第十章 重量分析(劉國聰)(2012)

1、Page12012-10-11H HZUZU第十章第十章重重 量量 分分 析析Page22012-10-11H HZUZU分離分離稱量稱量 通過稱量來確定被測組分含量的一種通過稱量來確定被測組分含量的一種經(jīng)典定量分析方法。經(jīng)典定量分析方法。第一節(jié)第一節(jié) 概述概述1.定義定義2.過程過程Page32012-10-11H HZUZU5.缺點：缺點：慢，耗時，繁瑣。慢，耗時，繁瑣。 (S，Si, Ni的仲裁分析仍用重量法）的仲裁分析仍用重量法）4.優(yōu)點：優(yōu)點：Er: 0.10.2，準，不需標準溶液。，準，不需標準溶液。3.分類根據(jù)分離方法不同重量分析分為：揮發(fā)法、萃取法、沉淀法等Page42012-

2、10-11H HZUZU6.在醫(yī)藥領域的應用 某些藥物含量測定、干燥失重、燃燒殘渣和中草藥的灰分，以及各種體液測定等。Page52012-10-11H HZUZU第二節(jié)第二節(jié) 重量分析的主要方法重量分析的主要方法 一、一、揮發(fā)法揮發(fā)法：利用被測組分的揮發(fā)性，對：利用被測組分的揮發(fā)性，對其進行測定的方法。其進行測定的方法。 1.1.直接揮發(fā)法直接揮發(fā)法： 利用加熱使試樣中揮發(fā)性組分逸出，利用加熱使試樣中揮發(fā)性組分逸出，用適當?shù)奈談┦怪勘晃?，稱量吸用適當?shù)奈談┦怪勘晃眨Q量吸收劑的增重，計算該組分含量的方法。收劑的增重，計算該組分含量的方法。 當幾種揮發(fā)性組分并存時，應用選擇當幾種

3、揮發(fā)性組分并存時，應用選擇 性吸收劑。性吸收劑。Page62012-10-11H HZUZU%100012sOHmmm例如例如 結晶水的測定結晶水的測定: XnH2O X + nH2Om0干燥劑干燥劑nH2Omsmdm1Page72012-10-11H HZUZU 利用加熱使試樣中某揮發(fā)性組利用加熱使試樣中某揮發(fā)性組分揮發(fā)后，再稱量，從試樣減少的分揮發(fā)后，再稱量，從試樣減少的重量間接計算該揮發(fā)組分含量。重量間接計算該揮發(fā)組分含量。2.間接揮發(fā)法間接揮發(fā)法：%1002sdsOHmmmPage82012-10-11H HZUZU二、萃取法：二、萃取法：梨形分梨形分液漏斗液漏斗 利用被測組分利用被測

4、組分在有機溶劑中有較在有機溶劑中有較大的溶解度，使它大的溶解度，使它從原固體試樣或試從原固體試樣或試液中轉移到有機溶液中轉移到有機溶劑中，然后蒸干并劑中，然后蒸干并稱量干燥物的重量，稱量干燥物的重量，從而算出被測組分從而算出被測組分的含量。的含量。Page92012-10-11H HZUZU三、沉淀法：三、沉淀法： 例例 SO42- + Ba2+ = BaSO4 被測組分與沉淀劑反應，生成難溶性被測組分與沉淀劑反應，生成難溶性化合物，經(jīng)化合物，經(jīng)過濾過濾、洗滌洗滌、干躁干躁、灼燒灼燒后，后，得到組成固定的物質，得到組成固定的物質，稱重稱重，計算計算該組分該組分含量的方法。含量的方法。 將該沉淀

5、過濾、洗滌、干燥和灼燒后，稱將該沉淀過濾、洗滌、干燥和灼燒后，稱 量，即可算出該試樣中硫酸鈉的質量分數(shù)量，即可算出該試樣中硫酸鈉的質量分數(shù) Page102012-10-11H HZUZU一、重量分析沉淀法的分析過程一、重量分析沉淀法的分析過程試樣試樣沉淀劑沉淀劑沉淀沉淀形式形式過濾過濾洗滌洗滌或干躁或干躁稱量稱量形式形式第三節(jié)第三節(jié) 沉淀法沉淀法Page112012-10-11H HZUZU例如例如 SO42-的測定的測定 SO42- + Ba2+BaSO4過濾過濾洗滌洗滌灼燒灼燒800BaSO4mg1004424sBaSOSOgSOmMMmPage122012-10-11H HZUZU例如例

6、如 Mg2+的測定的測定 (NH4)2HPO4 + Mg2+過濾過濾洗滌洗滌灼燒灼燒1100mgMgNH4PO46H2OMg2P2O7%1002722sOPMgMggMgmMMmPage132012-10-11H HZUZU 加入沉淀劑使被測組分沉淀，此沉淀的加入沉淀劑使被測組分沉淀，此沉淀的化學組成稱為化學組成稱為沉淀形式沉淀形式。 對沉淀形式的要求：沉淀形式的要求：(一一)沉淀形式：沉淀形式： 沉淀的沉淀的 s 小小, 溶解損失應溶解損失應0.2mg, 定量沉淀定量沉淀 沉淀的純度高沉淀的純度高 便于過濾和洗滌便于過濾和洗滌 (晶形好晶形好) 干燥和灼燒后應有固定的組成。干燥和灼燒后應有固

7、定的組成。Page142012-10-11H HZUZU對稱量形式的要求：對稱量形式的要求： 沉淀經(jīng)過濾、洗滌、干燥或灼燒沉淀經(jīng)過濾、洗滌、干燥或灼燒后，供最后稱量物質的化學組成稱為后，供最后稱量物質的化學組成稱為稱量形式。稱量形式。 (二二)稱量形式：稱量形式： 確定的化學組成確定的化學組成, 恒定恒定-定量基礎定量基礎 穩(wěn)定穩(wěn)定-量準確量準確 摩爾質量大摩爾質量大-減少稱量誤差減少稱量誤差 Page152012-10-11H HZUZUAl3+NH3Al(OH)30.1000g0.1888g灼燒灼燒Al2O3Al3+8-羥基喹啉羥基喹啉Al(C9H6NO)3烘干烘干Al(C9H6NO)30

