第3章 薄膜沉積的物理方法

1、Thin Film Materials & Technologies薄膜材料與技術(shù)材料科學(xué)與工程學(xué)院 2008西安理工大學(xué)Xian University of Technology-1-3 薄膜沉積的物理方法 薄膜 沉積 的 物理 方法注意：其中除了LPE技術(shù)外，都可劃入廣義的PVD技術(shù)范疇！ 因此本章重點(diǎn)學(xué)習(xí) 蒸發(fā)、濺射、離子鍍蒸發(fā)、濺射、離子鍍 三類基本PVD方法！PVD的概念：在真空度較高的環(huán)境下，通過加熱或高能粒子轟擊的方法使源材料逸出沉積物質(zhì) 粒子（可以是原子、分子或離子），這些粒子在基片上沉積形成薄膜的技術(shù)。 其技術(shù)關(guān)鍵在于：如何將源材料轉(zhuǎn)變?yōu)闅庀嗔Ｗ樱ǘ荂VD的化學(xué)反應(yīng)）！PV

2、D的三個(gè)關(guān)鍵過程：PVD的工程分類： 基于氣相粒子發(fā)射方式不同而分！)Epitaxy Hot WallHWE( )Epitaxy Phase LiquidLPE( )Epitaxy BeamMolecular MBE( EpitaxyIBDIBADPVDSputteringnEvaporatioDepositionVapor PhysicalPVD)( ，熱壁外延，液相外延，分子束外延外延技術(shù)等）、（離子鍍、離化）濺射（）蒸發(fā)（物理氣相沉積技術(shù)（凝結(jié)、形核、長(zhǎng)大）氣相粒子在基片上成膜沉積激發(fā)粒子輸運(yùn)到基片輸運(yùn)相原子、分子、離子）從源材料發(fā)射粒子（氣產(chǎn)生氣相物質(zhì)的、氣相外延沉積和離子束輔助沉積、

3、離子鍍、離子束沉積、濺射沉積技術(shù)、真空蒸發(fā)沉積技術(shù)4321Thin Film Materials & Technologies薄膜材料與技術(shù)材料科學(xué)與工程學(xué)院 2008西安理工大學(xué)Xian University of Technology-2-一、概念：在真空環(huán)境下，以各種加熱方式賦予待蒸發(fā)源材料以熱量，使源材料物質(zhì)獲得所需的蒸汽壓而 實(shí)現(xiàn)蒸發(fā)，所發(fā)射的氣相蒸發(fā)物質(zhì)在具有適當(dāng)溫度的基片上不斷沉積而形成薄膜的沉積技術(shù)。二、兩個(gè)關(guān)鍵： 真空度：P 10-3 Pa（保證蒸發(fā)，粒子具分子流特征，以直線運(yùn)動(dòng)） 基片距離 (相對(duì)于蒸發(fā)源)：1050 cm（兼顧沉積均勻性和氣相粒子平均自由程）三、蒸發(fā)條件：

4、1、物理機(jī)制： 蒸發(fā)與凝聚同時(shí)發(fā)生，動(dòng)態(tài)雙向進(jìn)行； T 一定時(shí)，動(dòng)態(tài)平衡時(shí)的蒸汽壓即平衡蒸汽壓 Pi Pei 凝聚； Pi 0)2、怎樣實(shí)現(xiàn)蒸發(fā)條件？ 升溫 ： 課本：P29-30 圖2.2 a、b T Pei 真空： 系統(tǒng)總壓 P 目標(biāo)物質(zhì)分壓Pi 也隨之 充入其它氣體： P = Pi 總壓不變、目標(biāo)物質(zhì)分壓 Pi 3 薄膜沉積的物理方法3.1 真空蒸發(fā)沉積（蒸鍍）3.1.1 真空蒸發(fā)沉積的概念及物理學(xué)基礎(chǔ)RTHeieeaPT /Pe /TorrThin Film Materials & Technologies薄膜材料與技術(shù)材料科學(xué)與工程學(xué)院 2008西安理工大學(xué)Xian Universi

5、ty of Technology-3-3、材料分類（基于蒸發(fā)特性）： 易升華材料 (Cr、Ti、Si等) ： T 0.1 Pa) 升華 難升華材料 (石墨)： 無(wú) Tm，升華溫度 (Ts) 又很高 往往需借助電弧等高溫放電熱源才能蒸發(fā)！ 液態(tài)蒸發(fā)材料 (大多數(shù)金屬)： TTm時(shí)， Pe 仍較低 (Pe 0.1 Pa)， 但可以繼續(xù)T 獲得高的Pe ！ 需加熱到Tm以上一定溫度才能實(shí)現(xiàn)蒸發(fā)！四、蒸發(fā)速率：1、Knudsen公式：式中： 單位面積上元素的凈蒸發(fā)速率； 蒸發(fā)因子 (01)； M 氣體的原子/分子量；2、Langmuir公式：可知： =1，Pi = 0 時(shí)，蒸發(fā)速率最大； 由于 T時(shí)

6、Pei T 是 的主要影響因素！3 薄膜沉積的物理方法3.1 真空蒸發(fā)沉積（蒸鍍）3.1.1 真空蒸發(fā)沉積的概念及物理學(xué)基礎(chǔ)MRTPPNieiA2TMPPkiei)()(材料常數(shù)速率單位面積上的質(zhì)量蒸發(fā)RTHeieeaPThin Film Materials & Technologies薄膜材料與技術(shù)材料科學(xué)與工程學(xué)院 2008西安理工大學(xué)Xian University of Technology-4-五、沉積厚度及沉積速率：1、影響沉積速率的因素： 蒸發(fā)源尺寸； 源-基片距離； 凝聚系數(shù)。2、物理學(xué)表述 (Knudsen余弦定律)： 點(diǎn)源： 小平面源：式中：d0 距蒸發(fā)源最近位置（中心處）的

