所能提供的最大集電極電流，即集電極臨界飽和電流流，即集電極臨界飽和電流ICS為為基極臨界飽和電流基極臨界飽和電流IBS為為 S接在觸點接在觸點A時時 A5262007061BBECCB1.RUVIIB1IBS1.325mAA52650B1C1.IIV0145132516CCCCCE.RIVUUBE=0.7V、UCE=4.0

26、1V、UBEUCE，晶體管工作于放大狀態(tài)。(b) S接觸點A(c) S接觸點B 例2-3題解 S接在觸點接在觸點B時時 A265207062BBECCB2.RUVIIB2IBS晶體管工作于飽和區(qū)，硅管UCE=UCES0.3V S接在觸點接在觸點C UBE= -1V，發(fā)射結(jié)反向偏置，晶體管處于截止狀態(tài) RC上無電流，所以RC上也沒有電壓降，故UCE=6V (d) S接觸點C放大電路能否實現(xiàn)放大的判斷方法：放大電路能否實現(xiàn)放大的判斷方法：1、 畫直流通路，判斷放大電路是否滿足發(fā)射結(jié)畫直流通路，判斷放大電路是否滿足發(fā)射結(jié)正正 偏，集電結(jié)反偏。偏，集電結(jié)反偏。2、畫交流流通路，判斷放大電路是否有信號的

27、、畫交流流通路，判斷放大電路是否有信號的輸入輸出通路。輸入輸出通路。放大電路三種工作狀態(tài)的判斷方法：放大電路三種工作狀態(tài)的判斷方法：1. 發(fā)射結(jié)反偏：截止狀態(tài)。發(fā)射結(jié)反偏：截止狀態(tài)。2. 發(fā)射結(jié)正偏發(fā)射結(jié)正偏CCCCCESCCCSRVRUVI IICSBS (2) 根據(jù)直流通路的輸入回路列方程，求根據(jù)直流通路的輸入回路列方程，求IBQ。(3) 判斷：若判斷：若IBQIBS，則工作在飽和區(qū)。，則工作在飽和區(qū)。 (1) (1) 根據(jù)電路對晶體管的要求查閱手冊，從而確定選用晶體管的型號，其極限參數(shù)ICM、U(BR)CEO和PCM應(yīng)分別大于電路對管子的集電極最大允許電流、集-射極間擊穿電壓和集電極最大

28、允許功耗的要求。 (2) 在維修電子設(shè)備時，若發(fā)現(xiàn)晶體管損壞，應(yīng)該用同型號的管子替換。若找不到同型號的管子而需要用其它型號的管子來替換時，應(yīng)注意：要用同種材料、同種類型的管子替換，替換后管子的參數(shù)ICM、U(BR)CEO和PCM一般不得低于原管。2.1.8 晶體管的選用原則1. 1. 手冊的使用手冊的使用 2.1.8 2.1.8 晶體管的選用原則晶體管的選用原則2. 2. 選管的原則選管的原則(1) 當晶體管的型號確定后，應(yīng)選極間反向電流小的管子，這樣的管子溫度穩(wěn)定性好，管子的值一般選在幾十到100以下，太大的管子性能不穩(wěn)定。(2) 如果要求管子的反向電流小，工作溫度高，則應(yīng)選用硅管；當要求導(dǎo)

29、通電壓較低時，應(yīng)選用鍺管。(3) 如果電路工作頻率高，必須選用高頻管或超高頻管；如果用于開關(guān)電路，則應(yīng)選用開關(guān)管。(4) 必須保證管子工作在安全區(qū)。工作電壓高時，應(yīng)選用U(BR)CEO大的高反壓管。由于U(BR)EBO一般較小，因注意發(fā)射結(jié)的反向電壓不能超過U(BR)EBO。使用大功率管時，要保證相應(yīng)的散熱條件。本節(jié)重點：本節(jié)重點：(1) 正確理解正確理解 放大的概念及放大電路的性能指標放大的概念及放大電路的性能指標的意義。的意義。(2) 正確理解放大電路的組成原則。正確理解放大電路的組成原則。(3) 正確理解放大電路的靜態(tài)概念。正確理解放大電路的靜態(tài)概念。 掌握放大電路的直流通路的畫法。掌握

