雙極型功率晶體ppt課件

1、上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)9.3.1 雙極型功率晶體管雙極型功率晶體管BJT 1. 功率管的選擇功率管的選擇 (1) PCM0.2Pom (2) |U(BR)CEO|2VCC(3) ICMVCC/RC9.3 功率器件與散熱功率器件與散熱在互補(bǔ)推挽功率放大電路中在互補(bǔ)推挽功率放大電路中, ,功率管的極限參數(shù)功率管的極限參數(shù)應(yīng)滿足以下關(guān)系應(yīng)滿足以下關(guān)系上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)2二次擊穿的影響二次擊穿的影響 iCuCEOBA二次擊穿二次擊穿一次擊穿一次擊穿S/B曲線曲線二次擊穿景象二次擊穿景象二次擊穿臨界曲線二次擊穿臨界曲線iCuCEO上

2、頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)1. V型型NMOS管的構(gòu)造管的構(gòu)造 構(gòu)造剖面圖構(gòu)造剖面圖9.3.2 功率功率MOSFET s s 源極源極 g 柵極柵極 金屬金屬 源極源極S i O2溝道溝道溝道溝道外延層外延層襯底襯底d 漏極漏極_ _N +PPNN +N +上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)2. V型型NMOS管的主要特點(diǎn)管的主要特點(diǎn)(1) 開關(guān)速度高開關(guān)速度高 (2) 驅(qū)動(dòng)電流小驅(qū)動(dòng)電流小 (3) 過載才干強(qiáng)過載才干強(qiáng) (4) 易于并聯(lián)易于并聯(lián) 上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)IGBT等等效電路效電路dT1gsRT2I

3、GBT電電路符號(hào)路符號(hào)gsdT9.3.3 絕緣柵雙極型晶體管絕緣柵雙極型晶體管IGBT上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)絕緣柵雙極型晶體管絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)(IGBT)的主要特點(diǎn)：的主要特點(diǎn)：(1) 輸入阻抗高輸入阻抗高(2) 任務(wù)速度快任務(wù)速度快(3) 通態(tài)電阻低通態(tài)電阻低(4) 阻斷電阻高阻斷電阻高(5) 接受電流大接受電流大兼顧了兼顧了MOSFETMOSFET和和BJTBJT的優(yōu)的優(yōu)點(diǎn)，成為當(dāng)前功率半導(dǎo)體點(diǎn)，成為當(dāng)前功率半導(dǎo)體器件開展的重要方向。器件開展的重要方向。上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)外殼外殼c c集電結(jié)集電結(jié)j j散

4、熱器散熱器s sR( t h ) j cR( t h ) c sR( t h ) s a環(huán)境環(huán)境a a9.3.4 功率器件的散熱功率器件的散熱晶體管的散熱表示圖晶體管的散熱表示圖上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)導(dǎo)電回路電路導(dǎo)電回路電路散熱回路熱路散熱回路熱路參參 量量 符符 號(hào)號(hào) 單單 位位參參 量量符符 號(hào)號(hào) 單位單位電電 壓壓UV溫溫 差差ToC電電 流流IA最大允最大允許功耗許功耗PCMW電電 阻阻R熱熱 阻阻RToC/W 功率器件的散熱分析方法功率器件的散熱分析方法導(dǎo)電回路和散熱回路參數(shù)對(duì)照表導(dǎo)電回路和散熱回路參數(shù)對(duì)照表電電熱模擬法熱模擬法, ,即用電路來模擬功率器件的散熱即用電路來模擬功率器件的散熱回路?；芈?。上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)Tj集電結(jié)的結(jié)溫集電結(jié)的結(jié)溫Tc 功率管的殼溫功率管的殼溫Ts 散熱器溫度散熱器溫度Ta 環(huán)境溫度環(huán)境溫度Rjc 集電結(jié)到管殼的熱阻集電結(jié)到管殼的熱阻Rcs 管殼至散熱片的熱阻管殼至散熱片的熱阻Rsa 散熱片至環(huán)境的熱阻散熱片至環(huán)境的熱阻散熱等效熱路散熱等效熱路TjTcTsTaRjcRcsRsajcsaPCM上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)散熱回路的總