Y電容的跨接方式及其對(duì)其他方面的影響_第1頁(yè)
Y電容的跨接方式及其對(duì)其他方面的影響_第2頁(yè)
Y電容的跨接方式及其對(duì)其他方面的影響_第3頁(yè)
Y電容的跨接方式及其對(duì)其他方面的影響_第4頁(yè)
Y電容的跨接方式及其對(duì)其他方面的影響_第5頁(yè)
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1、用戶名: cmg   |  等級(jí): 核心社員   積分: 1532   | 發(fā)帖數(shù): 20   回復(fù)數(shù): 629    樓主   查看本帖最后回復(fù) Y電容的跨接方式及其對(duì)其他方面的影響 有時(shí)間時(shí)填上。窗體頂端回復(fù)樓主  |  發(fā)表時(shí)間: 2008-10-14 14:20:52  |  TOP  |  加為好友 發(fā)送私信  |  舉報(bào) 窗體底端用戶名:tiger1002sdo  | 等級(jí):舉人   積分:31

2、9  |  發(fā)帖數(shù):5  回復(fù)數(shù):63  第1樓  我也找個(gè)座等窗體頂端回復(fù)第1樓 |  回復(fù)時(shí)間:2008-10-14 19:19:02 |   TOP |  加為好友 發(fā)送私信 | 舉報(bào) 窗體底端用戶名:liu1337  | 等級(jí):版主   積分:1340  |  發(fā)帖數(shù):67  回復(fù)數(shù):413  第2樓  關(guān)注窗體頂端回復(fù)第2樓 |  回復(fù)時(shí)間:2008-10-16 15:32:38 |&#

3、160;  TOP |  加為好友 發(fā)送私信 | 舉報(bào) 窗體底端用戶名:feier  | 等級(jí):秀才   積分:236  |  發(fā)帖數(shù):3  回復(fù)數(shù):37  第3樓  CMG怎么就寫(xiě)了個(gè)標(biāo)題啊窗體頂端回復(fù)第3樓 |  回復(fù)時(shí)間:2008-10-16 17:14:06 |   TOP |  加為好友 發(fā)送私信 | 舉報(bào) 窗體底端用戶名:cmg  | 等級(jí):核心社員   積分:1532  |  發(fā)帖數(shù)

4、:20  回復(fù)數(shù):629  第4樓  不好意思,現(xiàn)在補(bǔ)上: 連接方式一般有4種,上面畫(huà)了個(gè)反激拓?fù)?,其他拓?fù)湟彩强梢缘?。第一種方法是連接到初級(jí)高壓和次級(jí)輸出正第二種方法是連接到初級(jí)高壓和次級(jí)地線第三種方法是連接到初級(jí)地和次級(jí)正第四種方法是連接到初級(jí)地和次級(jí)地注:次級(jí)正是指輸出的正端,如果是正激類拓?fù)涫侵咐m(xù)流電感的后面。這是一般小功率電源的連接方法,大功率電源由于有地線,沒(méi)有漏電流的限制,可那這4端都有電容。我們以有一個(gè)Y電容的情況討論。 窗體頂端回復(fù)第4樓 |  回復(fù)時(shí)間:2008-10-17 16:29:11 | 

5、;  TOP |  加為好友 發(fā)送私信 | 舉報(bào) 窗體底端用戶名:cmg  | 等級(jí):核心社員   積分:1532  |  發(fā)帖數(shù):20  回復(fù)數(shù):629  第5樓  對(duì)于EMI來(lái)說(shuō),這些方法中,1,2種的效果幾乎是一樣的;3,4種的效果幾乎是一樣的。因?yàn)榇渭?jí)的電解電容把輸出的正、負(fù)短路了,這個(gè)短路是指150KHz頻率以上時(shí)高頻電解的內(nèi)阻極低,把高頻信號(hào)短路掉,但一般由于考慮到布線連接的方便, 2,4種方法常用。窗體頂端回復(fù)第5樓 |  回復(fù)時(shí)間:2008-10-17 20:

6、18:53 |   TOP |  加為好友 發(fā)送私信 | 舉報(bào) 窗體底端用戶名:greendot  | 等級(jí):秀才   積分:576  |  發(fā)帖數(shù):0  回復(fù)數(shù):266  第6樓  但電解電容在30MHz時(shí)內(nèi)阻可不低啊。150KHz可能已超過(guò)它的SRF了。窗體頂端回復(fù)第6樓 |  回復(fù)時(shí)間:2008-10-18 12:09:41 |   TOP |  加為好友 發(fā)送私信 | 舉報(bào) 窗體底端用戶名:cmg  | 等級(jí)