8、.1000g1.704g稱量誤差稱量誤差例例 測測Al3+ %16. 0%1001888. 00002. 0%012. 0%100704. 10002. 0 Page162012-10-11H HZUZU 稱量形式的摩爾質量越大，被測組分在沉淀中所占的比例越小，則沉淀的損失或玷污對被測組分的影響越小，分析結果的準確度越高。結論結論Page172012-10-11H HZUZU(三三)沉淀形式與稱量形式關系沉淀形式與稱量形式關系 沉淀形式與稱量形式可以相同，也可以不沉淀形式與稱量形式可以相同，也可以不相同相同。例如測定。例如測定Cl-時，加入沉淀劑時，加入沉淀劑AgNO3以以得到得到AgCl沉淀

9、，此時沉淀形式和稱量形式都沉淀，此時沉淀形式和稱量形式都是是AgCl。但測定。但測定Mg2+時，沉淀形式為時，沉淀形式為MgNH4PO4，經(jīng)灼燒后得到的稱量形式為，經(jīng)灼燒后得到的稱量形式為Mg2P2O7，則沉淀形式與稱量形式不同。，則沉淀形式與稱量形式不同。 BaSO4BaSO4； CaCO3CaO; CaC2O4 CaO; Al(OH)3 Al2O3。Page182012-10-11H HZUZU (四四)取樣量：取樣量： 確定合適的稱量形式后，應確定合適的稱量形式后，應根據(jù)試樣中被測根據(jù)試樣中被測組分的含量和沉淀的性質，考慮稱取多少試樣。組分的含量和沉淀的性質，考慮稱取多少試樣。 取樣過少

10、使稱量和測定的相對誤差大，降低取樣過少使稱量和測定的相對誤差大，降低分析結果的準確度。取樣過多，產(chǎn)生的沉淀太多分析結果的準確度。取樣過多，產(chǎn)生的沉淀太多不易過濾和洗滌。不易過濾和洗滌。 晶形沉淀：稱量形式晶形沉淀：稱量形式0.30.5g 無定形沉淀：稱量形式無定形沉淀：稱量形式0.10.2g 試樣應取的質量，可根據(jù)稱量形式的質量及試樣應取的質量，可根據(jù)稱量形式的質量及反應式求得。反應式求得。Page192012-10-11H HZUZU例例1 利用生成硫酸鋇沉淀的方法以測量利用生成硫酸鋇沉淀的方法以測量Na2SO4的含量，應稱取多少克結晶硫的含量，應稱取多少克結晶硫酸鈉試樣？酸鈉試樣？ 解：設

11、應稱取解：設應稱取x克結晶硫酸鈉試樣，根克結晶硫酸鈉試樣，根據(jù)晶形沉淀的稱取原則，有據(jù)晶形沉淀的稱取原則，有Na2SO410H2O322.2g/molxgBaSO4223.4g/mol0.30.5gBaCl2Page202012-10-11H HZUZU即應稱取結晶硫酸鈉試樣即應稱取結晶硫酸鈉試樣0.40.7克克gmolgmolggx4 . 0/4 .233/2 .3223 . 01gmolgmolggx7 . 0/4 .233/2 .3225 . 02Page212012-10-11H HZUZU常用儀器常用儀器Page222012-10-11H HZUZU 利用沉淀反應進行重量分析時，要求

12、沉淀反應進行完全。沉淀的完全程度，主要決定于沉淀溶解度的大小。通常，在重量分析中要求沉淀的溶解損失在0.0001g以內（即可認為沉淀完全），即小于分析天平的稱量允許誤差（0.0002g）。而一般沉淀卻很少能達到這一要求。因此，如何減少沉淀的溶解損失，以保證重量分析結果的準確度是重量分析的一個重要問題。Page232012-10-11H HZUZU二、影響沉淀溶解度的因素二、影響沉淀溶解度的因素 1. 1.同離子效應同離子效應減小溶解度減小溶解度 當沉淀達平衡后，若向溶液中加入當沉淀達平衡后，若向溶液中加入含有組成沉淀的某一離子（構晶離子）含有組成沉淀的某一離子（構晶離子）試劑，使沉淀溶解度降低

13、的現(xiàn)象稱為試劑，使沉淀溶解度降低的現(xiàn)象稱為 構晶離子構晶離子：組成沉淀晶體的離子稱為組成沉淀晶體的離子稱為Page242012-10-11H HZUZU解：解： 例例2 用用BaSO4重量法測定重量法測定SO42-含量時，以含量時，以BaCl2為沉淀劑，計算等量和過量為沉淀劑，計算等量和過量0.01mol/L加入加入Ba2+時，在時，在200mL溶液中溶液中BaSO4沉淀的沉淀的溶解損失。溶解損失。LmolKSBaSOSOBasp/100 . 1101 . 15104242沉淀溶解度為等量反應的與mgmgBaSOml2 . 05 . 02004 .233100 . 120054沉淀的溶解損失為

14、溶液中molgMBaSO/4 .233410)(101 . 14BaSOspK已知Page252012-10-11H HZUZULmolBaKSOSBaSOSOLmolBasp/101 . 101. 0101 . 1/01. 08102244242沉淀溶解度為反應的與過量mgmgBaSOml2 . 0100 . 52004 .233100 . 1200484沉淀的溶解損失為溶液中Page262012-10-11H HZUZU 為了使沉淀完全，首先要選擇合適的沉淀劑，使所生成的沉淀溶解度比較小，然后再加入稍過量的沉淀劑，借助同離子效應使沉淀完全。 討論：討論：過多加入沉淀劑會增大鹽效應或其他過多

15、加入沉淀劑會增大鹽效應或其他配位副反應配位副反應, 而使溶解度增大而使溶解度增大 沉淀劑用量沉淀劑用量：一般沉淀，過量一般沉淀，過量 20%20%30%30% 沉淀溶解度較大：過量沉淀溶解度較大：過量 50%50% 沉淀劑具揮發(fā)性：過量沉淀劑具揮發(fā)性：過量 100%100%Page272012-10-11H HZUZU2.2.鹽效應鹽效應增大溶解度增大溶解度 溶液中存在大量強電解質使沉溶液中存在大量強電解質使沉淀溶解度增大的現(xiàn)象淀溶解度增大的現(xiàn)象注：注：沉淀溶解度很小時，常忽略鹽效應沉淀溶解度很小時，常忽略鹽效應 沉淀溶解度很大，且溶液離子強度沉淀溶解度很大，且溶液離子強度 很高時，要考慮鹽效

