2022年模擬IC行業(yè)深度分析報(bào)告

2022年模擬IC行業(yè)深度分析報(bào)告目錄TOC\o"1-5"\h\z.模擬芯片：細(xì)分品類(lèi)多，周期性較弱 3\o"CurrentDocument"簡(jiǎn)介：模擬信號(hào)產(chǎn)生、放大及處理的核心器件 4信號(hào)鏈 5線(xiàn)性產(chǎn)品 7轉(zhuǎn)換器 8接口 10電源鏈 12DC/DC 14AC/DC 17電池管理 18驅(qū)動(dòng)芯片 20\o"CurrentDocument"四大特性梳理 22產(chǎn)品生命周期長(zhǎng) 22細(xì)分產(chǎn)品種類(lèi)多 23特色工藝壁壘高 24設(shè)計(jì)更依賴(lài)經(jīng)驗(yàn) 26\o"CurrentDocument"市場(chǎng)：周期性較弱，規(guī)模穩(wěn)增長(zhǎng) 27模擬芯片行業(yè)周期性相對(duì)較弱 27汽車(chē)和通信拉動(dòng)模擬芯片需求 27汽車(chē)模擬IC:受益新能源車(chē)快速滲透 28通信模擬IC:受益信息網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)建設(shè) 30\o"CurrentDocument"份額：格局較分散，國(guó)產(chǎn)化率低 33\o"CurrentDocument".復(fù)盤(pán)：研發(fā)、并購(gòu)及銷(xiāo)售是關(guān)鍵 35\o"CurrentDocument"德州儀器 35發(fā)展歷程：逐步聚焦模擬IC 35以史為鑒：充分受益研發(fā)、銷(xiāo)售及并購(gòu)能力 37發(fā)展歷程：產(chǎn)品結(jié)構(gòu)不斷調(diào)節(jié) 41以史為鑒：研發(fā)、銷(xiāo)售、并購(gòu)是公司持續(xù)發(fā)展核心 42\o"CurrentDocument"機(jī)遇：國(guó)內(nèi)模擬芯片行業(yè)蓄勢(shì)待發(fā) 42\o"CurrentDocument"國(guó)內(nèi)廠商能力提升 42國(guó)內(nèi)廠商產(chǎn)品品類(lèi)逐漸齊全 42技術(shù)參數(shù)對(duì)標(biāo)海外先進(jìn)水平 44Fabless模式亦具高成長(zhǎng)性 45\o"CurrentDocument"缺貨加速?lài)?guó)產(chǎn)替代 47才殳^^7乂...................................................................................48\o"CurrentDocument"風(fēng)險(xiǎn)提示 49圖1:模擬IC是連接現(xiàn)實(shí)世界和數(shù)字世界的橋梁圖2:2020年全球模擬芯片市場(chǎng)區(qū)域分布大陸占比高圖圖1:模擬IC是連接現(xiàn)實(shí)世界和數(shù)字世界的橋梁圖2:2020年全球模擬芯片市場(chǎng)區(qū)域分布大陸占比高圖3:模擬IC按照定制化程度劃分，專(zhuān)用芯片占比高數(shù)據(jù)來(lái)源：IDC,前瞻產(chǎn)業(yè)研究院，國(guó)泰君安證券研究模擬ASSP(非PowerIC)標(biāo)準(zhǔn)PowerIC模擬ASSP(PowerIC)放大器數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換轉(zhuǎn)接口比較器數(shù)據(jù)來(lái)源：國(guó)際電子商情，IDC,國(guó)泰君安證券研究.模擬芯片：細(xì)分品類(lèi)多，周期性較弱簡(jiǎn)介：模擬信號(hào)產(chǎn)生、放大及處理的核心器件集成電路可以簡(jiǎn)要分為數(shù)字IC和模擬IC兩大類(lèi)。模擬集成電路指由電阻、電容、晶體管等組成的用來(lái)處理連續(xù)函數(shù)形式模擬信號(hào)的集成電路.現(xiàn)實(shí)世界中的聲音、光線(xiàn)、溫度、壓力等信息通過(guò)傳感器處理后形成的電信號(hào)就是模擬信號(hào)，其幅度隨時(shí)間連續(xù)變化。模擬芯片種類(lèi)繁多，在當(dāng)前的電子產(chǎn)品中幾乎都有其身影，被廣泛應(yīng)用在消費(fèi)電子、汽車(chē)、工業(yè)、5G等領(lǐng)域.與模擬芯片相對(duì)應(yīng)的是數(shù)字集成電路,后者主要對(duì)離散的數(shù)字信號(hào)(0和1)進(jìn)行存儲(chǔ)和邏輯運(yùn)算.DigitalWorldjIOIOIOOIC.111010010101110100101010011(1011000011001001010101001010CL0100101001011010101010010數(shù)據(jù)來(lái)源：ADICompanyPresentation,March2021500億美金以上規(guī)模，大陸需求占比高.根據(jù)中商情報(bào)網(wǎng)、ICInsights數(shù)據(jù)，2020年全球集成電路市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到3482億美元，其中模擬IC市場(chǎng)規(guī)模約570億美元，占據(jù)16%的份額.從區(qū)域分布情況看，中國(guó)大陸是最大的模擬芯片市場(chǎng)，2020年約為全球的36%,市場(chǎng)有近205億美元的規(guī)模.按照定制化程度劃分，模擬芯片可以分為專(zhuān)用型芯片（ASSP浜通用型芯片.據(jù)IDC數(shù)據(jù)，專(zhuān)用型芯片占據(jù)模擬芯片市場(chǎng)5成左右。顧名思義，專(zhuān)用型芯片的定制化程度更高，需要根據(jù)客戶(hù)需求和特定電子系統(tǒng)對(duì)產(chǎn)品的參數(shù)、性能、尺寸進(jìn)行特殊設(shè)計(jì)，相比于通用型模擬IC具有設(shè)計(jì)壁壘較高、毛利率也更佳的特點(diǎn).對(duì)于專(zhuān)用型模擬芯片的劃分通常依據(jù)其下游應(yīng)用領(lǐng)域，包含通信、消費(fèi)電子、汽車(chē)、工業(yè)等，其中每個(gè)領(lǐng)域又可進(jìn)一步細(xì)化為線(xiàn)性產(chǎn)品、電源管理產(chǎn)品、接口產(chǎn)品等，以射頻前端模塊為代表的射頻器件就屬于典型的專(zhuān)用型模擬IC,占到專(zhuān)用芯片比重高。通用型芯片則屬于標(biāo)準(zhǔn)化產(chǎn)品，適用于各種各樣的電子系統(tǒng)，生命周期更長(zhǎng)。設(shè)計(jì)壁壘相比于專(zhuān)用型芯片較低，但產(chǎn)品細(xì)分品類(lèi)多、不同廠家間的可替代性強(qiáng)、客戶(hù)相對(duì)分散。圖4:模擬IC在集成電路中占據(jù)16%的價(jià)值量（2020年數(shù)據(jù)）數(shù)據(jù)來(lái)源：中商情報(bào)網(wǎng)，ICInsights,國(guó)奏君安證券研究從應(yīng)用角度看，模擬芯片也可分為信號(hào)鏈路和電源管理兩大類(lèi).其中電源管理芯片市場(chǎng)規(guī)模大于通用信號(hào)鏈路芯片.信號(hào)鏈信號(hào)鏈:信號(hào)鏈路是指一個(gè)系統(tǒng)中信號(hào)從輸入到榆出的路徑，主要針對(duì)模擬信號(hào)完成收發(fā)、轉(zhuǎn)換、放大、過(guò)濾等功能.信號(hào)鏈模擬芯片主要包括：線(xiàn)性產(chǎn)品、轉(zhuǎn)換器、接口、隔離器、RF與微波等.一條完整的信號(hào)鏈?zhǔn)侵笇⒆匀唤绲穆?、光、電等連續(xù)信息通過(guò)采集（傳感器）、處理（放大、縮小、濾波）、模擬/數(shù)字轉(zhuǎn)換（ADC）轉(zhuǎn)變?yōu)閿?shù)字信號(hào)，經(jīng)過(guò)系統(tǒng)處理（微處理器）后再轉(zhuǎn)換為模擬信號(hào)（DAC）輸出的整個(gè)過(guò)程.圖5:圖5:模擬芯片主要分為電源和信號(hào)鏈圖6:模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)的工作原理120-10080604020muni2016 2017120-10080604020muni2016 2017 2018 2019 2020E2021E2022E2023E?