7、:核心社員   積分:1532  |  發(fā)帖數(shù):20  回復(fù)數(shù):629  第7樓  輸出電解一般是高頻低阻的,內(nèi)阻只有0.0幾歐姆,另外ESL也很小,關(guān)鍵是兩輸出線的分布電容也很大,30MHz時(shí)阻抗也比較小。更為關(guān)鍵的是一般電源正的部分和負(fù)的部分的面積是差不多的,其對(duì)地電容也差不多,所以接上接下EMI差不多。但是接下面一個(gè)是布板比較方便,另外對(duì)其他方面會(huì)比較好,如ESD測(cè)試,在次級(jí)打ESD時(shí)會(huì)有高頻電流跑到初級(jí),其中一個(gè)途徑就是Y電容,如果Y電容接次級(jí)正,則此高頻電流可能形成的電壓會(huì)加在整流管兩端,還有會(huì)有部分電流會(huì)流過(guò)整流管的節(jié)電容

8、,有電容有電流也會(huì)形成電壓,有可能把整流管擊穿掉。特別是管子沒(méi)有RC吸收時(shí),這是有用戶實(shí)際發(fā)生過(guò)的情況,讓他把Y電容放地線就好了。窗體頂端回復(fù)第7樓 |  回復(fù)時(shí)間:2008-10-18 20:49:29 |   TOP |  加為好友 發(fā)送私信 | 舉報(bào) 窗體底端用戶名:greendot  | 等級(jí):秀才   積分:576  |  發(fā)帖數(shù):0  回復(fù)數(shù):266  第8樓  電解電容的ESL由幾個(gè)nH至幾十個(gè)nH都有,以10nH 30MHz來(lái)計(jì),就遠(yuǎn)大于 0.0幾歐

9、,不過(guò)這樣才幾歐,比起整個(gè)回路阻抗,依然是很小的。如果是CY1的接法,打ESD時(shí),為什么整流管會(huì)掛掉?是打5V時(shí)發(fā)生的嗎,電流不是先經(jīng)CY1流走了? 窗體頂端回復(fù)第8樓 |  回復(fù)時(shí)間:2008-10-19 21:55:27 |   TOP |  加為好友 發(fā)送私信 | 舉報(bào) 窗體底端用戶名:cmg  | 等級(jí):核心社員   積分:1532  |  發(fā)帖數(shù):20  回復(fù)數(shù):629  第9樓  0.幾歐姆我說(shuō)的是內(nèi)阻,即ESR,不是ESL。8KV接觸ESD,

10、15KV一般是打空氣放電。當(dāng)然也有人打15KV接觸。ESD的頻譜成分是很寬的,并不會(huì)按預(yù)想的路徑走,所以EMC是很難來(lái)計(jì)算的,只能用理論來(lái)理解并具有一定的指導(dǎo)作用。整流管也有電容,變壓器也有電容,所以ESD可走的路徑是很多的。但Y電容肯定是主要路徑之一。解決途徑的方法是把Y電容放到次級(jí)地線,如果還不行,可以在整流管上面串一個(gè)小磁珠。窗體頂端回復(fù)第9樓 |  回復(fù)時(shí)間:2008-10-20 11:09:07 |   TOP |  加為好友 發(fā)送私信 | 舉報(bào) 窗體底端用戶名:forestgump1003  | 等級(jí):舉人 &#

11、160; 積分:485  |  發(fā)帖數(shù):8  回復(fù)數(shù):186  第10樓  頂窗體頂端回復(fù)第10樓 |  回復(fù)時(shí)間:2008-10-20 11:17:48 |   TOP |  加為好友 發(fā)送私信 | 舉報(bào) 窗體底端用戶名:greendot  | 等級(jí):秀才   積分:576  |  發(fā)帖數(shù):0  回復(fù)數(shù):266  第11樓  1。我知道你說(shuō)的0.0幾歐是100KHz的ESR,高頻時(shí)ESL是主要,Y Cap也是。2。

12、ESD的問(wèn)題,我是指在上圖的+5V處觸打,假設(shè)CY1接法,L5短路,脈沖電流先從CY1和D16接點(diǎn)右邊的走線/元件對(duì)地雜散電容走掉部分后,分開(kāi)流過(guò)CY1和D16_Cj,這樣CY1是保護(hù)了D16,D16應(yīng)該更安全,為什么適得其反?希望沒(méi)理解錯(cuò)你的情形。窗體頂端回復(fù)第11樓 |  回復(fù)時(shí)間:2008-10-20 12:21:50 |   TOP |  加為好友 發(fā)送私信 | 舉報(bào) 窗體底端用戶名:cmg  | 等級(jí):核心社員   積分:1532  |  發(fā)帖數(shù):20  回復(fù)數(shù):629

13、60; 第12樓  由于有C19、C26的存在,從+5和地打的結(jié)果都是一樣的,L5并不短路,它割斷了大部分從+5的ESD電流。關(guān)鍵是有電流從上面跑,我已經(jīng)說(shuō)過(guò),由于分布參數(shù)存在,EMS是沒(méi)有辦法準(zhǔn)確分析的,甚至定性理論分析都有可能錯(cuò)誤,所以只有理論結(jié)合著試驗(yàn)。我說(shuō)的這些方法都是試驗(yàn)出來(lái)的。只是后來(lái)才試著從理論上分析一下。Y電容放地線時(shí),放電電流主要從下面跑,離整流管比較遠(yuǎn),所以一般沒(méi)有問(wèn)題,是一般不是絕對(duì),布線的引線電感大時(shí)也有問(wèn)題。窗體頂端回復(fù)第12樓 |  回復(fù)時(shí)間:2008-10-20 13:34:14 |   TOP | &#

