模擬電子技術基礎試卷及答案期末

1、-. z.模擬電子技術根底試卷及參考答案試卷三本科及其參考答案試卷三一、選擇題這是四選一的選擇題，選擇一個正確的答案填在括號內共16分1有兩個增益一樣，輸入電阻和輸出電阻不同的放大電路A和B，對同一個具有內阻的信號源電壓進展放大。在負載開路的條件下，測得A放大器的輸出電壓小，這說明A的a. 輸入電阻大 b. 輸入電阻小 c. 輸出電阻大 d. 輸出電阻小2共模抑制比KCMR越大，說明電路。a. 放大倍數(shù)越穩(wěn)定 b. 交流放大倍數(shù)越大c. 抑制溫漂能力越強 d. 輸入信號中的差模成分越大3多級放大電路與組成它的各個單級放大電路相比，其通頻帶。a. 變寬 b. 變窄 c. 不變 d. 與各單級放大

2、電路無關4一個放大電路的對數(shù)幅頻特性如圖1-4所示。當信號頻率恰好為上限頻率或下限頻率時，實際的電壓增益為。a. 43dB b. 40dB c. 37dB d. 3dB圖1-4 圖1-55LC正弦波振蕩電路如圖1-5所示，該電路。a. 滿足振蕩條件，能產生正弦波振蕩b. 由于無選頻網(wǎng)絡，不能產生正弦波振蕩c. 由于不滿足相位平衡條件，不能產生正弦波振蕩d. 由于放大器不能正常工作，不能產生正弦波振蕩6雙端輸入、雙端輸出差分放大電路如圖1-6所示。靜態(tài)時，Vo=Vc1Vc，設差模電壓增益，共模電壓增益，則輸出電壓為。a. 125mV b. 1000 mV c. 250 mV d. 500 mV圖

3、1-6 圖1-77對于圖1-7所示的復合管，假設和分別表示T1、T2單管工作時的穿透電流，則復合管的穿透電流為。a. b. c. d. 8*儀表放大電路，要求Ri大，輸出電流穩(wěn)定，應選。a. 電流串聯(lián)負反應 b. 電壓并聯(lián)負反應c. 電流并聯(lián)負反應 d. 電壓串聯(lián)負反應二、判斷以下管子的工作狀態(tài)共10分1測得各三極管靜態(tài)時三個電極對地的電位如圖2-1 a、b、c所示，試判斷它們分別工作在什么狀態(tài)飽和、放大、載止、倒置。設所有的三極管和二極管均為硅管。圖2-12電路如圖2-2 a、b所示，分別指出它們工作在以下三個區(qū)中的哪一個區(qū)飽和區(qū)、夾斷區(qū)、可變電阻區(qū)。圖2-2三、兩級放大電路如圖3所示，三極

4、管的，各電容的數(shù)值都足夠大，在中頻區(qū)可視為短路。共15分1試說明T1和T2各組成什么電路組態(tài)？2畫出中頻區(qū)的h參數(shù)小信號等效電路；3計算放大器的輸入電阻Ri和輸出電阻Ro;4計算中頻區(qū)源電壓增益。圖3四、電路如圖4所示，設所有運放為理想器件。共15分1試求Vo1= Vo2= Vo3=2.設電容器的初始電壓為2V，極性如下圖，求使V04=6V所需的時間t=圖4五、一正弦波振蕩電路如圖5所示。問共12分1a、b兩輸入端中哪個是同相端，哪個是反相端？請在圖中運放A處標出；2該電路的振蕩頻率是多少？3Rt應具有正溫度系數(shù)還負溫度系數(shù)？4在理想情況下的最大輸出功率Pom=圖5六、多級放大電路如圖6所示。