30、放大電路的直流通路的畫法。2.2.1.放大的基本概念放大的基本概念 一一.擴音機示意圖擴音機示意圖1) 輸入量控制輸出量2) 把直流能量轉(zhuǎn)換成按輸入量變化的交流能量 放大電路主要用于放大微弱的電信號，輸出電壓或電流在幅度上得到了放大，這里主要講電壓放大電路。放大的概念及放大電路的性能指標放大的概念及放大電路的性能指標 放大電路主要用于放大微弱的電信號，電子技術(shù)中所說的“放大”，表面上看是將信號的幅度由小變大，用較小的輸入信號去控制較大的輸出信號，且輸出與輸入之間的變化情況完全一致，實現(xiàn)所謂“線性放大”不能失真。 放大的實質(zhì)是能量的控制和轉(zhuǎn)換。在一個能量較小的輸入信號作用下，放大電路將直流電源所

31、提供的能量轉(zhuǎn)換成交流能量輸出，驅(qū)動負載工作。 負載所獲得的能量大于信號源所提供的能量，就是用小的能量來控制大的能量，因此放大電路的基本特征是功率放大，即負載上總是獲得比輸入信號大得多的電壓或電流信號。放大電路的主要技術(shù)指標放大電路的主要技術(shù)指標 根據(jù)放大電路輸入信號的條件和對輸出信號的要求，放大器可分為四種類型，所以有四種放大倍數(shù)的定義。1.1.放大倍數(shù)放大倍數(shù)表示放大器的放大能力表示放大器的放大能力（1）電壓放大倍數(shù)定義為）電壓放大倍數(shù)定義為:四種放大倍數(shù)的定義四種放大倍數(shù)的定義ouiUAU&源電壓放源電壓放大倍數(shù)大倍數(shù): : sousUUA 空載時的電壓增益空載時的電壓增益: io

32、iouoLUUUUAR （2）電流放大倍數(shù)定義為）電流放大倍數(shù)定義為:（3）互阻增益定義為）互阻增益定義為:（4）互導(dǎo)增益定義為）互導(dǎo)增益定義為:ioiIIA iorIUA ioUIA g2. 輸入電阻輸入電阻Ri從放大電路輸入端看進去的等從放大電路輸入端看進去的等 效電阻效電阻輸入電阻：一般來說， Ri越大越好。（1）Ri越大，ii就越小，從信號源索取的電流越小。（2）當信號源有內(nèi)阻時， Ri越大， vi就越接近vS。iiiIUR iUsUsSiiiURRRU uAusASiiusiiosousRRRAUUUUUUA 與的關(guān)系: 與的關(guān)系: uAusA當Ri RS時， 3 3輸出電阻輸出電阻

33、: :從放大電路輸出端看進去的等效電阻。從放大電路輸出端看進去的等效電阻。 oUoU 帶負載時的輸出電壓帶負載時的輸出電壓比空載時的輸出電壓比空載時的輸出電壓有所降低有所降低 oUoLoLoURRRU Looo1 RUUR 方法一：方法一： Ls0oRUIUR圖2-23 放大電路的輸出電阻計算方法二方法二求輸出電阻求輸出電阻Ro sUUIUI將放大電路中信號源短路（即=0，但保留RS）、負載開路（RL= ），產(chǎn)生相應(yīng)的電流與的比值即為輸出電阻Ro 在放大電路的輸出端外加電壓4. 通頻帶通頻帶fBW= fHfLfH上限截止頻率上限截止頻率, fL下限截止頻率下限截止頻率fBW通頻帶通頻帶: :

