各國在半導體業(yè)發(fā)展中政策與啟示

1、各國在半導體業(yè)發(fā)展中的政策與啟迪半導體家產(chǎn)作為尖端技術(shù)及高附漲價值家產(chǎn)對其余家產(chǎn)的影響極大，是在整個公民經(jīng)濟中擁有巨大戰(zhàn)略意義的要點性技術(shù)家產(chǎn)，所以世界各國政府都將其視為國家的骨干家產(chǎn)。一國想走在世界經(jīng)濟的前列或是為了捍衛(wèi)國家安全,都一定要進入這個耗費巨大而又發(fā)展極為快速的技術(shù)領(lǐng)域。在此中，政府干涉的影子在世界各國的半導體家產(chǎn)發(fā)展中隨地可見。不論是半導體產(chǎn)品的研究開發(fā)、生產(chǎn)制造，或是與他國半導體產(chǎn)品的貿(mào)易，政府對半導體家產(chǎn)都擁有深遠的影響。各發(fā)達國家的家產(chǎn)政策比較1.美國美國是半導體技術(shù)的起源地.半導體發(fā)展的原始目的主要在于支持國防業(yè)和宇航業(yè)，確保美國國防部能獲取最初進的武器系統(tǒng)和宇航局擁有最

2、精細的操作控制設(shè)施。因為這兩個行業(yè)是半導體產(chǎn)品的主要需求者，從而決定了半導體行業(yè)發(fā)展的最初方向和性質(zhì)。事實表示，美國國防部的采買對美國半導體業(yè)的初期發(fā)展擁有決定性的影響，為以后來長久處于世界當先地位確立了堅固基礎(chǔ)。但20世紀80年月美國作為半導體的主要生產(chǎn)商在全世界的位次大幅度降落，這樣的衰敗被很多美國人以為是對國家軍事安全和經(jīng)濟的嚴重威迫，許多人將其歸罪于美國政府微電子家產(chǎn)的政策方向。為了應(yīng)付這類狀況，除美國政府持續(xù)以巨大的國防支出來資助半導體業(yè)的研發(fā)外，1987年美國半導體協(xié)會建立。美國政府亦在貿(mào)易領(lǐng)域出臺了一系列政策以支持其半導體家產(chǎn)的發(fā)展，如1986年美國政府與日本簽訂了半導體協(xié)議，原

3、由是美國聲稱日本生產(chǎn)商以超廉價錢向美國暢銷芯片并限制美商進入日本國內(nèi)市場。兩方最初簽訂的條約于1991年到期后，美國政府又就該協(xié)議在下個五年中的實行問題與日本政府協(xié)商。而此次談判的要點則是要求日本市場對美國半導體生產(chǎn)商敞開大門。但是一定指出的是美國政府因從國防安全角度出發(fā)向來嚴格控制其尖端核心半導體設(shè)施的出口。但是跟著時代的發(fā)展，半導體技術(shù)的寬泛浸透性所造成的日趨擴大的國際市場不是由哪幾家公司或哪幾個國家能夠所有壟斷的。美國政府較為嚴格的出口限制必然影響到美國半導體生產(chǎn)商在國際市場上的競爭力。2.日本在日本，半導體家產(chǎn)政策的重心是半導體在工業(yè)和花費領(lǐng)域中的應(yīng)用。在日本半導體業(yè)發(fā)展中，為全面扭轉(zhuǎn)

4、最初其技術(shù)依賴于歐美的弱勢地位,日本的MITI發(fā)揮了強盛的指引作用，為日本半導體公司的有序競爭建立了有效框架。剖析其政策沿革，演變過程大概上經(jīng)歷了以下幾個階段。是電子工業(yè)復(fù)興暫時舉措法（簡稱電振法）于1957年擬訂。其公布實行有效地促進了日本公司在學習美國先進技術(shù)的基礎(chǔ)上，踴躍發(fā)展本國的半導體家產(chǎn)。二是特定電子工業(yè)及特定機械工業(yè)復(fù)興暫時舉措法于1971年擬訂。該法進一步秉著了電振法的主旨，增強了發(fā)展以半導體為代表的電子家產(chǎn)的力度。該法的實行成功地幫助日本公司經(jīng)過增強自己研發(fā)、生產(chǎn)能力，有效地抵抗了歐美半導體廠商的沖擊，從而使日本半導體系品不停走向世界。三是特定機械情報家產(chǎn)振興暫時舉措法在197

5、8年擬訂（于1985年無效）。該法進一步增強了以半導體為核心的信息家產(chǎn)的發(fā)展。上述三部專業(yè)法例在整體上增強了日本公司的競爭力。今后日本沒有公布針對以半導體為基礎(chǔ)的電子、信息家產(chǎn)的特意法例，而是改為經(jīng)過綜合性法例在整體上推進包含半導體在內(nèi)的高新技術(shù)的發(fā)展，此中較為重要的是于1995年出臺的科學技術(shù)基本法。MITI還經(jīng)過限制外商在日本半導體家產(chǎn)的投資和要求經(jīng)過直接購置方式來獲取技術(shù)從而防止了日本在技術(shù)上遇到他國的控制和支配。直到20世紀70年月末，日本政府向來推行著嚴苛的產(chǎn)業(yè)保護政策，包含進行嚴格的入口管束。關(guān)于外國公司在半導體領(lǐng)域的對日投資，日本政府也向來采納嚴格的審批制度，并附以嚴禁建立獨資公

