半導體項目三-調(diào)光燈電路的分析與制作課件

1、項目三調(diào)光燈電路的分析與制作知識鏈接一晶閘管一、單向晶閘管1.晶閘管的結構及其特性晶閘管是用硅材料制成的半導體器件。它是由P型和N型半導體交替疊合而成的PNPN四層半導體器件，具有三個PN結和三個電極，分別為陽極(A)、陰極(K)和門極(G)，如圖32所示。晶閘管有螺栓形、平板形、塑封形等，文字符號為VT。圖3-2晶閘管外形、結構及電氣符號a)外形b)內(nèi)部結構c)電氣符號一、單向晶閘管1.晶閘管的結構及其特性 晶閘管是用硅材料制成的半導體器件。它是由P型和N型半導體交替疊合而成的PNPN四層半導體器件，具有三個PN結和三個電極，分別為陽極(A)、陰極(K)和門極(G)，如圖32所示。晶閘管有螺

2、栓形、平板形、塑封形等，文字符號為VT。圖3-2晶閘管外形、結構及電氣符號a)外形b)內(nèi)部結構c)電氣符號一、單向晶閘管2.晶閘管的工作原理晶閘管可以看做是由一個PNP型晶體管和一個NPN型晶體管組合而成的，其電路模型如圖33所示。圖3-3晶閘管的電路模型一、單向晶閘管圖3-4晶閘管的工作原理一、單向晶閘管1) 晶閘管陽極加負電壓-UA時，晶閘管處于反向阻斷狀態(tài)。2) 晶閘管陽極加正電壓UA，門極不加電壓時，晶閘管處于正向阻斷狀態(tài)。3) 晶閘管加陽極正電壓UA，門極也加正電壓UG時，晶閘管導通。4) 要使導通的晶閘管關斷，必須將陽極電壓降至零或為負，使晶閘管陽極電流降至維持電流IH以下。綜上所

3、述，可得如下結論：1) 晶閘管與硅整流二極管相似，都具有反向阻斷能力，但晶閘管還具有正向阻斷能力，即晶閘管正向導通必須具備一定的條件：陽極加正向電壓，同時門極也加正向觸發(fā)電壓。2) 晶閘管一旦導通，門極即失去控制作用。一、單向晶閘管3.晶閘管的電壓電流特性晶閘管的電壓電流特性曲線如圖35所示。圖3-5晶閘管的電壓電流特性曲線一、單向晶閘管4.晶閘管的主要參數(shù)(1) 電壓參數(shù)1) 斷態(tài)重復峰值電壓UDRM。2) 反向重復峰值電壓URRM。3) 通態(tài)(峰值)電壓UTM。4) 通態(tài)平均電壓UT。(2) 電流參數(shù)1) 通態(tài)平均電流IT。2) 維持電流IH。一、單向晶閘管5.管腳的判別 用萬用表R100

4、擋，分別測量各管腳間的正、反向電阻值。因為只有門極G與陰極K之間的正向電阻值較小，而其他的均為高阻狀態(tài)，故一旦測出兩管腳間呈低阻狀態(tài)，則黑表筆所接為門極G，紅表筆所接為陰極K，另一端為陽極A。一、單向晶閘管6.晶閘管的應用 圖36a所示是用兩只普通晶閘管VT1和VT2反向并聯(lián)而組成的交流調(diào)壓電路，其原理如下：1) 電源電壓ui的正半周，在t1時刻(t1=,又稱觸發(fā)延遲角)將觸發(fā)脈沖加到VT2的門極，VT2被觸發(fā)導通，此時VT1承受反向電壓而截止。2) 電源電壓ui的負半周，在t2時刻(t2=180+)將觸發(fā)脈沖加到VT1的門極，VT1被觸發(fā)導通，此時VT2承受反向電壓而截止。一、單向晶閘管圖3

5、-6晶閘管交流調(diào)壓a)電路圖b)波形圖二、雙向晶閘管1.雙向晶閘管的結構 雙向晶閘管是五層(NPNPN)、三端的硅半導體閘流器件，相當于兩個門極接在一起的普通晶閘管反并聯(lián)，其外形及電氣符號如圖37所示。圖3-7雙向晶閘管的外形及電氣符號二、雙向晶閘管圖3-8雙向晶閘管的電壓電流特性曲線2.雙向晶閘管的特性 雙向晶閘管可以看做是一對反向并聯(lián)的單向普通晶閘管，電壓電流特性曲線如圖38所示。它和普通晶閘管的區(qū)別是：第一，雙向晶閘管在觸發(fā)之后是雙向導通的；第二，在門極中所加的觸發(fā)信號不管是正的還是負的，都可以使雙向晶閘管導通。二、雙向晶閘管3.雙向晶閘管的觸發(fā)方式.+觸發(fā)：T1為正，T2為負；門極為正，T2為負。-觸發(fā)：T1為正，T2為負；門極為負，T2為正。+觸發(fā)：T1為負，T2為正；門極為正，T