34、通頻帶越寬表明放大電路對不同頻率信號的適應(yīng)能力越強，但是通頻帶也不是越寬越好，通頻帶超出信號所需要的寬度，會增加電路的成本，同時也會把有用信號以外的干擾和噪聲信號一起放大，所以，應(yīng)根據(jù)信號的頻帶寬度來要求放大電路應(yīng)有的通頻帶?；痉糯箅娐返慕M成和工作原理基本放大電路的組成和工作原理三極管放大電路有三種形式共射放大電路共基放大電路共集放大電路以共射放大電路為例講解工作原理本節(jié)重點:正確理解放大電路的組成原則。2.會畫放大電路的直流通路與交流通路。3.會判斷放大電路能否對交流信號進行放大。4.掌握放大電路的靜態(tài)分析方法。4.正確理解放大電路的圖解分析法。2.32.3共發(fā)射極電路的組成及工作原理共發(fā)

35、射極電路的組成及工作原理2.3 共發(fā)射極放大電路的組成及工作原理共發(fā)射極放大電路的組成及工作原理 放大電路要具有放大作用，必須滿足三個組成原則：放大電路要具有放大作用，必須滿足三個組成原則： 確保晶體管工作于放大區(qū)，即滿足發(fā)射結(jié)正向偏 置，集電結(jié)反向偏置的外部條件。 確保被放大的交流輸入信號能夠作用于晶體管的輸 入回路。 確保放大后的交流輸出信號能夠傳送到負載上去。輸出不失輸出不失真真發(fā)射結(jié)加正向發(fā)射結(jié)加正向電壓電壓集電結(jié)加反集電結(jié)加反向電壓向電壓RBVBBC1+Rs+us-RCVCCTC2RL+uo信號源加到信號源加到b-e間間ui 2.3.1 2.3.1 共發(fā)射極放大電路的組成共發(fā)射極放大

36、電路的組成RBVBBRCC1C2T放大元件放大元件iC= iB，工作在放大區(qū)，要工作在放大區(qū)，要保證集電結(jié)反偏，保證集電結(jié)反偏，發(fā)射結(jié)正偏。發(fā)射結(jié)正偏。uiuo輸入輸入輸出輸出參考點參考點RL+VCC1. 1. 確保晶體管工作于放大區(qū)確保晶體管工作于放大區(qū)共射放大電路組成使發(fā)射結(jié)正偏，并提供適當?shù)撵o態(tài)工作點IB和UBE。RB+VCCVBBRCC1C2TRL基極電源與基極電阻共射放大電路共射放大電路集電極電阻，將變化的電流轉(zhuǎn)變?yōu)樽兓碾妷?。RB+VCCVBBRCC1C2TRL耦合電容：電解電容，有極性，大小為10F50F作用：隔直通交隔離輸入輸出與電路直流的聯(lián)系，同時能使信號順利輸入輸出。RB+

37、VCCVBBRCC1C2TRL+uiuo 2. 2.確保輸入交流信號確保輸入交流信號 作用于發(fā)射結(jié)作用于發(fā)射結(jié) 3. 3.確保輸出交流信號作用于負載確保輸出交流信號作用于負載2.3.1 共發(fā)射極放大電路的組成共發(fā)射極放大電路的組成 (a)雙電源供電 (b)單電源供電圖2-25 基本共發(fā)射極放大電路的組成2.3.2 共發(fā)射極放大電路的工作原理共發(fā)射極放大電路的工作原理1. 輸入信號為零時的工作情況輸入信號為零時的工作情況 當輸入信號ui=0時，電路中各處的電壓電流都是不變的直流信號，稱為直流工作狀態(tài)，也稱靜態(tài)。 UCE = VCC-RCIC (a) 工作電路 (b) 等效電路圖2-26 放大電路