7、膜厚； d 距該中心距離為 l 處的膜厚； 沉積角度；r 沉積半徑。3、規(guī)律： 距蒸發(fā)源近：則膜厚不均勻程度增加、但沉積速率提高； 距蒸發(fā)源遠(yuǎn)：則膜厚均勻程度好、但沉積速率降低。3 薄膜沉積的物理方法3.1 真空蒸發(fā)沉積（蒸鍍）3.1.1 真空蒸發(fā)沉積的概念及物理學(xué)基礎(chǔ)Knudsen余弦定律32/3222/320cos/1/hrhldd4222220cos/1/hrhlddThin Film Materials & Technologies薄膜材料與技術(shù)材料科學(xué)與工程學(xué)院 2008西安理工大學(xué)Xian University of Technology-5-六、殘余氣體的影響： 實(shí)際蒸發(fā)過程中，

8、真空環(huán)境內(nèi)總是存在一定量的殘余氣體分子，其影響主要表現(xiàn)在：1、影響氣相物質(zhì)的輸運(yùn)（碰撞轉(zhuǎn)向）：、影響氣相物質(zhì)的輸運(yùn)（碰撞轉(zhuǎn)向）： 引入殘余氣體分子與蒸發(fā)粒子的碰撞幾率 () 表征：式中：N0 蒸發(fā)粒子總數(shù)； N 不發(fā)生碰撞的蒸發(fā)粒子總數(shù)； l 沉積距離 (1050 cm)； r 殘余氣體分子的平均自由程 真空度 (P l 0 碰撞無(wú)影響、蒸發(fā)粒子近直線輸運(yùn) 真空度 (P 10-1 Pa) rl 1 碰撞偏折明顯、影響粒子輸運(yùn)！2、污染薄膜（轟擊基片并吸附）：、污染薄膜（轟擊基片并吸附）： 引入殘余氣體分子對(duì)基片的撞擊率 (Ng)予以表征：式中：Pg 殘余氣體分壓；Mg 殘余氣體分子量；Tg 殘

9、余氣體的溫度 課本 P38 表2.2 顯示：常用真空度及沉積率下，殘余氣體分子可能污染薄膜； 系統(tǒng)真空度、薄膜沉積速率 薄膜內(nèi)部殘余氣體含量。3 薄膜沉積的物理方法3.1 真空蒸發(fā)沉積（蒸鍍）3.1.1 真空蒸發(fā)沉積的概念及物理學(xué)基礎(chǔ)rlNN/exp1101 -2-22scm 10513. 3ggggTMPNThin Film Materials & Technologies薄膜材料與技術(shù)材料科學(xué)與工程學(xué)院 2008西安理工大學(xué)Xian University of Technology-6-一、概述：1、基本系統(tǒng)構(gòu)成： (課本 P27 圖2.1) 2、蒸發(fā)源的作用：3、蒸發(fā)設(shè)備及方法的主要分類

10、：3 薄膜沉積的物理方法3.1 真空蒸發(fā)沉積（蒸鍍）3.1.2 蒸發(fā)沉積裝置基片架及基片加熱裝置蒸發(fā)源或蒸發(fā)加熱裝置真空室極小（盡量不蒸發(fā)）支承待蒸發(fā)材料容器）提供熱量（熱源要求eceiPPT. 電弧電弧蒸發(fā)激光激光熔融蒸發(fā)電子束轟擊電子束蒸發(fā)同上閃爍蒸發(fā)電阻熱電阻加熱蒸發(fā)蒸發(fā)裝置 蒸發(fā)材料的加熱方法Thin Film Materials & Technologies薄膜材料與技術(shù)材料科學(xué)與工程學(xué)院 2008西安理工大學(xué)Xian University of Technology-7-二、電阻加熱蒸發(fā)： 將待蒸發(fā)材料放置在電阻加熱裝置中，利用電阻熱加熱待沉積材料提供蒸發(fā)熱使待蒸發(fā)材料氣化的蒸發(fā)沉

11、積技術(shù)。1、支撐加熱材料、支撐加熱材料 (課本課本 P40 圖圖2.9)：可做成絲、箔片、筐、碗 等形狀，常采用金屬W、 Mo、Tl等高Tm、低Pe 材料。2、應(yīng)用：、應(yīng)用：是制備單質(zhì)金屬、氧化物、介電材料和半導(dǎo)體化合物 薄膜最常用的蒸發(fā)方法。3、主要問題：、主要問題： 支撐材料與蒸發(fā)物之間可能會(huì)發(fā)生反應(yīng)； 一般工作溫度在15001900 ，難以實(shí)現(xiàn)更高蒸發(fā)溫度， 所以可蒸發(fā)材料受到限制； 蒸發(fā)率低； 加熱速度不高，蒸發(fā)時(shí)待蒸發(fā)材料如為合金或化合物， 則有可能分解或蒸發(fā)速率不同，造成薄膜成分偏離蒸發(fā)物 材料成分。3 薄膜沉積的物理方法3.1 真空蒸發(fā)沉積（蒸鍍）3.1.2 蒸發(fā)沉積裝置支撐加熱

12、材料 (蒸發(fā)舟)電阻加熱蒸發(fā)沉積裝置Thin Film Materials & Technologies薄膜材料與技術(shù)材料科學(xué)與工程學(xué)院 2008西安理工大學(xué)Xian University of Technology-8-三、閃爍蒸發(fā)： 待蒸發(fā)材料以粉末形式被送入送粉機(jī)構(gòu)，通過機(jī)械式或電磁式振動(dòng)機(jī)構(gòu)的觸發(fā)，被周期性少量輸送到溫度極高的蒸發(fā)盤上，待蒸發(fā)材料瞬間蒸發(fā)形成粒子流，隨后輸運(yùn)到基片完成薄膜的沉積。1、蒸發(fā)溫度：、蒸發(fā)溫度： 與電阻加熱蒸發(fā)基本相同 (15001900 )。2、主要改進(jìn)：、主要改進(jìn)： 解決了薄膜成分偏離源材料組分的問題！3、應(yīng)用場(chǎng)合：、應(yīng)用場(chǎng)合： 制備蒸發(fā)溫度較低的半導(dǎo)體、

