核磁波譜核磁共振松_第1頁
核磁波譜核磁共振松_第2頁
核磁波譜核磁共振松_第3頁
核磁波譜核磁共振松_第4頁
核磁波譜核磁共振松_第5頁
已閱讀5頁,還剩31頁未讀 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進行舉報或認領(lǐng)

文檔簡介

1、Chap.9 核磁共振譜近代物理儀器技術(shù)在有機化學(xué)中的應(yīng)用越來越深入且廣泛,尤其以核磁共振、紅外光譜、在有機結(jié)構(gòu)分析中的應(yīng)用為突出。有機四大譜圖:紫外吸收光譜、紅外吸收光譜、核磁共振、質(zhì)譜。9.1 核磁共振譜(NMR)核磁共振的基本原理(1)電磁波的一般概念光是電磁波,按波長的長短或能量的高低可分為:射線 x射線 紫外 可見光 紅外 微波 無線電波光是有能量的 E=hv h是普朗克常數(shù) v是光波的震動頻率。當(dāng)分子或原子吸收光后,獲得一定的能量使分子或原子的能量發(fā)生改變,由低能級到高能級。電磁波譜/nm/cm-1能量升高(2)原子核的自旋 所有原子的原子核都圍繞某個軸作旋轉(zhuǎn)運動,此現(xiàn)象稱為核自旋

2、運動,一般用自旋角動量來描述。 原子核的自旋量子數(shù):I 或ms 表示原子核的自旋運動情況。ms 與原子的質(zhì)量數(shù)和原子序數(shù)之間的關(guān)系:A、Z均為偶數(shù),ms=0A為偶數(shù),Z為奇數(shù), ms=1,2,3整數(shù)A為奇數(shù),Z為奇或偶數(shù), ms=1/2,3/2, 5/2半整數(shù)當(dāng)ms0時,原子核的自旋運動有NMR訊號。(3)1H的核磁共振( 1HNMR)無外加磁場,H0=0時,兩自旋態(tài)的能量相同 ms=1/2。有外加磁場,H00,兩自旋態(tài)的能量不同:1H 自旋產(chǎn)生的磁矩與H0同向平行,為低能態(tài); 1H 自旋產(chǎn)生的磁矩與H0反向平行,為高能態(tài)。 兩能級之差:E=hH0/2c. 核磁共振的條件:E射=E, 即:h射

3、= hH0/2時H核吸收電磁波由低能態(tài)躍至高能態(tài)d. 核磁共振儀的組成及原理 組成:磁鐵、射頻發(fā)生器、檢測器、放大器、記錄儀(放大器)、樣品管 原理:掃頻:固定磁場強度H0,改變電磁波頻率 射,使射與H0匹配 。掃場:固定電磁波頻率射,改變磁場強度H0,使H0與射匹配(2)屏蔽效應(yīng)(shielding effect)1H核外電子在H0作用下會發(fā)生循環(huán)的流動,從而產(chǎn)生一個感應(yīng)磁場H感。a、若H感與H0反向平行排列,質(zhì)子實際上感受到的有效磁場強度是H0減去H感 屏蔽效應(yīng) 即:H有效=H0-H感=H0-H0=H0(1-) 屏蔽常數(shù)二、屏蔽效應(yīng)和化學(xué)位移受屏蔽效應(yīng)影響的質(zhì)子在較高的外磁場強度作用下才能

4、發(fā)生共振吸收,即核磁共振信號移向高場。 1H核外電子云密度越大,屏蔽效應(yīng)越大,信號越移向高場。b、若H感與H0反向平行排列,則:H有效=H0+H感 去屏蔽效應(yīng)受去屏蔽效應(yīng)影響的1H,其1HNMR信號移向低場。2、化學(xué)位移(chemical shift)(1)概念:原子核(如質(zhì)子)由于化學(xué)環(huán)境所引起的核磁共振信號位置的變化稱為化學(xué)位移() .(3)化學(xué)位移的測定 選定標(biāo)準物質(zhì):TMS,Si(CH3)4規(guī)定其=0 化學(xué)位移:表示信號離TMS若干ppm(4)影響化學(xué)位移的因素:a. 誘導(dǎo)效應(yīng) eg CH3X X電負性越大,1H周圍的電子云密度越小,屏蔽效應(yīng)越小,信號出現(xiàn)在低場,越大。eg. 電負性:

5、 C 2.6 N 3.0 O 3.5 : C-CH3(0.77-1.88),N-CH3(2.12-3.10),O-CH3(3.24-4.02)Cl3CH (7.27) Cl2HCH (5.30)b. 各向異性效應(yīng):置于外加磁場中的分子產(chǎn)生的感應(yīng)磁場,使分子所在空間出現(xiàn)屏蔽區(qū)和去屏蔽區(qū),導(dǎo)致不同區(qū)域內(nèi)的質(zhì)子移向高場和低場。該效應(yīng)通過空間感應(yīng)磁場起作用,涉及范圍大,所以又稱遠程屏蔽。 可以看出質(zhì)子化學(xué)位雖電子云密度減小而增大,質(zhì)子周圍吸電子基越多,影響越大。依據(jù)誘導(dǎo)效應(yīng),基團距離越遠,質(zhì)子收的影響越小。相距三個碳原子以上,可看為不受影響。乙烯:C2H4中電子云分布于鍵所在平面上下方,感應(yīng)磁場將空間