16、應的影響很高時，要考慮鹽效應的影響Page282012-10-11H HZUZUS/S01.61.41.21.00.001 0.005 0.01KNO3 / (molL-1)BaSO4AgCl鹽效應曲線鹽效應曲線Page292012-10-11H HZUZUNa2SO4的的濃度濃度(mol/L)PbSO4溶解溶解度度(mg/L)00.0010.010.040.100.2039.47.34.83.94.87.0表表4-1 PbSO4在在Na2SO4溶液中的溶解度溶液中的溶解度討論：討論：同離子效應為主，時，44242/04. 00PbSOSONaSONaScLmolc鹽效應為主，時，44242/

17、04. 0PbSOSONaSONaScLmolcPage302012-10-11H HZUZU3.3.酸效應酸效應增大溶解度增大溶解度溶液酸度對沉淀溶解度的影響稱為溶液酸度對沉淀溶解度的影響稱為討論：討論： 酸度對強酸型沉淀物的溶解度影響不大，酸度對強酸型沉淀物的溶解度影響不大， 但對弱酸型或氫氧化物沉淀的溶解度影響但對弱酸型或氫氧化物沉淀的溶解度影響較大。較大。 pH，H+，SPage312012-10-11H HZUZUpHCaC2O4溶溶解度解度(mg/L)2.03.04.05.06.07.210-6表表4-2 CaC2O4在不同在不同pH溶液中的溶解度溶液中的溶解度4.810-57.2

18、10-51.910-46.110-4Page322012-10-11H HZUZU圖示圖示 溶液酸度對溶液酸度對CaC2O4溶解度的影響溶解度的影響CaC2O4 Ca2+ + C2O42- 酸效應的原因酸效應的原因：溶溶液中氫離子對沉淀液中氫離子對沉淀離解平衡的影響。離解平衡的影響。C2O42- + H+ HC2O4-HC2O4-+H+ H2C2O4Page332012-10-11H HZUZU4. 配位效應配位效應增大溶解度增大溶解度 溶液中存在能與構晶離子生溶液中存在能與構晶離子生成可溶性配合物的配位劑時，使成可溶性配合物的配位劑時，使沉淀溶解度增大的現(xiàn)象。沉淀溶解度增大的現(xiàn)象。 Ag+

19、+ Cl- - AgCl AgCl + Cl- - AgCl2- - AgCl2- - + Cl- - AgCl3- -Page342012-10-11H HZUZUNaCl的濃的濃度度(mol/L)AgCl溶解度溶解度(mg/L)00.040.090.500.902.811.90.10.61.014.3143.0表表4-3 AgCl在在NaCl溶液中的溶解度溶液中的溶解度Page352012-10-11H HZUZU配位效應配位效應S最小最小同離子效應同離子效應配位效應配位效應pCl=2.4pCl5 4 3 2 1 01086420Sx106 mol/LS(AgCl)-pCl曲線曲線Page

20、362012-10-11H HZUZUL是構晶離子本身是構晶離子本身 例如例如 4OH3Al(OH)Al(OH)34232IAgI,AgI,AgIAgI,AgI,.AgBrAgBr,AgBr2BrMA = M + AAMA MA2 cAPage372012-10-11H HZUZU例例 34232ACN-Ag(SCN),Ag(SCN),Ag(SCN)AgSCN, AgSCNSCNAg-lgSlgc(SCN-)12同離子效應區(qū)同離子效應區(qū)配位效應區(qū)配位效應區(qū)SminPage382012-10-11H HZUZU 1)1)配位效應促使沉淀配位效應促使沉淀- -溶解平衡移向溶解平衡移向溶解一方，從而

21、溶解一方，從而增大溶解度增大溶解度 2)2)當沉淀劑本身又是配位劑時，應避當沉淀劑本身又是配位劑時，應避免加入過多。既有同離子效應，又免加入過多。既有同離子效應，又有配位效應，應視濃度而定有配位效應，應視濃度而定3)3)配位效應與沉淀的溶解度和配合物配位效應與沉淀的溶解度和配合物穩(wěn)定常數(shù)有關，穩(wěn)定常數(shù)有關，溶解度越大，配合溶解度越大，配合物越穩(wěn)定，配位效應越顯著物越穩(wěn)定，配位效應越顯著 Ag+ + Cl- - AgCl AgCl + Cl- - AgCl2- - AgCl2- - + Cl- - AgCl3- -討討論論Page392012-10-11H HZUZU5. 其他因素：其他因素：A

22、溫度溫度： T ，S ，溶解損失，溶解損失 ( (合理控制合理控制) )B溶劑極性溶劑極性： 溶劑極性溶劑極性，S，溶解損失，溶解損失( (加入有機溶劑加入有機溶劑) )C沉淀顆粒度大小沉淀顆粒度大?。?同種沉淀，顆粒同種沉淀，顆粒，S，溶解損失，溶解損失( (粗大晶體粗大晶體) ) D膠體形成膠體形成： “膠溶膠溶”使使S，溶解損失，溶解損失( (加大量電解質可破壞加大量電解質可破壞之之) )E水解作用水解作用： 某些沉淀易發(fā)生水解反應，對沉淀造成影響某些沉淀易發(fā)生水解反應，對沉淀造成影響Page402012-10-11H HZUZU溫度對沉淀溶解度的影響溫度對沉淀溶解度的影響 注：根據(jù)沉淀

23、受溫度影響程度選擇合適溫度v 沉淀加熱溶液v 陳化加熱微沸v 過濾、洗滌沉淀 溫度影響大的沉淀冷至室溫再過濾洗滌 溫度影響小的沉淀趁熱過濾洗滌Page412012-10-11H HZUZU三、三、 沉淀形成過程沉淀形成過程 均相成核：構晶離子自發(fā)形成晶核均相成核：構晶離子自發(fā)形成晶核 如如BaSO4 ，8個構晶離子形成一個晶核個構晶離子形成一個晶核成核過程成核過程均相成核均相成核異相成核異相成核長大過程長大過程凝聚凝聚定向排列定向排列構晶離子構晶離子晶核晶核沉淀顆粒沉淀顆粒無定形沉淀無定形沉淀晶形沉淀晶形沉淀異相成核：溶液中的微小顆粒作為晶種異相成核：溶液中的微小顆粒作為晶種Page42201