13、金屬陶瓷和氧化物薄膜。4、主要問題：、主要問題： 蒸發(fā)溫度依然有限； 待蒸發(fā)材料是粉末態(tài)，易于吸附氣體且除氣難度較大； 蒸發(fā)過程中釋放大量氣體，易導(dǎo)致“飛濺”，影響成膜質(zhì)量。3 薄膜沉積的物理方法3.1 真空蒸發(fā)沉積（蒸鍍）3.1.2 蒸發(fā)沉積裝置閃爍蒸發(fā)裝置示意圖Thin Film Materials & Technologies薄膜材料與技術(shù)材料科學(xué)與工程學(xué)院 2008西安理工大學(xué)Xian University of Technology-9-四、電子束蒸發(fā)：采用電場(chǎng) (510 kV) 加速獲得高能電子束，在磁場(chǎng)作用下聚焦到蒸發(fā)源材料表面，實(shí)現(xiàn)對(duì)源材料的轟擊，電子的動(dòng)能轉(zhuǎn)換為源材料的熱能，

14、從而使材料氣化蒸發(fā)。1、初衷： 為克服電阻加熱蒸發(fā)的缺點(diǎn)而引入：2、電子槍分類 (電子發(fā)射機(jī)制不同)： 熱陰極型 由難熔金屬制成的燈絲發(fā)射熱電子； 空心陰極型 由惰性氣體電離形成的等離子體引出電子。3、應(yīng)用場(chǎng)合：適用于高純度、高熔點(diǎn)、易污染薄膜材料的沉積。4、優(yōu)、缺點(diǎn)： 加熱溫度高，可蒸發(fā)任何材料； 可避免來(lái)自坩鍋、加熱體和支撐部件的污染； 電子束的絕大部分能量會(huì)被坩鍋的水冷系統(tǒng)帶走，熱效率較低； 過高的加熱功率會(huì)對(duì)薄膜沉積系統(tǒng)造成強(qiáng)烈的熱輻射； 電子槍系統(tǒng)復(fù)雜，設(shè)備昂貴。3 薄膜沉積的物理方法3.1 真空蒸發(fā)沉積（蒸鍍）3.1.2 蒸發(fā)沉積裝置a) 電子束蒸發(fā)裝置 (熱陰極電子槍)b) 采用

15、空心陰極電子槍的蒸發(fā)裝置料受限蒸發(fā)溫度低：可蒸發(fā)材低能量不集中：蒸發(fā)速率坩鍋反應(yīng)整體式加熱：蒸發(fā)物Thin Film Materials & Technologies薄膜材料與技術(shù)材料科學(xué)與工程學(xué)院 2008西安理工大學(xué)Xian University of Technology-10-五、激光蒸發(fā)： 采用激光作為熱源照射待蒸發(fā)材料，實(shí)現(xiàn)其蒸發(fā)和沉積。1、蒸發(fā)裝置：、蒸發(fā)裝置： 見課本 P44 圖2.12 或 右圖。2、主要優(yōu)點(diǎn)：、主要優(yōu)點(diǎn)： 熱源清潔，無(wú)來(lái)自加熱體的污染； 表面局部加熱，無(wú)來(lái)自支撐物的污染； 聚焦可獲得高功率，可沉積陶瓷等高熔點(diǎn)材料以及 復(fù)雜成分材料（瞬間蒸發(fā)）； 光束集中，激

16、光裝置可遠(yuǎn)距離放置，可安全沉積一 些特殊材料薄膜（如高放射性材料）； 可引導(dǎo)激光束，實(shí)現(xiàn)多源同步或有序蒸發(fā)； 脈沖激光可實(shí)現(xiàn)超高功率脈沖加熱，實(shí)現(xiàn)超高溫瞬時(shí)蒸發(fā)。3 薄膜沉積的物理方法3.1 真空蒸發(fā)沉積（蒸鍍）3.1.2 蒸發(fā)沉積裝置激光蒸發(fā)裝置示意圖Thin Film Materials & Technologies薄膜材料與技術(shù)材料科學(xué)與工程學(xué)院 2008西安理工大學(xué)Xian University of Technology-11-六、電弧放電加熱蒸發(fā)： 采用真空電弧作為蒸發(fā)熱源，電源可以是直流或交流。1、蒸發(fā)裝置：見課本 P43 圖2.11 或 右圖。2、主要優(yōu)點(diǎn)： 與電子束蒸發(fā)類似，

17、可避免加熱體/坩鍋材料蒸發(fā)污染薄膜； 加熱溫度高，可沉積難熔金屬和石墨 (蒸發(fā)源即電極，須導(dǎo)電)； 設(shè)備遠(yuǎn)比電子束蒸發(fā)簡(jiǎn)單，成本較低。3、主要問題： 電弧放電會(huì)產(chǎn)生 m大小的顆粒飛濺，影響薄膜的均勻性和質(zhì)量。4、主要應(yīng)用：沉積高熔點(diǎn)難熔金屬及其化合物薄膜、碳材料薄膜 (如DLC薄膜)。課后作業(yè)：1、什么是物理氣相沉積（PVD）？舉例說明PVD的主要過程。2、真空蒸發(fā)裝置一般包括哪三個(gè)組成部分？何者為最關(guān)鍵的部分，主要需要完成哪些功能？3、真空蒸發(fā)裝置主要包括哪些類別？選擇三種典型蒸發(fā)裝置，比較其原理、特點(diǎn)和適用領(lǐng)域。3 薄膜沉積的物理方法3.1 真空蒸發(fā)沉積（蒸鍍）3.1.2 蒸發(fā)沉積裝置電弧

18、加熱蒸發(fā)裝置示意圖Thin Film Materials & Technologies薄膜材料與技術(shù)材料科學(xué)與工程學(xué)院 2008西安理工大學(xué)Xian University of Technology-12-一、濺射與濺射鍍膜概述：1、濺射 (Sputtering)： 一定溫度下，固體或液體受到高能離子轟擊時(shí)，其中的原子有可能通過與高能入射離子的碰撞獲得足夠能量而從表面逃逸，這種從物質(zhì)表面發(fā)射原子的方式被稱為濺射。！發(fā)現(xiàn)：1852年首次被 Grove 在對(duì)輝光放電的研究中發(fā)現(xiàn)。！以訛傳訛：本詞是 splatter，意為 “(泥漿)潑濺”，后來(lái)被寫成 splutter 直至 sputter ！2、

