半導(dǎo)體物理學(xué)(劉恩科第七版)習(xí)題答案(比較完全)

1、第一章習(xí)題 1設(shè)晶格常數(shù)為a的一維晶格，導(dǎo)帶極小值附近能量Ec(k)和價帶極大值附近能量EV(k)分別為： Ec=（1）禁帶寬度;（2）導(dǎo)帶底電子有效質(zhì)量;（3）價帶頂電子有效質(zhì)量;（4）價帶頂電子躍遷到導(dǎo)帶底時準(zhǔn)動量的變化解：（1） 2. 晶格常數(shù)為0.25nm的一維晶格，當(dāng)外加102V/m，107 V/m的電場時，試分別計算電子自能帶底運動到能帶頂所需的時間。解：根據(jù)： 得 補充題1分別計算Si（100），（110），（111）面每平方厘米內(nèi)的原子個數(shù)，即原子面密度（提示：先畫出各晶面內(nèi)原子的位置和分布圖）Si在（100），（110）和（111）面上的原子分布如圖1所示： （a）(100)

2、晶面 （b）(110)晶面 （c）(111)晶面 補充題2 一維晶體的電子能帶可寫為，式中a為 晶格常數(shù)，試求 （1）布里淵區(qū)邊界； （2）能帶寬度； （3）電子在波矢k狀態(tài)時的速度； （4）能帶底部電子的有效質(zhì)量；（5）能帶頂部空穴的有效質(zhì)量解：（1）由 得 （n=0，±1，±2）進(jìn)一步分析 ，E（k）有極大值，時，E（k）有極小值所以布里淵區(qū)邊界為 (2)能帶寬度為(3）電子在波矢k狀態(tài)的速度（4）電子的有效質(zhì)量能帶底部 所以(5)能帶頂部 ，且，所以能帶頂部空穴的有效質(zhì)量第二章習(xí)題 1. 實際半導(dǎo)體與理想半導(dǎo)體間的主要區(qū)別是什么？ 答：（1）理想半導(dǎo)體：假設(shè)晶格原子嚴(yán)

3、格按周期性排列并靜止在格點位置上，實際半導(dǎo)體中原子不是靜止的，而是在其平衡位置附近振動。 （2）理想半導(dǎo)體是純凈不含雜質(zhì)的，實際半導(dǎo)體含有若干雜質(zhì)。 （3）理想半導(dǎo)體的晶格結(jié)構(gòu)是完整的，實際半導(dǎo)體中存在點缺陷，線缺陷和面缺陷等。2. 以As摻入Ge中為例，說明什么是施主雜質(zhì)、施主雜質(zhì)電離過程和n型半導(dǎo)體。 As有5個價電子，其中的四個價電子與周圍的四個Ge原子形成共價鍵，還剩余一個電子，同時As原子所在處也多余一個正電荷，稱為正離子中心，所以，一個As原子取代一個Ge原子，其效果是形成一個正電中心和一個多余的電子.多余的電子束縛在正電中心，但這種束縛很弱,很小的能量就可使電子擺脫束縛，成為在晶

4、格中導(dǎo)電的自由電子，而As原子形成一個不能移動的正電中心。這個過程叫做施主雜質(zhì)的電離過程。能夠施放電子而在導(dǎo)帶中產(chǎn)生電子并形成正電中心，稱為施主雜質(zhì)或N型雜質(zhì)，摻有施主雜質(zhì)的半導(dǎo)體叫N型半導(dǎo)體。3. 以Ga摻入Ge中為例，說明什么是受主雜質(zhì)、受主雜質(zhì)電離過程和p型半導(dǎo)體。Ga有3個價電子，它與周圍的四個Ge原子形成共價鍵，還缺少一個電子，于是在Ge晶體的共價鍵中產(chǎn)生了一個空穴，而Ga原子接受一個電子后所在處形成一個負(fù)離子中心，所以，一個Ga原子取代一個Ge原子，其效果是形成一個負(fù)電中心和一個空穴，空穴束縛在Ga原子附近，但這種束縛很弱，很小的能量就可使空穴擺脫束縛，成為在晶格中自由運動的導(dǎo)電空