放大器和比較器■轉(zhuǎn)換器產(chǎn)品■■接口產(chǎn)品 同比（％,右軸）數(shù)據(jù)來(lái)源：Javatpoint數(shù)據(jù)來(lái)源：Javatpoint表1：部分信號(hào)鏈芯片類(lèi)別及用途類(lèi)別用途運(yùn)算放大器信號(hào)放大是最常見(jiàn)功能，通過(guò)運(yùn)算放大器連接專(zhuān)用放大電路實(shí)現(xiàn)高邊電流檢測(cè)放大器專(zhuān)用于將高邊電流轉(zhuǎn)換成電壓信號(hào)并放大的專(zhuān)用放大器線(xiàn)性產(chǎn)品濾波器按頻率特性對(duì)信號(hào)進(jìn)行過(guò)濾，并保留所需部分模擬開(kāi)關(guān)通過(guò)控制打開(kāi)或關(guān)閉來(lái)選擇信號(hào)接通與否，或從多個(gè)信號(hào)中選擇需要的信號(hào)比較器比較兩個(gè)輸入信號(hào)之間的大小輸出0或1的結(jié)果轉(zhuǎn)換器數(shù)模轉(zhuǎn)換器DAC把模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào)模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADC把數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)換成模擬信號(hào)RS232接口用于電子系統(tǒng)間的數(shù)字信號(hào)傳輸，RS232標(biāo)準(zhǔn)是常用的串行通信接口接口產(chǎn)品RS485RS485接口標(biāo)準(zhǔn)適合多節(jié)點(diǎn)網(wǎng)絡(luò)通信，在工控和通信系統(tǒng)中應(yīng)用廣泛LVDSLVDS接口以其速度快為特點(diǎn)，常用于短距離、數(shù)據(jù)量大、速度要求高的工業(yè)、電力和通信設(shè)備中RF與微波適用于信號(hào)收發(fā)類(lèi)電路，應(yīng)用于信息通信場(chǎng)景數(shù)據(jù)來(lái)源：思瑞浦招股說(shuō)明書(shū)、艾為電子招股說(shuō)明書(shū)，國(guó)泰君安證券研究圖8:各類(lèi)信號(hào)鏈產(chǎn)品中，轉(zhuǎn)化器產(chǎn)品增速快圖圖8:各類(lèi)信號(hào)鏈產(chǎn)品中，轉(zhuǎn)化器產(chǎn)品增速快線(xiàn)性產(chǎn)品規(guī)模大，轉(zhuǎn)換器產(chǎn)品增速快.從信號(hào)鏈芯片細(xì)分產(chǎn)品來(lái)看,2019年放大器和比較器占據(jù)最大份額39%,市場(chǎng)空間約為37億美金，此前增速也快于轉(zhuǎn)換器、接口兩大類(lèi)產(chǎn)品（市場(chǎng)空間分別約為36和25億美金）。但I(xiàn)CInsights預(yù)測(cè)在2021-2023年間，轉(zhuǎn)化器產(chǎn)品的年均復(fù)合增速接近9%,遠(yuǎn)高于放大器和比較器約5%的提升速度，預(yù)計(jì)到2023年轉(zhuǎn)換器產(chǎn)品將占據(jù)信號(hào)鏈細(xì)分市場(chǎng)約41%,取代放大器和比較器成為最大份額產(chǎn)品。線(xiàn)性產(chǎn)品運(yùn)算放大器是線(xiàn)性產(chǎn)品的基本構(gòu)建模塊之一.運(yùn)放在其信號(hào)處理范圍內(nèi),通?？梢哉J(rèn)為是線(xiàn)性器件，即增益不隨信號(hào)的幅度變化而變化.運(yùn)放可以結(jié)合外部電路器件實(shí)現(xiàn)信號(hào)的放大、求和、微分以及積分等數(shù)學(xué)運(yùn)算。若再搭配晶體管等有源器件，可被設(shè)計(jì)成數(shù)模轉(zhuǎn)換器、模數(shù)轉(zhuǎn)換器、調(diào)制器、開(kāi)關(guān)電容濾波器等多種核心信號(hào)鏈模塊。表2:模擬芯片工藝對(duì)比，針對(duì)不同需求選用不同工藝工藝優(yōu)點(diǎn)缺點(diǎn)用途Bipolar功率大、頻率高、驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)集成度低、無(wú)法滿(mǎn)足LED驅(qū)動(dòng)控制等芯片的應(yīng)用需求RF、電源管理、高精度、高壓領(lǐng)域CMOS集成度高、噪聲低、功耗低、抗干擾能力強(qiáng)驅(qū)動(dòng)性能差、頻率低CPU、MCU、低功耗模擬IC、低電流運(yùn)放等BiCMOS驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng),功耗較低、集成度較高高成本RF電路、LED控制驅(qū)動(dòng)、A/D.D/A.RF混合信號(hào)IC燈數(shù)據(jù)來(lái)源：《高增益低失調(diào)軌對(duì)軌運(yùn)算放大器的研究與設(shè)計(jì)?,思瑞浦招股說(shuō)明書(shū)、國(guó)泰君安證券研究根據(jù)《高增益低失調(diào)就對(duì)軌運(yùn)算放大器的研究與設(shè)計(jì)》，運(yùn)放可根據(jù)其制造工藝、輸入輸出信號(hào)類(lèi)型以及性能指標(biāo)等多個(gè)方面進(jìn)行分類(lèi)。根據(jù)制造工藝的不同，運(yùn)放可以分為CMOS運(yùn)放、BJT運(yùn)放以及BiCMOS運(yùn)放；根據(jù)性能指標(biāo)的不同側(cè)重，運(yùn)放可以被劃分為低功耗運(yùn)放、高增益運(yùn)放、高速運(yùn)放以及精密運(yùn)放等，從而滿(mǎn)足不同場(chǎng)合的應(yīng)用要求；根據(jù)輸入輸出信號(hào)的類(lèi)型，運(yùn)放可被劃分為運(yùn)算放大器、跨導(dǎo)運(yùn)放、電流運(yùn)放等.圖9:放大器在信號(hào)鏈中的功能十分重要圖10:基本差分運(yùn)放電路原理ctsnxanmrxMiRADc圖9:放大器在信號(hào)鏈中的功能十分重要圖10:基本差分運(yùn)放電路原理ctsnxanmrxMiRADc■A.W19SMUB數(shù)據(jù)來(lái)源：NationalInstruments數(shù)據(jù)來(lái)源：NationalInstruments轉(zhuǎn)換器轉(zhuǎn)換器主要包括ADC（模數(shù)轉(zhuǎn)換）和DAC（數(shù)模轉(zhuǎn)換）.轉(zhuǎn)換器作為連接模擬世界和數(shù)字信號(hào)處理的橋梁，在信號(hào)鏈中有著十分重要的地位。按照功能劃分，轉(zhuǎn)換器主要分為ADC和DAC兩種，其中ADC應(yīng)用場(chǎng)景更加廣泛。根據(jù)工業(yè)電子市場(chǎng)網(wǎng)報(bào)道，目前海外廠商（如ADI、TLMAXIM.MICROCHIP）占據(jù)ADC/DAC全球主要市場(chǎng)份額，ADI市占率約為58%,TI占比約為25%,MAXIM占7%,MICROCHIP占3%,基本沒(méi)有國(guó)內(nèi)企業(yè)的身影。此外，市場(chǎng)對(duì)高速ADC、DAC的需求快速增長(zhǎng)，2018年，僅占6%出貨量的高速數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器，創(chuàng)造了近50%的銷(xiāo)售額.圖11:圖11:數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器在信號(hào)鏈路中的角色重要圖12:ADC/DAC市場(chǎng)份額占比中，ADI占比高OTHERSMICROCHIP7%ADIOTHERSMICROCHIP7%ADI58%數(shù)據(jù)來(lái)源：《高速高精度數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器關(guān)鍵技術(shù)研究》 數(shù)據(jù)來(lái)源：工業(yè)電子市場(chǎng)網(wǎng)，國(guó)泰君安證券研究ADC產(chǎn)品應(yīng)用十分廣泛.ADC是物理與數(shù)字世界的重要媒介，被廣泛應(yīng)用于航天航空、通信、測(cè)量、醫(yī)療、消費(fèi)電子、汽車(chē)電子等領(lǐng)域，其性能對(duì)整個(gè)系統(tǒng)影響顯著。例如在無(wú)線(xiàn)通信系統(tǒng)的接收機(jī)鏈路中，ADC將經(jīng)降頻以及濾波處理后的基帶、中頻等信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字電路可識(shí)別、處理的編碼信號(hào).根據(jù)《高增益低失調(diào)軌對(duì)軌運(yùn)算放大器的研究與設(shè)計(jì)》，其工作流程主要包括模擬輸入、抗混疊濾波、采樣/保持以及量化/編碼四個(gè)步驟，采樣過(guò)程是連續(xù)信號(hào)變成離散時(shí)間信號(hào)，量化過(guò)程將連續(xù)幅值轉(zhuǎn)化為離散幅值，最后通過(guò)編碼步驟，將量化電平變?yōu)檫壿嫶a。速度、精度、功耗是ADC性能最直觀的體現(xiàn).在實(shí)際芯片設(shè)計(jì)中，這三方面性能往往相互制約，需要在設(shè)計(jì)時(shí)對(duì)三種指標(biāo)進(jìn)行折衷，棲牲某些方面來(lái)突出其他方面.ADC速度指采樣速率Fs（單位是每秒采樣次數(shù)）；精度可以用SNDR來(lái)描述，理想狀況下，ADC的位數(shù)越高，往往就會(huì)有更高的精度。在低速高精度的應(yīng)用場(chǎng)景中，增量deltasigma較為合適.在中等采樣率和采樣精度的應(yīng)用場(chǎng)景下，deltasigma、SARADC應(yīng)用較為廣泛。在對(duì)采樣率要求高，對(duì)精度要求稍低的應(yīng)用場(chǎng)景下，流水線(xiàn)（Pipeline）和FLASHADC較為合適。