5、共12分1用瞬時變化極性法判別T1和T2的兩個基極b1和b2中哪個是同相輸入端，哪個是反相輸入端，分別標以+和；2為了降低電路的輸出電阻，應如何連接反應電阻Rf,試在圖上畫出連線，并說明是哪種反應極性和組態(tài)；3在滿足深度負反應條件下，試寫出閉環(huán)電壓增益的近似表達式。圖6七、電路如圖7所示，A1、和A2均為理想器件，Vz =5V。共10分1試畫出的波形注意相位關系；2求出的幅值；3求出的周期。圖7八、電路如圖8所示，T1和T2的VBE=0.7V，C1的放電時間常數(shù)大于35，Vi=25V。試估算變壓器副邊電壓的有效值V2、直流輸出電壓VO和負載最大電流IOm的值。共10分圖8試卷三參考答案一、1b

6、 2.c 3.b 4.c 5.d 6.d 7.d 8.a二、1T1截止，T2倒置，T3飽和 2T4工作在飽和區(qū)放大區(qū)，T5工作在可變電阻區(qū)三、1T1組成共射電路，T2組成共集電路 2略 3 4四、12t = 2 s五、1a為反相端，b為同相端 2 3R4應有正溫度系數(shù) 4六、1b1為反相輸入端，b2為同相輸入端 2電壓并聯(lián)負反應，Rf接在e4和b1間 3由，即得七、1為方波，為三角波為高電平時，由正向負方向變；反之，由負向正方向變 2、的幅值都為5V 3的周期T=0.2ms八、Vi/V2=1.1,V2=22.7V;由Vz=3V,得Vo=12V;Iom=VBE/R=(0.7/2)A=0.35A=

7、350mA模擬電子技術根底試卷及參考答案試卷二(本科)及其參考答案試卷二一、選擇題這是四選一選擇題，選擇一個正確的答案填在括號內共22分1*放大電路在負載開路時的輸出電壓4V，接入的負載電阻后，輸出電壓降為3V，這說明放大電路的輸出電阻為a. 10 b. 2 c. 4 d. 32*共射放大電路如圖1-2所示，其中，假設IC=1mA,VCE=7V，VBE=0.7V，rbe=1.6,，則說明a. b. c. d. 圖1-23為了使高內阻信號源與低阻負載能很好地配合，可以在信號源與低阻負載間接入。a. 共射電路 b. 共基電路c. 共集電路 d. 共集-共基串聯(lián)電路4. 在考慮放大電路的頻率失真時，

8、假設為正弦波，則a. 有可能產生相位失真 b. 有可能產生幅度失真和相位失真c. 一定會產生非線性失真 d. 不會產生線性失真5. 工作在電壓比擬器中的運放與工作在運算電路中的運放的主要區(qū)別是，前者的運放通常工作在。a. 開環(huán)或正反應狀態(tài) b. 深度負反應狀態(tài)c. 放大狀態(tài) d. 線性工作狀態(tài)6. 多級負反應放大電路在情況下容易引起自激。a. 回路增益大 b. 反應系數(shù)太小c. 閉環(huán)放大倍數(shù)很大 d. 放大器的級數(shù)少7. *電路有用信號頻率為2kHz，可選用。a. 低通濾波器 b. 高通濾波器c. 帶通濾波器 d. 帶阻濾波器8. *傳感器產生的是電壓信號幾乎不能提供電流，經(jīng)過放大后希望輸出電

9、壓與信號成正比，這時放大電路應選。a. 電流串聯(lián)負反應 b. 電壓并聯(lián)負反應c. 電流并聯(lián)負反應 d. 電壓串聯(lián)負反應9. LC正弦波振蕩電路如圖1-9所示，該電路。a. 由于無選頻網(wǎng)絡不能產生正弦波振蕩b. 由于不滿足相位平衡條件，不能產生正弦波振蕩c. 滿足振蕩條件能產生正弦波振蕩d. 由于放大器不能正常工作，不能產生正弦波振蕩圖1-9 圖1-1010. 圖1-10所示電路出現(xiàn)故障，經(jīng)測量得知VE=0，VC=VCC，故障的可能原因為。a. Rc開路 b. Rc短路 c. Re短路 d. Rb1開路11. 與甲類功率放大方式比擬，乙類OCL互補對稱功率放大方式的主要優(yōu)點是。a. 不用輸出變壓