5、穴，而Ga原子形成一個不能移動的負(fù)電中心。這個過程叫做受主雜質(zhì)的電離過程，能夠接受電子而在價帶中產(chǎn)生空穴，并形成負(fù)電中心的雜質(zhì)，稱為受主雜質(zhì)，摻有受主型雜質(zhì)的半導(dǎo)體叫P型半導(dǎo)體。4. 以Si在GaAs中的行為為例，說明IV族雜質(zhì)在III-V族化合物中可能出現(xiàn)的雙性行為。Si取代GaAs中的Ga原子則起施主作用； Si取代GaAs中的As原子則起受主作用。導(dǎo)帶中電子濃度隨硅雜質(zhì)濃度的增加而增加，當(dāng)硅雜質(zhì)濃度增加到一定程度時趨于飽和。硅先取代Ga原子起施主作用，隨著硅濃度的增加，硅取代As原子起受主作用。5. 舉例說明雜質(zhì)補償作用。當(dāng)半導(dǎo)體中同時存在施主和受主雜質(zhì)時， 若（1） ND>>

6、;NA因為受主能級低于施主能級，所以施主雜質(zhì)的電子首先躍遷到NA個受主能級上，還有ND-NA個電子在施主能級上，雜質(zhì)全部電離時，躍遷到導(dǎo)帶中的導(dǎo)電電子的濃度為n= ND-NA。即則有效受主濃度為NAeff ND-NA（2）NA>>ND 施主能級上的全部電子躍遷到受主能級上，受主能級上還有NA-ND個空穴，它們可接受價帶上的NA-ND個電子，在價帶中形成的空穴濃度p= NA-ND. 即有效受主濃度為NAeff NA-ND（3）NA»ND時，不能向?qū)Ш蛢r帶提供電子和空穴， 稱為雜質(zhì)的高度補償6. 說明類氫模型的優(yōu)點和不足。7. 銻化銦的禁帶寬度Eg=0.18eV，相對介電常

7、數(shù)er=17，電子的有效質(zhì)量 =0.015m0, m0為電子的慣性質(zhì)量，求施主雜質(zhì)的電離能，施主的弱束縛電子基態(tài)軌道半徑。8. 磷化鎵的禁帶寬度Eg=2.26eV，相對介電常數(shù)er=11.1，空穴的有效質(zhì)量m*p=0.86m0,m0為電子的慣性質(zhì)量，求受主雜質(zhì)電離能；受主束縛的空穴的基態(tài)軌道半徑。第三章習(xí)題1. 計算能量在E=Ec到 之間單位體積中的量子態(tài)數(shù)。解：2. 試證明實際硅、鍺中導(dǎo)帶底附近狀態(tài)密度公式為式（3-6）。3. 當(dāng)E-EF為1.5k0T，4k0T, 10k0T時，分別用費米分布函數(shù)和玻耳茲曼分布函數(shù)計算電子占據(jù)各該能級的概率。費米能級費米函數(shù)玻爾茲曼分布函數(shù)1.5k0T0.1

8、820.2234k0T0.0180.018310k0T4. 畫出-78oC、室溫（27 oC）、500 oC三個溫度下的費米分布函數(shù)曲線，并進(jìn)行比較。5. 利用表3-2中的m*n，m*p數(shù)值，計算硅、鍺、砷化鎵在室溫下的NC , NV以及本征載流子的濃度。 6. 計算硅在-78 oC，27 oC，300 oC時的本征費米能級，假定它在禁帶中 線合理嗎？ 7. 在室溫下，鍺的有效態(tài)密度Nc=1.05´1019cm-3，NV=5.7´1018cm-3，試求鍺的載流子有效質(zhì)量m*n m*p。計算77K時的NC 和NV。 已知300K時，Eg=0.67eV。77k時Eg=0.76e

9、V。求這兩個溫度時鍺的本征載流子濃度。77K時，鍺的電子濃度為1017cm-3 ，假定受主濃度為零，而Ec-ED=0.01eV，求鍺中施主濃度ED為多少？ 8. 利用題 7所給的Nc 和NV數(shù)值及Eg=0.76eV，求溫度為300K和500K時，含施主濃度ND=5´1015cm-3，受主濃度NA=2´109cm-3,的鍺中電子及空穴濃度為多少？ 9.計算施主雜質(zhì)濃度分別為1016cm3，,1018 cm-3，1019cm-3的硅在室溫下的費米能級，并假定雜質(zhì)是全部電離，再用算出的的費米能 級核對一下，上述假定是否在每一種情況下都成立。計算時，取施主能級在導(dǎo)帶底下的面的0.0