圖13:ADC工作流程包括輸入、采樣、編碼等圖13:ADC工作流程包括輸入、采樣、編碼等圖14:Pipeline和FLASH適用于高速場(chǎng)景io > . J-_' 1E?<M1.E-HI5LE+06LEQ7)E+081E+OT1.E+10LE+U采樣/保持 量化/編碼 Ban<h?dth|lU)數(shù)據(jù)來(lái)源：《高增益低失調(diào)軌對(duì)軌運(yùn)算放大器的研究與設(shè)計(jì)》，國(guó)泰數(shù)據(jù)來(lái)源：《高增益低失調(diào)軌對(duì)軌運(yùn)算放大器的研究與設(shè)計(jì)》君安證券研究DAC是數(shù)字信號(hào)到模擬信號(hào)的橋梁,主要應(yīng)用于通信、視頻和音頻等領(lǐng)域.DAC由加權(quán)網(wǎng)絡(luò)、開(kāi)關(guān)網(wǎng)絡(luò)、數(shù)字信號(hào)輸入、參考基準(zhǔn)電壓、放大器構(gòu)成，不僅僅是通信系統(tǒng)信號(hào)接收端的主要組成部分,也在家庭影院、車(chē)載音響、手機(jī)音頻輸出等領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。具體而言：第一是高速DAC,主要被應(yīng)用在射頻領(lǐng)域，工作頻率一般在幾個(gè)GHz以上；第二是高精度DAC,具有很高的分辨率，領(lǐng)先產(chǎn)品位數(shù)達(dá)到20以上，主要被應(yīng)用在音頻領(lǐng)域；第三是兼顧高精度和高速的DAC,主要被應(yīng)用在通信領(lǐng)域中.圖15:DAC原理示意圖%也叫b、圖15:DAC原理示意圖%也叫b、數(shù)據(jù)來(lái)源：《應(yīng)用于DDS的數(shù)模轉(zhuǎn)換器的研究與芯片設(shè)計(jì)》圖16:DAC顯微鏡照片，芯片內(nèi)部較復(fù)雜數(shù)據(jù)來(lái)源：《高速高精度數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器關(guān)鍵技術(shù)研究》據(jù)《應(yīng)用于DDS的數(shù)模轉(zhuǎn)換器的研究與芯片設(shè)計(jì)》報(bào)道,DAC的基本架構(gòu)可以分為三種：電壓式、電荷式以及電流式結(jié)構(gòu).電壓式架構(gòu)由電阻、開(kāi)關(guān)、譯碼電路以及跟隨器構(gòu)成，結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單，但抉點(diǎn)是由于電阻用量多，在版圖中面積占比大，使得芯片面積過(guò)大。此外，由于不同開(kāi)關(guān)連接的節(jié)點(diǎn)內(nèi)阻有差異，導(dǎo)致延時(shí)時(shí)間不同，限制了其在高速場(chǎng)景的應(yīng)用。電荷式架構(gòu)由開(kāi)關(guān)、電容以及跟隨器等構(gòu)成，由于主要由電容構(gòu)成（靜態(tài)電流流通?。?，其精度及功耗較為優(yōu)異。但是當(dāng)位數(shù)增加后，充放電時(shí)間會(huì)隨電容數(shù)量的增加而增加，導(dǎo)致其轉(zhuǎn)換時(shí)間較慢，主要被應(yīng)用于低功耗場(chǎng)景。

此外，電壓和電容結(jié)構(gòu)需要接運(yùn)算放大器，對(duì)運(yùn)放處理速度亦提出較高要求，對(duì)于電流式結(jié)構(gòu)而言，主要分為二進(jìn)制加權(quán)電阻結(jié)構(gòu)、R-2R結(jié)構(gòu)以及電流舵結(jié)構(gòu)。其中，電流舵結(jié)構(gòu)是目前較為常見(jiàn)的DAC架構(gòu)，具有非常高的速度、精度以及很小的面積，在高速高精度DAC中應(yīng)用廣泛。表3:DAC結(jié)構(gòu)的優(yōu)缺點(diǎn)對(duì)比，電流鴕結(jié)構(gòu)在高速高精度應(yīng)用場(chǎng)景應(yīng)用廣泛DAC類(lèi)型優(yōu)點(diǎn)缺點(diǎn)電壓式結(jié)構(gòu)單調(diào)性好面積大、建立時(shí)間長(zhǎng)電荷式結(jié)構(gòu)靜態(tài)功耗小、精度高面積大二進(jìn)制加權(quán)電阻結(jié)構(gòu)速度快、寄生電容小匹配性差電流式結(jié)構(gòu) R-2R結(jié)構(gòu)電阻匹配精度高功耗、毛刺大電流舵結(jié)構(gòu)精度高、速度快、面積小失陪問(wèn)題、輸出阻抗有限數(shù)據(jù)來(lái)源：《應(yīng)用于DDS的數(shù)模轉(zhuǎn)換器的研究與芯片設(shè)計(jì)》，國(guó)泰君安證券研究接口接口類(lèi)產(chǎn)品主要包括隔離器、收發(fā)器、數(shù)據(jù)緩沖器等，是電路間連接的橋梁.表4:隔離技術(shù)對(duì)比，數(shù)字隔離器數(shù)據(jù)傳輸能力更強(qiáng)指標(biāo)光藕 一數(shù)字隔離磁耦容耦傳輸信號(hào)光信號(hào)磁場(chǎng)信號(hào)電場(chǎng)信號(hào)材料PolyimidePolyimide氧化硅耐壓能力高高高數(shù)據(jù)傳輸能力傳輸速度慢快快集成度差高高溫度范圍受限寬寬數(shù)據(jù)來(lái)源：納芯微招股說(shuō)明書(shū)，國(guó)泰君安證券研究隔離器用于提升系統(tǒng)安全性，其中數(shù)字隔離器應(yīng)用較為廣泛.隔離器主要使兩系統(tǒng)具有高的電阻隔離特性，避免電路在互相通信時(shí)受損，其中數(shù)字隔離器應(yīng)用較為廣泛。數(shù)據(jù)來(lái)源：IHSMarkit,國(guó)泰君安證券研究

圖18:德州儀器ISOW7741電路圖數(shù)據(jù)來(lái)源：T1圖19:數(shù)字隔離器結(jié)構(gòu)X射線(xiàn)形貌，用于提升系統(tǒng)安全性數(shù)據(jù)來(lái)源：《數(shù)字隔離器結(jié)構(gòu)分析技術(shù)研究》光耦占比高，數(shù)字隔離器快速增長(zhǎng)，2024年超過(guò)7億美金.據(jù)《科學(xué)技術(shù)創(chuàng)新》報(bào)道，相比于光藕隔離器，數(shù)字隔離器主要采用電容隔離或者電感隔離，在壽命等指標(biāo)上要顯著優(yōu)于光耦，主要被應(yīng)用在工業(yè)電子等領(lǐng)域.通常而言，隔離器的設(shè)計(jì)、工藝壁壘往往較高.根據(jù)IHS報(bào)道，隔離器目前以光耦為主，數(shù)字隔離器市場(chǎng)快速發(fā)展，2024年有望達(dá)到7.67億美金。數(shù)字隔離器格局來(lái)看，2020年ThSiliconLabs.ADI、博通、英圖18:德州儀器ISOW7741電路圖數(shù)據(jù)來(lái)源：T1圖19:數(shù)字隔離器結(jié)構(gòu)X射線(xiàn)形貌，用于提升系統(tǒng)安全性數(shù)據(jù)來(lái)源：《數(shù)字隔離器結(jié)構(gòu)分析技術(shù)研究》下游應(yīng)用看，數(shù)字隔離芯片主要應(yīng)用于信息通訊、電力自動(dòng)化、工廠自動(dòng)化、工業(yè)測(cè)量、汽車(chē)車(chē)體通訊、儀器儀表和航天航空等場(chǎng)景.