38、ui=0時工作情況 1.靜態(tài)：靜態(tài)： u ui i=0.=0. CEQCCCQCUVIRIBQuiOtOtOtuoOtOtICQUCEQBEQO2.3.2 共發(fā)射極放大電路的工作原理共發(fā)射極放大電路的工作原理CCBEQBQBVUIR 2. 輸入信號不為零時的工作情況輸入信號不為零時的工作情況tUuUuiIiiIiuUuuuuRiRiVcemceoCcCECCCCceCECEcCCbBBbeBEBEsin符號說明符號說明IBQuiOt iB OtuCEOtuoOt iC OtICQUCEQUBEQuBE OtuCE =VCC-iCRC=VCC-ICRC-ic RC =UCE-icRC 幾點結(jié)論：

39、幾點結(jié)論： (1) (1) 放大器輸入交變電壓時，晶體管放大器輸入交變電壓時，晶體管各極電各極電流的方向和極間電壓的極性始終不變，流的方向和極間電壓的極性始終不變，只是圍只是圍繞各自的靜態(tài)值，按輸入信號規(guī)律近似呈線性繞各自的靜態(tài)值，按輸入信號規(guī)律近似呈線性變化。變化。 (2) (2) 晶體管各極電流、電壓的瞬時波形中，晶體管各極電流、電壓的瞬時波形中，只有只有交流分量才能反映輸入信號的變化交流分量才能反映輸入信號的變化，因此，因此，需要放大器輸出的是交流量。需要放大器輸出的是交流量。 (3) (3) 將將共射放大電路輸出與輸入共射放大電路輸出與輸入的波形對照，的波形對照，可知兩者的變化規(guī)律正好

40、相反，通常稱這種波可知兩者的變化規(guī)律正好相反，通常稱這種波形關(guān)系為形關(guān)系為反相反相或或倒相倒相。2.3.3、直流通路和交流通路、直流通路和交流通路共射放大電路共射放大電路 直流通路直流通路 交流通路交流通路 +-+VTRS+- RB RL RCUiUsUo RL+VCC+-+-+ C2 C1VT RS+- RB RCUiUsUo+VCCVT RB RC放大電路工作在放大電路工作在放大狀態(tài)放大狀態(tài)時，電路中交直流信號并存。時，電路中交直流信號并存。為了分析方便，將交流信號和直流信號分開研究。直流為了分析方便，將交流信號和直流信號分開研究。直流信號的工作情況稱為信號的工作情況稱為靜態(tài)靜態(tài)，用直流通

41、路來分析；交流信，用直流通路來分析；交流信號的工作情況稱為號的工作情況稱為動態(tài)動態(tài)，用交流通路來分析。這樣就需，用交流通路來分析。這樣就需要根據(jù)電路的具體情況，正確地畫出電路的直流通路和要根據(jù)電路的具體情況，正確地畫出電路的直流通路和交流通路。交流通路。 當放大電路輸入信號較小，BJT可按線性電路對待，利用疊加定理：分別分析電路中的交流單獨作用產(chǎn)生的相應(yīng)、直流單獨作用產(chǎn)生的相應(yīng)，再疊加。直流通路(ui = 0)分析靜態(tài)。 直流通路：只有直流作用的通路。畫直流通路的原則：1、將交流電壓源短路 2、將電容開路,電感短路。2.3.3 直流通路和交流通路直流通路和交流通路 交流通路(ui 0)分析動態(tài)

42、，只考慮變化的電壓和電流。交流通路：只有交流作用的通路。畫交流通路原則畫交流通路原則：1. 固定不變的電壓源都視為短路；2. 固定不變的電流源都視為開路；3. 耦合電容對交流信號短路0j/1 C 畫出放大電路的直流通路畫出放大電路的直流通路直流通路的畫法：直流通路的畫法：開路開路開路開路將交流電壓源短路將交流電壓源短路 將電容開路。將電容開路。對交流信號對交流信號(輸入信號輸入信號ui)短路短路短路短路置零置零uo將直流電壓源短路，將直流電壓源短路，將電容短路。將電容短路。交流通路交流通路分析動態(tài)工作情況分析動態(tài)工作情況交流通路的畫法：交流通路的畫法：(c) 交流通路 (a) 共射放大電路(b