14、160;加為好友 發(fā)送私信 | 舉報(bào) 窗體底端用戶名:greendot  | 等級(jí):秀才   積分:576  |  發(fā)帖數(shù):0  回復(fù)數(shù):266  第13樓  我假設(shè)L5短路,是令D16承受最大可能的沖擊來(lái)分析。電流選擇最低阻抗路線走,的確很難分析,但就同一電源來(lái)講,其余不變,只因CY的接點(diǎn)而有分別,就似乎不太困難? 窗體頂端回復(fù)第13樓 |  回復(fù)時(shí)間:2008-10-20 14:04:07 |   TOP |  加為好友 發(fā)送私信 | 舉報(bào) 窗體底端用

15、戶名:cmg  | 等級(jí):核心社員   積分:1532  |  發(fā)帖數(shù):20  回復(fù)數(shù):629  第15樓  那你來(lái)分析一下。它的頻譜成分有幾百兆赫茲,一部分會(huì)通過(guò)Y電容跑到初級(jí),一部分會(huì)通過(guò)變壓器和光偶的電容跑到初級(jí),還有一部分是直接輻射到初級(jí),到初級(jí)后通過(guò)整流橋的節(jié)點(diǎn)容到交流線,利用交流線和地的電容跑到地線,也就是下面的鐵板。也有一部分通過(guò)次級(jí)引線和地(鐵板)的電容直接跑到地。還有一部分輻射到空中,這是分析次級(jí)直接接觸放電的情形。窗體頂端回復(fù)第15樓 |  回復(fù)時(shí)間:2008-10-20 14:15:

16、36 |   TOP |  加為好友 發(fā)送私信 | 舉報(bào) 窗體底端用戶名:ll91588  | 等級(jí):探花   積分:585  |  發(fā)帖數(shù):19  回復(fù)數(shù):259  第52樓  可以分析下嗎?我對(duì)您說(shuō)的也很感興趣!窗體頂端回復(fù)第52樓 |  回復(fù)時(shí)間:2008-12-20 18:48:36 |   TOP |  加為好友 發(fā)送私信 | 舉報(bào) 窗體底端用戶名:greendot  | 等級(jí):秀才   積分:5

17、76  |  發(fā)帖數(shù):0  回復(fù)數(shù):266  第56樓  噢,是關(guān)于CY1和CY2的接法,對(duì)D16的不同影響。只是覺(jué)得,如果實(shí)物在手,可以在上面做些具體觀察,實(shí)驗(yàn)和分析,來(lái)證明CY1會(huì)不會(huì)應(yīng)力損害D16。 窗體頂端回復(fù)第56樓 |  回復(fù)時(shí)間:2008-12-22 16:14:04 |   TOP |  加為好友 發(fā)送私信 | 舉報(bào) 窗體底端用戶名:feier  | 等級(jí):秀才   積分:236  |  發(fā)帖數(shù):3  回復(fù)數(shù):

18、37  第14樓  終于來(lái)了窗體頂端回復(fù)第14樓 |  回復(fù)時(shí)間:2008-10-20 14:05:10 |   TOP |  加為好友 發(fā)送私信 | 舉報(bào) 窗體底端用戶名:cmg  | 等級(jí):核心社員   積分:1532  |  發(fā)帖數(shù):20  回復(fù)數(shù):629  第16樓  初級(jí)接正和接負(fù)有些時(shí)候?qū)MI的影響也是不一樣的。主要是傳導(dǎo)的高頻段。共模電流的回歸點(diǎn)是初級(jí)電容的地線,接高壓端時(shí)EMI電流要經(jīng)過(guò)高壓電解,一般高壓電解的ESR,ESL比較

19、大,高頻時(shí)阻抗高,造成高頻段EMI變差。窗體頂端回復(fù)第16樓 |  回復(fù)時(shí)間:2008-10-20 16:59:47 |   TOP |  加為好友 發(fā)送私信 | 舉報(bào) 窗體底端用戶名:greendot  | 等級(jí):秀才   積分:576  |  發(fā)帖數(shù):0  回復(fù)數(shù):266  第18樓  正想問(wèn)CY2和CY4有無(wú)分別,答案就來(lái)了。但驟眼看來(lái),初級(jí)大電容的正負(fù)極對(duì)地線(大地)是對(duì)稱的,為什么負(fù)極是回歸點(diǎn)呢? 窗體頂端回復(fù)第18樓 |  

20、回復(fù)時(shí)間:2008-10-20 21:06:05 |   TOP |  加為好友 發(fā)送私信 | 舉報(bào) 窗體底端用戶名:cmg  | 等級(jí):核心社員   積分:1532  |  發(fā)帖數(shù):20  回復(fù)數(shù):629  第19樓  先自己思考吧。窗體頂端回復(fù)第19樓 |  回復(fù)時(shí)間:2008-10-20 21:12:24 |   TOP |  加為好友 發(fā)送私信 | 舉報(bào) 窗體底端用戶名:bowwow1975  | 等級(jí):秀才

