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文檔簡介
1、 應(yīng)用于鎖相環(huán)的脈寬調(diào)整電路的設(shè)計(jì)前言在鎖相環(huán)PLL、DLL和時(shí)鐘數(shù)據(jù)恢復(fù)電路CDR等電路的應(yīng)用中,人們普遍要求輸出時(shí)鐘信號有50%的占空比,以便在時(shí)鐘上升及下降沿都能夠采樣數(shù)據(jù),最大限度地提高數(shù)據(jù)傳輸?shù)乃俣?。為了達(dá)到這一需求,我們經(jīng)常需要在時(shí)鐘的輸出加入脈寬調(diào)整電路來得到一個(gè)占空比盡可能達(dá)到50%的時(shí)鐘信號。近年來誕生了許多種類的脈寬調(diào)整電路。這些電路大致可以分為以下三類:第一類最為簡單,即采用2分頻器產(chǎn)生占空比為50的時(shí)鐘,2分頻器并不是專為前言在鎖相環(huán)PLL、DLL和時(shí)鐘數(shù)據(jù)恢復(fù)電路CDR等電路的應(yīng)用中,人們普遍要求輸出時(shí)鐘信號有50%的占空
2、比,以便在時(shí)鐘上升及下降沿都能夠采樣數(shù)據(jù),最大限度地提高數(shù)據(jù)傳輸?shù)乃俣?。為了達(dá)到這一需求,我們經(jīng)常需要在時(shí)鐘的輸出加入脈寬調(diào)整電路來得到一個(gè)占空比盡可能達(dá)到50%的時(shí)鐘信號。近年來誕生了許多種類的脈寬調(diào)整電路。這些電路大致可以分為以下三類:第一類最為簡單,即采用2分頻器產(chǎn)生占空比為50的時(shí)鐘,2分頻器并不是專為調(diào)整占空比而采用的,但的確達(dá)到了這一需求;第二類通過負(fù)反饋機(jī)制,采用數(shù)字或模擬控制,調(diào)整信號占空比,這類電路最主要考慮的是系統(tǒng)穩(wěn)定性;最后一種是采用復(fù)雜數(shù)字算法的占空比調(diào)整電路,其實(shí)現(xiàn)相對比較復(fù)雜。因此本文主要分析設(shè)計(jì)前兩種類型的脈寬調(diào)整電路。2分頻器作為脈寬調(diào)整電路絕大多數(shù)PLL中使用
3、2分頻prescaler電路處理VCO輸出的高頻信號,既實(shí)現(xiàn)了反饋路徑上的預(yù)分頻要求,降低了后續(xù)反饋分頻電路的工作頻率和功耗;又實(shí)現(xiàn)了對輸出信號脈寬的調(diào)整,基本滿足了50占空比的要求。但其最大的缺點(diǎn)在于減少了壓控振蕩器VCO一半的輸出信號范圍,對于高頻信號的50%占空比需求,這一缺點(diǎn)體現(xiàn)得比較明顯。通常我們采用靜態(tài)D觸發(fā)器實(shí)現(xiàn)2分頻,為了實(shí)現(xiàn)在高頻工作時(shí)降低功耗,現(xiàn)在越來越多采用動態(tài)邏輯電路實(shí)現(xiàn)2分頻。圖1是一種傳統(tǒng)的九管實(shí)現(xiàn)的動態(tài)2分頻器。當(dāng)時(shí)鐘為低電平時(shí),第一級時(shí)鐘開關(guān)導(dǎo)通,采樣輸入信號,這時(shí)第二級輸出的高電平保證了該電路的即時(shí)輸出是前一次采樣保持得到的信號,該信號電荷儲存于輸出節(jié)點(diǎn)的寄生