10、器 b. 不用輸出端大電容c. 效率高 d. 無交越失真二、兩級阻容耦合放大電路如圖2所示。T1的gm=1ms，rds=200;T2的，rbe=1。共16分1. 畫出中頻區(qū)的小信號等效電路；2. 求放大電路的中頻電壓增益；3. 求放大電路的輸入電阻Ri和輸出電阻Ro。圖2 圖3三、在圖3所示電路中，靜態(tài)時Vo為零。三極管為硅管，VBE=0.7V，。(共12分)1. 試計算Rc的值；2. 算出此時電路的電壓增益四、分析電路共18分1. 電路如圖4-1所示。(1) 采用o1輸出時，該電路屬于何種類型的反應放大電路？(2) 采用o2輸出時，該電路屬于何種類型的反應放大電路？(3) 假設為深度負反應，

11、求兩種情況下的電壓增益和。2. *放大電路如圖4-2所示。為了使Ro小，應引入什么樣的反應在圖畫出？假設要求所選的反應元件數(shù)值應為多大？圖4-1 圖4-2五、電路如圖5所示。設A1A4為理想運放，三極管T的VCES=0，ICEO=0。共14分1A1A4各組成什么電路？2設時，電容器上的初始電壓。求和時，A、B、C、D和E各點對地的電壓。圖5六、在圖6所示電路中，A1和A2均為理想運放，模擬乘法器的系數(shù)，為輸入端兩個對地電壓的差值，。試寫出輸出電壓的表達式。共8分圖6七、電路如圖7所示，試指出哪些地方存在錯誤或不合理之處。共10分圖a所示為10倍交流放大器，圖b所法為壓控電流源，圖c所示為100

12、倍直流放大器，圖d所示為帶整流濾波的并聯(lián)式穩(wěn)壓電路，圖e所示為串聯(lián)反應型穩(wěn)壓電路。圖7試卷二參考答案一、1. c 2. d 3. c 4. d 5. a 6. a 7. c 8. d 9. d 10. d 11. c二、1略 2. , 3. 三、1， 2第一級第二級四、1(1)電流串聯(lián)負反應電路 (2)電壓串聯(lián)負反應電路 (3)2為了使Ro小，應引入電壓并聯(lián)負反應；要使Rf連在運算放大器的反相輸入端和T1、T2的發(fā)射極之間。五、1A1組成減法運算電路，A2組成積分運算電路，A3組成反相器，A4組成電壓比擬器。2，有t/svA/VvB/VvC/VvD/VvE/V10.3336020.36669六

13、、七、圖a 同相端無直流偏置，需加接一電阻到地圖b RL與R的位置應互換圖c為正反應電路，應將同相端和反相端位置互換圖d C與DZ間應加限流電阻R圖e 基準電壓應從運放同相端輸入，取樣電壓應從運放反相端輸入試卷二系別*成績考試課程模擬電子技術根底考試日期 2002 年月日題號一二三四五六七八九總分分數(shù)得分核分人閱卷人1單項選擇題(在每一小題的四個備選答案中，選出一個正確的答案，并將其序號寫在題干后的( )內。每題2分，共20分)(1)雜質半導體中的少數(shù)載流子濃度取決于( )。 A摻雜濃度 B工藝 C.溫度 D晶體缺陷(2)硅穩(wěn)壓管在穩(wěn)壓電路中穩(wěn)壓時，工作于( )。-2V-2V-8V-2.2V(

14、3)測得一放大電路中的三極管各電極相對于地的電壓如圖1所示，ANPN型硅管 BNPN型鍺管 CPNP型鍺管 DPNP型硅管(4)溫度上升時，半導體三級管的( )。 A和ICBO增大，UBE下降 B和UBE增大，ICBO減小 C減小，ICBO和UBE增大 D、ICBO和UBE均增大(圖1)(5)在共射極、共基極、共集電極、共漏極四種根本放大電路中，與相位相反、AU1的只可能是( )。 A共集電極放大電路 B共基極放大電路 C共漏極放大電路 D共射極放大電路(6)在四種反應組態(tài)中，能夠使輸出電壓穩(wěn)定，并提高輸人電阻的負反應是( )。 A電壓并聯(lián)負反應 B電壓串聯(lián)負反應 C電流并聯(lián)負反應 D電流串聯(lián)