21、   積分:201  |  發(fā)帖數(shù):0  回復(fù)數(shù):1  第20樓  一般兩 Pin 輸入的電源裡,在輸出 dummy load 後端接地線到大地,整個(gè) EMI 會(huì)浮起來(lái)!此時(shí)第四個(gè)接法會(huì)大大的降低低頻的部分,但是高頻(10MHz以後)就很難解了,有什麼好方法呢?窗體頂端回復(fù)第20樓 |  回復(fù)時(shí)間:2008-10-21 09:32:44 |   TOP |  加為好友 發(fā)送私信 | 舉報(bào) 窗體底端用戶名:cmg  | 等級(jí):核心社員   積分:1532&#

22、160; |  發(fā)帖數(shù):20  回復(fù)數(shù):629  第21樓  共模電流的主要流通路徑是變壓器到次級(jí),在從次級(jí)到大地(測(cè)試時(shí)的鐵板),從次級(jí)到大地是靠次級(jí)何地的雜散電容的,這個(gè)電容是pF級(jí)的,阻抗很高。次級(jí)接地后,阻抗為零了,所以整個(gè)EMI回路的阻抗大大降低,EMI就高了。這是可以調(diào)高初級(jí)的共模電感,一般會(huì)得到比較好的效果。窗體頂端回復(fù)第21樓 |  回復(fù)時(shí)間:2008-10-21 11:23:04 |   TOP |  加為好友 發(fā)送私信 | 舉報(bào) 窗體底端用戶名:飲水思源  | 等級(jí)

23、:秀才   積分:221  |  發(fā)帖數(shù):1  回復(fù)數(shù):11  第27樓  分析得很好。實(shí)際上測(cè)試也是這樣。但采用一個(gè)共模的成本很高,接地測(cè)試不加共模還有沒(méi)有別的辦法?窗體頂端回復(fù)第27樓 |  回復(fù)時(shí)間:2008-10-22 14:48:44 |   TOP |  加為好友 發(fā)送私信 | 舉報(bào) 窗體底端用戶名:cmg  | 等級(jí):核心社員   積分:1532  |  發(fā)帖數(shù):20  回復(fù)數(shù):629  第22樓

24、60; 但接高壓端有高壓端的好處,就是做雷擊和ESD時(shí)電流主要從上面跑,一般都原離薄弱的控制部分,控制部分不會(huì)被打死。窗體頂端回復(fù)第22樓 |  回復(fù)時(shí)間:2008-10-21 11:25:24 |   TOP |  加為好友 發(fā)送私信 | 舉報(bào) 窗體底端用戶名:greendot  | 等級(jí):秀才   積分:576  |  發(fā)帖數(shù):0  回復(fù)數(shù):266  第23樓  思考后,覺(jué)得不甚同意cmg這說(shuō)法。常說(shuō)噪音電流Ins=C*dv/dt,那么這電流從何而來(lái),如何流通?

25、 1。MOS開(kāi)通時(shí),從Y-cap經(jīng)變壓器的Cps而來(lái),a。如果Y-cap接初級(jí)地,電流將直接流回Y-cap,(這回路最短)b。如果Y-cap接初級(jí)V+,電流將經(jīng)Cbulk流回Y-cap, 2。MOS關(guān)閉時(shí),從變壓器初級(jí)而來(lái),a。如果Y-cap接初級(jí)地,電流將經(jīng) Cps,Y-cap, Cbulk 流回變壓器,b。如果Y-cap接初級(jí)V+,電流將經(jīng)Cps,Y-cap,流回變壓器 (這回路最短) 可見(jiàn)無(wú)論Y-cap接上或接下,電流都一樣有經(jīng)Cbulk的,不獨(dú)接上。再可以看到,接上有利于MOS turn off 時(shí) (2b),接下有利于MOS turn on時(shí) (1a)

26、(因?yàn)榄h(huán)路最短而不經(jīng)Cbulk )所以有建議是: 如果turn on比turn off 的dv/dt 快,Y-cap 接下,反之,接上。 窗體頂端回復(fù)第23樓 |  回復(fù)時(shí)間:2008-10-21 16:18:03 |   TOP |  加為好友 發(fā)送私信 | 舉報(bào) 窗體底端用戶名:cmg  | 等級(jí):核心社員   積分:1532  |  發(fā)帖數(shù):20  回復(fù)數(shù):629  第24樓  你的分析有些錯(cuò)誤,這個(gè)問(wèn)題在另一個(gè)帖子以后會(huì)有講解。俗話說(shuō):實(shí)

27、踐是檢驗(yàn)真理的唯一標(biāo)準(zhǔn)。做個(gè)試驗(yàn)看一下。另外說(shuō)了是一般情況,有些時(shí)候差別很小,特別是電容ESR,ESL很小,或有并聯(lián)高頻電容的時(shí)候。窗體頂端回復(fù)第24樓 |  回復(fù)時(shí)間:2008-10-21 22:32:14 |   TOP |  加為好友 發(fā)送私信 | 舉報(bào) 窗體底端用戶名:greendot  | 等級(jí):秀才   積分:576  |  發(fā)帖數(shù):0  回復(fù)數(shù):266  第25樓  我是不同意"回歸點(diǎn)"和Y電容接地就不經(jīng)大電容的說(shuō)法,所以這個(gè)分析,