6、司、外國公司的所有專利技術(shù)需向合資公司公然等苛刻條件，而這些舉措直到1975年才被放寬。以后，日本政府的政策略微有所放松，但日本在微電子競爭中拔得頭籌的壯心壯志絲毫沒有減弱。特別顯然的一個例子就是由MITI建議的大規(guī)模綜合項目VLSI的實行。這個由日本政府出資40%的項目使日本五大部分導體公司在一同經(jīng)過合作共同研發(fā)更復(fù)雜先進的新一代技術(shù)產(chǎn)品。此外,日本外貿(mào)組織JETO經(jīng)過其在全世界55個以上國家所設(shè)有的分支機構(gòu)為日本半導體生產(chǎn)商供應(yīng)有關(guān)行業(yè)的最新資訊，有力的促進了科技信息的交流與流傳。同時在融資上，日本政府主要利用國家開發(fā)銀行為半導體公司供應(yīng)低利貸款，使公司借貸利率靠近于-文章根源網(wǎng)絡(luò)零，這與

7、美國同時期市場利率4%-5%對比較，堪稱是擁有極大優(yōu)勢。3.韓國韓國對比美、日，韓國政府對半導體家產(chǎn)的參加力度仿佛更大了一些。韓國政府經(jīng)過多種渠道去培育和促進韓國大公司進入半導體領(lǐng)域。1976年政府建立了韓國電子技術(shù)學院（KIET），其主要職責是“計劃與協(xié)調(diào)半導體R&D、入口、汲取和流傳外國技術(shù)，為韓國公司供應(yīng)技術(shù)支持，進行市場調(diào)研”。1982年，“長久半導體家產(chǎn)促進計劃”宣布啟動，韓國政府為四大主要半導體公司供應(yīng)了大批的財政、稅收優(yōu)惠。1986年，韓國政府制定了半導體信息技術(shù)開發(fā)方向的投資計劃，每年向半導體家產(chǎn)投資近億美元。“政策經(jīng)濟”的結(jié)果是韓國半導體市場的發(fā)展相當令人激勵。在歐、美地域雙

8、雙衰敗的狀況下，韓國半導體家產(chǎn)2002年產(chǎn)值反而從95.8億美元增至112億美元，同比增加了17。盡人皆知，韓國半導體家產(chǎn)高度集中于記憶體領(lǐng)域，因為經(jīng)營記憶體的財團背后有著政府力量的強力支撐，所以固然當前市場在供應(yīng)剩余的壓力下收益已漸趨稀疏，但三星、南亞科技等韓國公司依靠其規(guī)模效益，仍成為全世界少量贏利的記憶體廠商。4.歐洲歐洲繼美國和亞洲以后，第三大部分導體生產(chǎn)基地當數(shù)歐洲。西歐的半導體家產(chǎn)政策的演變可大概分為三個階段：第一階段是1965年前，除政府對與國防有關(guān)的R&D進行投資和在政府采買中傾向于本國生產(chǎn)商外，基本上不存在政府對半導體業(yè)發(fā)展的干涉行為；第二階段，1965年至1975年，歐洲政

9、府特別重視計算機行業(yè)，對半導體的科研賜予了一些激勵舉措，但政府的參加仍有相當?shù)南拗菩裕坏谌A段，自1975年以后，歐洲各國政府漸漸加大了對半導體家產(chǎn)的支持力度，政策重心更集中于信息技術(shù)包含微電子方面。進入80年月后，歐洲各國政府踴躍推進半導體家產(chǎn)要點公司的合作與發(fā)展，比如ESPRIT和JESSI項目。此中,后者耗費4億美元，主要致力于開發(fā)先進的微芯片技術(shù)。別的,西歐各國政府還結(jié)合向非歐洲的半導體系造商施壓，要求他們不可以只是是在歐洲進行加工組裝業(yè)務(wù)，而是更多的建立設(shè)計與技術(shù)部門。其目標則是希望經(jīng)過一系列措施，能加快歐洲半導體的技術(shù)創(chuàng)新，鼓舞歐洲內(nèi)部各國半導體公司間的交流與聯(lián)系，從而在必定程度上保護歐洲本地的半導體核心技術(shù)以及生產(chǎn)競爭力。歐盟委員會也進一步增強了保護其半導體工業(yè)的力度。1990年歐盟與日本政府簽訂了一個自-文章根源網(wǎng)絡(luò)愿協(xié)議，規(guī)定了日本生產(chǎn)的標準儲存器片在歐洲共同市場上的最低售價。別的，歐盟委員會還向韓國半導體商采納了反暢銷舉措。原由是韓國暢銷的芯片價錢大大低于歐盟的可接受價錢。1997年，最低售價又被再次強加到日本和韓國的14個半導體芯片制造商身上。2003年歐盟在判斷韓國政府不公正地向芯片廠商現(xiàn)代半導體公司提供補助后隨即決定向現(xiàn)代半導體公司的內(nèi)存芯片征收34.8%的入口關(guān)稅。對我國的啟迪與我國的對策舉措從上文