43、) 直流通路【例】 畫出圖中電路的直流通路和交流通路?！纠纠?-4】 畫出畫出圖圖2-29電路的直流通路和交流通路。電路的直流通路和交流通路。圖2-29解： 直流通路: 將圖中ui短路，電容開路，電路其他部分保留。 交流通路: 將圖中電容短路，直流電源對地短路，電路其他部分保留。(a) 直流通路(b) 交流通路放大電路要具有放大作用，必須滿足以下三個放大電路要具有放大作用，必須滿足以下三個組成原則組成原則： 確保晶體管工作于放大區(qū)，即滿足發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)反向偏置的外部條件 確保被放大的交流輸入信號能夠作用于晶體管的輸入回路。 確保放大后的交流輸出信號能傳送到負載上去。例2-5 根據(jù)放大

44、電路的組成原則，判斷下圖個電路對交流信號是否具有放大作用。發(fā)射結(jié)沒有正偏電壓（a）中發(fā)射結(jié)沒有正向偏置電壓，晶體管不能工作在放大區(qū) （a）（a）直流通路 否解 基極無直流偏置（b） C1有隔離直流的作用，晶體管基極無直流偏置 （b）直流通路 否（b）解 輸入信號無法加到放大電路的輸入端（c）交流通路 （c）中旁路電容C1對交流輸入信號短路，使得輸入信號電壓vi無法加到放大電路的輸入端 解 （c）否無交流信號輸出（d）由于沒有集電極電阻RC，只有信號電流，無交流電壓信號輸出 （d）交流通路解 （d） 放大電路沒有輸入信號時(ui=0)的工作狀態(tài)稱為靜態(tài)。 靜態(tài)分析的任務(wù)是根據(jù)電路參數(shù)和三極管的特

45、性確定靜 態(tài)值（直流值）UBE、IB、 IC 和 UCE?？捎梅糯箅娐返闹绷魍穪矸治觥?.4.1 靜態(tài)工作情況分析靜態(tài)工作情況分析2. 4放大電路的圖解分析法放大電路的圖解分析法畫直流通路的原則：1、將交流電壓源短路 2、將電容開路,電感短路。直流通路：只有直流作用的通路。RB+VCCRCC1C2TRL為什么要為什么要設(shè)置靜態(tài)設(shè)置靜態(tài)工作點？工作點？ 放大電路建立正確的靜態(tài)工作點，是為了使三極管工作在線性區(qū)(放大區(qū))以保證信號不失真。開路開路將交流電壓源短路將交流電壓源短路 將電容開路。將電容開路。直流通路的畫法：直流通路的畫法：開路開路RB+VCCRCC1C2RLUi=0一、靜態(tài)工作點的估

46、算一、靜態(tài)工作點的估算1.1.直流通路直流通路靜態(tài)工作點（靜態(tài)工作點（ IB、UBE、IC、UCE）靜態(tài)工作點（靜態(tài)工作點（ IB、UBE、IC、UCE）2.2.估算估算R+VCCRCVTICQUBEQUCEQ( ICQ,UCEQ)(IBQ,UBEQ)IBQ+-（1）估算IB（ UBE 0.7V)RB+VCCRCIBUBEBBECCBRUVI BCC70R.V BCCRV RB稱為偏置電阻，IB稱為偏置電流。（2）估算IC 、 UCECCCCCERIVU IC= IBICRB+VCCRCUCE+-例：用估算法計算靜態(tài)工作點。已知：VCC=12V，RC=4k，RB=300k，=37.5。解：A4