根據(jù)納芯微招股說(shuō)明書(shū)報(bào)道，帶隔離驅(qū)動(dòng)的電機(jī)、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)和汽車(chē)電氣化未來(lái)將進(jìn)一步促進(jìn)數(shù)字隔離類(lèi)芯片市場(chǎng)發(fā)展。根據(jù)MarketsandMarkets的數(shù)據(jù)，2020年數(shù)字隔離類(lèi)芯片在工業(yè)領(lǐng)域占比達(dá)28.58%,汽車(chē)電子占比達(dá)16.84%,通信領(lǐng)域占比達(dá)14.11%位列第三名。2026年工業(yè)領(lǐng)域、汽車(chē)電子領(lǐng)域和通信領(lǐng)域?qū)⒎謩e占比28.80%、16.79%和14.31%。圖20:2020年數(shù)字隔離類(lèi)芯片下游應(yīng)用工業(yè)為主圖21:2026年數(shù)字隔離類(lèi)芯片下游應(yīng)用工業(yè)占比提升數(shù)據(jù)來(lái)源：MarketsandMarkets,納芯微招股說(shuō)明書(shū)，國(guó)泰君安證券研究圖21:2026年數(shù)字隔離類(lèi)芯片下游應(yīng)用工業(yè)占比提升數(shù)據(jù)來(lái)源：MarketsandMarkets,納芯微招股說(shuō)明書(shū)，國(guó)泰君安證券研究多路復(fù)用器（MULTIPLEXER,也稱(chēng)為數(shù)據(jù)選擇器）是一種通過(guò)將數(shù)據(jù)從多個(gè)輸入行/流路由到一個(gè)輸出行/流來(lái)將并行數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為串行數(shù)據(jù)的設(shè)備.多路復(fù)用器可使系統(tǒng)減小成本、降低復(fù)雜性、減少布線(xiàn)的使用和資源的共享.圖23:4ini多路復(fù)用器真值表圖22:4inl多路復(fù)用器電路圖數(shù)據(jù)來(lái)源：MaltiBansal,etal.ATaxonomicalReviewofMultiplexerDesignsforElectronicCircuits&Devices,JournalofElectronicsandInformatics.A3Y00D0001D0110D0211D03數(shù)據(jù)來(lái)源：MaltiBansal,etal.ATaxonomicalReviewofMultiplexerDesignsforElectronicCircuits&Devices,JournalofElectronicsandInformatics.收發(fā)器產(chǎn)品種類(lèi)眾多.按照協(xié)議可劃分為CAN、LIN.RS-485（符合TIA/EIA485,常用的多點(diǎn)系統(tǒng)通信接口標(biāo)準(zhǔn)之一）、RS-232（常用的串行通信接口標(biāo)準(zhǔn)之一）等系列，其中CAN和LIN在車(chē)載電子中應(yīng)用廣泛.相比于圖22:4inl多路復(fù)用器電路圖數(shù)據(jù)來(lái)源：MaltiBansal,etal.ATaxonomicalReviewofMultiplexerDesignsforElectronicCircuits&Devices,JournalofElectronicsandInformatics.A3Y00D0001D0110D0211D03數(shù)據(jù)來(lái)源：MaltiBansal,etal.ATaxonomicalReviewofMultiplexerDesignsforElectronicCircuits&Devices,JournalofElectronicsandInformatics.1.1.2.電源鏈圖24:全球電源管理芯片市場(chǎng)規(guī)?？焖僭鲩L(zhǎng)（美金）數(shù)據(jù)來(lái)源：Frost&Sullivan,希荻微招股書(shū)，國(guó)泰君安證券研究圖25:中國(guó)電源管理芯片市場(chǎng)規(guī)模快速增長(zhǎng)（美金）250 r20%■"國(guó)內(nèi)PMC市場(chǎng)規(guī)模（億元）-YoY數(shù)據(jù)來(lái)源：Frost&Sullivan,希荻微招股說(shuō)明書(shū)，國(guó)泰君安證券研究電源管理芯片市場(chǎng)校信號(hào)鏈更大.根據(jù)Frost&Sullivan統(tǒng)計(jì),2020年全球電源管理芯片市場(chǎng)規(guī)模約328.8億美元，2016-2020年CAGR為13.52%.隨5G通信、新能源汽車(chē)等市場(chǎng)發(fā)展，電子設(shè)備數(shù)量及種類(lèi)持續(xù)增長(zhǎng)，帶動(dòng)電源管理芯片需求增長(zhǎng).國(guó)內(nèi)來(lái)看，2020年中國(guó)電源管理芯片市場(chǎng)規(guī)模約800億元人民幣圖24:全球電源管理芯片市場(chǎng)規(guī)?？焖僭鲩L(zhǎng)（美金）數(shù)據(jù)來(lái)源：Frost&Sullivan,希荻微招股書(shū)，國(guó)泰君安證券研究圖25:中國(guó)電源管理芯片市場(chǎng)規(guī)?？焖僭鲩L(zhǎng)（美金）250 r20%■"國(guó)內(nèi)PMC市場(chǎng)規(guī)模（億元）-YoY數(shù)據(jù)來(lái)源：Frost&Sullivan,希荻微招股說(shuō)明書(shū)，國(guó)泰君安證券研究電源鏈產(chǎn)品主要包括：AC/DC、DC/DC.電池管理、驅(qū)動(dòng)芯片等.針對(duì)電子產(chǎn)品各部分正常工作電壓不同，電源管理芯片對(duì)電池輸出的固定電壓進(jìn)行升降壓、穩(wěn)壓處理后，使其達(dá)到期望的電壓值，以滿(mǎn)足各個(gè)模塊的供電需要.電源芯片根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)景差異，可單獨(dú)使用或與外部電子元器件組合成模塊從而實(shí)現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換的功能。表5:電源管理芯片應(yīng)用及功能圖26:圖26:電源轉(zhuǎn)換和管理策略示意圖圖27:德州儀器LM3881PMicC[ ?DC/DCBuck-BoostConirulLogicDEVICE1C[ ?DC/DCBuck-BoostConirulLogicDEVICE1應(yīng)用用途AC/DC把交流轉(zhuǎn)換成直流，功率流是雙向的，當(dāng)功率流從電源流向負(fù)載時(shí)稱(chēng)為“整流”，從負(fù)載返回電源時(shí)稱(chēng)為“有源逆變”；內(nèi)含低電壓控制電路及高壓開(kāi)關(guān)晶體管DC/DC升壓/降壓調(diào)節(jié)器，或稱(chēng)為開(kāi)關(guān)電源、開(kāi)關(guān)調(diào)整器PFC提供具有功率因數(shù)矯正功能的電源榆入電路；功率因數(shù)指的是有效功率與總耗電量的比值，當(dāng)功率因數(shù)值越大，代表其電力利用率越高LDO保證穩(wěn)定的電壓供給PWM/PFM為脈沖頻率調(diào)制或/和脈沖寬度調(diào)制控制器，用于驅(qū)動(dòng)外部開(kāi)關(guān)線(xiàn)性穩(wěn)壓器使用在其線(xiàn)性區(qū)域內(nèi)運(yùn)行的晶體管或FET,從應(yīng)用的輸入電壓中減去超額的電壓，產(chǎn)生經(jīng)過(guò)調(diào)節(jié)的榆出電壓，包括低壓差線(xiàn)性穩(wěn)壓器LDO電源監(jiān)控產(chǎn)品實(shí)時(shí)監(jiān)控電源的狀態(tài)，當(dāng)不正常狀態(tài)發(fā)生時(shí)，通知主控芯片采取安全措施熱插拔控制IC免除從工作系統(tǒng)中插入或拔除另一接口的影響數(shù)據(jù)來(lái)源：EEfocus,圣邦股份招股說(shuō)明書(shū)，國(guó)泰君安證券研究數(shù)據(jù)來(lái)源：TI官網(wǎng)數(shù)據(jù)來(lái)源：TI官網(wǎng)SolutionforBattery-FreeOperationofWirelessSensorNodes電源管理方案從分立向集中式演進(jìn).隨著技術(shù)的發(fā)展，下游電子設(shè)備對(duì)于效率以及體積的要求不斷提升，目前電源管理方案也在不斷升級(jí)，集成度不斷提升.