24、2-10-11H HZUZU沉淀的形成包括沉淀的形成包括晶核的生成晶核的生成和和晶體的成長晶體的成長兩個過兩個過程。程。1.1.晶核的生成晶核的生成 晶核的形成有均相成核作用和異相成晶核的形成有均相成核作用和異相成核作用。核作用。 均相成核均相成核(自發(fā)成核自發(fā)成核)：過飽和溶液中，過飽和溶液中，構晶離子通過靜電作用締合而自發(fā)形成晶核構晶離子通過靜電作用締合而自發(fā)形成晶核 異相成核：構晶離子擴散到溶液中外異相成核：構晶離子擴散到溶液中外來固體微粒上形成晶核來固體微粒上形成晶核Page432012-10-11H HZUZU 沉淀從過飽和溶液中析出時，必先形成晶核，然后再成長為晶體。對于未形成晶核

25、之前的過飽和溶液，從宏觀來看，溶液的離子或分子是均勻分布的。但從微觀考慮，由于離子或分子的熱運動，在溶液的某一部位可能有些離子或分子暫時形成離子或分子的聚集體。由于這種聚集體的微粒之小，所以溶解度必然很大，瞬間又分散為離子或分子狀態(tài)。而在溶液的其他部位，又可能形成新的聚集體。因為這種聚集體還沒有達到臨界核的大小，所以它還不是晶核，聚集體與溶液仍處于同一相。(1)(1)均相成核作用均相成核作用Page442012-10-11H HZUZU 當這種聚集體與構晶離子或聚集體之間進一步結合，達到臨界核的大小時，便形成晶核而出現(xiàn)固相。此過程稱為均相成核過程。Page452012-10-11H HZUZU

26、 BaSOBaSO4 4均相成核是在過飽和溶液中，由均相成核是在過飽和溶液中，由于靜電作用于靜電作用,Ba,Ba2+2+和和SOSO4 42-2-締合成締合成離子對離子對(Ba(Ba2+2+SOSO4 42-2-),),離子對進一步結合離子對進一步結合BaBa2+2+或或SOSO4 42-2-，形成形成離子群離子群，當離子聚集達到臨界核的大小，當離子聚集達到臨界核的大小時時, ,便形成晶核。便形成晶核。 晶核中離子數(shù)目的多少與物質的性質晶核中離子數(shù)目的多少與物質的性質有關。例如有關。例如BaSOBaSO4 4的晶核由的晶核由7-87-8個構晶離子組個構晶離子組成，成，CaFCaF2 2的晶核由

27、的晶核由9 9個構晶離子組成，個構晶離子組成，AgAg2 2CrOCrO4 4和和AgClAgCl的晶核由的晶核由6 6個構晶離子組成。個構晶離子組成。Page462012-10-11H HZUZU 形成晶核的基本條件是溶液必須處于過飽和狀態(tài)。但在進行沉淀時，往往需要溶液的濃度Q超過溶解度S一定程度之后，才能開始形成沉淀。這是因為S為大顆粒的溶解度，而晶核的顆粒要小得多，所以與晶核處于平衡狀態(tài)的飽和溶液的濃度Q，必定要大于S一定程度，才能形成穩(wěn)定的晶核。Page472012-10-11H HZUZU(2)(2)異相成核作用異相成核作用： 如果溶液中存在有外來懸浮顆粒，則構晶如果溶液中存在有外來

28、懸浮顆粒，則構晶離子或瞬間形成的聚集體，可以吸附于其表面離子或瞬間形成的聚集體，可以吸附于其表面而形成晶核，此種過程稱為而形成晶核，此種過程稱為異相成核作用異相成核作用。 實踐表明，異相成核作用先于均相成核實踐表明，異相成核作用先于均相成核作用。所以開始形成晶核數(shù)目的多少，取決作用。所以開始形成晶核數(shù)目的多少，取決于外來雜質顆粒的多少。為了控制形成較少于外來雜質顆粒的多少。為了控制形成較少的晶核，得到較大的沉淀顆粒，應當采用純的晶核，得到較大的沉淀顆粒，應當采用純度較高的試劑和特別潔凈的容器。度較高的試劑和特別潔凈的容器。Page482012-10-11H HZUZU2.晶體的成長過程晶體的成

29、長過程 晶核形成之后，即進一步從溶晶核形成之后，即進一步從溶液中獲得構晶離子，使沉淀的顆粒液中獲得構晶離子，使沉淀的顆粒長大，此過程稱為晶體的長大過程。長大，此過程稱為晶體的長大過程。晶體的成大的速度和形狀與物質的晶體的成大的速度和形狀與物質的本性、溶液的相對過飽和度、溫度本性、溶液的相對過飽和度、溫度等因素有關。等因素有關。Page492012-10-11H HZUZU四、四、沉淀類型和形成過程沉淀類型和形成過程 1 沉淀類型沉淀類型晶形沉淀晶形沉淀無定形沉淀無定形沉淀顆粒直徑顆粒直徑0.11 m凝乳狀沉淀凝乳狀沉淀膠體沉淀膠體沉淀顆粒直徑顆粒直徑0.020.1 m顆粒直徑顆粒直徑0.02

30、mFe(OH)3AgClCaC2O4，BaSO4Page502012-10-11H HZUZU2. 沉淀條件對沉淀類型的影響沉淀條件對沉淀類型的影響 早在早在20世紀初期，馮世紀初期，馮韋曼韋曼(van Weimarn)曾以曾以BaSO4沉淀為沉淀為對象，對對象，對沉淀顆粒大小與溶液濃度沉淀顆粒大小與溶液濃度的關系的關系作過研究。結果發(fā)現(xiàn)，作過研究。結果發(fā)現(xiàn)，沉淀沉淀顆粒的大小與形成沉淀的初速度顆粒的大小與形成沉淀的初速度(即即開始形成沉淀的進度開始形成沉淀的進度)有關，而初速有關，而初速度又與溶液的相對過飽和度成正比度又與溶液的相對過飽和度成正比。 Page512012-10-11H HZU

31、ZU馮馮韋曼韋曼(Von Weimarn)經(jīng)驗公式經(jīng)驗公式S:沉淀的溶解度沉淀的溶解度Q：加入沉淀劑瞬間沉淀物質的濃度：加入沉淀劑瞬間沉淀物質的濃度K：常數(shù)，與沉淀的性質、溫度、介質等有關：常數(shù)，與沉淀的性質、溫度、介質等有關SSQKV相對相對過飽過飽和度和度過飽過飽和度和度沉淀沉淀的初的初速度速度Page522012-10-11H HZUZU在沉淀BaSO4時，1.若Ba2+=SO42-， 則Q=Ba2+=SO42-；2.若Ba2+SO42-， 則Q=(Ba2+SO42-)1/2Page532012-10-11H HZUZU 1.相對過飽和度越大，形成的晶核數(shù)相對過飽和度越大，形成的晶核數(shù)目

