計算機組裝與維護電子PPT課件

1、第4章 內(nèi)存u學習目標1.掌握內(nèi)存的分類2.了解內(nèi)存的結(jié)構(gòu)3.掌握內(nèi)存的技術(shù)指標4.了解內(nèi)存的選購方法5.掌握內(nèi)存故障及維修第1頁/共30頁一、內(nèi)存概述存儲器是用來存儲程序和數(shù)據(jù)的部件，對于計算機來說，有了存儲器，才有記憶功能，才能保證正常工作。存儲器的種類很多，按其用途可分為主存儲器和輔助存儲器，主存儲器又稱內(nèi)部存儲器（簡稱內(nèi)存），輔助存儲器又稱為外部存儲器，如硬盤、光盤、U盤等。第2頁/共30頁一、內(nèi)存概述 內(nèi)存是計算機系統(tǒng)中非常重要的組成部分，是計算機系統(tǒng)性能的重要標志之一。內(nèi)存通常采用大規(guī)模及超大規(guī)模集成電路工藝制造，具有高密度、體積小、重量輕、存取速度快等特點，是CPU可以直接進行訪

2、問的存儲器。 計算機外存儲器雖然容量很大，但相對于CPU來說其速度太慢，無法及時大量地向CPU提供數(shù)據(jù)，因此必須在CPU和外存儲器之間增加速度比外存儲器要快得多的內(nèi)存儲器，避免CPU經(jīng)常處于等待狀態(tài)。第3頁/共30頁二、內(nèi)存的分類按內(nèi)存的工作原理分類：ROM（只讀存儲器）（只讀存儲器）RAM（隨機存儲器）（隨機存儲器）Cache（高速緩存）（高速緩存）第4頁/共30頁二、內(nèi)存的分類ROM表示只讀存儲器（Read Only Memory），在制造ROM的時候，信息（數(shù)據(jù)或程序）就被存入并永久保存。這些信息只能讀出，一般不能寫入，即使機器掉電，這些數(shù)據(jù)也不會丟失。ROM一般用于存放計算機的基本程序

3、和數(shù)據(jù)，如BIOS ROM。其物理外形一般是雙列直插式（DIP）的集成塊。 1、ROM（只讀存儲器）（只讀存儲器）第5頁/共30頁二、內(nèi)存的分類1、ROM：資料在制造過程中用特殊方法燒錄進去2、PROM（可編程ROM）：可用專用編程器將資料寫入，但只能寫入一次。3、EPROM（可擦除可編程ROM）：可以反復利用專用擦除器或紫外線清除資料，再利用編程器寫入資料。4、EEPROM（電可擦除可編程ROM）：利用電子信號，通過專用刷新程序可以改寫芯片內(nèi)容。5、FLASH ROM（閃速存儲器）：本質(zhì)上屬于EEPROM，加入一個較高的電壓就可以寫入或擦除。ROMROM的分類的分類第6頁/共30頁ROM芯片

4、EPROMEEPROM第7頁/共30頁二、內(nèi)存的分類隨機存取存儲器，用來暫時存放程序和數(shù)據(jù)，其特點是存儲的數(shù)據(jù)在掉電后會丟失。系統(tǒng)運行時，首先將指令和數(shù)據(jù)從外部存儲器（外存）中調(diào)入內(nèi)存，CPU再從內(nèi)存中讀取指令和數(shù)據(jù)進行運算，并將運算結(jié)果存入內(nèi)存中。它又分為兩種：1、動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM，Dynamic RAM）DRAM主要應(yīng)用在計算機中的主存儲器中，如內(nèi)存條特點：集成度高，結(jié)構(gòu)簡單，功耗低，生產(chǎn)成本低。2、靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM，Static RAM）SRAM主要應(yīng)用在計算機中的高速小容量存儲器，如CACHE特點：結(jié)構(gòu)相對復雜，造價高，速度快。2、RAM（隨機存儲器）（隨機存儲