圖28:電源管理方案向集成式演進(jìn)SeMiOASo*U2mm**C*mpofwntC?uRtS7數(shù)據(jù)來(lái)源：Qorvo,芯語(yǔ)DC/DCDC/DC模塊:DCDC模塊包括的模擬IC種類(lèi)主要為DC/DC開(kāi)關(guān)電源、線(xiàn)性電源（主要是LDO）以及用于調(diào)制的PWM、PFM、PFC等.據(jù)《一種小功率隔離式DCDC電源控制器的研究與設(shè)計(jì)》報(bào)道，DC/DC的主要作用是將一組電參數(shù)直流電變換成另一電參數(shù)的直流電能。目前存在的DCDC電源芯片主要包含兩種：一是線(xiàn)性電源，主要包括低壓差線(xiàn)性穩(wěn)壓器（LDO）等；二是開(kāi)關(guān)電源。兩種DCDC對(duì)比如下表所示。其中，LDO主要被應(yīng)用于降壓穩(wěn)壓、輸入電源隔離、濾波等。開(kāi)關(guān)電源主要被應(yīng)用于工作電壓轉(zhuǎn)換、隔離以及降噪等，相比于LDO其電路更加復(fù)雜，成本也相應(yīng)更高.表6:DCDC線(xiàn)性穩(wěn)壓器和開(kāi)關(guān)電源特性對(duì)比，開(kāi)關(guān)電源更復(fù)雜特性線(xiàn)性穩(wěn)壓器開(kāi)關(guān)電源優(yōu)勢(shì)電路簡(jiǎn)單，紋波小，噪聲低，無(wú)EMI,結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單易于集成效率高，電壓范圍寬，可榆出大電流，適用場(chǎng)合比較多，既能升壓又能降壓劣勢(shì)輸出電流較小，效率較低，適用場(chǎng)合少電路復(fù)雜，輸出紋波大，有EMI問(wèn)題數(shù)據(jù)來(lái)源：《一種小功率隔離式DCDC電源控制器的研究與設(shè)計(jì)》，CSDN,國(guó)泰君安證券研究圖29:2026年DCDC市場(chǎng)規(guī)模超過(guò)70億美金（單位：百萬(wàn)美元）--DC-DCSwitchingRegulators(YoY,RHS)—LinearRegulators(YoYRHS)數(shù)據(jù)來(lái)源：Yale,國(guó)泰君安證券研究

綜合來(lái)看，DCDC產(chǎn)品市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到76.7億美金（開(kāi)關(guān)DCDC+LDO）.根據(jù)Yble2021年的報(bào)道，開(kāi)關(guān)DCDC產(chǎn)品2020年的市場(chǎng)空間為37.98億美元，預(yù)計(jì)到2026年，這一規(guī)模將達(dá)到44.96億美金。線(xiàn)性穩(wěn)壓器來(lái)看，2020年市場(chǎng)空間為27.13億美元，預(yù)計(jì)到2026年，市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到31.78億美金。LDO電路結(jié)構(gòu)較為簡(jiǎn)單.半導(dǎo)體行業(yè)觀察報(bào)道，基本模擬LDO主要由運(yùn)放、反饋和專(zhuān)用功率P溝道MOSFET實(shí)現(xiàn)，其中MOSFET的柵極電壓由運(yùn)放來(lái)控制.運(yùn)放會(huì)持續(xù)比較電路的輸出電壓與參考電壓，并實(shí)時(shí)調(diào)節(jié)MOSFET的柵極電壓，從而實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的輸出電壓。圖30:圖30:LDO電路示意圖圖31:buck電路示意圖數(shù)據(jù)來(lái)源：Qorvo數(shù)據(jù)來(lái)源：Qorvo開(kāi)關(guān)電源可以分為隔離式和非隔離式.根據(jù)變壓方式，開(kāi)關(guān)電源可以被分為隔離式和非隔離式，其中非隔離式DCDC電源轉(zhuǎn)換效率更高，體積小，復(fù)雜度較低，基本拓?fù)渲饕ń祲海╞uck）、升壓（boost）以及升降壓型（buck-boost）等。隔離式DCDC電源通過(guò)變壓器來(lái)實(shí)現(xiàn)電壓的升降，抗干擾能力更強(qiáng)，安全性也更高，但通常體積較大，成本較高。圖32:boost電路示意圖圖圖32:boost電路示意圖表7:非隔離式電源與隔離式電源優(yōu)缺點(diǎn)對(duì)比，隔離式電源更復(fù)雜特性非隔離式電源隔離式電源優(yōu)勢(shì)轉(zhuǎn)換效率高，體積小，設(shè)計(jì)復(fù)雜度低，成本低抗干擾能力強(qiáng)，容易實(shí)現(xiàn)升降壓，安全性較高，容易實(shí)現(xiàn)多路輸出，容易實(shí)現(xiàn)很寬的輸入電壓范圍抗干擾能力差，不容易實(shí)現(xiàn)榆入榆出極性相同的升降劣勢(shì)壓轉(zhuǎn)換，安全性較低，難以實(shí)現(xiàn)多路輸出，難以實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)換效率低，體積大，設(shè)計(jì)復(fù)雜程度高，成本較高很寬的輸入電壓范圍數(shù)據(jù)來(lái)源：《一種小功率隔離式DCDC電源控制器的研究與設(shè)計(jì)》，國(guó)泰君安證券研究PFC控制在開(kāi)關(guān)電源中用以提高功率因數(shù).功率因數(shù)（PF）指的是有效功率與總耗電量的比值，用以衡量電能被利用的效率.功率因數(shù)越大，表示電能利用率高.PFC控制器通過(guò)對(duì)輸入電流波形進(jìn)行調(diào)制，減小電流諧波并減小輸入電壓與基波電流的相位差，提升PF值。在開(kāi)關(guān)電源DCDC中，PFC控制器主要用以調(diào)節(jié)電流和電壓之間的相位差，減少功率損失。圖34:LC濾波無(wú)源PFC變換器示意圖 圖35:單級(jí)有源PFC變換器工作示意圖數(shù)據(jù)來(lái)源：《分段定占空比控制的DCMBuck/BoostPFC變換器研 數(shù)據(jù)來(lái)源：《分段定占空比控制的DCMBuck/BoostPFC變換器研究》,究》，國(guó)泰君安證券研究 國(guó)泰君安證券研究相比有源PFC,無(wú)源PFC調(diào)制效果更佳.根據(jù)《分段定占空比控制的DCMBuck/BoostPFC變換器研究》報(bào)道，目前PFC有兩種，一種為被動(dòng)式PFC（也稱(chēng)無(wú)源PFC）和主動(dòng)式PFC（也稱(chēng)有源式PFC）,其中有源式PFC相比于無(wú)源PFC,能將PF值提升至0.97以上，從而擁有更好的調(diào)制效果。常見(jiàn)的Boost、Buck、Boost/Buck.Cuk、Sepic、Zeta.Flyback.Forward等各種DC/DC變換器都能用于有源功率因數(shù)校正.DC/DC開(kāi)關(guān)電源調(diào)制主要包括PWM和PFM,由PWM、PFM或PWM/PFM控制器來(lái)實(shí)現(xiàn).DCDC開(kāi)關(guān)電源中核心功率開(kāi)關(guān)器件的調(diào)制方式而言，常采用以下三種方式：1、脈沖寬度調(diào)試（PWM）;2、脈沖頻率調(diào)制（PFM）;3、混合脈沖調(diào)制（PWM/PFM）。在不同應(yīng)用中，要針對(duì)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的要求，采用相應(yīng)的脈沖調(diào)制方式，由PWM、PFM或PWM/PFM控制器來(lái)實(shí)現(xiàn)該功能。PWM方式：《PWM/PFM控制的Buck型開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)》報(bào)道，當(dāng)開(kāi)關(guān)電源穩(wěn)定工作時(shí)，PWM比較器榆出幅值恒定但占空比不同的脈沖來(lái)控制開(kāi)關(guān)器件的狀態(tài)，即為PWM脈沖調(diào)制方式.反饋電壓與基準(zhǔn)電壓閉環(huán)負(fù)反饋調(diào)節(jié)，對(duì)PWM脈沖占空比進(jìn)行調(diào)控，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)對(duì)系統(tǒng)輸出電壓的控制.PFM方式：當(dāng)系統(tǒng)輕載時(shí)，PWM功耗大，為彌補(bǔ)PWM不足，PFM被提出。