47、00.04mA30012BCCBRVImA51040537BC.II6V41.512CCCCCERIVU請注意電路中IB和IC的數(shù)量級UBE 0.7VRB+VCCRC+VCC( ICQ,UCEQ)(IBQ,UBEQ)-RRCTICQUBEQUCEQIBQ+-二、二、用圖解法確定靜態(tài)工作點用圖解法確定靜態(tài)工作點BEQ = V BQRBUCE = VCC IC RC1. 在輸入回路中確定在輸入回路中確定 (UBEQ, IBQ)根據(jù)輸入特性曲線及直流負載線方程：BEQ = V BQRB輸入回路圖解輸入回路圖解QuBE/ViB/ A靜態(tài)工作點靜態(tài)工作點VCCVCC/RBUBEQIBQO可在輸入特性曲線

48、找出靜態(tài)工作點Q(UBEQ,IBQ)RRCTICQUBEQUCEQIBQ+-UCEQ = VCC ICQ RC輸出回路圖解輸出回路圖解uCE/ViC/mAVCCVCC/RCOQUCEQICQIBQ 根據(jù)輸出特性曲線及直流負載線方程：2.在輸出回路中確定在輸出回路中確定 (UCEQ, ICQ)(IBQ,UBEQ) 和和( ICQ,UCEQ )分別對應(yīng)于輸入輸出特分別對應(yīng)于輸入輸出特性曲線上的一個點稱為性曲線上的一個點稱為靜態(tài)工作點靜態(tài)工作點。直流負載線直流負載線CEQCCCQCCUVIRR 斜率為斜率為 -1/RCRRCTICQUBEQUCEQIBQ+-RB+VCCRCC1C2RLUi=0BEQ

49、C1UU +-IBQuiOtOtOtuoOtOtICQUCEQBEQOIBQICQUBEQUCEQ+-ui=0時，電路中各極電壓和電流都是固定不變的直流。時，電路中各極電壓和電流都是固定不變的直流。2.4.2 用圖解法確定動態(tài)工作情況用圖解法確定動態(tài)工作情況一一. 輸出空載輸出空載 （RL=）時的動態(tài)）時的動態(tài)動態(tài)：動態(tài)：ui 0電路的工作狀態(tài)。電路的工作狀態(tài)。重點：1正確理解作圖的過程，明白動態(tài)時，電路中各極電流與電壓的組成。2.掌握放大電路最大動態(tài)范圍的計算方法。3.失真的判斷。2.4.2 用圖解法確定動態(tài)工作情況用圖解法確定動態(tài)工作情況1. 根據(jù)根據(jù)ui在輸入特性上畫出在輸入特性上畫出i

50、b和和ube0.7 VQuiOt tiB/ AOO tiBIBQibiBEQiC1BEuUuUu BBQbiIiuBE/VuBE/Vib= Ibmsint 2. 根據(jù)根據(jù)ib在輸出特性上畫出在輸出特性上畫出ic和和uceiBuCE/ViC/mAcecCui R 交流負載線： ui 0 時,由電路確定ic和uce之間的關(guān)系曲線。VCCVCC/RCicRBRCuiuo-uce2. 根據(jù)根據(jù)ib在輸出特性上畫出在輸出特性上畫出ic和和uce0.7 VQuiO tuBE/ViB/ AOOt tuBE/ViBIBQQQ Q O tICQUCEQiBuCE/ViC/mAiCOt tuCE/VibicUce

51、mucecCCiIi bcIi ceCECEuUu 說明說明uce（即（即uo）和）和ui反相，同時可以求出電壓放大倍數(shù)反相，同時可以求出電壓放大倍數(shù)uCE =VCC-iCRC=VCC-ICRC-ic RC =UCE-icRC =UCE+uce uce= -icRC= -IcmRCsint ic= -uce/RC 空載時放大電路的交流負載線空載時放大電路的交流負載線,過點過點Q，且斜率為，且斜率為 -1/RC,與直流負載線重合與直流負載線重合 uo = uceui = ube動態(tài)分析（動態(tài)分析（ui0） RL=各點波形各點波形uo比比ui幅度放大且相位相反幅度放大且相位相反RB+VCCRCC1