15、負反應(7)關于多級放大電路以下說法中錯誤的選項是( )。 AA等于各級電壓放大倍數(shù)之積 BR等于輸入級的輸入電阻 CR。等于輸出級的輸出電阻 D等于各級電壓放大倍數(shù)之和 8 用恒流源電路代替典型差動放大電路中的公共射極電阻RE，可以提高電路的( )。AA B A C D(9)電路如圖2所示，其中U20V，C100F。變壓器內阻及各二極管正向導通時的電壓降、反向電壓均可忽略，該電路的輸出電壓U( )。+u+u1TR+u2D1D4D3D2C+UoC28V D18V (圖2) (10)在以下四種比擬器中抗干擾能力強的是( )。 A遲滯比擬器 B零比擬器 C三態(tài)比擬器 D窗口比擬器2填充題(每格分，

16、共20分)(11)當放大電路輸入非正弦信號時，由于放大電路對不同頻率分量有不同的放大倍數(shù)而產生的輸出失真稱為失真，由于相位滯后與信號頻率不成正比而產生的輸出失真稱為失真，這兩種失真統(tǒng)稱為失真或失真。(12)半導體三極管屬控制器件，而場效應管屬于控制器件。(13)按構造不同，場效應管可分為型和型兩大類。(14)集成運放內部電路實際上是一個、放大電路。(15)直流穩(wěn)壓電源由、四個局部組成。(16)按幅頻特性不同，濾波器可分為濾波器、濾波器、濾波器、濾波器及濾波器等五種。 3分析計算題共60分17電路如圖所示RB150K, RB210K, RC6K, RE750,信號源內阻RS 5K,負載電阻RL1

17、0K,電源電壓VCC=12V,電容C1、C2的電容量均足夠大,晶體管的=99、rbe=1 K、U BE=0.7V。試求：a電壓放大倍數(shù)Au=UO/UI及Aus=UO/US;b輸入電阻Ri和輸出電阻RO。+VCC+VCCT1T2C+RL+ui+uo+us +=RSRCRB1RB2RLREC1 +=C2 +VCC+ui +=+uo +=T (圖3) (圖4)18電路如圖4所示。：VCC40V，RL8，輸入電壓ui=2010sintV,電容器C的電容量足夠大。試求uo、輸出功率PO、電源消耗功率PV及能量轉換效率。+R2R1R3R4R5R6A2A1A3A4ui1ui2uo2uo1uoab (圖5)2

18、0電路如下圖。：R1R2R3RW1 K，DZ提供的基準電壓UR6V，變壓器付邊電壓有效值U2為25V，C1000u F。試求UI、最大輸出電壓U0ma*及最小輸出電壓UOmin,并指出UO等于U0ma*或UOmin時，RW滑動端各應調在什么位置。+u1TR+u2D1D4D3D2 +C+U1TR3R1RWR2RL+Uo+URDZ + +A加26*放大電路中V的對數(shù)幅頻特性如圖3所示。1試求該電路的中頻電壓增益VM ，上限頻率fH，下限頻率fL；2當輸入信號的頻率f=fL或f=fH時，該電路實際的電壓增益是多少分貝？(5分) 20*放大電路電壓增益的頻率特性表達式為試中f的單位為HZ試求：該電路的

19、上、下限頻率，中頻電壓增益的分貝數(shù)，輸出電壓與輸入電壓在中頻區(qū)的相位差。4分試卷二答案1單項選擇題 (1)C (2)B (3)C (4)A (5)D (6)B (7)D (8)D (9)B (10)A 2填充題 (11)幅頻 相頻 頻率 線性 (12)電流 電壓 (13)結 絕緣柵 (14)高增益 直接耦合 多級 (15)變壓器 整流電路 濾波電路 穩(wěn)壓電路 (16)低通 高通 帶通 帶阻 全通 3分析計算題 (17) (a) (b) Ri=7.5 k RO=RC=6 k (18) (a) (b) 從T2的集電極輸出時 (19) V W W (20) (21) UI1.2U2=1.225=30