6、分成屏蔽區(qū)(+)和去屏蔽區(qū)(-),由于質(zhì)子位去屏蔽區(qū),與C2H6(=0.85)相比移向低場(=5.28)。苯:與C2H4的情況相同,即苯的質(zhì)子移向低場(=7.27);對于其它苯系物,若質(zhì)子處于苯環(huán)屏蔽區(qū),則移向高場;醛基質(zhì)子處于去屏蔽區(qū),且受O電負性影響,故移向更低場(=7.27)。 乙炔:C2H2中三鍵電子云分布圍繞C-C鍵呈對稱圓筒狀分布,質(zhì)子處于屏蔽區(qū),其共振信號位于高場(=1.8)。(4)積分曲線峰面積(吸收峰的強度):與不等價質(zhì)子數(shù)目成正比 峰面積之比等于質(zhì)子數(shù)之比。峰組數(shù)n:表示有n種不等價質(zhì)子。例如:CH3CH2OH 有三組峰 峰面積之比為 3:2:1(1)等價質(zhì)子和不等價質(zhì)子等

7、性質(zhì)子:分子中具有相同的化學(xué)環(huán)境的質(zhì)子,其化學(xué)位移值相同。不等性質(zhì)子:分子中處于不同化學(xué)環(huán)境的質(zhì)子,其化學(xué)位移值不同。判斷方法:將兩質(zhì)子分別用一試驗基團取代,如兩個質(zhì)子被取代后得到同一結(jié)構(gòu),則為等價的。 自旋自旋偶合裂分eg. 丙烷和2-溴丙烯若取代后得到兩個對映體,則在非手性溶劑中為等價的,在手性溶劑中為不等價的。注:化學(xué)等價的質(zhì)子具有相同的化學(xué)位移;具有相同化學(xué)位移的質(zhì)子 未必化學(xué)等價。Ha、Hb不是等性質(zhì)子Ha、Hb是等性質(zhì)子兩個相鄰質(zhì)子的自旋偶合自旋偶合:指自旋核受鄰近自旋核所產(chǎn)生的感應(yīng)磁場影響的現(xiàn)象。 自旋裂分:指自旋偶合引起的譜線增多的現(xiàn)象。例如Ha和Hb是不等性質(zhì)子,Ha受Hb的

8、影響分裂為兩重峰,同樣Hb受Ha的影響,分裂為兩重峰。先以Ha為例進行討論。Hb自旋的磁矩有兩種取向,其相應(yīng)的感應(yīng)誘導(dǎo)磁場(H)分別為場和場, 場與外磁場方向相同, 場方向與外磁場方向相反,這兩種誘導(dǎo)磁場是臨近的Ha在兩種中發(fā)生共振。如圖同一分子中Ha、Hb的感應(yīng)磁場只有一種取向,要么是場,要么是場。根據(jù)Boltzman分布規(guī)則,大量分子中有半數(shù)分子的Hb自旋態(tài)為態(tài),另半數(shù)為態(tài)。在圖(a)中,Ha 真正感受到的磁場強度是H外1和場的合磁場,即Ha在外磁場H外1扣除場后等于H固時就發(fā)生共振。同理(b)圖中Ha在外磁場H外2加上場等于H固時就發(fā)生共振。這樣所有Ha中有半數(shù)在外磁場等于H外1時發(fā)生共

9、振,半數(shù)在外磁場等于H外2時,發(fā)生共振。 這樣一個吸收信號就分裂為兩個信號了。鄰位上多個質(zhì)子偶合裂分及N+1規(guī)律如果鄰位上有多個質(zhì)子,那么原有的一個吸收峰就要分裂成多個吸收峰了。一個信號的分裂情況與鄰近碳原子上的質(zhì)子數(shù)目有關(guān)。如果鄰位碳原子上N個質(zhì)子,那么分裂后的峰數(shù)是N+1,這就是N+1規(guī)律。且分裂峰的相對強度之比為二項式(a+b)N的展開項系數(shù)之比。2.偶合常數(shù) 自旋裂分譜線之間的距離稱為偶合常數(shù)。一般用J表示,單位Hz。J=S0(0為儀器固有頻率, S為兩條譜線化學(xué)位移差值)。常見有鄰碳偶合、同碳偶合和遠程偶合。 兩個自旋核相距越遠,偶合常數(shù)越小,超過三個碳就可忽略不計。習(xí)題指出下列H的

10、裂分峰數(shù)普圖解析第一步,根據(jù)分子簡式計算不飽和度。第二步,確定普圖中各峰的化學(xué)位移和裂分情況。注意要排除一切干擾因素,如溶劑峰等。第三步,判斷各個質(zhì)子所處的化學(xué)環(huán)境,推出一系列分子碎片。最后將分子碎片連成完整的分子。判斷不飽和度例如:確定化學(xué)位移烷烴上的H的化學(xué)位移 1.0H的化學(xué)位移三級二級一級和鹵原子同碳的H,化學(xué)位移向低場移動約23。和鹵原子處于鄰碳的H,化學(xué)位移向低場移動0.5。烯烴上H的化學(xué)位移=45,當(dāng)烯烴上連有吸電子基時,其化學(xué)位移增加12。炔烴上的H的化學(xué)位移=23。質(zhì)子類型化學(xué)位移質(zhì)子類型化學(xué)位移RCH30.9ArH78R2CH21.25ROH5R3CH1.5OCH33.8RCH2Cl3.4COCH32.3RCH=CH24.05.0ArCH32.3RCH2C-X1.7=C-CH31.8COOH11(RO)2CH25.3CHO9.7ArOH7CHCl25.8RNH215例題解:計算不飽和度=0,這是一個飽和氯代烴。有三組峰,說明每個碳原子上都有H,化學(xué)位移=0.9,一般是甲基,裂分為三重峰,說明鄰位有兩個H。=1.8,為六重峰,說明鄰位有五個H原子且鄰位碳上連有一吸電子基。=3.4,則這個碳原

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網(wǎng)僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論