28、只是個(gè)大概,忽略了一些,是不全面的,說(shuō)出主要觀點(diǎn)就是了。等不及了,那你能否只用一句話,告訴我那哪處不對(duì)呢,先不用解釋,讓我再思考,呵呵。 窗體頂端回復(fù)第25樓 |  回復(fù)時(shí)間:2008-10-22 14:01:49 |   TOP |  加為好友 發(fā)送私信 | 舉報(bào) 窗體底端用戶名:cmg  | 等級(jí):核心社員   積分:1532  |  發(fā)帖數(shù):20  回復(fù)數(shù):629  第26樓  傳導(dǎo)EMI可以用歐姆定律來(lái)定性分析,主要干擾源是MOS的漏極的開(kāi)關(guān)波形,

29、可以把MOS等效成一個(gè)交流電壓源,當(dāng)然這個(gè)電源是由很多頻率成分組成的,向變壓器初次級(jí)的電容、次級(jí)對(duì)地電容,Y電容等用阻抗來(lái)表示。既然是電壓源,又有阻抗,又有通路,當(dāng)然有電流,并且這些電流會(huì)回到電壓源的地線,即初級(jí)地線。 窗體頂端回復(fù)第26樓 |  回復(fù)時(shí)間:2008-10-22 14:14:50 |   TOP |  加為好友 發(fā)送私信 | 舉報(bào) 窗體底端用戶名:greendot  | 等級(jí):秀才   積分:576  |  發(fā)帖數(shù):0  回復(fù)數(shù):266  第28樓&

30、#160; 你這個(gè)正正是我不同意的地方,亦即你不同意,CY接地時(shí),電流有流經(jīng)V+的可能。我認(rèn)為實(shí)際上In的負(fù)極return,應(yīng)該在MOS的開(kāi)關(guān)時(shí)交替接V+(經(jīng)變壓器)或地,而不是一味接地,電流流經(jīng)V+是必然的了。這想必是我不對(duì)的地方了?窗體頂端回復(fù)第28樓 |  回復(fù)時(shí)間:2008-10-22 16:20:02 |   TOP |  加為好友 發(fā)送私信 | 舉報(bào) 窗體底端用戶名:cmg  | 等級(jí):核心社員   積分:1532  |  發(fā)帖數(shù):20  回復(fù)數(shù):629  第29

31、樓  我不太明白你的意思,變壓器初級(jí)的正和負(fù)是高阻抗的。并且這個(gè)是可以用實(shí)例來(lái)驗(yàn)證的。窗體頂端回復(fù)第29樓 |  回復(fù)時(shí)間:2008-10-22 18:52:47 |   TOP |  加為好友 發(fā)送私信 | 舉報(bào) 窗體底端用戶名:greendot  | 等級(jí):秀才   積分:576  |  發(fā)帖數(shù):0  回復(fù)數(shù):266  第30樓  我的理解是當(dāng) Vds上升時(shí),變壓器的Lk(還有點(diǎn)Lp)上的電流向snubber,Cds和 Cps充電,Cps的充電電流便是

32、所謂的噪音了。窗體頂端回復(fù)第30樓 |  回復(fù)時(shí)間:2008-10-22 20:15:17 |   TOP |  加為好友 發(fā)送私信 | 舉報(bào) 窗體底端用戶名:cmg  | 等級(jí):核心社員   積分:1532  |  發(fā)帖數(shù):20  回復(fù)數(shù):629  第31樓  這里的噪音是指共模電流,Cps上面已經(jīng)說(shuō)了,是變壓器初級(jí)次級(jí)之間的分布電容,并不是指初級(jí)繞組的分布電容。與流入SNUBBER和Cds的電流沒(méi)有任何關(guān)系。你還是等著另一個(gè)帖子的慢慢講解吧。那個(gè)帖子是從一些最基

33、本的知識(shí)講起的。這樣的問(wèn)答很累,并且耽誤了其他問(wèn)題的講解。窗體頂端回復(fù)第31樓 |  回復(fù)時(shí)間:2008-10-22 21:21:44 |   TOP |  加為好友 發(fā)送私信 | 舉報(bào) 窗體底端用戶名:greendot  | 等級(jí):秀才   積分:576  |  發(fā)帖數(shù):0  回復(fù)數(shù):266  第32樓  那好吧。累了就暫停討論吧。不過(guò)說(shuō)清楚,那Cps就是初次級(jí)間的inter-winding cap,為簡(jiǎn)單起見(jiàn),當(dāng)作一lumped的電容Cps連接MOS_D極和次級(jí)