PFM調(diào)制方式有二：1,保持脈沖高電平時(shí)間恒定，調(diào)節(jié)低電平持續(xù)時(shí)間，來(lái)改變脈沖頻率；2、保持脈沖低電平時(shí)間恒定，調(diào)節(jié)高電平的持續(xù)時(shí)間，來(lái)改變脈沖頻率.PWM/PFM混合模式：該模式可以理解為是PWM和PFM的融合，即開(kāi)關(guān)電源的脈沖寬度和頻率均可以改變。圖36:PWM依靠不同占空比脈沖進(jìn)行調(diào)制數(shù)據(jù)來(lái)源：《圖36:PWM依靠不同占空比脈沖進(jìn)行調(diào)制數(shù)據(jù)來(lái)源：《PWM/PFM控制的Buck型開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)》，國(guó)泰君安證券研究圖37:PFM依靠不同頻率進(jìn)行調(diào)制數(shù)據(jù)來(lái)源：《PWM/PFM控制的Buck型開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)》，國(guó)泰君安證券研究AC/DCAC/DC模塊：AC/DC主要應(yīng)用于消費(fèi)、醫(yī)療、工業(yè)和過(guò)程控制、測(cè)量、半導(dǎo)體制造設(shè)備和國(guó)防等領(lǐng)域.例如在家電設(shè)備中，設(shè)備實(shí)現(xiàn)高效AC/DC轉(zhuǎn)換可以顯著減少能量損失，節(jié)約成本.在電動(dòng)交通領(lǐng)域，高性能的AC/DC可以有效加快充電樁的充電速度。在AC/DC系統(tǒng)中，通常包含低電壓控制電路及高壓開(kāi)關(guān)晶體管，從而將交流變換為直流.AC/DC開(kāi)關(guān)包括隔離式和非隔離式兩類(lèi).一般AC/DC開(kāi)關(guān)電源包括隔離式和非隔離式兩種類(lèi)型，非隔離式AC/DC開(kāi)關(guān)電源主要應(yīng)用于電壓較小的場(chǎng)景，常見(jiàn)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)為buck降壓型以及boost升壓型。隔離式AC/DC開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用更為廣泛，主要被應(yīng)用于高電壓場(chǎng)景，如工業(yè)設(shè)備供電等，常見(jiàn)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)包括正激、反激、全橋、半橋、推挽等。表8:各種隔離型AC/DC開(kāi)關(guān)電源特點(diǎn)電路優(yōu)點(diǎn)缺點(diǎn)功率范圍應(yīng)用領(lǐng)域正激結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、元件少、容易驅(qū)動(dòng)輸出穩(wěn)定變壓器磁通工作在一個(gè)象限幾百到幾K各種中、小功率電源反激電路簡(jiǎn)單、成本低、容易驅(qū)動(dòng)輸出穩(wěn)定變壓器磁通工作在一個(gè)象限幾到幾十小功率電源

雙管正激開(kāi)關(guān)管耐壓值低、二極管鉗位實(shí)現(xiàn)變壓器復(fù)位占空比限制為50%,需要很大的電感值幾百到幾K各種中功率電源變壓器可以工作在兩個(gè)結(jié)構(gòu)復(fù)雜、高成本、開(kāi)關(guān)管全橋象限，可以做到很大的有一定幾率直通，電路榆出幾百到幾百K大功率電源功率不穩(wěn)定變壓器可以工作在兩個(gè)半橋象限，無(wú)偏磁問(wèn)題，成開(kāi)關(guān)管有一定幾率直通幾百到幾K工業(yè)級(jí)電源和供電電源等本低推挽雙向磁勵(lì)，損耗小，容易驅(qū)動(dòng)有偏磁問(wèn)題幾百到幾K低輸入電壓的電源數(shù)據(jù)來(lái)源:《中功率高效AC/DC開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)》，國(guó)泰君安證券研究AC/DC中功能模塊主要包括AD/DC轉(zhuǎn)換器以及用于調(diào)制的PWM、PFM、PFC等.根據(jù)《低功耗AC/DC電源管理芯片的研究》報(bào)道，在完成交流到直流的轉(zhuǎn)換時(shí)，首先給AC/DC開(kāi)關(guān)電源榆入交流電壓，通過(guò)整流單元后變成帶有一定波動(dòng)的直流電壓（包含PFC電路等）;隨后，將電壓通過(guò)功率變換電路斬波成頻率很高的脈沖電壓；最后，通過(guò)輸出回路的二次整流濾波最終變成穩(wěn)定的直流電壓.其中，保護(hù)（采樣）電流作用是對(duì)榆出電壓進(jìn)行檢測(cè)和采樣，并將采樣信號(hào)送入控制電路（包含PWM、PFM等）進(jìn)行調(diào)制，控制功率管的驅(qū)動(dòng)脈沖寬度，從而調(diào)整導(dǎo)通時(shí)間以使輸出電壓穩(wěn)定。圖39:AC/DC標(biāo)準(zhǔn)電源芯片產(chǎn)品種類(lèi)多公司芯片產(chǎn)品數(shù)據(jù)來(lái)源：芯朋微招股說(shuō)明書(shū)圖38:一般隔離型AC/DC圖39:AC/DC標(biāo)準(zhǔn)電源芯片產(chǎn)品種類(lèi)多公司芯片產(chǎn)品數(shù)據(jù)來(lái)源：芯朋微招股說(shuō)明書(shū)數(shù)據(jù)來(lái)源：《中功率高效AC/DC開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)》，國(guó)泰君安證券研究電池管理電池管理系統(tǒng)（BMS）:BMS是電池與用戶(hù)之間的紐帶，主要對(duì)象為二次電池。一般而言，BMS要實(shí)現(xiàn)的功能包括：準(zhǔn)確預(yù)估電池的核電狀態(tài)、平衡單體電池、動(dòng)態(tài)監(jiān)測(cè)電池組工作狀態(tài)等，需要一系列模擬、數(shù)字芯片密切配合，完成特定監(jiān)測(cè)功能。

圖41:電池管理方案框圖圖40:德州儀器公司的電池管理產(chǎn)品方案數(shù)據(jù)來(lái)源：T1圖40:德州儀器公司的電池管理產(chǎn)品方案數(shù)據(jù)來(lái)源：T1圖42:電池管理芯片規(guī)模預(yù)測(cè)，2020年約30億美金（百萬(wàn)美元）BMICs BMICs(YoY,RHS)BMS中的模擬芯片主要包括充電管理IC、電池計(jì)量IC、電池安全I(xiàn)C等。電池安全I(xiàn)C負(fù)責(zé)監(jiān)控電池狀態(tài)，通過(guò)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)每節(jié)電池或電池包，避免出現(xiàn)過(guò)充、過(guò)放、過(guò)流和短路等故障。電圖42:電池管理芯片規(guī)模預(yù)測(cè)，2020年約30億美金（百萬(wàn)美元）BMICs BMICs(YoY,RHS)數(shù)據(jù)來(lái)源：Yole,國(guó)泰君安證券研究2020年BMICs市場(chǎng)規(guī)模約為30.23億美金.根據(jù)Yble報(bào)道,2020年全球BMICs市場(chǎng)空間為30.23億美金，未來(lái)受新能源汽車(chē)爆發(fā)拉動(dòng)，2026年這一市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到41.96億美金.根據(jù)賽微微招股說(shuō)明書(shū)披露，電池管理芯片的國(guó)產(chǎn)化率相比于電源管理芯片行業(yè)整體較低，預(yù)計(jì)在10%左右。