32、越多，沉淀的顆粒越??；反之則沉淀目越多，沉淀的顆粒越?。环粗畡t沉淀的顆粒越大。因此，的顆粒越大。因此，為了得到大的沉淀為了得到大的沉淀顆粒，應在適當稀的溶液中進行沉淀顆粒，應在適當稀的溶液中進行沉淀。 2.當當Q一定時，一定時，S越大，則相對過飽和越大，則相對過飽和度越小，易形成晶形沉淀，反之則易度越小，易形成晶形沉淀，反之則易形成無定形沉淀。形成無定形沉淀。Page542012-10-11H HZUZU沉淀的類型與溶解度的關系沉淀溶解度/(molL-1)沉淀類型PbSO41.110-4晶形沉淀MgNH4PO46.710-5晶形沉淀CaC2O4H2O5.110-5晶形沉淀BaSO41.110-

33、5晶形沉淀AgCl1.310-5凝乳狀沉淀Fe(OH)34.410-9無定形沉淀Al(OH)31.910-10無定形沉淀ZnS3.510-12無定形沉淀Page552012-10-11H HZUZU 以上討論只能說明同一種沉淀在相對過飽和度不同的條件下，得到的顆粒大小和形狀不同的原因。對于不同的沉淀，例如BaSO4和AgCl的溶解度幾乎相同，在相對過飽和度相等的情況下，得到沉淀顆粒的大小卻相差甚遠。這時要考慮沉淀物質的性質的差異。Page562012-10-11H HZUZU 在形成沉淀過程中，離子之間由于互相碰撞聚集成微小的晶核，晶核再逐漸長大成為沉淀的微粒，這些沉淀微?？梢跃奂癁楦蟮木奂?/p>

34、體。這種聚集過程進行的快慢，成為聚集速度。在發(fā)生聚集過程的同時，構晶離子按一定的晶格排列而形成晶體。這種定向排列的快慢，稱為定向速度。生成沉淀的類型與聚集速度和定向速度哪一個占優(yōu)勢有關。Page572012-10-11H HZUZU 如果聚集速度大于定向速度，離子很快聚集而成沉淀顆粒，卻來不及按一定的順序排列于晶格內，這時得到的是無定形沉淀。反之，如果定向速度大于聚集速度，即離子緩慢的聚集而成沉淀微粒時，仍有足夠的時間按一定的順序排列于晶格內，可以得到晶形沉淀。Page582012-10-11H HZUZU定向速度的大小與物質的性質有關定向速度的大小與物質的性質有關3.氫氧化物，特別是高價金屬

35、離子的氫氧氫氧化物，特別是高價金屬離子的氫氧化物如化物如Al(OH)3、Fe(OH)3等，由于帶有等，由于帶有大量水分子，阻礙離子的定向排列，故大量水分子，阻礙離子的定向排列，故定向速度小，通常形成無定形沉淀。定向速度小，通常形成無定形沉淀。1.極性強的鹽類如極性強的鹽類如BaSO4等有較大的定向等有較大的定向速度，易形成晶形沉淀。速度，易形成晶形沉淀。2.極性較弱的物質如極性較弱的物質如AgCl等易形成凝乳狀等易形成凝乳狀沉淀。沉淀。Page592012-10-11H HZUZU 聚集速率主要與溶液中生成沉淀聚集速率主要與溶液中生成沉淀物質的相對過飽和度有關。物質的相對過飽和度有關。高價金屬

36、高價金屬離子的水合氫氧化物，由于溶解度很離子的水合氫氧化物，由于溶解度很小，沉淀時溶液的相對過飽和度較大，小，沉淀時溶液的相對過飽和度較大，均相成核作用比較明顯，生成的沉淀均相成核作用比較明顯，生成的沉淀顆粒很小，聚集速度很快，所以一般顆粒很小，聚集速度很快，所以一般得到的是無定形沉淀。得到的是無定形沉淀。Page602012-10-11H HZUZU成核過程成核過程均相成核均相成核異相成核異相成核長大過程長大過程凝聚凝聚定向排列定向排列構晶離子構晶離子晶核晶核沉淀顆粒沉淀顆粒無定形沉淀無定形沉淀晶形沉淀晶形沉淀成核過程成核過程長大過程長大過程沉淀類型沉淀類型異相成核作用異相成核作用n n凝聚

37、凝聚 n n定向定向無定形沉淀無定形沉淀均相成核作用均相成核作用n n定向定向 n n凝聚凝聚晶形沉淀晶形沉淀Page612012-10-11H HZUZU沉淀的形成沉淀的形成成核作用成核作用均相成核均相成核異相成核異相成核長大長大凝聚凝聚構晶離子構晶離子晶核晶核沉淀顆粒沉淀顆粒無定形沉淀無定形沉淀晶形沉淀晶形沉淀 沉淀類型沉淀類型晶形沉淀晶形沉淀無定形沉淀無定形沉淀CaC2O4，BaSO4凝乳狀凝乳狀膠體膠體MgNH4PO4AgClFe(OH)3顆粒直徑顆粒直徑0.11 m0.020.1 m0.02 m定向定向Page622012-10-11H HZUZU無定形沉淀形成示意無定形沉淀形成示意

38、Page632012-10-11H HZUZUSO42-SO42-SO42-SO42-SO42-SO42-SO42-SO42-Ba2+Ba2+Ba2+Ba2+Ba2+Ba2+Ba2+SO42-Ba2+SO42-SO42-SO42-SO42-SO42-SO42-Ba2+Ba2+Ba2+Ba2+Ba2+Ba2+Ba2+SO42-SO42-SO42-SO42-SO42-SO42-SO42-SO42-Ba2+Ba2+Ba2+Ba2+Ba2+Ba2+Ba2+Page642012-10-11H HZUZUBa2+SO42-SO42-Ba2+SO42-Ba2+Ba2+SO42-SO42-SO42-Ba2+B