34、地之間,這樣它的電流就由變壓器來(lái)了(指Vds上升時(shí)),當(dāng)然我的說(shuō)法太不嚴(yán)謹(jǐn),不過(guò)意思便是這樣了。窗體頂端回復(fù)第32樓 |  回復(fù)時(shí)間:2008-10-22 22:59:47 |   TOP |  加為好友 發(fā)送私信 | 舉報(bào) 窗體底端用戶名:jinlai  | 等級(jí):進(jìn)士   積分:357  |  發(fā)帖數(shù):12  回復(fù)數(shù):132  第63樓  好帖!窗體頂端回復(fù)第63樓 |  回復(fù)時(shí)間:2009-02-20 11:25:36 | 

35、60; TOP |  加為好友 發(fā)送私信 | 舉報(bào) 窗體底端用戶名:cmg  | 等級(jí):核心社員   積分:1532  |  發(fā)帖數(shù):20  回復(fù)數(shù):629  第35樓  初級(jí)接地點(diǎn)的選擇: 可能的情況下盡量選擇2的接地點(diǎn),從上面L9,L10,L11 分布電感可以看出,如果選擇接地點(diǎn)1在高頻的情況下Y電容回路的阻抗會(huì)變的很大,降低了Y電容的高頻效果。在幾到10幾瓦小功率電源時(shí)接1或2區(qū)別并不大,甚至不明顯,在幾十瓦以上功率大一些的電源時(shí)就比較明顯。接1還有一個(gè)危害,當(dāng)測(cè)試ESD或Surge時(shí),C

36、Y4會(huì)流過(guò)電流,同樣在L9,L10 上就會(huì)產(chǎn)生電壓,輕則電路有可能誤動(dòng)作,重則有可能損壞IC。我們還要注意當(dāng)用控制器外掛MOS管時(shí),盡量不要把Y電容接到電流檢測(cè)電阻兩端,即MOS的下面和采樣電阻和控制器的連接端,原因就是上面說(shuō)的。有時(shí)候受布板或工藝的限制,是沒(méi)有辦法直接接電容負(fù)端的,只能按1的方法接,這時(shí)注意地線的布線要盡量粗,寬,加錫涂厚,這樣可以大大的降低L9,L10,L11等,只要這些電感足夠小一般是不會(huì)有問(wèn)題的。地線很寬時(shí)中間也可以去掉一些銅箔,使其變成多條地線并聯(lián),深圳布成網(wǎng)狀,這樣可以使分布電感更小。窗體頂端回復(fù)第35樓 |  回復(fù)時(shí)間:2008-11-03 1

37、3:14:54 |   TOP |  加為好友 發(fā)送私信 | 舉報(bào) 窗體底端用戶名:磁鑫  | 等級(jí):舉人   積分:263  |  發(fā)帖數(shù):8  回復(fù)數(shù):63  第49樓  這次真是學(xué)習(xí)啦窗體頂端回復(fù)第49樓 |  回復(fù)時(shí)間:2008-11-17 13:43:14 |   TOP |  加為好友 發(fā)送私信 | 舉報(bào) 窗體底端用戶名:jianxinllj  | 等級(jí):秀才   積分:228  |&

38、#160; 發(fā)帖數(shù):1  回復(fù)數(shù):20  第53樓  電源真是深不可測(cè),突然發(fā)現(xiàn)自己有點(diǎn)無(wú)知了,怎么辦啊,只能自己給自己一點(diǎn)信心了,呵呵,學(xué)習(xí)!FIGHTING!窗體頂端回復(fù)第53樓 |  回復(fù)時(shí)間:2008-12-21 10:18:21 |   TOP |  加為好友 發(fā)送私信 | 舉報(bào) 窗體底端用戶名:lqf537503  | 等級(jí):秀才   積分:243  |  發(fā)帖數(shù):0  回復(fù)數(shù):37  第17樓  不旬,繼續(xù)窗體頂端回復(fù)第1

39、7樓 |  回復(fù)時(shí)間:2008-10-20 18:09:05 |   TOP |  加為好友 發(fā)送私信 | 舉報(bào) 窗體底端用戶名:greendot  | 等級(jí):秀才   積分:576  |  發(fā)帖數(shù):0  回復(fù)數(shù):266  第33樓  看了幾篇PI的report,發(fā)覺(jué)Cy的接法都是次級(jí)地-初級(jí)V+,這是巧合還是有原因的?窗體頂端回復(fù)第33樓 |  回復(fù)時(shí)間:2008-10-28 13:24:10 |   TOP | 

40、 加為好友 發(fā)送私信 | 舉報(bào) 窗體底端用戶名:greendot  | 等級(jí):秀才   積分:576  |  發(fā)帖數(shù):0  回復(fù)數(shù):266  第37樓  我認(rèn)為尤其是DCM,Vds有振蕩,MOS導(dǎo)通時(shí)的dV較小,dV/dt比關(guān)斷時(shí)小得多,Cy 接初級(jí)V+是較佳選擇。窗體頂端回復(fù)第37樓 |  回復(fù)時(shí)間:2008-11-04 16:05:15 |   TOP |  加為好友 發(fā)送私信 | 舉報(bào) 窗體底端用戶名:cmg  | 等級(jí):核心社員 

