IC可靠性測試 關(guān)于EFR,HTOL和Burn in的異同!

1、【討論】關(guān)于EFR,HTOL和Burnin的異同!【討論】關(guān)于EFR,HTOL和Burnin的異同!半導(dǎo)體技術(shù)天地'sArchiver論壇>Reliability可靠性測試評價>【討論】關(guān)于EFR,HTOL和Burnin的異同！semicon2009發(fā)表于2009-1-909:34:51【討論】關(guān)于EFR,HTOL和Burnin的異同！討論EFR,HTOL和Burnin的異同本帖最后由semicon2009于2009-1-2313:37編輯sunjj發(fā)表于2009-1-911:56:48早期失效EFR：目的是通過試驗得到產(chǎn)品的早期失效率，所以試驗的樣本量較大。高溫壽命HTO

2、L：目的是通過此鑒定試驗得到產(chǎn)品的使用壽命，所以試驗時間較長。老練篩選Burn-In：目的是通過試驗剔除早期失效產(chǎn)品提高批次的可靠性，所以產(chǎn)品應(yīng)全數(shù)進行試驗。semicon2009發(fā)表于2009-1-912:28:23所以EFR是qual時候做的，Burnin是massproduction做的吧。那么具體使用的板子有什么區(qū)別，還有是動態(tài)測試function還是做完之后再測？有沒有詳細(xì)點的參考資料share一下？zlf123發(fā)表于2009-1-912:42:27了解了茱wling發(fā)表于2009-1-913:18:00原帖由sunjj于2009-1-911:56發(fā)表早期失效EFR：目的是通過試驗得

3、到產(chǎn)品的早期失效率，所以試驗的樣本量較大。高溫壽命HT0L：目的是通過此鑒定試驗得到產(chǎn)品的使用壽命，所以試驗時間較長。老練篩選Burn-In：目的是通過試驗剔除早期失效產(chǎn)品提高批.業(yè)內(nèi)精通人士，佩服ing.我們都是用一樣的線路,由于條件有限,實時功能測試還做不到,最多只是設(shè)置輸出信號監(jiān)控點，所以很少能發(fā)現(xiàn)試驗過程中的器件損壞，失效大多在事后離線測試時發(fā)現(xiàn)!pigeon發(fā)表于2009-1-913:28:03Burnin主要是模擬產(chǎn)品工作壽命，加偏壓，加高溫主要是模擬產(chǎn)品在最壞的工作使用情況下的條件。Burnin主要用于作為可靠性監(jiān)控和從批次產(chǎn)品中剔除早起失效的。取決于Burnin時間的長短，它的

4、失效可以是早衰期的缺陷導(dǎo)致的，也可以是老化損耗期的。EFR目的是為了評估工藝的穩(wěn)定性，加速缺陷失效率，去除由于天生原因失效的產(chǎn)品。對應(yīng)于浴盆曲線的早衰期。失效多是早衰期的缺陷導(dǎo)致的，比如工藝設(shè)計等缺陷等。時間一般是168H或者更少。HTOL目的是評估器件在超熱和超電壓情況下一段時間的耐久力，也就是正常工作的壽命。對應(yīng)于浴盆曲線的wearout期。失效多是老化損耗期的失效，比如熱載流子效應(yīng)，氧化層擊穿，電遷移等等。時間一般會做到1000Hrs。125°C條件下1000小時測試通過IC可以保證持續(xù)使用4年，2000小時測試持續(xù)使用8年；150C1000小時測試通過保證使用8年，2000小

5、時保證使用28年。本帖最后由pigeon于2009-1-913:29編輯semicon2009發(fā)表于2009-1-915:12:28回復(fù)5#茱wling的帖子謝謝本帖最后由semicon2009于2009-1-2313:35編輯semicon2009發(fā)表于2009-1-1019:39:44繼續(xù)請教。twiyjch發(fā)表于2009-1-1021:37:13謝謝,了解pigeon發(fā)表于2009-1-1114:09:31回復(fù)7#semicon2009的帖子個人是覺得這個觀點正確的吧yebenyin發(fā)表于2009-1-1315:36:22感謝樓上寶貴的意見受益匪淺之前一直沒有完全搞清楚這幾個概念LIU6

6、9發(fā)表于2009-1-3010:22:21回復(fù)6#pigeon的帖子幾年的說法來自哪里？是統(tǒng)計出來的還是計算出來的？czy163發(fā)表于2009-2-215:33:55回復(fù)2#sunjj的帖子回答的比較資深哦moudo發(fā)表于2009-2-216:03:31回復(fù)12#LIU69的帖子應(yīng)該是計算出來的就是MTTF的計算，再加上加速因子很容易就能大概估算出來bonbonssy發(fā)表于2009-2-610:02:00太牛了，學(xué)到了很多知識阿。KateOl發(fā)表于2009-2-911:42:04不錯的討論，了解更多的東西了。tanwen1030發(fā)表于2009-2-1313:31:53謝謝了，好東西lzg000

7、0發(fā)表于2009-2-1906:27:48原帖由LIU69于2009-1-3010:22發(fā)表http:/www.2ic.tw/bbs/images/common/back.gif幾年的說法來自哪里？是統(tǒng)計出來的還是計算出來的？可靠性壽命試驗的理論模型來自ArrheniusLaw：k=Aexp(-B/T)，此為一個經(jīng)驗公式。所以同樣的壽命預(yù)期，可以用不同的試驗條件來驗證(試驗溫度和試驗時間相關(guān))。wqpye發(fā)表于2009-2-2721:10:56在溫度與電子系統(tǒng)可靠性一書中，作者對ArrheniusLaw的準(zhǔn)確性提出了質(zhì)疑。thhzy1發(fā)表于2009-7-810:51:20感謝樓上寶貴的意見受益

8、匪淺之前一直沒有完全搞清楚這幾個概念本來還想自己發(fā)貼請教高手的呢！Tony_hfl23發(fā)表于2009-7-1123:37:31原帖由茱wling于2009-1-913:18發(fā)表業(yè)內(nèi)精通人士，佩服ing.我們都是用一樣的線路,由于條件有限,實時功能測試還做不到,最多只是設(shè)置輸出信號監(jiān)控點，所以很少能發(fā)現(xiàn)試驗過程中的器件損壞，失效大多在事后離線測試時發(fā)現(xiàn)!能不能說一下失效的原因有哪些？謝謝。mrlin發(fā)表于2009-7-1211:52:52同意樓上的,學(xué)一下具體的case比較有益kimperkins發(fā)表于2009-7-2015:00:08MBI和TDBI是不同的，MBI就是outputmonitoring，檢測的是輸出pin的信息，也是一種監(jiān)測手段。TDBI般是可以真正意義上實現(xiàn)functiontestduringBI.目前據(jù)了解在存儲器類和一些高密度封裝器件上國外已經(jīng)有這種技術(shù)與機器了。當(dāng)然TDBI并不能完全取代最后的測試，因為很多device失效時他們的function都pass但是在parametertest上，他