10、5eV。 10. 以施主雜質(zhì)電離90%作為強電離的標(biāo)準(zhǔn)，求摻砷的n型鍺在300K時，以雜質(zhì)電離為主的飽和區(qū)摻雜質(zhì)的濃度范圍。 11. 若鍺中施主雜質(zhì)電離能DED=0.01eV，施主雜質(zhì)濃度分別為ND=1014cm-3j及1017cm-3。計算99%電離；90%電離；50%電離時溫度各為多少？ 12. 若硅中施主雜質(zhì)電離能DED=0.04eV，施主雜質(zhì)濃度分別為1015cm-3， 1018cm-3。計算99%電離；90%電離；50%電離時溫度各為多少？ 13. 有一塊摻磷的 n型硅，ND=1015cm-3,分別計算溫度為77K；300K；500K；800K時導(dǎo)帶中電子濃度（本征載流子濃度數(shù)值查圖

11、3-7）14. 計算含有施主雜質(zhì)濃度為ND=9´1015cm-3，及受主雜質(zhì)濃度為1.1´1016cm3，的硅在33K時的電子和空穴濃度以及費米能級的位置。15. 摻有濃度為每立方米為1022硼原子的硅材料，分別計算300K；600K時費米能級的位置及多子和少子濃度（本征載流子濃度數(shù)值查圖3-7）。 16. 摻有濃度為每立方米為1.5´1023砷原子 和立方米5´1022銦的鍺材料，分別計算300K；600K時費米能級的位置及多子和少子濃度（本征載流子濃度數(shù)值查圖3-7）。 17. 施主濃度為1013cm3的n型硅，計算400K時本征載流子濃度、多子濃度

12、、少子濃度和費米能級的位置。18. 摻磷的n型硅，已知磷的電離能為.eV，求室溫下雜質(zhì)一半電離時費米能級的位置和濃度。19. 求室溫下?lián)戒R的n型硅，使EF=（EC+ED）/2時銻的濃度。已知銻的電離能為0.039eV。 20. 制造晶體管一般是在高雜質(zhì)濃度的n型襯底上外延一層n型外延層，再在外延層中擴散硼、磷而成的。 （1）設(shè)n型硅單晶襯底是摻銻的，銻的電離能為0.039eV，300K時的EF位于導(dǎo)帶下面0.026eV處，計算銻的濃度和導(dǎo)帶中電子濃度。 （2）設(shè)n型外延層雜質(zhì)均勻分布，雜質(zhì)濃度為4.6´1015cm-3,計算300K時EF的位置及電子和空穴濃度。 （3）在外延層中擴散

13、硼后，硼的濃度分布隨樣品深度變化。設(shè)擴散層某一深度處硼濃度為5.2´1015cm-3,計算300K時EF的位置及電子和空穴濃度。 （4）如溫度升到500K，計算中電子和空穴的濃度（本征載流子濃度數(shù)值查圖3-7）。21. 試計算摻磷的硅、鍺在室溫下開始發(fā)生弱簡并時的雜質(zhì)濃度為多少？22. 利用上題結(jié)果，計算摻磷的硅、鍺的室溫下開始發(fā)生弱簡并時有多少施主發(fā)生電離？導(dǎo)帶中電子濃度為多少？第四章習(xí)題 1. 300K時，Ge的本征電阻率為47W·cm，如電子和空穴遷移率分別為3900cm2/( V·S)1900cm2/( V·S)。 試求Ge 的載流子濃度。 2.

14、 試計算本征)Si在室溫時的電導(dǎo)率，設(shè)電子和空穴遷移率分別為1350cm2/( V·S)和500cm2/( V·S)。當(dāng)摻入百分之一的AS后，設(shè)雜質(zhì)全部電離，試計算其電導(dǎo)率。比本征Si的電導(dǎo)率增大了多少倍？ 3. 電阻率為10W·m的p型Si樣品，試計算室溫時多數(shù)載流子和少數(shù)載流子濃度。 4. 0.1kg的Ge單晶，摻有3.2´10-9kg的Sb，設(shè)雜質(zhì)全部電離，試求該材料的電阻率un=0.39m2/( V·S),Ge的單晶密度為5.32g/cm2,Sb原子量為121.8。 5. 500g的Si單晶，摻有4.5´10-5g 的B ，設(shè)