41、0; 積分:1532  |  發(fā)帖數(shù):20  回復(fù)數(shù):629  第38樓  那我告訴你,PI的設(shè)計(jì)除了最新的初級(jí)穩(wěn)壓穩(wěn)流的IC由于原理的原因必須工作在DCM之外,其他的設(shè)計(jì)幾乎沒(méi)有DCM的,全是CCM。Y電容接上面的原因我已經(jīng)說(shuō)過(guò)了,就不再重復(fù)了。窗體頂端回復(fù)第38樓 |  回復(fù)時(shí)間:2008-11-04 20:27:34 |   TOP |  加為好友 發(fā)送私信 | 舉報(bào) 窗體底端用戶名:greendot  | 等級(jí):秀才   積分:576  |

42、0; 發(fā)帖數(shù):0  回復(fù)數(shù):266  第39樓  我只是懷疑,從EMI角度考慮,是不是跟on / off 時(shí)的不同dV/dt有關(guān)。這個(gè)要問(wèn)原設(shè)計(jì)者。當(dāng)然如果接上接下分別不大,或雖有分別,但有足夠裕量,而其中一種接法有利其它考量時(shí),自然就有所選擇。 窗體頂端回復(fù)第39樓 |  回復(fù)時(shí)間:2008-11-05 13:39:15 |   TOP |  加為好友 發(fā)送私信 | 舉報(bào) 窗體底端用戶名:greendot  | 等級(jí):秀才   積分:576  |  發(fā)帖

43、數(shù):0  回復(fù)數(shù):266  第41樓  看到了,PI Report自己說(shuō)了,接上是和 Lightning surge test 有關(guān)的,接下也可以,不過(guò)布線就要考究點(diǎn)了。窗體頂端回復(fù)第41樓 |  回復(fù)時(shí)間:2008-11-07 12:03:39 |   TOP |  加為好友 發(fā)送私信 | 舉報(bào) 窗體底端用戶名:surkenjur  | 等級(jí):秀才   積分:213  |  發(fā)帖數(shù):0  回復(fù)數(shù):13  第36樓  謝謝樓主的講解!非

44、常精彩!本人菜鳥(niǎo),對(duì)開(kāi)關(guān)電源了解很少,向樓主請(qǐng)教一下:樓上的接地點(diǎn)是指CY4的接地點(diǎn)吧?是不是應(yīng)接在L9處? 窗體頂端回復(fù)第36樓 |  回復(fù)時(shí)間:2008-11-04 08:05:12 |   TOP |  加為好友 發(fā)送私信 | 舉報(bào) 窗體底端用戶名:fuhao  | 等級(jí):秀才   積分:201  |  發(fā)帖數(shù):0  回復(fù)數(shù):1  第44樓  回來(lái)再看答案窗體頂端回復(fù)第44樓 |  回復(fù)時(shí)間:2008-11-08 10:37:06

45、 |   TOP |  加為好友 發(fā)送私信 | 舉報(bào) 窗體底端用戶名:jianghai  | 等級(jí):秀才   積分:204  |  發(fā)帖數(shù):0  回復(fù)數(shù):3  第40樓  支持cmg,版主的東東每次都能讓我學(xué)到很多東西??!窗體頂端回復(fù)第40樓 |  回復(fù)時(shí)間:2008-11-06 11:55:08 |   TOP |  加為好友 發(fā)送私信 | 舉報(bào) 窗體底端用戶名:saglxh  | 等級(jí):秀才   積分:

46、210  |  發(fā)帖數(shù):0  回復(fù)數(shù):10  第42樓  期待另一帖窗體頂端回復(fù)第42樓 |  回復(fù)時(shí)間:2008-11-07 12:59:41 |   TOP |  加為好友 發(fā)送私信 | 舉報(bào) 窗體底端用戶名:wwxxmm22  | 等級(jí):秀才   積分:414  |  發(fā)帖數(shù):3  回復(fù)數(shù):162  第43樓  學(xué)習(xí)啊窗體頂端回復(fù)第43樓 |  回復(fù)時(shí)間:2008-11-07 17:34:4

47、9 |   TOP |  加為好友 發(fā)送私信 | 舉報(bào) 窗體底端用戶名:daofang  | 等級(jí):秀才   積分:201  |  發(fā)帖數(shù):0  回復(fù)數(shù):1  第45樓  大家多的討論了CAP-Y在初級(jí)的連接點(diǎn)問(wèn)題,沒(méi)說(shuō)次級(jí)的連接點(diǎn)問(wèn)題,我要問(wèn)的是就上圖而言CAP-Y次級(jí)邊直接接在431陽(yáng)級(jí)上也是不妥的吧?窗體頂端回復(fù)第45樓 |  回復(fù)時(shí)間:2008-11-08 22:51:49 |   TOP |  加為好友 發(fā)送私信 |