5、器）第8頁/共30頁二、內(nèi)存的分類1、FPM（Fast Page Mode快頁模式） FPM DRAM又叫快速頁面模式動態(tài)存儲器。它是較早時期（386、486時代）使用的一種內(nèi)存，采用30線或72線SIMM類型的接口，工作電壓為5V，帶寬32位，基本速度60ns以上，大約每隔3個時鐘周期傳送一次數(shù)據(jù)。第9頁/共30頁二、內(nèi)存的分類2、EDO（Extended Data Out擴展數(shù)據(jù)輸出）由Micron（美光）公司開發(fā)，有72線和168線之分。 EDO DRAM的工作電壓為5V，帶寬32位，必須成對使用。基本速度40ns以上。每隔2個時鐘周期傳輸一次數(shù)據(jù)，使存取速度提高了30%，在中檔以下的P

6、etium機上使用，現(xiàn)已被淘汰。 第10頁/共30頁二、內(nèi)存的分類3、SDRAM（Synchronous Dynamic RAM 同步動態(tài)隨機存儲器）有168pin和144pin（其中144pin用于筆記本），使用3.3V電壓，其數(shù)據(jù)寬度為64Bit。其工作原理是將RAM與CPU以相同的頻率進行控制，取消了CPU的等待時間提高存取速度。其發(fā)展可分為3個階段：.PC-66規(guī)范：主板設(shè)計為4個72pin+2個168pin.PC-100規(guī)范：主板設(shè)計為2-4個168pin.PC-133規(guī)范：主板設(shè)計為2-4個168pin第11頁/共30頁二、內(nèi)存的分類SDRAMSDRAM內(nèi)存條內(nèi)存條第12頁/共30

7、頁二、內(nèi)存的分類4、RDRAM（Rambus DRAM,存儲器總線式DRAM）由Rambus公司和Intel公司推出的一種內(nèi)存規(guī)格，184pin，使用2.5V電壓，可在單個時鐘內(nèi)的上升沿和下降沿各傳輸數(shù)據(jù)。Intel發(fā)布了三種RDRAM： 400MHz PC800 RDRAM (1.6GB/s)356MHz PC700 RDRAM (1.4GB/s)300MHz PC600 RDRAM (1.2GB/s) 第13頁/共30頁二、內(nèi)存的分類5、DDR SDRAM（雙倍速率SDRAM）DDRRAM比SDRAM的速度高一倍，特點是在時鐘周期內(nèi)的上升沿和下降沿各傳輸一次數(shù)據(jù)。DDR內(nèi)存是在SDRAM內(nèi)

8、存基礎(chǔ)上發(fā)展而來的，SDRAM在一個時鐘周期內(nèi)只傳輸一次數(shù)據(jù)，它是在時鐘的上升期進行數(shù)據(jù)傳輸；而DDR內(nèi)存則是一個時鐘周期內(nèi)傳輸兩次次數(shù)據(jù)，它能夠在時鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù)，因此稱為雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器。DDR內(nèi)存可以在與SDRAM相同的總線頻率下達到更高的數(shù)據(jù)傳輸率。第14頁/共30頁二、內(nèi)存的分類DDRDDR內(nèi)存條內(nèi)存條第15頁/共30頁二、內(nèi)存的分類6、DDRII SDRAMDDR2可以看作是DDR技術(shù)標準的一種升級和擴展：DDR的核心頻率與時鐘頻率相等，但數(shù)據(jù)頻率為時鐘頻率的兩倍，也就是說在一個時鐘周期內(nèi)必須傳輸兩次數(shù)據(jù)。而DDR2采用“4 bit Prefetch(4

9、位預取)”機制，核心頻率僅為時鐘頻率的一半、時鐘頻率再為數(shù)據(jù)頻率的一半，換句話說，DDR2內(nèi)存每個時鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數(shù)據(jù)，并且能夠以內(nèi)部控制總線4倍的速度運行。這樣即使核心頻率還在200MHz，DDR2內(nèi)存的數(shù)據(jù)頻率也能達到800MHz，也就是所謂的DDR2 800。第16頁/共30頁二、內(nèi)存的分類DDR2DDR2內(nèi)存條內(nèi)存條第17頁/共30頁二、內(nèi)存的分類DDR3DDR3內(nèi)存條內(nèi)存條第18頁/共30頁二、內(nèi)存的分類SDRAMSDRAMDDRDDRDDR2DDR2DDR3DDR3工作電壓工作電壓3.3V3.3V2.5V2.5V1.8V1.8V1.5V1.5V引腳數(shù)引腳數(shù)168