39、a2+SO42-SO42-Ba2+Ba2+SO42-Ba2+SO42-SO42-SO42-SO42-Ba2+Ba2+SO42-SO42-Ba2+Ba2+Ba2+Ba2+Ba2+SO42-SO42-SO42-SO42-SO42-SO42-SO42-SO42-Ba2+Ba2+Ba2+Ba2+Ba2+Ba2+Page652012-10-11H HZUZUSO42-SO42-Ba2+SO42-Ba2+Ba2+SO42-SO42-SO42-Ba2+Ba2+SO42-SO42-Ba2+Ba2+SO42-Ba2+SO42-SO42-SO42-SO42-Ba2+Ba2+SO42-SO42-Ba2+Ba2+Ba

40、2+Ba2+Ba2+SO42-SO42-SO42-SO42-SO42-SO42-SO42-SO42-Ba2+Ba2+Ba2+Ba2+Ba2+Ba2+Ba2+Page662012-10-11H HZUZUSO42-SO42-Ba2+SO42-Ba2+Ba2+SO42-SO42-SO42-SO42-SO42-Ba2+Ba2+Ba2+Ba2+SO42-Ba2+SO42-SO42-SO42-SO42-SO42-SO42-Ba2+Ba2+Ba2+Ba2+Ba2+Ba2+Ba2+SO42-SO42-SO42-SO42-SO42-SO42-SO42-SO42-Ba2+Ba2+Ba2+Ba2+Ba2+Ba2+

41、Ba2+Page672012-10-11H HZUZUSO42-SO42-Ba2+Ba2+SO42-SO42-SO42-SO42-SO42-Ba2+Ba2+Ba2+Ba2+Ba2+SO42-SO42-SO42-SO42-SO42-Ba2+Ba2+Ba2+Ba2+Ba2+Ba2+Ba2+SO42-SO42-SO42-SO42-SO42-SO42-SO42-Ba2+Ba2+Ba2+Ba2+Ba2+Ba2+Ba2+SO42-SO42-Ba2+SO42-SO42-Page682012-10-11H HZUZUSO42-SO42-SO42-SO42-SO42-SO42-SO42-SO42-Ba2+Ba2

42、+Ba2+Ba2+Ba2+Ba2+Ba2+SO42-Ba2+SO42-SO42-SO42-SO42-SO42-SO42-Ba2+Ba2+Ba2+Ba2+Ba2+Ba2+Ba2+SO42-SO42-SO42-SO42-SO42-SO42-SO42-SO42-Ba2+Ba2+Ba2+Ba2+Ba2+Ba2+Ba2+Page692012-10-11H HZUZU后沉淀后沉淀 主沉淀形成后，主沉淀形成后，“誘導誘導”本難沉淀的雜質沉淀下本難沉淀的雜質沉淀下來來 縮短沉淀與母液共置的時間縮短沉淀與母液共置的時間表面吸附共沉淀表面吸附共沉淀 是膠體沉淀不純的主要原因，是膠體沉淀不純的主要原因， 洗滌洗滌吸

43、留、包夾共沉淀吸留、包夾共沉淀 是晶形沉淀不純的主要原因，是晶形沉淀不純的主要原因，陳化、重結晶陳化、重結晶混晶共沉淀混晶共沉淀 預先將雜質分離除去預先將雜質分離除去五、五、影響沉淀純度的主要因素影響沉淀純度的主要因素 共沉淀共沉淀Page702012-10-11H HZUZU 共沉淀由表面吸附、吸留及混晶引起。共沉淀由表面吸附、吸留及混晶引起。 1.共沉淀共沉淀： 當一種難溶化合物沉淀時，溶液中某些可當一種難溶化合物沉淀時，溶液中某些可溶性成分其離子積并未超過其溶度積，但在沉溶性成分其離子積并未超過其溶度積，但在沉淀過程中同時沉淀下來的現(xiàn)象。淀過程中同時沉淀下來的現(xiàn)象。 加入過量沉淀劑加入過

44、量沉淀劑H2SO4沉淀沉淀Ba2+時，若溶時，若溶液中存在少量的液中存在少量的Fe3+，當，當BaSO4沉淀的同時，沉淀的同時，本來可溶的本來可溶的Fe2(SO4)3隨同隨同BaSO4一起沉淀出來一起沉淀出來Page712012-10-11H HZUZU表面吸附表面吸附 表面吸附的原因是沉淀表面上表面吸附的原因是沉淀表面上離子電荷不完全等衡所引起的。在離子電荷不完全等衡所引起的。在測定含有測定含有Ba2+、Fe3+溶液中的溶液中的Ba2+時，加入過量沉淀劑稀時，加入過量沉淀劑稀H2SO4，則，則生產(chǎn)生產(chǎn)BaSO4晶形沉淀。晶形沉淀。 Page722012-10-11H HZUZUBaSO4晶體

45、表面吸附示意圖晶體表面吸附示意圖吸附層吸附層吸附剩余構晶離子吸附剩余構晶離子SO42- 擴散層擴散層吸附陽離子或抗衡離子吸附陽離子或抗衡離子Fe3+Page732012-10-11H HZUZU吸附層吸附層 沉淀表面吸附過量的構晶離子形成吸沉淀表面吸附過量的構晶離子形成吸附層。附層。 擴散層擴散層 為了保持電中性，吸附層外面還需要為了保持電中性，吸附層外面還需要吸引異電荷離子作為抗衡離子。這些處于較外層吸引異電荷離子作為抗衡離子。這些處于較外層的離子結合得較松散，構成擴散層。的離子結合得較松散，構成擴散層。 雙電層雙電層 吸附層和擴散層共同組成包圍著沉淀吸附層和擴散層共同組成包圍著沉淀顆粒表面

46、的雙電層。顆粒表面的雙電層。 吸附共沉淀吸附共沉淀 處于雙電層中的正、負離子電荷處于雙電層中的正、負離子電荷總數(shù)相等，構成了被沉淀表面吸附的化合物，也總數(shù)相等，構成了被沉淀表面吸附的化合物，也就是玷污沉淀的雜質。這種由于沉淀的表面吸附就是玷污沉淀的雜質。這種由于沉淀的表面吸附所引起的雜質共沉淀現(xiàn)象叫做所引起的雜質共沉淀現(xiàn)象叫做吸附共沉淀吸附共沉淀。 Page742012-10-11H HZUZU吸附層：吸附層：優(yōu)先吸附過量的構晶離子優(yōu)先吸附過量的構晶離子，再吸附與，再吸附與構晶離子大小接近、電荷相同的離子，濃度較構晶離子大小接近、電荷相同的離子，濃度較高的離子被優(yōu)先吸附。高的離子被優(yōu)先吸附。