19、基本過程： 自由電子被電場(chǎng)加速飛向陽(yáng)極，與路遇的放電氣體 (通常是惰性 氣體 Ar氣) 碰撞，使之失去外層電子而電離，并釋放出Ar+和 自由電子 (見右圖1)； Ar+受到電場(chǎng)加速飛向置于陰極的靶材，撞擊出靶材原子，以及 二次電子，使自由電子數(shù) (見右圖2)； 電子在飛行過程中，還可能與Ar+相撞，使之恢復(fù)中性狀態(tài)，但 此過程中電子由激發(fā)態(tài)回到基態(tài)，需要放出能量，這部分能量 以發(fā)射光子形式釋放。因有大量光子釋出，放電形成的等離子 體出現(xiàn)了發(fā)光現(xiàn)象，這就是所謂的“輝光”放電 (見右圖3)。3 薄膜沉積的物理方法3.2 濺射沉積技術(shù)3.2.1 濺射的基本概念及原理濺射過程及基本物理現(xiàn)象示意圖123

20、Thin Film Materials & Technologies薄膜材料與技術(shù)材料科學(xué)與工程學(xué)院 2008西安理工大學(xué)Xian University of Technology-13-一、濺射與濺射鍍膜概述：3、濺射與蒸發(fā)的根本區(qū)別： 復(fù)習(xí)：PVD 實(shí)現(xiàn)薄膜沉積的三階段 比較： 蒸發(fā)：依靠源材料的晶格振動(dòng)能 克服 逸出功 形成沉積粒子的熱發(fā)射， 即：外加能量 (電阻/電子束/激光/電弧/射頻) 加熱 晶格振動(dòng)能 克服逸出功 氣態(tài)逸出 濺射：高能離子輸入動(dòng)能 彈性碰撞傳遞能量 更高動(dòng)能粒子逸出 (碰撞發(fā)射！)證據(jù)： 濺射產(chǎn)物粒子以一定空間角發(fā)射，且與入射離子的方向有關(guān)； 單個(gè)入射離子轟擊出的

21、產(chǎn)物粒子數(shù)與入射離子的能量/質(zhì)量都有關(guān)； 均可用彈性碰撞理論解釋！ 濺射產(chǎn)物粒子的平均速度 蒸發(fā)出的粒子。3 薄膜沉積的物理方法3.2 濺射沉積技術(shù)3.2.1 濺射的基本概念及原理沉積輸運(yùn)濺射：碰撞彈出蒸發(fā)：熱逸出發(fā)射源材料粒子產(chǎn)生氣相物質(zhì)的 )( Thin Film Materials & Technologies薄膜材料與技術(shù)材料科學(xué)與工程學(xué)院 2008西安理工大學(xué)Xian University of Technology-14-一、濺射與濺射鍍膜概述：4、濺射鍍膜何以實(shí)現(xiàn)？ 氣體放電 等離子體 帶電離子 電場(chǎng)作用 離子加速 高能離子 撞擊靶材 濺射 發(fā)射靶材原子 飛向基板 形成沉積 獲得

22、薄膜！5、離子轟擊固體表面的各種物理過程：1）入射離子彈出； 2）入射離子注入；3）二次電子、濺射原子/分子/離子、光子從固體表面釋出；4）轟擊 固體表面刻蝕、溫升、結(jié)構(gòu)損傷；5）表面吸附氣體分解、逸出； 6）部分濺射原子可能返回。轟擊后的物理現(xiàn)象主要取決于入射離子的能量 (Ei)：由于：轟擊離子的能量/產(chǎn)率 離子的產(chǎn)生過程 氣體放電/等離子體的產(chǎn)生過程，因此：氣體放電/等離子體的產(chǎn)生是濺射的基礎(chǔ) 需首先予以關(guān)注和澄清！3 薄膜沉積的物理方法3.2 濺射沉積技術(shù)3.2.1 濺射的基本概念及原理離子轟擊固體表面的各種物理現(xiàn)象濺射鍍膜的實(shí)現(xiàn)過程 取決于 取決于)()()( 離子注入改性、摻雜入射離

23、子注入很高靶材原子濺射出碰撞彈出適中離子束沉積入射離子沉積為主較低iEThin Film Materials & Technologies薄膜材料與技術(shù)材料科學(xué)與工程學(xué)院 2008西安理工大學(xué)Xian University of Technology-15-二、放電系統(tǒng)的構(gòu)成與放電條件：1、系統(tǒng)構(gòu)成：2、放電條件： 真空環(huán)境： P = 10-1102 Pa ！ 放電氣體： 需要充入惰性氣體 (一般為Ar氣)！ 外加電場(chǎng)： 在其作用下，電子被加速并與放電氣體分子碰撞， 這種碰撞使放電氣體被電離，形成陽(yáng)離子 (Ar+) 和 自由電子 (e)，并分別在電場(chǎng)作用下被加速，進(jìn)而 飛向陰極（靶材）和陽(yáng)極。

24、3 薄膜沉積的物理方法3.2 濺射沉積技術(shù)3.2.1 濺射的基本概念及原理直流放電體系模型裝置放電氣體及其流量控制電極及高壓電源真空室及真空泵最簡(jiǎn)單的二極直流輝光放電系統(tǒng)Thin Film Materials & Technologies薄膜材料與技術(shù)材料科學(xué)與工程學(xué)院 2008西安理工大學(xué)Xian University of Technology-16-三、放電過程與典型伏安特性曲線：1、放電區(qū)域的劃分： 隨放電電流 ，依次經(jīng)歷三階段： 2、放電過程分析：1）無(wú)光放電區(qū)：因放電中無(wú)可見光輻射而得名！ 少量自發(fā)離化產(chǎn)生的帶電粒子被電場(chǎng)加速； 電壓 V 游離電離粒子速度 電流 I 上述電離粒子速