15、雜質(zhì)全部電離，試求該材料的電阻率up=500cm2/( V·S),硅單晶密度為2.23g/cm2,B原子量為10.8。 6. 設(shè)電子遷移率0.1m2/( V·S),Si 的電導(dǎo)的有效質(zhì)量mc=0.26m0, j加以強度為104V/m的電場，試求平均自由時間和平均自由程。 7 長為2cm的具有巨形截面的Ge樣品，截面線度分別為1mm 和2mm，摻有1022m-3受主，試求室溫時樣品的電導(dǎo)率和電阻。再摻入5´1022m-3施主后，求室溫時樣品的電導(dǎo)率和電阻。 8. 截面積為0.001cm2圓柱形純Si樣品，長1mm,接于10V的電源上，室溫下希望通過0.1A的電流，問

16、： 樣品的電阻是多少？ 樣品的電阻率應(yīng)是多少？ 應(yīng)該摻入濃度為多少的施主？ 9. 試從圖4-13求雜質(zhì)濃度為1016cm-3和1018cm-3的Si，當(dāng)溫度分別為-50OC和+150OC時的電子和空穴遷移率。 10. 試求本征Si在473K 時的電阻率。 11. 截面積為10-3cm2,摻有濃度為1013cm-3的p型Si樣品，樣品內(nèi)部加有強度為103V/cm的電場，求； 室溫時樣品的電導(dǎo)率及流過樣品的電流密度和電流強度。 400K時樣品的電導(dǎo)率及流過樣品的電流密度和電流強度。 12. 試從圖4-14求室溫時雜質(zhì)濃度分別為1015，1016，1017cm-3的p型和n型Si 樣品的空穴和電子遷

17、移率，并分別計算他們的電阻率。再從圖4-15分別求他們的電阻率。 13.摻有1.1´1016硼原子cm-3和9´1015磷原子cm-3的S i樣品，試計算室溫時多數(shù)載流子和少數(shù)載流子濃度及樣品的電阻率。 14. 截面積為0.6cm2、長為1cm的 n型和GaAs樣品，設(shè)un=8000 cm2/( V·S),n=1015cm-3，試 樣品的電阻。 15. 施主濃度分別為1013和1017cm-3的兩個Si樣品，設(shè)雜質(zhì)全部電離，分別計算： 室溫時的電導(dǎo)率； 200oC時的電導(dǎo)率。 16. 分別計算摻有下列雜質(zhì)的Si，在室溫時的載流子濃度、遷移率和電阻率： 硼原子3&#

18、180;1015cm-3; 硼原子1.3´1016cm-3+磷原子1.0´1016cm-3 磷原子1.3´1016cm-3+硼原子1.0´1016cm 磷原子3´1015cm-3+鎵原子1´1017cm-3+砷原子1´1017cm-3。 17. 證明當(dāng)un¹up且電子濃度n=ni時，材料的電導(dǎo)率最小，并求smin的表達(dá)式。 試求300K時Ge 和Si樣品的最小電導(dǎo)率的數(shù)值，并和本征電導(dǎo)率相比較。 18. InSB的電子遷移率為7.5m2/( V·S),空穴遷移率為0.075m2/( V·

19、;S), 室溫時本征載流子濃度為1.6´1016cm-3,試分別計算本征電導(dǎo)率、電阻率和最小電導(dǎo)率、最大電導(dǎo)率。什么導(dǎo)電類型的材料電阻率可達(dá)最大。 19. 假設(shè)S i中電子的平均動能為3k0T/2，試求室溫時電子熱運動的均方根速度。如將S i置于10V/cm的電場中，證明電子的平均漂移速度小于熱運動速度，設(shè)電子遷移率為15000cm2/( V·S).如仍設(shè)遷移率為上述數(shù)值，計算電場為104V/cm時的平均漂移速度，并與熱運動速度作一比較，。這時電子的實際平均漂移速度和遷移率應(yīng)為多少？ 20. 試證Ge的電導(dǎo)有效質(zhì)量也為 第五章習(xí)題 1. 在一個n型半導(dǎo)體樣品中，過