4、電容。由于現(xiàn)代CMOS工藝已經(jīng)進(jìn)入深亞微米階段,晶體管的漏電流現(xiàn)象越發(fā)明顯,因此,該電路正常工作的頻率不能太低。當(dāng)變?yōu)楦唠娖胶螅谝患墑偛潘蓸拥男盘栒_到達(dá)第三級的輸入端,的高電平使得這一級成為普通反相器,實(shí)現(xiàn)了觸發(fā)器的功能。由于采用了動態(tài)機(jī)制,利用寄生電容采樣保持信號,減少了直流通路,降低了功耗,與靜態(tài)邏輯實(shí)現(xiàn)方法相比,所用晶體管數(shù)量大大減少。該電路設(shè)計(jì)中,主要考慮時(shí)鐘MOS開關(guān)的導(dǎo)通電阻和開關(guān)速度的折中以及信號上升下降時(shí)間的大致匹配。為提高該電路的速度,可以按照圖2所示改進(jìn),與圖1電路相比,時(shí)鐘MOS開關(guān)更靠近電地,因此速度更快。對圖2電路仿真結(jié)果表明,該電路最高工作頻率可以達(dá)到12GH
5、z。圖1 傳統(tǒng)的動態(tài)觸發(fā)器圖2 改進(jìn)的動態(tài)觸發(fā)器 負(fù)反饋脈寬調(diào)整電路同鎖相環(huán)電路利用負(fù)反饋機(jī)制鎖定相位的原理類似,我們同樣可以利用負(fù)反饋機(jī)制構(gòu)建簡單系統(tǒng)來調(diào)整信號占空比。該系統(tǒng)主要有以下幾個(gè)模塊構(gòu)成:壓控脈寬調(diào)整器、脈寬電壓轉(zhuǎn)換器和電壓比較器等。系統(tǒng)模塊圖如圖3所示。圖3 負(fù)反饋脈寬調(diào)整電路模塊壓控脈寬調(diào)整器可由壓控延時(shí)線VCDL和鑒相器PD組成。簡單的VCDL可以由一串反相器構(gòu)成,其輸出信號是輸入信號的延時(shí),延時(shí)大小由控制電壓VC決定;鑒相器PD可由靜態(tài)RS觸發(fā)器構(gòu)成。兩個(gè)同頻存在延時(shí)的信號輸入鑒相器后,檢測的是兩信號上升沿之差,即產(chǎn)生了脈寬與延時(shí)成線性關(guān)系(延時(shí)小于一個(gè)周期)的同
6、頻輸出,延時(shí)越長(在一個(gè)周期范圍內(nèi)),則PD輸出信號的占空比越大。因此,要實(shí)現(xiàn)寬范圍信號占空比的調(diào)節(jié),重要的是實(shí)現(xiàn)VCDL的寬范圍。另外一種更為簡單的壓控脈寬調(diào)整器是脈寬伸縮電路,如圖4所示。該電路通過調(diào)整信號不同的上升/下降延時(shí)達(dá)到調(diào)整占空比的目的。圖中靠近電地的MOS管電流源的電流大小由控制電平VC決定??刂齐妷狠^大時(shí),NMOS電流鏡的電流大于PMOS電流源中的電流,信號上升比下降要慢,反之亦然。因此,改變控制電壓的大小,即實(shí)現(xiàn)了信號上升下降延時(shí)的不同,從而實(shí)現(xiàn)了脈寬的調(diào)節(jié)。圖4 壓控脈寬調(diào)整器設(shè)計(jì)該電路時(shí),傳輸信號反相器中的MOS管采用最小特征尺寸,并保證較大的寬度,使MOS管開關(guān)迅速,
7、提高電路的工作頻率;作為電流源使用的MOS管,為減少溝長調(diào)制效應(yīng),晶體管的長度應(yīng)該比較大,這樣對減少噪聲也有幫助。另外要注意的是,當(dāng)控制電壓處于電源電壓一半時(shí),調(diào)整P、N電流源電流基本一致,這一要求確定了它們的相對寬長比,對擴(kuò)大電路工作范圍有重要的作用。由于電路調(diào)整了信號上升/下降的延時(shí),有可能在高頻應(yīng)用時(shí)會對信號的完整性有所傷害,因此必須在該電路的輸出加上緩沖器,根據(jù)負(fù)載決定緩沖器的驅(qū)動能力。為了適應(yīng)后續(xù)模塊比較的要求,需要產(chǎn)生相位互補(bǔ)信號。該電路可由兩條反相器鏈組成。由于正相路徑比反相路徑少一級,為保證信號的相位互補(bǔ),我們對正相路徑的負(fù)載增加MOS電容,通過增大正相路徑延時(shí)來達(dá)到互補(bǔ)的要求