48、 舉報(bào) 窗體底端用戶名:greendot  | 等級(jí):秀才   積分:576  |  發(fā)帖數(shù):0  回復(fù)數(shù):266  第47樓  那只是線路上的拓?fù)?,?shí)際應(yīng)該盡量接到或靠近變壓器的引腳吧。初級(jí)方面,如果IC等的地是星形接法,就沒(méi)有L9、L10和它們做成的問(wèn)題了。 窗體頂端回復(fù)第47樓 |  回復(fù)時(shí)間:2008-11-12 18:03:09 |   TOP |  加為好友 發(fā)送私信 | 舉報(bào) 窗體底端用戶名:1172liu  | 等級(jí):秀才 

49、60; 積分:226  |  發(fā)帖數(shù):1  回復(fù)數(shù):18  第46樓  很好的帖子,期待后續(xù)!窗體頂端回復(fù)第46樓 |  回復(fù)時(shí)間:2008-11-12 17:44:42 |   TOP |  加為好友 發(fā)送私信 | 舉報(bào) 窗體底端用戶名:lxj5567  | 等級(jí):秀才   積分:253  |  發(fā)帖數(shù):3  回復(fù)數(shù):21  第48樓  頂窗體頂端回復(fù)第48樓 |  回復(fù)時(shí)間:2008-11-1

50、3 08:11:44 |   TOP |  加為好友 發(fā)送私信 | 舉報(bào) 窗體底端用戶名:jinlai  | 等級(jí):進(jìn)士   積分:357  |  發(fā)帖數(shù):12  回復(fù)數(shù):132  第50樓  CMG牛 好貼 頂起!窗體頂端回復(fù)第50樓 |  回復(fù)時(shí)間:2008-12-07 09:51:38 |   TOP |  加為好友 發(fā)送私信 | 舉報(bào) 窗體底端用戶名:xwyin  | 等級(jí):秀才   積分:201&

51、#160; |  發(fā)帖數(shù):0  回復(fù)數(shù):2  第51樓  好帖!電源的每個(gè)細(xì)節(jié)都有值得推導(dǎo)商榷的地方,不能只想當(dāng)然,感謝CMG大師窗體頂端回復(fù)第51樓 |  回復(fù)時(shí)間:2008-12-19 14:03:49 |   TOP |  加為好友 發(fā)送私信 | 舉報(bào) 窗體底端用戶名:小蝦米  | 等級(jí):秀才   積分:192  |  發(fā)帖數(shù):0  回復(fù)數(shù):4  第54樓  hao窗體頂端回復(fù)第54樓 |  回復(fù)時(shí)間

52、:2008-12-22 11:06:47 |   TOP |  加為好友 發(fā)送私信 | 舉報(bào) 窗體底端用戶名:DIANYUAN1000  | 等級(jí):秀才   積分:239  |  發(fā)帖數(shù):0  回復(fù)數(shù):33  第55樓  先掛個(gè)名.窗體頂端回復(fù)第55樓 |  回復(fù)時(shí)間:2008-12-22 15:01:08 |   TOP |  加為好友 發(fā)送私信 | 舉報(bào) 窗體底端用戶名:1172liu  | 等級(jí):秀才 

53、0; 積分:226  |  發(fā)帖數(shù):1  回復(fù)數(shù):18  第57樓  好貼,踩個(gè)坑。窗體頂端回復(fù)第57樓 |  回復(fù)時(shí)間:2008-12-22 18:23:55 |   TOP |  加為好友 發(fā)送私信 | 舉報(bào) 窗體底端用戶名:hqyzh  | 等級(jí):秀才   積分:214  |  發(fā)帖數(shù):0  回復(fù)數(shù):20  第58樓  好貼窗體頂端回復(fù)第58樓 |  回復(fù)時(shí)間:2008-12-22 20:1

54、5:19 |   TOP |  加為好友 發(fā)送私信 | 舉報(bào) 窗體底端用戶名:luyan  | 等級(jí):狀元   積分:542  |  發(fā)帖數(shù):43  回復(fù)數(shù):266  第59樓  cmg大哥 新年好!窗體頂端回復(fù)第59樓 |  回復(fù)時(shí)間:2009-02-02 16:26:10 |   TOP |  加為好友 發(fā)送私信 | 舉報(bào) 窗體底端用戶名:cmg  | 等級(jí):核心社員   積分:1532  |

55、  發(fā)帖數(shù):20  回復(fù)數(shù):629  第60樓  新年好,上班了,祝你在新的一年里在技術(shù)上取得更大進(jìn)步。窗體頂端回復(fù)第60樓 |  回復(fù)時(shí)間:2009-02-02 17:45:23 |   TOP |  加為好友 發(fā)送私信 | 舉報(bào) 窗體底端用戶名:依舊  | 等級(jí):舉人   積分:244  |  發(fā)帖數(shù):5  回復(fù)數(shù):38  第61樓  給大師拜年了啊 新年好!窗體頂端回復(fù)第61樓 |  回復(fù)時(shí)間:2009-02-03 13:51:50 |   TOP |  加為好友 發(fā)送私信 | 舉報(bào) 窗體底端用戶名:cmg  | 等級(jí):核心社員   積分:1532  |  發(fā)帖數(shù):20  回復(fù)數(shù):629  第62樓  新年好!窗體頂端回復(fù)第62樓 |  回復(fù)時(shí)間:2009-02-03 15

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