10、PIN168 PIN184 PIN184 PIN240 PIN240 PIN240 PIN240 PIN工作頻率工作頻率（MHZMHZ）66/100/1366/100/133 3200/266200/266333/400333/400400/533400/533667/800667/800800/1066800/10661333/16001333/1600預讀位數(shù)預讀位數(shù)1Bit1Bit2Bit2Bit4Bit4Bit8Bit8Bit封裝工藝封裝工藝TSOPTSOPTSOPTSOPFBGAFBGAFBGAFBGA幾種常見內(nèi)存條比較第19頁/共30頁三、內(nèi)存的結(jié)構(gòu)空位空位金手指金手指內(nèi)存顆粒內(nèi)存

11、顆粒PCBPCB板板固定缺口固定缺口缺腳缺腳SPDSPD芯片芯片第20頁/共30頁四、內(nèi)存的主要技術(shù)指標1、內(nèi)存的容量內(nèi)存容量是指該內(nèi)存條的存儲容量，是內(nèi)存條的關(guān)鍵性參數(shù)。內(nèi)存容量以MB或GB作為單位。一般是2的整次方倍，如64M、128M、256M、512M、1G、2G等2、內(nèi)存的頻率內(nèi)存主頻和CPU主頻一樣，習慣上被用來表示內(nèi)存的速度，它代表著該內(nèi)存所能達到的最高工作頻率。內(nèi)存主頻是以MHz（兆赫）為單位來計量的。 一般情況下內(nèi)存的工作頻率是和主板的外頻相一致的。第21頁/共30頁四、內(nèi)存的主要技術(shù)指標3、存取速度（時間）TAC：存取數(shù)據(jù)時的時間，即存儲器進行一次完整的存取操作所需要的時間

12、，單位為納秒。時間越小，速度越快。目前，DDR內(nèi)存的存取時間一般為6ns，而更快的存儲器多用在顯卡的顯存上，如：5ns、 4ns、 3.6ns、 3.3ns、 2.8ns、4、CAS的延遲時間（CL）指的是內(nèi)存存取數(shù)據(jù)所需的延遲時間，簡單的說，就是內(nèi)存接到CPU的指令后的反應(yīng)速度，CAS信號需要經(jīng)過多少個時鐘周期之后才能讀/寫數(shù)據(jù)。一般的參數(shù)值是2和3兩種。數(shù)字越小，代表反應(yīng)所需的時間越短。第22頁/共30頁四、內(nèi)存的主要技術(shù)指標5. 內(nèi)存工作電壓內(nèi)存正常工作所需要的電壓值，不同類型的內(nèi)存電壓也不同，但各自均有自己的規(guī)格，超出其規(guī)格，容易造成內(nèi)存損壞。6. 內(nèi)存糾錯和ECC校驗內(nèi)存錯誤根據(jù)其原

13、因還可分為硬錯誤和軟錯誤。 ECC（Error Checking and Correcting，錯誤檢查和糾正）校驗，簡單地說，其具有發(fā)現(xiàn)錯誤，糾正錯誤的功能。第23頁/共30頁四、內(nèi)存的主要技術(shù)指標7. 內(nèi)存的帶寬=內(nèi)存工作頻率總線寬度每時鐘數(shù)據(jù)段數(shù)量8每時鐘數(shù)據(jù)段數(shù)量：SDRAM=1 DDRRAM=2 RDRAM=2第24頁/共30頁五、內(nèi)存的選購1、內(nèi)存的容量和類型 容量大小、工作頻率、是否雙通道2、內(nèi)存的品質(zhì) 顆粒、PCB板、貼片元件、金手指、制造工藝3、謹防假冒第25頁/共30頁內(nèi)存生產(chǎn)廠家n 國外品牌 現(xiàn)代(Hy) 金士頓(Kingston) 三星金條 英飛凌(Infineon) 海盜船(CORSAIR) NCP MDT 美商必恩威(PNY) 世邁(SMART) n 國內(nèi)品牌 Kingmax 宇瞻(Apacer) 創(chuàng)見金邦(GEIL) 黑金剛(KingBox) 威剛