8、。脈寬調(diào)整電路中的另一個(gè)模塊是脈寬電壓轉(zhuǎn)換器,它的功能是產(chǎn)生與脈寬成線性關(guān)系的電壓信號。本設(shè)計(jì)中采用兩個(gè)對稱的轉(zhuǎn)換器實(shí)現(xiàn)對壓控脈寬調(diào)整器輸出互補(bǔ)信號的脈寬比較。如果輸出時(shí)鐘是50%占空比,其互補(bǔ)信號脈寬基本一致,則兩轉(zhuǎn)換器的輸出電平也是基本相同的。由于考慮的是電壓相對值,因此脈寬電壓轉(zhuǎn)換過程中產(chǎn)生的一些非理想因素,比如充放電流不匹配、電荷共享等,可以忽略。該轉(zhuǎn)換器的基本原理是由脈寬控制電流源對電容充放電。在脈寬比較極端的情況時(shí),該電路也能夠正常反映當(dāng)前信號占空比的正確關(guān)系。系統(tǒng)中另一個(gè)模塊是電壓比較器,它在整個(gè)負(fù)反饋系統(tǒng)中起著重要的作用。本設(shè)計(jì)中采用跨導(dǎo)運(yùn)算放大器OTA對脈寬電壓轉(zhuǎn)換器輸出的電
9、壓值進(jìn)行比較,并產(chǎn)生壓控脈寬調(diào)整器所需的控制電壓VC,構(gòu)成整個(gè)系統(tǒng)的負(fù)反饋回路。該OTA需要較高的直流增益和較大的帶寬。為了更好地保證整個(gè)環(huán)路的穩(wěn)定性,放大器采用一級折疊共源共柵結(jié)構(gòu)。圖5為該放大器的電路圖。圖5 折疊共源共柵跨導(dǎo)運(yùn)算放大器當(dāng)壓控脈寬調(diào)整器輸出信號具有約50%占空比時(shí),轉(zhuǎn)換器的輸出電壓維持在較小的值(考慮充放電荷大致相同),因此,采用PMOS管作為放大器的差分輸入符合輸入范圍的要求。為了擴(kuò)大輸出范圍,放大器采用了寬范圍Cascode電流鏡作為有源負(fù)載。經(jīng)過仿真可得,該放大器直流增益達(dá)65dB,完全滿足系統(tǒng)要求。為了保證反饋環(huán)路穩(wěn)定以及減少控制電壓上的紋波(ripple),放大器
10、的負(fù)載電容應(yīng)取得較大一些,以降低主極點(diǎn)頻率??紤]面積方面的因素,該電容可以采用NMOS電容,這種電容的單位面積電容值比其他類型的集成電容都要大的多。該電容的缺點(diǎn)是電容值受工藝、電壓等因素變化較大,而且漏電隨柵氧化層厚度減小而增大,但在此處做相位補(bǔ)償和濾波之用,可以忽略這些缺點(diǎn)。整個(gè)系統(tǒng)中最重要的是系統(tǒng)環(huán)路穩(wěn)定性的問題,該閉環(huán)系統(tǒng)的環(huán)路增益是:Loop gain=1/(1+s/p1)×A0/(1+s/p2)只要放大器的負(fù)載電容足夠大(大約30pF),就可以使環(huán)路有足夠的相位裕度保證整個(gè)閉環(huán)系統(tǒng)的穩(wěn)定。典型的二階系統(tǒng)控制電壓穩(wěn)定曲線如圖6所示。在脈寬電壓轉(zhuǎn)換器中,我們可以采用類似于電賀泵的電容充放電結(jié)構(gòu),也可以采用本次設(shè)計(jì)中采用的簡單低通濾波器結(jié)構(gòu)。考慮到這兩種結(jié)構(gòu)所引入的極點(diǎn)p1的位置不同,因此后者更加容易穩(wěn)定。圖6 典型的二階系統(tǒng)控制電壓穩(wěn)定曲線該系統(tǒng)在SMIC 180nm數(shù)字工藝下,采用Cadence公司的Spectre仿真器通過仿真,工作頻率范圍100MHz1.5GHz,穩(wěn)定時(shí)間約在13s,有效輸入占
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