47、擴散層：擴散層：優(yōu)先吸附與構晶離子形成的化合物溶優(yōu)先吸附與構晶離子形成的化合物溶解度小的離子。離子價數(shù)高、濃度大的離子，解度小的離子。離子價數(shù)高、濃度大的離子，優(yōu)先被吸附優(yōu)先被吸附。 吸附規(guī)則吸附規(guī)則從靜電引力的作用來說，在溶液中任何帶相反電從靜電引力的作用來說，在溶液中任何帶相反電荷的離子都同樣有被吸附的可能性。但是，實際荷的離子都同樣有被吸附的可能性。但是，實際上表面吸附是有選擇性的，選擇吸附的規(guī)律是：上表面吸附是有選擇性的，選擇吸附的規(guī)律是：Page752012-10-11H HZUZU影響吸附量的因素影響吸附量的因素 l沉淀的表面積沉淀的表面積 表面積大，吸附量多。表面積大，吸附量多。

48、l雜質的濃度雜質的濃度 雜質濃度大，吸附量多。雜質濃度大，吸附量多。 l溶液的溫度溶液的溫度 吸附作用是放熱過程，吸附作用是放熱過程，溫度溫度 升高，升高， 吸附量減小吸附量減小。減小吸附雜質的方法減小吸附雜質的方法 表面吸附發(fā)生在沉淀的表面，減少吸附雜表面吸附發(fā)生在沉淀的表面，減少吸附雜質的有效辦法是在質的有效辦法是在熱溶液中進行沉淀、制熱溶液中進行沉淀、制備大顆粒沉淀或晶形沉淀和洗滌沉淀備大顆粒沉淀或晶形沉淀和洗滌沉淀。 Page762012-10-11H HZUZU表面吸附表面吸附表面吸附作用力表面吸附作用力靜電力靜電力例例Ba2+SO42-沉淀沉淀用用SO42-SO42-SO42-SO

49、42-SO42-SO42-SO42-SO42-Ba2+Ba2+Ba2+Ba2+Ba2+Ba2+Ba2+Ca2+Ca2+NO3-Cl-Cl-Cl-K+Na+SO42-SO42-吸附層吸附層擴散層擴散層吸附層：構晶離子吸附層：構晶離子擴散層：抗衡離子擴散層：抗衡離子吸附原則吸附原則溶解度小溶解度小電價高電價高濃度大濃度大溶解度溶解度(mol/L)：25Na2SO4 1.4K2SO4 0.64CaSO4 3.610-4 BaSO4 10-5 Ca(NO3)2 3.2CaCl2 9.4Ca2+NO3-Cl-K+Na+Page772012-10-11H HZUZU吸留吸留 沉淀過程中，特別是迅速加入沉淀

50、劑時，沉淀過程中，特別是迅速加入沉淀劑時，沉淀很快地生成并長大，表面吸附的雜質沉淀很快地生成并長大，表面吸附的雜質來不及離開沉淀表面就被隨后沉積下來的來不及離開沉淀表面就被隨后沉積下來的沉淀所覆蓋，包埋在沉淀內部，這種沉淀所覆蓋，包埋在沉淀內部，這種因吸因吸附而留在沉淀內部的共沉淀現(xiàn)象稱附而留在沉淀內部的共沉淀現(xiàn)象稱 吸留的本質是吸附，吸留對雜質的選擇遵循吸附吸留的本質是吸附，吸留對雜質的選擇遵循吸附規(guī)則規(guī)則 減少或消除方法減少或消除方法 改變沉淀條件，重結晶或陳化改變沉淀條件，重結晶或陳化Page782012-10-11H HZUZU混晶混晶 雜質離子與構晶離子半徑相近，形成的雜質離子與構晶

51、離子半徑相近，形成的晶體類型類似，雜質離子可取代構晶離晶體類型類似，雜質離子可取代構晶離子進入晶格排列，形成混晶。子進入晶格排列，形成混晶。減小或消除方法減小或消除方法 將雜質事先分離除去；將雜質事先分離除去； 加入配位劑或沉淀劑，以消除干擾離子加入配位劑或沉淀劑，以消除干擾離子例：例：BaSO4與與PbSO4 ，AgCl與與AgBr 同型混晶同型混晶 BaSO4中混入中混入KMnO4(粉紅色粉紅色) 異型混晶異型混晶Page792012-10-11H HZUZU2)2)后沉淀后沉淀( (繼沉淀繼沉淀) )現(xiàn)象現(xiàn)象 溶液中被測組分析出沉淀之后在與母溶液中被測組分析出沉淀之后在與母液放置過程中，

52、溶液中其它本來難以析出液放置過程中，溶液中其它本來難以析出沉淀的組分沉淀的組分(雜質離子雜質離子)在該沉淀表面繼續(xù)沉在該沉淀表面繼續(xù)沉積的現(xiàn)象積的現(xiàn)象 注：注：后沉淀經(jīng)加熱、放置后會更加嚴重后沉淀經(jīng)加熱、放置后會更加嚴重 消除方法消除方法 縮短沉淀與母液的共置時間縮短沉淀與母液的共置時間Page802012-10-11H HZUZU 如：如：Zn2+、Cu2+共存，加共存，加H2S，先生，先生成成CuS(KSP=6.310-36)沉淀，漸漸生成沉淀，漸漸生成ZnS(KSP=1.610-24)沉淀。沉淀。ZnCuSSSPage812012-10-11H HZUZU示例示例: :草酸鹽的沉淀分離中

53、草酸鹽的沉淀分離中 42424222242,OMgCOCaCOCaCMgCaOC長時間逐逐漸漸沉沉積積表表面面吸吸附附長長時時間間放放置置，42)(24222422424242OMgCKOCMgOCOCOCaCOMgCSP當草酸鈣草酸鈣KSP=4.010-11草酸鎂草酸鎂KSP=1.010-8Page822012-10-11H HZUZU 后沉淀與沉淀表面的吸附作用有關；后沉淀與沉淀表面的吸附作用有關； 相同的晶型有利于后沉淀的發(fā)生；相同的晶型有利于后沉淀的發(fā)生； 后沉淀的特征是隨著放置的時間延長而后沉淀的特征是隨著放置的時間延長而 增多。增多。Page832012-10-11H HZUZU共