20、?？昭舛葹?013cm-3, 空穴的壽命為100us。計算空穴的復(fù)合率。 2. 用強光照射n型樣品，假定光被均勻地吸收，產(chǎn)生過剩載流子，產(chǎn)生率為,空穴壽命為t。 寫出光照下過剩載流子所滿足的方程； 求出光照下達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)時的過載流子濃度。 3. 有一塊n型硅樣品，壽命是1us，無光照時電阻率是10W·cm。今用光照射該樣品，光被半導(dǎo)體均勻的吸收，電子-空穴對的產(chǎn)生率是1022cm-3·s-1,試計算光照下樣品的電阻率，并求電導(dǎo)中少數(shù)在流子的貢獻(xiàn)占多大比例？ 4. 一塊半導(dǎo)體材料的壽命t=10us，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，試求光照突然停止20us后，其中非平衡載流子

21、將衰減到原來的百分之幾？ 5. n型硅中，摻雜濃度ND=1016cm-3, 光注入的非平衡載流子濃度Dn=Dp=1014cm-3。計算無光照和有光照的電導(dǎo)率。 6. 畫出p型半導(dǎo)體在光照（小注入）前后的能帶圖，標(biāo)出原來的的費米能級和光照時的準(zhǔn)費米能級。 7. 摻施主濃度ND=1015cm-3的n型硅，由于光的照射產(chǎn)生了非平衡載流子Dn=Dp=1014cm-3。試計算這種情況下的準(zhǔn)費米能級位置，并和原來的費米能級作比較。 8. 在一塊p型半導(dǎo)體中，有一種復(fù)合-產(chǎn)生中心，小注入時，被這些中心俘獲的電子發(fā)射回導(dǎo)帶的過程和它與空穴復(fù)合的過程具有相同的概率。試求這種復(fù)合-產(chǎn)生中心的能級位置，并說明它能否

22、成為有效的復(fù)合中心？ 9. 把一種復(fù)合中心雜質(zhì)摻入本征硅內(nèi)，如果它的能級位置在禁帶中央，試證明小注入時的壽命t=tn+tp。 10. 一塊n 型硅內(nèi)摻有1016cm-3的金原子 ，試求它在小注入時的壽命。若一塊p型硅內(nèi)也摻有1016cm-3的金原子，它在小注入時的壽命又是多少？ 11. 在下述條件下，是否有載流子的凈復(fù)合或者凈產(chǎn)生：在載流子完全耗盡（即n, p都大大小于ni）半導(dǎo)體區(qū)域。在只有少數(shù)載流子別耗盡（例如，pn<<pn0，而nn=nn0）的半導(dǎo)體區(qū)域。在n=p的半導(dǎo)體區(qū)域，這里n>>ni0 12. 在摻雜濃度ND=1016cm-3，少數(shù)載流子壽命為10us的n

23、型硅中，如果由于外界作用，少數(shù)載流子全部被清除，那么在這種情況下，電子-空穴對的產(chǎn)生率是多大？（Et=Ei）。 13. 室溫下，p型半導(dǎo)體中的電子壽命為t=350us，電子的遷移率un=3600cm-2/(V·s)。試求電子的擴散長度。 14. 設(shè)空穴濃度是線性分布，在3us內(nèi)濃度差為1015cm-3,up=400cm2/(V·s)。試計算空穴擴散電流密度。 15. 在電阻率為1W·cm的p型硅半導(dǎo)體區(qū)域中，摻金濃度Nt=1015cm-3,由邊界穩(wěn)定注入的電子濃度（Dn）0=1010cm-3,試求邊界 處電子擴散電流。 16. 一塊電阻率為3W·cm的n

24、型硅樣品，空穴壽命tp=5us,在其平面形的表面處有穩(wěn)定的空穴注入，過剩濃度（Dp）=1013cm-3。計算從這個表面擴散進(jìn)入半導(dǎo)體內(nèi)部的空穴電流密度，以及在離表面多遠(yuǎn)處過剩空穴濃度等于1012cm-3？ 17. 光照1W·cm的n型硅樣品，均勻產(chǎn)生非平衡載流子，電子-空穴對產(chǎn)生率為1017cm-3·s-1。設(shè)樣品的壽命為10us ，表面符合速度為100cm/s。試計算：單位時間單位表面積在表面復(fù)合的空穴數(shù)。單位時間單位表面積在離表面三個擴散長度中體積內(nèi)復(fù)合的空穴數(shù)。 18. 一塊摻雜施主濃度為2´1016cm-3的硅片，在920oC下?lián)浇鸬斤柡蜐舛?，然后?jīng)氧化等