驅(qū)動(dòng)芯片驅(qū)動(dòng)芯片：驅(qū)動(dòng)芯片介于主電路和控制電路間，通過(guò)放大控制電路的信號(hào)（通常是PWM脈沖）,使其能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)功率晶體管的驅(qū)動(dòng).按照應(yīng)用領(lǐng)域，驅(qū)動(dòng)芯片可以主要分為：電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片、顯示驅(qū)動(dòng)芯片、音頻功放芯片等。下游應(yīng)用來(lái)看，2018年電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片的占比最高，且至2023年都將保持占有率第一的地位。圖43:2018圖43:2018年電極驅(qū)動(dòng)占全球驅(qū)動(dòng)芯片出貨比例高圖44:2023年照明、馬達(dá)、顯示驅(qū)動(dòng)占比提升數(shù)據(jù)來(lái)源：弗若斯特-沙利文，納芯微招股說(shuō)明書(shū)，國(guó)泰君安證券研究電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片，47.40%數(shù)據(jù)來(lái)源：弗若斯特-沙利文，納芯微招股說(shuō)明書(shū)，國(guó)泰君安證券研究電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片內(nèi)往往集成CMOS控制電路和DMOS功率器件.電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片可與主處理器、電機(jī)和增量型編碼器三者組成共同運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng).根據(jù)《高壓N型數(shù)據(jù)來(lái)源：弗若斯特-沙利文，納芯微招股說(shuō)明書(shū)，國(guó)泰君安證券研究電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片，47.40%數(shù)據(jù)來(lái)源：弗若斯特-沙利文，納芯微招股說(shuō)明書(shū)，國(guó)泰君安證券研究電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片內(nèi)往往集成CMOS控制電路和DMOS功率器件.電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片可與主處理器、電機(jī)和增量型編碼器三者組成共同運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng).根據(jù)《高壓N型DMOS全橋直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片的研究與設(shè)計(jì)》，電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片內(nèi)部主要包括電源模塊、高壓電荷泵模塊、功率管柵極驅(qū)動(dòng)模塊、模式控制模塊、保護(hù)模塊等。其中電源模塊由LDO及帶隙基準(zhǔn)電壓源組成，為后級(jí)低壓模塊提供穩(wěn)定的供電電壓。功率管柵極驅(qū)動(dòng)模塊包括柵極驅(qū)動(dòng)電路以及高壓DMOS功率管（可以被集成在芯片內(nèi)部），其作用是提供柵極驅(qū)動(dòng)電壓和電流，DMOS功率管可以實(shí)現(xiàn)快速的關(guān)斷和開(kāi)啟。模式控制模塊主要將外部輸入的邏輯信號(hào)轉(zhuǎn)換為柵極控制信號(hào)，來(lái)分別控制電機(jī)的轉(zhuǎn)向、速度等。保護(hù)模塊的主要功能是提供過(guò)溫保護(hù)、過(guò)流保護(hù)、欠壓鎖定、上電復(fù)位等.數(shù)據(jù)來(lái)源：TOSHIBA圖46:DMOS全橋直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)來(lái)源：《高壓N型DMOS全橋直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片的研究與設(shè)計(jì)》顯示驅(qū)動(dòng)芯片：往往采用標(biāo)準(zhǔn)通用串行亦或并行接口接受命令與數(shù)據(jù)，同時(shí)生成相應(yīng)的電壓、電流、解復(fù)用、定時(shí)信號(hào)，使顯示終端呈現(xiàn)所需的文本或圖像，主要包括LED驅(qū)動(dòng)芯片、LCD驅(qū)動(dòng)芯片等.顯示驅(qū)動(dòng)芯片應(yīng)用十分廣泛，主要涵蓋智能手機(jī)、可穿戴、平板電腦等各類(lèi)消費(fèi)電子設(shè)備以及汽車(chē)、工業(yè)等具有顯示功能的設(shè)備中.以LED驅(qū)動(dòng)芯片為例，據(jù)《一種升壓型DCDC恒流LED驅(qū)動(dòng)芯片設(shè)計(jì)》報(bào)道，其芯片按照功能可以劃分為多個(gè)子模塊，包括偏置模塊（提供參考電壓和偏置電壓）、誤差放大模塊、脈寬調(diào)制模塊（如PWM模塊）、驅(qū)動(dòng)模塊（前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路）、振蕩器模塊以及各種保護(hù)器模塊等。圖47:圖47:德州儀器公司的車(chē)載LED驅(qū)動(dòng)方案圖48:德州儀器公司的LED驅(qū)動(dòng)芯片電路原理圖數(shù)據(jù)來(lái)源：TI數(shù)據(jù)來(lái)源：數(shù)據(jù)來(lái)源：TI音頻功放芯片主要應(yīng)用于媒體播放設(shè)備的音頻信號(hào)放大,包括A類(lèi)、B類(lèi)、AB類(lèi)以及D類(lèi)等.音頻功放芯片的功能是將來(lái)自音源或前級(jí)放大器輸出的弱信號(hào)放大，同時(shí)實(shí)現(xiàn)對(duì)播放設(shè)備的驅(qū)動(dòng)，產(chǎn)生聲音信號(hào)，是多媒體播放設(shè)備的核心部件。根據(jù)《高效率無(wú)濾波的D類(lèi)音頻功率放大器芯片設(shè)計(jì)》，目前常見(jiàn)的音頻功放芯片按照功率及放大效果主要可以劃分為A、B、AB,D類(lèi)芯片等.圖49:D類(lèi)功放芯片基本芯片結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)來(lái)源：《高效率無(wú)濾波的D圖49:D類(lèi)功放芯片基本芯片結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)來(lái)源：《高效率無(wú)濾波的D類(lèi)音頻功率放大器芯片設(shè)計(jì)》圖50:相比A、B類(lèi)芯片，D類(lèi)芯片功率效率更高數(shù)據(jù)來(lái)源：《高效率無(wú)濾波的D類(lèi)音頻功率放大器芯片設(shè)計(jì)》其中A類(lèi)功放芯片是完全線(xiàn)性放大的放大器，能耗較大，但失真度低;B類(lèi)功放效率較高，但常產(chǎn)生跨越失真；AB類(lèi)功放兼容了A類(lèi)功放和B類(lèi)功放的優(yōu)勢(shì)，效率比和保真度較為平衡，在汽車(chē)音箱中應(yīng)用較為廣泛。D類(lèi)功放（也稱(chēng)為數(shù)字功放），通過(guò)MOSFET器件工作，相比于AB類(lèi)功放效率更高（理論效率可以達(dá)到100%）。以D類(lèi)芯片為例，其主要包括前置放大器模塊、PWM調(diào)制模塊、內(nèi)振蕩器模塊、關(guān)斷控制模塊、門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)模塊、偏置電路以及噪聲消除模塊等.表9:各類(lèi)功率放大器比校，D類(lèi)功率效率高種類(lèi)失真度最大功率效率A類(lèi)最低（輸出完全從輸入取得）25%線(xiàn)性 B類(lèi)略高（由于交越失真導(dǎo)致）78.5%AB類(lèi)尚可（消除交越失真）<78.5%（約50%）非線(xiàn)性 D類(lèi)最高（輸入信號(hào)調(diào)制所致）約100%數(shù)據(jù)來(lái)源：《高效率無(wú)濾波的D類(lèi)音頻功率放大器芯片設(shè)計(jì)》，國(guó)泰君安證券研究四大特性梳理模擬芯片和數(shù)字芯片相比，從設(shè)計(jì)、制造到產(chǎn)品價(jià)格、種類(lèi)和生命周期都有較大差異，大致可以總結(jié)為4方面：1）產(chǎn)品生命周期長(zhǎng)；2）細(xì)分品類(lèi)更多；3）特色工藝壁壘高；4）設(shè)計(jì)更加依賴(lài)研發(fā)人員經(jīng)驗(yàn)。