54、沉淀與后沉淀對分析結果的影響的共沉淀與后沉淀對分析結果的影響的處理處理表面吸附表面吸附吸留吸留混晶混晶繼沉淀繼沉淀洗滌，改善沉淀條件洗滌，改善沉淀條件重結晶重結晶預先分離預先分離立即過濾，不陳化立即過濾，不陳化Page842012-10-11H HZUZU5.減少沉淀污染的方法減少沉淀污染的方法 選擇適當?shù)姆治霾襟E選擇適當?shù)姆治霾襟E 例如，測定試樣中某少量組分的含量時，不要首例如，測定試樣中某少量組分的含量時，不要首先沉淀主要組分，否則由于大量沉淀的析出，使先沉淀主要組分，否則由于大量沉淀的析出，使部分少量組分混入沉淀中，引起測量誤差。部分少量組分混入沉淀中，引起測量誤差。選擇合適的沉淀劑選擇

55、合適的沉淀劑 例如，選用有機沉淀劑，?？梢詼p少共沉淀。例如，選用有機沉淀劑，?？梢詼p少共沉淀。 降低易被吸附的雜質離子的濃度降低易被吸附的雜質離子的濃度 例如，沉淀例如，沉淀BaSO4時，將時，將Fe3還原為還原為Fe2，或，或者用者用EDTA絡合絡合Fe3，F(xiàn)e3的共沉淀量就大為減的共沉淀量就大為減少。少。Page852012-10-11H HZUZU 改善沉淀條件改善沉淀條件 根據(jù)沉淀的性質，選擇合適的溶液濃度、根據(jù)沉淀的性質，選擇合適的溶液濃度、溫度、試劑的加入次序和速度，并確定陳溫度、試劑的加入次序和速度，并確定陳化與否?；c否。再沉淀再沉淀 將已得到的沉淀過濾后溶解，再進行第二將已得

56、到的沉淀過濾后溶解，再進行第二次沉淀。第二次沉淀時，溶液中雜質的量次沉淀。第二次沉淀時，溶液中雜質的量大為降低，共沉淀和后沉淀減少。再沉淀大為降低，共沉淀和后沉淀減少。再沉淀有利于除去吸留共沉淀雜質。有利于除去吸留共沉淀雜質。Page862012-10-11H HZUZU6.沉淀條件的選擇沉淀條件的選擇1)晶形沉淀晶形沉淀特點：特點：顆粒大，易過濾洗滌；顆粒大，易過濾洗滌； 結構緊密，表面積小，吸附雜結構緊密，表面積小，吸附雜 質少質少 為了獲得純凈、易于過濾和洗滌的沉為了獲得純凈、易于過濾和洗滌的沉淀，對于不同類型的沉淀、應當采取不同淀，對于不同類型的沉淀、應當采取不同的沉淀條件。的沉淀條件

57、。晶形沉淀可以用五個字來概括沉淀條件。晶形沉淀可以用五個字來概括沉淀條件。 Page872012-10-11H HZUZU 沉淀在適當?shù)南〉娜芤褐羞M行。沉淀在適當?shù)南〉娜芤褐羞M行。 降低相對過飽和度，減少均相成核作用；降低相對過飽和度，減少均相成核作用；降低雜質的濃度，減少共沉淀。降低雜質的濃度，減少共沉淀。 沉淀在熱溶液中進行。沉淀在熱溶液中進行。 增大沉淀的溶解度，降低相對過飽和增大沉淀的溶解度，降低相對過飽和 度，減小均相成核；度，減小均相成核；增大構晶離子的擴散速度，有利于晶體成長；增大構晶離子的擴散速度，有利于晶體成長；升高溫度，有利于減少吸附共沉淀。升高溫度，有利于減少吸附共沉淀。

58、Page882012-10-11H HZUZU 在不斷地攪拌下，緩慢加入沉淀劑。在不斷地攪拌下，緩慢加入沉淀劑。 減少由于局部過濃造成的均相成核。減少由于局部過濃造成的均相成核。 沉淀完成后，讓初生成的沉淀與母液沉淀完成后，讓初生成的沉淀與母液 一起放置一段時間。一起放置一段時間。 使小晶粒溶解，大晶粒進一步長大；使小晶粒溶解，大晶粒進一步長大；使沉淀顆粒大、純凈；減少吸留。使沉淀顆粒大、純凈；減少吸留。Page892012-10-11H HZUZUPage902012-10-11H HZUZU2)無定型沉淀無定型沉淀 無定形沉淀的沉淀條件可以用四個字概括。無定形沉淀的沉淀條件可以用四個字概括

59、。特點：特點：溶解度小，顆粒小，難以過濾洗溶解度小，顆粒小，難以過濾洗滌滌; 結構疏松，表面積大，易吸附雜質結構疏松，表面積大，易吸附雜質Page912012-10-11H HZUZU 沉淀在較濃的溶液中進行。沉淀在較濃的溶液中進行。 減少水化程度；有利于沉淀凝聚。減少水化程度；有利于沉淀凝聚。 在沉淀反應完畢后，加熱水適當稀釋充分在沉淀反應完畢后，加熱水適當稀釋充分攪拌，使吸附在沉淀表面上的大量的雜質攪拌，使吸附在沉淀表面上的大量的雜質解吸，減少雜質的吸附。解吸，減少雜質的吸附。 沉淀在熱溶液中進行。沉淀在熱溶液中進行。 防止膠溶防止膠溶; 減少雜質吸附。減少雜質吸附。 Page922012

60、-10-11H HZUZU 沉淀在大量電解質存在下進行。沉淀在大量電解質存在下進行。 中和膠體微粒的電荷中和膠體微粒的電荷; 減少水合程度；減少水合程度； 有利于膠體微粒的凝聚。有利于膠體微粒的凝聚。 沉淀在不斷攪拌中進行，加入沉淀沉淀在不斷攪拌中進行，加入沉淀劑要適當快一些，劑要適當快一些，加快沉淀聚集速度加快沉淀聚集速度, ,沉淀沉淀完畢后，趁熱過濾，不必陳化。完畢后，趁熱過濾，不必陳化。 陳化不僅不能改善沉淀的形狀，反而使沉陳化不僅不能改善沉淀的形狀，反而使沉淀更趨粘結，雜質難以洗凈。淀更趨粘結，雜質難以洗凈。 Page932012-10-11H HZUZU7.均勻沉淀法均勻沉淀法利用化