52、C2uiiBiCuCEuouo = uceube = uiceCECEcCCbBBbeBEBEuUuiIiiIiuUu uce= -icRC二、接上負載二、接上負載RL時的圖解法時的圖解法輸出端接入負載輸出端接入負載RL，不影響不影響Q ，影響動態(tài)！影響動態(tài)！1.交流通路交流通路RB+VCCRCC1C2RLuiuo-對交流信號對交流信號(輸入信號輸入信號ui)1/ C 0將直流電壓源短路，將電容短路。將直流電壓源短路，將電容短路。方法和步驟方法和步驟:短路短路短路短路置置零零RB+VCCRCC1C2RLuiuo-交流通路交流通路RBRCRLuiuo-注意：注意：(1) 交流負載線是動態(tài)時ic與

53、uce之間的關(guān)系曲線。(2) 空載時，交流負載線與直流負載線重合。2. 交流負載線交流負載線(1) 方程方程RbRCRLuiuoicuce其中：CLLR/RR uce=-ic（RC/RL）= -ic RL交流量ic和uce有如下關(guān)系：這就是說，交流負載線的斜率為：L1R uce=-ic（RC/RL）= -ic RL或ic=（-1/ RL） uce(2)交流負載線的作法：斜 率為-1/RL 。（ RL= RLRc ）經(jīng)過Q點。 iCuCEVCCCCCRVQIB直流負載線交流負載線斜斜 率為率為-1/RL 。（ RL= RLRc ）經(jīng)過經(jīng)過Q點。點。 注意：注意：（1 1）交流負載線是有交流輸入信

54、號時工作點的運動軌跡。）交流負載線是有交流輸入信號時工作點的運動軌跡。 （2 2）空載時，交流負載線與直流負載線重合。）空載時，交流負載線與直流負載線重合。交流負載線交流負載線CCCCCECRVRVI直流負載線直流負載線斜率為斜率為-1/RCLCEQCCCQCEQCCCQQNQN10RUVIUVIXXYYK LCQCEQCCRIUV 計算交流負載線計算交流負載線與橫軸的交點：與橫軸的交點：CCV 交流負載線交流負載線的具體畫法：的具體畫法：直流負載線是用來確定工作點的；直流負載線是用來確定工作點的；交流負載線是用來畫出波形，分析波形失真。交流負載線是用來畫出波形，分析波形失真。注意：注意：（1

55、）交流負載線是有交流）交流負載線是有交流 輸入信號時工作點的運輸入信號時工作點的運 動軌跡。動軌跡。 （2）空載時，交流負載線與直流負載線重合。）空載時，交流負載線與直流負載線重合。1.1.確定靜態(tài)工作點確定靜態(tài)工作點Q Q 在輸入回路中確定在輸入回路中確定 (UBEQ, IBQ);在輸出回路中確定在輸出回路中確定 (UCEQ, ICQ) 做出直流負載線。做出直流負載線。2. 根據(jù)根據(jù)ui在輸入特性上畫出在輸入特性上畫出ib和和ube3. 根據(jù)根據(jù)ib在輸出特性上畫出在輸出特性上畫出ic和和uce 畫出交流負載線畫出交流負載線圖解法圖解法2.4.3 電路參數(shù)對靜態(tài)工作點的影響電路參數(shù)對靜態(tài)工作

56、點的影響 1. 改變改變 RB，其他參數(shù)不變，其他參數(shù)不變uBEiBuCEiCVCCVBBVBBRBQQR B iB Q 趨近截止區(qū)；趨近截止區(qū)；R B iB Q 趨近飽和區(qū)。趨近飽和區(qū)。UBE=VCC-IBRB輸入回路直流負載線 輸出回路直流負載線 UCE=VCC-ICRC VCC/RC 2.4.3 電路參數(shù)對靜態(tài)工作點的影響電路參數(shù)對靜態(tài)工作點的影響 2. 改變改變 RC ，其他參數(shù)不變，其他參數(shù)不變RC Q 趨近飽和區(qū)。趨近飽和區(qū)。iCuBEiBuCEVCCUCEQQQICQVCCRCQQRC Q 遠離飽和區(qū)。遠離飽和區(qū)。UBE=VCC-IBRBUCE=VCC-ICRC 2.4.4 非線