25、度達(dá)到飽和 繼續(xù) V，I 卻保持不變 (飽和)！ 繼續(xù) V 帶電離子和電子的動(dòng)能 Ek 能碰撞電離氣體分子的電子數(shù) 電離出大量 eII 和陽(yáng)離子 載流子數(shù)量 I ，但同時(shí)V 只是輕微 電極尖端出現(xiàn)跳躍的電暈光斑 (局部電場(chǎng)強(qiáng)度極高，導(dǎo)致電暈放電！) 3 薄膜沉積的物理方法直流氣體放電的伏安特性曲線及放電區(qū)域劃分3.2 濺射沉積技術(shù)3.2.1 濺射的基本概念及原理Thin Film Materials & Technologies薄膜材料與技術(shù)材料科學(xué)與工程學(xué)院 2008西安理工大學(xué)Xian University of Technology-17-三、放電過程與典型伏安特性曲線：2、放電過程分析

26、：1）無(wú)光放電區(qū)：因放電中無(wú)可見光輻射而得名！ VVB (擊穿電壓) 氣體突然發(fā)生放電擊穿 而形成雪崩放電； 氣體中荷電粒子濃度 開始形成等離子體； 等離子體的 R 隨電離度而 I ，V 反而 同時(shí)放電由尖端等不規(guī)則位置向整個(gè)表面擴(kuò)展！2）輝光放電區(qū)：因電極間有明亮輝光出現(xiàn)而得名！原因：電子與原子/陽(yáng)離子碰撞，碰撞電子或獲得能量躍遷到高能態(tài)的外層電子回到基態(tài)， 并以光子形式釋放能量，從而形成輝光。 等離子體自持放電，并趨于飽和； 輝光區(qū)域向整個(gè)電極間空間擴(kuò)展； 載流子數(shù)量不斷 V=const，而 I ； 輝光亮度不斷升高； 到G點(diǎn)后，輝光區(qū)域充滿兩極之間空間。3 薄膜沉積的物理方法直流氣體放電

27、的伏安特性曲線及放電區(qū)域劃分3.2 濺射沉積技術(shù)3.2.1 濺射的基本概念及原理Thin Film Materials & Technologies薄膜材料與技術(shù)材料科學(xué)與工程學(xué)院 2008西安理工大學(xué)Xian University of Technology-18-三、放電過程與典型伏安特性曲線：2、放電過程分析：2）輝光放電區(qū)： 越過G點(diǎn)后，輝光區(qū)已布滿兩極間的整個(gè)空間； 繼續(xù)電源功率 I 隨V 而單調(diào)； 實(shí)際上進(jìn)入過飽和輝光放電階段！注意：該階段因下列理由而成為濺射鍍膜的工作階段： 1）I 隨 V 而，可通過放電電壓控制放電電流； 2）可提供分布區(qū)域大而均勻的等離子體； 3）利于實(shí)現(xiàn)大面

28、積均勻可控的薄膜沉積。3）弧光放電區(qū)：電弧放電階段！ 等離子體分布區(qū)域急劇收縮，陰極表面出現(xiàn)很多孤立陰極斑點(diǎn)； 斑點(diǎn)內(nèi)載流子密度極高，電流密度 108A/cm2 局部短路、高溫，整體電阻 I ，V 反而TP不斷而形成 V 不變而 I 不斷 (載流子密度再次，焊接、噴涂用)3 薄膜沉積的物理方法直流氣體放電的伏安特性曲線及放電區(qū)域劃分3.2 濺射沉積技術(shù)3.2.1 濺射的基本概念及原理Thin Film Materials & Technologies薄膜材料與技術(shù)材料科學(xué)與工程學(xué)院 2008西安理工大學(xué)Xian University of Technology-19-四、輝光放電區(qū)的分布：1、

29、總體特征： 從陰極到陽(yáng)極：輝光區(qū)與暗區(qū)交替出現(xiàn)！2、具體現(xiàn)象 (從陰極到陽(yáng)極)： 該區(qū)內(nèi)電子能量低，很難因碰撞而釋放出光子。 通過阿斯頓暗區(qū)后，電子加速獲得高動(dòng)能，碰撞 電離氣體，并不斷與陽(yáng)離子湮滅產(chǎn)生光子。 電子/離子主要加速區(qū)，區(qū)內(nèi)的電勢(shì)差最大； 該區(qū)電子碰撞后能量再次下降，不能電離氣體。 電子在陰極暗區(qū)加速，在此區(qū)碰撞釋放動(dòng)能； 碰撞產(chǎn)生高濃度正離子，正離子濃度最高； 電子湮滅幾率 產(chǎn)生大量光子 輝光最強(qiáng)區(qū)； 區(qū)內(nèi)電勢(shì)差0，濺射鍍膜過程中，基片通常 被置于此區(qū)域內(nèi)，并與陽(yáng)極一起接地。 只有少量電子能穿過該區(qū)繼續(xù)飛向陽(yáng)極。3 薄膜沉積的物理方法輝光放電區(qū)的空間分布特征及劃分3.2 濺射沉積

30、技術(shù)3.2.1 濺射的基本概念及原理Thin Film Materials & Technologies薄膜材料與技術(shù)材料科學(xué)與工程學(xué)院 2008西安理工大學(xué)Xian University of Technology-20-四、輝光放電區(qū)的分布：2、具體現(xiàn)象 (從陰極到陽(yáng)極)： n+、n- ，且電子能量，暗區(qū)再度形成。 由于濺射鍍膜時(shí)，基片往往與陽(yáng)極一起接地而處于零電位，且放置在負(fù)輝光區(qū)，后面四個(gè)區(qū)域基本不會(huì)出現(xiàn)，也不影響濺射鍍膜過程！3、輝光放電等離子體的特點(diǎn)： 與電弧等離子體相比，荷電粒子濃度及能量都較低； 需要較高的放電電壓，一般 1000 V； 等離子體中重粒子能量 電子能量； 電子溫