20、 VRW滑動端調至最下端時, 輸出電壓為RW滑動端調至最上端時, 輸出電壓為一、填空18分1二極管最主要的特性是單向導電性。2如果變壓器二次(即副邊)電壓的有效值為10V，橋式整流后(不濾波)的輸出電壓為9V，經(jīng)過電容濾波后為12V，二極管所承受的最大反向電壓為14V。3差分放大電路，假設兩個輸入信號uI1uI2，則輸出電壓，uO0；假設u I1=100V，u I 2=80V則差模輸入電壓uId=20V；共模輸入電壓uIc=90V。4在信號處理電路中，當有用信號頻率低于10 Hz時，可選用低通濾波器；有用信號頻率高于10 kHz時，可選用高通濾波器；希望抑制50 Hz的交流電源干擾時，可選用帶

21、阻濾波器；有用信號頻率為*一固定頻率，可選用帶通濾波器。5假設三級放大電路中Au1Au230dB，Au320dB，則其總電壓增益為80dB，折合為104倍。6乙類功率放大電路中，功放晶體管靜態(tài)電流ICQ0 、靜態(tài)時的電源功耗PDC=0 。這類功放的能量轉換效率在理想情況下，可到達78.5%，但這種功放有交越失真。7集成三端穩(wěn)壓器CW7915的輸出電壓為15 V。二、選擇正確答案填空20分0iD/mA0iD/mA-4 uGS/V5ANPN 型硅管 B.NPN 型鍺管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型鍺管2*場效應管的轉移特性如下圖，該管為 D 。AP溝道增強型MOS管 B、P溝道結型場效應管

22、C、N溝道增強型MOS管 D、N溝道耗盡型MOS管3通用型集成運放的輸入級采用差動放大電路，這是因為它的 C 。A輸入電阻高 B.輸出電阻低 C.共模抑制比大 D.電壓放大倍數(shù)大4.在圖示電路中,Ri為其輸入電阻，RS為常數(shù)，為使下限頻率fL降低，應 D 。V2V1減小C，減小Ri B. 減小CV2V1C. 增大C，減小 RiD. 增大C，增大 Ri5.如下圖復合管，V1的1 = 30，V2的2 =50，則復合后的約為 A 。A1500 B.80 C.50 D.306.RC橋式正弦波振蕩電路由兩局部電路組成,即RC串并聯(lián)選頻網(wǎng)絡和 D 。根本共射放大電路 B.根本共集放大電路 C.反相比例運算

23、電路 D.同相比例運算電路7.*電路輸入電壓和輸出電壓的波形如下圖,該電路可能是 A 。A.積分運算電路 B.微分運算電路 C.過零比擬器 D.滯回比擬器+uO_usRBRs+VCCVC+RCRiOtuItuo4題圖7題圖OO8與甲類功率放大方式相比，乙類互補對稱功放的主要優(yōu)點是( C )。a不用輸出變壓器 b不用輸出端大電容 c效率高 d無交越失真9穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓時，其工作在( C )，發(fā)光二極管發(fā)光時，其工作在( A )。a正向導通區(qū) b反向截止區(qū) c反向擊穿區(qū)三、放大電路如以下圖所示，：VCC12V，RS10k，RB1120k， RB239k，RC3.9k，RE2.1k，RL3.9k，rbb，電流放大系數(shù)50，電路中電容容量足夠大，要求：usRB1C2+RB2RS+VCC+RECERLVC1usRB1C2+RB2RS+VCC+RECERLVC1_+_RC2畫出放大電路的微變等效電路；3求電壓放大倍數(shù)Au，源電壓放大倍數(shù)Aus，輸入電阻Ri，輸出電阻Ro 。4去掉旁路電容CE，求電壓放大倍數(shù)Au，輸入電阻Ri。 (12分)解:(1) (3)(4)四、設圖中A為理想運放，請求出各電路的輸出電壓值。(12分)UUo3Uo1Uo220k10k2V(1)A+82V(2)10k20kA+82V1V(3)20k10 kA+8(4)2V3VUo