57、性失真非線性失真1. “Q”過低引起截止失真過低引起截止失真NPN 管：管： 頂部頂部失真為截止失真。失真為截止失真。PNP 管：管： 底部底部失真為截止失真。失真為截止失真。不發(fā)生截止失真的條件：不發(fā)生截止失真的條件：IBQ Ibm 。2.“Q”過高引起飽和失真過高引起飽和失真ICS集電極臨界集電極臨界飽和電流飽和電流NPN 管：管：底部底部失真為飽和失真。失真為飽和失真。PNP 管：管：頂部頂部失真為飽和失真。失真為飽和失真。IBS 基極臨界飽和電流?；鶚O臨界飽和電流。不發(fā)生飽和失真的條件：不發(fā)生飽和失真的條件： IBQ + I bm IBSuCEiCt OOiCO tuCEQV CCCS

58、CECCCSBSRUVII 3.靜態(tài)工作點靜態(tài)工作點Q的位置應(yīng)適中：的位置應(yīng)適中：靜態(tài)工作點靜態(tài)工作點Q的位置應(yīng)該適中，既不能太高，又不能太低。的位置應(yīng)該適中，既不能太高，又不能太低。Q的位置的位置太高太高引引起起飽和飽和失真，失真，太低太低引起引起截止截止失真。失真。Q應(yīng)選取在輸出特性曲線上交流負載線接應(yīng)選取在輸出特性曲線上交流負載線接近中央的位置近中央的位置 Q點位置過低(截止失真) Q點位置適中(不失真) Q點位置過高(飽和失真) 2、為獲得最大輸出，、為獲得最大輸出，“Q” 可設(shè)在交流負載線中點?？稍O(shè)在交流負載線中點。3、為提高電壓放大倍數(shù)，、為提高電壓放大倍數(shù)，“Q”可以設(shè)得高一些；

59、可以設(shè)得高一些；選擇工作點的原則：選擇工作點的原則：1、靜態(tài)工作點的選擇，、靜態(tài)工作點的選擇，還要考慮交流輸入信號的還要考慮交流輸入信號的大小。如果輸入信號幅度小，則可把靜態(tài)工作點選大小。如果輸入信號幅度小，則可把靜態(tài)工作點選得低一些，以減少管子在靜態(tài)時的功率損耗；如果得低一些，以減少管子在靜態(tài)時的功率損耗；如果交流輸入信號幅度大，則可把靜態(tài)工作點選得高一交流輸入信號幅度大，則可把靜態(tài)工作點選得高一些。這些都應(yīng)以交流輸出信號的波形不出現(xiàn)失真為些。這些都應(yīng)以交流輸出信號的波形不出現(xiàn)失真為準。準。盡管靜態(tài)工作點位置適當，但當輸入信號幅度過大時，輸出信號將會同時出現(xiàn)飽和失真和截止失真，稱之為雙向失真

60、。 靜態(tài)工作點靜態(tài)工作點Q的位置應(yīng)適中的位置應(yīng)適中2.4.5 最大輸出電壓幅值最大輸出電壓幅值 LR 放大電路在電路參數(shù)確定的條件下，輸出端不發(fā)生飽和放大電路在電路參數(shù)確定的條件下，輸出端不發(fā)生飽和失真和截止失真的最大輸出信號電壓的幅值稱為最大不失真失真和截止失真的最大輸出信號電壓的幅值稱為最大不失真輸出電壓幅值輸出電壓幅值(Uom)M。(1) 受截止失真限制受截止失真限制LCQFRIU (2) 受飽和失真限制受飽和失真限制CESCEQRUUU (Uom)M = minUR,UF(3) 最大不失真輸出電壓最大不失真輸出電壓= UCEQ +ICQCCVLR2. 放大器輸出動態(tài)范圍UOPP 由于受晶體管截