31、度很高，而其它粒子溫度很低；例如：輝光放電等離子體的當(dāng)?shù)販囟纫话?Et 后，升飽和降！ E 104 eV，P 入射角 (見右圖3)：緩升急升急降！ =060o，P cos-1 ； =6080o，Pmax； =8090o，P 03 薄膜沉積的物理方法3.2 濺射沉積技術(shù)3.2.2 濺射的主要工藝控制參數(shù)123Thin Film Materials & Technologies薄膜材料與技術(shù)材料科學(xué)與工程學(xué)院 2008西安理工大學(xué)Xian University of Technology-22-二、濺射產(chǎn)額 (Sputtering Yield, 記為P)：2、規(guī)律：與入射離子的種類、能量及角度，

32、以及靶材種類及溫度有關(guān)。 種類 (見右圖4)：也是周期性升高！ 靶材的原子序數(shù) P 、但有周期性“回頭”現(xiàn)象； 溫度 (見右圖5)：高于臨界溫度后急劇升高！ 臨界溫度以下：P 基本與溫度無(wú)關(guān)； 高于臨界溫度：靶材原子鍵合減弱 T 則 P 因此：控制靶材的溫升很重要，不能過高！三、濺射原子的能量特征： 高于蒸發(fā)原子12個(gè)數(shù)量級(jí)，一般1-20 eV或更高； 原子序數(shù)，則能量越；反之，則逸出速度越； 入射離子能量不變時(shí)，其質(zhì)量，則濺射原子的能量； 濺射原子的平均能量隨入射離子能量 而 ， 但當(dāng)入射能量高到一定水平后，則趨于飽和而不再。3 薄膜沉積的物理方法3.2 濺射沉積技術(shù)3.2.2 濺射的主要工

33、藝控制參數(shù)54Thin Film Materials & Technologies薄膜材料與技術(shù)材料科學(xué)與工程學(xué)院 2008西安理工大學(xué)Xian University of Technology-23-一、優(yōu)點(diǎn) (與蒸發(fā)技術(shù)相比)：1、可濺射沉積任何能做成靶材的材料，特別是高熔點(diǎn)材料 (如：石墨、Ti、Ta、W、Mo等)；2、由于沉積原子能量較高，薄膜組織均勻致密，與基片的結(jié)合力較高；3、制備合金薄膜時(shí)，成分控制容易保證；4、利用反應(yīng)濺射技術(shù)，容易實(shí)現(xiàn)化合物薄膜沉積；5、薄膜的物相成分、梯度、膜厚控制精確，工藝重復(fù)性好；6、沉積原子能量較高，還可以改善薄膜對(duì)復(fù)雜形狀表面的覆蓋能力，降低薄膜的表

34、面粗糙度。二、主要缺點(diǎn)：1、沉積速率不高；2、等離子體對(duì)基片存在輻射、轟擊作用，不但可引起基片溫升，而且可能形成內(nèi)部缺陷。3.2.4 濺射沉積裝置簡(jiǎn)介一、分類及主控工藝參數(shù)：1、分類： 按電極特性不同，可分為：3 薄膜沉積的物理方法3.2 濺射沉積技術(shù)3.2.3 濺射沉積技術(shù)的主要優(yōu)、缺點(diǎn)射頻濺射磁控濺射四極濺射三極傳統(tǒng)二極濺射直流濺射/Thin Film Materials & Technologies薄膜材料與技術(shù)材料科學(xué)與工程學(xué)院 2008西安理工大學(xué)Xian University of Technology-24-一、分類及主控參數(shù)：1、分類： 按靶材性質(zhì)不同，可分為： 沉積物性質(zhì)不同

35、，可分為：2、主要工藝控制參數(shù)：3 薄膜沉積的物理方法3.2 濺射沉積技術(shù)3.2.4 濺射沉積裝置簡(jiǎn)介體或半導(dǎo)體射頻濺射靶材為絕緣或半金屬導(dǎo)體直流濺射靶材為金屬氛的化合物氣體，可沉積靶材與氣反應(yīng)濺射通入反應(yīng)性素靶材的合金純?cè)匕胁幕虿煌冊(cè)Ｒ?guī)濺射沉積物質(zhì)為偏壓轉(zhuǎn)速溫度基片相關(guān)參數(shù)真空度真空系統(tǒng)參數(shù)：主要是分壓流量數(shù)離化氣體和反應(yīng)氣體參靶功率靶電壓靶電流電源功率參數(shù)Thin Film Materials & Technologies薄膜材料與技術(shù)材料科學(xué)與工程學(xué)院 2008西安理工大學(xué)Xian University of Technology-25-二、直流濺射：1、二極系統(tǒng)：(前面已結(jié)合輝光

36、放電原理介紹)2、三極/四極系統(tǒng)：是在二極系統(tǒng)基礎(chǔ)上的一種改進(jìn)！ 改進(jìn)思路：增加額外電子源 (輔助燈絲) 放電區(qū)電子密度 低壓下就可以維持放電，并獲得高離化率 沉積速率、雜質(zhì)氣體對(duì)鍍膜的污染 薄膜質(zhì)量、沉積效率 比較： 二極濺射系統(tǒng)：真空度不能太高，否則不能維持放電； 三極/四極系統(tǒng)：有輔助電子槍提供更多高能電子 離化率 可低氣壓 (高真空) 自持放電 污染 效率 射頻濺射系統(tǒng)：高頻耦合放電，放電電壓、真空度3、多極直流濺射裝置的優(yōu)、缺點(diǎn)： 真空度較高，工作電壓顯著降低； 減少了鍍膜污染； 沉積速率有一定提高； 大面積的均勻等離子體仍較難獲得； 薄膜沉積速率仍然有限 (慢)。3 薄膜沉積的物理