25、處理，最后此硅片的表面復(fù)合中心1010cm-2。計算體壽命，擴散長度和表面復(fù)合速度。如果用光照射硅片并被樣品均勻吸收，電子-空穴對的產(chǎn)生率是1017cm-3·s-1，試求表面的空穴濃度以及流向表面的空穴流密度是多少？第六章習(xí)題 1. 若ND=5´1015cm-3,NA=1017cm-3,求室溫下Ge突變pn結(jié)的VD。 2. 試分析小注入時，電子（空穴）在五個區(qū)域中的運動情況（分析漂移與擴散的方向及相對應(yīng)的大?。?。 中性取擴散區(qū)勢壘區(qū)擴散區(qū)中性區(qū) - + 3. 在方向情況下做上題。4. 證明方向飽和電流公式（6-35）可改寫為Js=式中b=un/up,sn和sp分別為n型和p

26、型半導(dǎo)體電導(dǎo)率，si為本征半導(dǎo)體率。 5. 一硅突變pn結(jié)，n區(qū)的rn=5W·cm，tp=1us；p區(qū)的rp=0.1W·cm，tn=5us,計算室溫下空穴電流與電子電流之比、飽和電流密度，以及在正向電壓0.3V時流過pn結(jié)的電流密度。 6. 條件與上題相同，計算下列電壓下的勢壘區(qū)寬度和單位面積上的電容：-10V；0V；0.3V。 7. 計算當(dāng)溫度從300K增加到400K時，硅pn結(jié)反向電流增加的倍數(shù)。 8. 設(shè)硅的性緩變結(jié)的雜質(zhì)濃度梯度為5´1023cm-4,VD為0.7V，求反向電壓為8V時的勢壘區(qū)寬度。 9. 已知突變結(jié)兩邊雜質(zhì)濃度為NA=1016cm-3,N

27、D=1020cm-3,求勢壘高度和勢壘寬度；畫出、V（圖。 10. 已知電荷分布r（x）為：r（x）=0；r（x）=c;r（x）=qax(x在0d之間)，分別求電場強度及電位V（，并作圖。 11. 分別計算硅n + p結(jié)在正向電壓為0.6V、反向電壓為40V時的勢壘區(qū)寬度。已知NA=5´1017cm-3,VD=0.8V。 12. 分別計算硅n + p結(jié)在平衡和反向電壓45V時的最大電場強度。已知ND=5´1015cm3,Vd=0.7V。 13. 高阻區(qū)雜質(zhì)濃度為ND=1016cm-3,=4´105V/cm,求擊穿電壓。 14. 設(shè)隧道長度Dx=40nm，求硅、鍺、

28、砷化鎵在室溫下電子的隧道概率。第七章習(xí)題 1. 求Al-Cu、Au-Cu、 W-Al、 Cu-Ag、Al-Au 、Mo-W 、Au-Pt的接觸器電勢差，并標(biāo)出電勢的正負(fù)。 2. 兩種金屬A和B通過金屬C相接觸，若溫度相等，證明其兩端a 、b的電勢差同A、B直接接觸的電勢差一樣。如果A是Au,B是Ag, C是Cu或 Al，則Vab是多少伏？ 3. 施主濃度ND=1017cm-3的n型硅 ，室溫下的功函數(shù)是是多少？若不考慮表面態(tài)的影響，他分別同Al,Au,Mo接觸時，形成阻擋層還是反阻擋？鍺的電子親合能取4.05eV。 4. 受主濃度NA=1017cm-3的p型鍺，室溫下的功函數(shù)是多少？若不考慮表面態(tài)的影響，他分別同Al,Au,Pt接觸時，形成阻擋層還是反阻擋？鍺的電子親合能取4.13eV。 5. 某功函數(shù)為2.5eV的金屬表面受到光的照射。 這個面吸收紅色光或紫色光時，能放出光電子嗎？ 用波長為185nm的紫外線照射時，從表面放出的光電子的能量是多少eV。6. 電阻率為10W·cm的n型鍺和金屬接觸形成 的肖特基勢壘高度為0.3eV。求加上5V反向電壓時的空間電荷厚度。7. 在n 型硅的（111）面上與金屬接觸形成肖特基勢壘二極管。若已知勢壘高度qfns=0.73eV ，計算室溫下的反向飽和電流JST.8. 有一塊施主硬度ND=1016c