37、方法3.2 濺射沉積技術(shù)3.2.4 濺射沉積裝置簡(jiǎn)介直流三極濺射系統(tǒng)示意圖系統(tǒng)參數(shù)二極濺射三極濺射射頻濺射壓力 Pa100.51電壓V300015001000電流 mA/cm20.52.01沉積率 m/min0.10.30.5不同濺射系統(tǒng)的典型工作參數(shù)比較Thin Film Materials & Technologies薄膜材料與技術(shù)材料科學(xué)與工程學(xué)院 2008西安理工大學(xué)Xian University of Technology-26-三、磁控濺射：1、出發(fā)點(diǎn)：解決濺射兩大問題！ 慢：二次電子利用率不高 離化率不高 沉積速率低； 熱：不能避免二次電子轟擊基片 (陽(yáng)極)。2、實(shí)現(xiàn)方法：在靶材

38、 (陰極)表面附近布置磁體或線圈，使靶面 附近出現(xiàn)強(qiáng)磁場(chǎng)，其方向與靶面基本平行，而與 電場(chǎng)方向正交！3、原理： 與電場(chǎng)方向正交的磁場(chǎng)可有效束縛電子的運(yùn)動(dòng)，形成“磁籠”效應(yīng)，從而顯著延長(zhǎng)電子運(yùn)動(dòng)路徑，提高電子與離化氣體的碰撞幾率，進(jìn)而提高氣體離化率，并有效放置高能電子對(duì)基片的轟擊。 磁場(chǎng)力：電子受洛侖茲力作用：F洛 = -qvB，形成的加速度 垂直于電子瞬時(shí)速度，迫使其不斷改變運(yùn)動(dòng)方向； 電場(chǎng)力：電子受庫(kù)倫力作用：F庫(kù)= -qE，形成的加速度不變， 且永遠(yuǎn)指向陽(yáng)極表面； 運(yùn)動(dòng)：橫向受 F洛水平分量作用 電子不斷漂移； 縱向受 F洛垂直分量和 F庫(kù)聯(lián)合作用 周期性速、振蕩！ 結(jié)果：電子被束縛在靶面

39、附近區(qū)域內(nèi)，實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)程振蕩運(yùn)動(dòng)！3 薄膜沉積的物理方法3.2 濺射沉積技術(shù)3.2.4 濺射沉積裝置簡(jiǎn)介磁控濺射原理示意圖磁約束的實(shí)現(xiàn)Thin Film Materials & Technologies薄膜材料與技術(shù)材料科學(xué)與工程學(xué)院 2008西安理工大學(xué)Xian University of Technology-27-三、磁控濺射：4、磁控濺射的優(yōu)勢(shì)分析： 磁約束 電子運(yùn)動(dòng)路徑 其與氣體分子的碰撞幾率 絕大部分二次電子的高動(dòng)能被用于氣體的電離 氣體離化率 正離子產(chǎn)率 濺射速率幾個(gè)數(shù)量級(jí)！注意：這就是磁控濺射可在低壓下獲得極高的離化率、 很高的離子電流密度和沉積速率的原因。5、磁控濺射的典型工作參

40、數(shù)及比較分析： 真空度 P (濺射氣體采用Ar氣）：20 mA/cm2 顯著提高 顯示有更多濺射氣體被離化 離化率 沉積速率： 數(shù)十 m/min 鍍膜速度顯著提高！ 基片溫升： 50 kHz的交流電源； 在電源和放電室之間配置阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)，使交變電場(chǎng)能量耦合 到放電室內(nèi)； 電子與高頻交變電場(chǎng)共振獲得能量，繼而不斷與氣體分子碰撞 使之電離； 靶材是絕緣體，且基片接地極為重要。3、原理： 利用靶材相對(duì)于等離子體的周期性自偏壓實(shí)現(xiàn)濺射！ 靶材非導(dǎo)體，離子質(zhì)量大 運(yùn)動(dòng)慣性 電子， 交變電場(chǎng)下： 電子可全部到達(dá)絕緣靶材表面，陽(yáng)離子只有部分到達(dá) 靶材表面形成周期性負(fù)電荷富集 形成相對(duì)于等離子體的負(fù)電位 等

41、離子體始終處于正電位 Vp，且始終成立： Vp Vc（靶電極電位） Vp Vd（地電極電位 爐體及基片）3 薄膜沉積的物理方法3.2 濺射沉積技術(shù)3.2.4 濺射沉積裝置簡(jiǎn)介射頻濺射裝置等離子體的鞘層電位及自偏壓Thin Film Materials & Technologies薄膜材料與技術(shù)材料科學(xué)與工程學(xué)院 2008西安理工大學(xué)Xian University of Technology-29-四、射頻濺射：3、原理： 利用非對(duì)稱電極設(shè)計(jì)，可實(shí)現(xiàn) Sd（地電極面積） Sc（靶電極面積）， 此時(shí)系統(tǒng)可簡(jiǎn)化為“靶材-等離子體”和“等離子體-地電極” 構(gòu)成的兩個(gè)平行極板電容之串聯(lián)，且成立：C S2

42、 電容的交變阻抗特性滿足： = (2 fC)-1，I = V-1 = 2 fCV 由于流過兩串聯(lián)電容的電流 I 相同，可知： I / 2 f = CdVd = CcVc Vc/Vd = Cd/Cc = Sd2/Sc2 由于 Sd Sc，可知：Vc Vd (幅值比較) 如右圖所示：Vc 實(shí)際上交變，其均值體現(xiàn)出靶相對(duì)于接地極的不變負(fù)電勢(shì)，稱為靶的負(fù)偏壓 (bias)； 而 Vc 的振幅則記為 V0，且成立 V0（一般為數(shù)百V） Vp（一般為10 V左右）； 由于靶材的負(fù)電位 Vc 遠(yuǎn)低于 基片和爐體的負(fù)電位 Vd，且相對(duì)于等離子體的正電位 Vp 永遠(yuǎn)處于更負(fù)的負(fù)值， 從而實(shí)現(xiàn)絕緣的靶電極在此負(fù)壓

43、作用下，受到來(lái)自于等離子體的陽(yáng)離子的不斷轟擊而實(shí)現(xiàn)濺射！4、特點(diǎn)： 電場(chǎng)耦合形成高能電子振蕩，離化率比二極濺射高得多，可在高真空下實(shí)現(xiàn)濺射沉積 (P1 Pa)； 電場(chǎng)通過交變阻抗網(wǎng)絡(luò)而非導(dǎo)電電極形式實(shí)現(xiàn)耦合，電極 (靶材+基片) 不要求一定是導(dǎo)體， 可以實(shí)現(xiàn)各種材料 (金屬、非金屬、半導(dǎo)體等)薄膜的沉積！3 薄膜沉積的物理方法3.2 濺射沉積技術(shù)3.2.4 濺射沉積裝置簡(jiǎn)介射頻濺射過程中電極電位的變化Thin Film Materials & Technologies薄膜材料與技術(shù)材料科學(xué)與工程學(xué)院 2008西安理工大學(xué)Xian University of Technology-30-五、離子

44、束濺射：1、出發(fā)點(diǎn)： 輝光放電需較低的真空度環(huán)境 (0.110 Pa)才能維持放電， 不能避免濺射氣體對(duì)薄膜的污染； 離子的能量水平、入射方向、束流的大小不能精確控制， 不能沉積結(jié)構(gòu)、成分更精細(xì)的薄膜！2、實(shí)現(xiàn)方法： 使入射離子的產(chǎn)生系統(tǒng)與濺射沉積系統(tǒng)分離： 前者工作于較低真空度下，易于獲得高荷電密度等離子體； 后者工作于更高真空度 (P 濺射)； 可沉積化合物薄膜； 薄膜表面形貌、粗糙程度高度可控。3 薄膜沉積的物理方法度均勻較高、薄膜較致密、厚濺射：速度慢、結(jié)合力厚度均勻性差較低、薄膜致密性差、蒸發(fā)：速度快、結(jié)合力3.3 離化 PVD 技術(shù)3.3.1 概述Thin Film Materia

45、ls & Technologies薄膜材料與技術(shù)材料科學(xué)與工程學(xué)院 2008西安理工大學(xué)Xian University of Technology-32-3 薄膜沉積的物理方法五、沉積離子的轟擊作用：1、對(duì)基片的作用： 物理/化學(xué)清潔作用； 形成注入型缺陷； 改變表面形貌及粗糙度； 改變局部化學(xué)成分； 破壞晶體結(jié)構(gòu)； 造成局部溫升。2、對(duì)膜基界面的作用： 形成偽擴(kuò)散層 (沉積物/基體物質(zhì)的物理混合梯度層)； 輸入動(dòng)能，增強(qiáng)擴(kuò)散/形核，易于成膜； 界面致密化； 改善沉積粒子的繞射性，提高薄膜的均勻程度及其對(duì)基片表面復(fù)雜形狀的覆蓋能力。六、主要沉積技術(shù)分類：），離子束沉積（），離子束輔助沉積（熱空

46、心陰極蒸發(fā)離子鍍多弧離子鍍陰極電弧離子鍍真空蒸發(fā)離子鍍）離子鍍（Deposition BeamIon IBDDeposition Assisted BeamIon IBAD/PlatingIon 3.3 離化 PVD 技術(shù)3.3.1 概述Thin Film Materials & Technologies薄膜材料與技術(shù)材料科學(xué)與工程學(xué)院 2008西安理工大學(xué)Xian University of Technology-33-一、概念：真空下，通過氣體放電使氣體或靶材料部分離化， 在離化離子轟擊基片的同時(shí)，形成其離化物質(zhì)或 其化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)物在基片上的沉積。二、技術(shù)關(guān)鍵：1、膜材料的氣化激發(fā)：既可蒸發(fā)

47、、也可濺射；2、氣相粒子的離化：輸運(yùn)過程中必須路經(jīng)等離子體，并被離化！三、實(shí)現(xiàn)原理：1、基片置于陰極，等離子體中的正離子轟擊基片并成膜。2、成膜時(shí)沉積物中約2040 %來(lái)自離化的膜材料離子，其余為原子。3、離化后的膜材料離子具有高化學(xué)活性和高動(dòng)能，并轟擊基片對(duì)薄 膜的生長(zhǎng)形成有利影響。4、形成的薄膜由于離子的轟擊作用，具有結(jié)合力高、低溫沉積、 表面形貌及粗糙度可控、可形成化合物等一系列優(yōu)點(diǎn)。四、沉積裝置：1、直流輝光放電型離子鍍：如右圖所示 蒸發(fā) + 二極濺射 電子束蒸發(fā)出成膜物質(zhì)氣相粒子，路經(jīng)二極輝光放電系統(tǒng)形成 的等離子體，并部分離化，在基片負(fù)偏壓作用下被加速轟擊基片，形成薄膜的沉積。3

48、薄膜沉積的物理方法3.3 離化 PVD 技術(shù)3.3.2 離子鍍 (Ion Plating)離子鍍沉積裝置示意圖Thin Film Materials & Technologies薄膜材料與技術(shù)材料科學(xué)與工程學(xué)院 2008西安理工大學(xué)Xian University of Technology-34-四、沉積裝置：1、直流輝光放電型離子鍍：如右圖1所示 電阻蒸發(fā) + 三極濺射 引入熱陰極（第三極）的作用： 發(fā)射更多電子，氣體離化率、等離子體荷電密度！2、電弧離子鍍：如右圖2所示。 陰極斑點(diǎn)內(nèi)電流密度、溫度極高，可大量蒸發(fā)出陰極物質(zhì)； 蒸發(fā)物質(zhì)離化，既可維持放電，又可提供鍍膜離子； 因此：陰極電弧既是蒸發(fā)源，又是離化源！ 外加磁場(chǎng)作用：約束電子，延長(zhǎng)其運(yùn)動(dòng)路徑，促進(jìn)氣體離化； 推動(dòng)陰極斑點(diǎn)不斷運(yùn)動(dòng)，實(shí)現(xiàn)均勻蒸發(fā)。 主要特點(diǎn)： 工作真空度高，氣體雜質(zhì)污染少； 沉積速率很高 (101000 m/h)，適于制備厚膜； 蒸發(fā)粒子離化率極高 (80 %)，離子能量高； 沉積裝置簡(jiǎn)單