現(xiàn)分述之：表10:模擬集成電路與數(shù)字集成電路對(duì)比，模擬集成電路產(chǎn)品生命周期更長(zhǎng)項(xiàng)目模擬集成電路數(shù)字集成電路處理信號(hào)連續(xù)函數(shù)形式的模擬信號(hào)離散的數(shù)字信號(hào)技術(shù)難度設(shè)計(jì)門(mén)檻高，平均學(xué)習(xí)曲線(xiàn)10/5年電腦輔助設(shè)計(jì)，平均學(xué)習(xí)曲線(xiàn)3?5年設(shè)計(jì)難點(diǎn)非理想效應(yīng)較多，需要扎實(shí)的多學(xué)科基礎(chǔ)知識(shí)芯片規(guī)模大，工具運(yùn)行時(shí)間長(zhǎng)，工藝要求復(fù)雜，和豐富的經(jīng)驗(yàn)需要多團(tuán)隊(duì)共同協(xié)作工藝制程目前業(yè)界仍大量使用0.18pm/0.13pm,部分工藝使用28nm按照摩爾定律的發(fā)展，使用最先進(jìn)的工藝，目前已達(dá)到5-7nm產(chǎn)品應(yīng)用放大器、信號(hào)接口、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換、比較器、電源管理等CPU、微處理器、微控制器、數(shù)字信號(hào)處理單元、存儲(chǔ)器等產(chǎn)品特點(diǎn)種類(lèi)多種類(lèi)少生命周期一般5年以上1-2年平均零售價(jià)價(jià)格低，穩(wěn)定初期局，后期低數(shù)據(jù)來(lái)源：思瑞浦招股說(shuō)明書(shū)，國(guó)泰君安證券研究產(chǎn)品生命周期長(zhǎng)模擬芯片自身迭代性質(zhì)疊加供應(yīng)鏈行為特點(diǎn)，決定了產(chǎn)品生命周期長(zhǎng),通常在5年以上.不同于數(shù)字芯片對(duì)算力和效率的追求，模擬芯片更加強(qiáng)調(diào)可靠性、穩(wěn)定性和一致性，其迭代不受摩爾定律限制，因此產(chǎn)品能夠保持更久的適用性而不被市場(chǎng)淘汰。此外，下游整機(jī)客戶(hù)對(duì)于模擬芯片認(rèn)證要求嚴(yán)格、認(rèn)證周期較長(zhǎng)，注重模擬廠商產(chǎn)品的多樣性、齊套性和延展性.據(jù)艾為電子招股說(shuō)明書(shū)的披露，客戶(hù)對(duì)模擬芯片的認(rèn)證周期為3-9月，從首次接觸終端客戶(hù)到銷(xiāo)售的開(kāi)發(fā)周期為1-3年.但是真正當(dāng)廠商進(jìn)入客戶(hù)供應(yīng)鏈后，客戶(hù)替換供應(yīng)商的意愿較低，相同的產(chǎn)品大

概率能夠持續(xù)多年保證相對(duì)穩(wěn)定的銷(xiāo)售，平臺(tái)型模擬公司還能通過(guò)向老客戶(hù)推廣新產(chǎn)品獲得份額的提升。因而模擬芯片的生命周期更長(zhǎng)，通常在5年以上、甚至到達(dá)10年，遠(yuǎn)高于數(shù)字芯片的1-2年。2021年3月，ADI在投資者報(bào)告會(huì)上表示，公司2020年50%以上的收入來(lái)自于10年前、甚至更早的產(chǎn)品。圖52:ADI平均產(chǎn)品生命周期超過(guò)10年終端用戶(hù)分類(lèi)用戶(hù)開(kāi)發(fā)周期認(rèn)證周期圖52:ADI平均產(chǎn)品生命周期超過(guò)10年終端用戶(hù)分類(lèi)用戶(hù)開(kāi)發(fā)周期認(rèn)證周期華為3年6?9個(gè)月主要小米1.5年6?9個(gè)月手機(jī)OPPO2年6?9個(gè)月用戶(hù)vivo2年6?9個(gè)月傳音1年36個(gè)月主要華勤1年36個(gè)月ODM聞泰1年3~6個(gè)月用戶(hù)龍旗1年3~6個(gè)月圖51:艾為電子客戶(hù)開(kāi)發(fā)與認(rèn)證周期較長(zhǎng)數(shù)據(jù)來(lái)源：艾為電子招股說(shuō)明書(shū)，國(guó)泰君安證券研究FY20RevenuebyProductAge■>20yts010-20yrsQ5-9yrs■<5yrs?50%ofADIrevenuetsdenvedfromproducts10yearsorolder數(shù)據(jù)來(lái)源：ADICompanyPresentation.March2021細(xì)分產(chǎn)品種類(lèi)多模擬集成電路下游需求分散，每一細(xì)分賽道空間相對(duì)明確.對(duì)比數(shù)字芯片，模擬廠商下游客戶(hù)分布相對(duì)分散，Intel第一大應(yīng)用PC端的占比超過(guò)50%,而德州儀器的第一大應(yīng)用需求——工業(yè)的占比僅37%。同時(shí)，TI2020年年報(bào)披露稱(chēng)，公司2018、2019年均沒(méi)有單個(gè)客戶(hù)收入占比超過(guò)10%,2020年也剛達(dá)到10%而已.與此對(duì)應(yīng)，由于細(xì)分需求分散，即使是模擬芯片總市場(chǎng)規(guī)模已經(jīng)達(dá)到570億美元，細(xì)分為每一產(chǎn)品對(duì)應(yīng)的子賽道空間卻相對(duì)較小.傷”如，僅射頻前端芯片就又可以細(xì)分為射頻開(kāi)關(guān)、射頻低噪聲放大器、射頻功率放大器、雙工器、射頻濾波器等，據(jù)卓勝微招股說(shuō)明書(shū)的數(shù)據(jù)，2018年射頻開(kāi)關(guān)市場(chǎng)規(guī)模16.54億美元、射頻低噪聲放大器市場(chǎng)規(guī)模14.21億美元，空間相對(duì)明確.因此，對(duì)于模擬廠商而言，不斷擴(kuò)張產(chǎn)品種類(lèi)以構(gòu)建平臺(tái)型公司，是獲得成長(zhǎng)的重要路徑.圖53:模擬行業(yè)下游需求校為分散（以TI為例） 圖54:數(shù)字芯片下游需求相對(duì)集中數(shù)據(jù)來(lái)源：TI2020AnnualReport,國(guó)泰君安證券研究數(shù)據(jù)來(lái)源：Wind,國(guó)泰君安證券研究由于應(yīng)用場(chǎng)景復(fù)雜且對(duì)性能的要求有所側(cè)重，模擬芯片細(xì)分品類(lèi)較多.不同應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)芯片性能提出了差異化的要求，導(dǎo)致產(chǎn)品考核參數(shù)繁多。例如，對(duì)于AC/DC電源芯片，其主要參數(shù)就包括供電電壓、輸出功率、導(dǎo)通電阻、封裝技術(shù)等，車(chē)載充電器和家用充電器相比，也會(huì)更加注重效率、壽命和可靠性等指標(biāo)。即便是類(lèi)型相同的模擬IC也會(huì)因?yàn)閭€(gè)別參數(shù)不同而衍生出新的料號(hào)，造成整個(gè)模擬芯片市場(chǎng)細(xì)分產(chǎn)品較多.2020年，ADI有接近45000種產(chǎn)品，2021年達(dá)到75000SKUs,其中80%的收入來(lái)自于貢獻(xiàn)不超過(guò)0.1%的產(chǎn)品。此外，德州儀器產(chǎn)品數(shù)目也有近80000項(xiàng)。對(duì)于國(guó)內(nèi)公司，雖產(chǎn)品數(shù)目不及國(guó)際龍頭，但增長(zhǎng)趨勢(shì)迅猛。據(jù)公司年報(bào)，圣邦股份2016年末僅16大類(lèi)、800余款產(chǎn)品，棧至2020年末已擴(kuò)張至25大類(lèi)、1600余款產(chǎn)品，成長(zhǎng)逾100%。?80%ofrevenuederivedfromproductsthatindMdualycontnbute0.1%orless圖55:ADI2020年共45000種產(chǎn)品，2021SKUs達(dá)到75000?80%ofrevenuederivedfromproductsthatindMdualycontnbute0.1%orless?50%ofrevenuederived

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yearsoJd數(shù)據(jù)來(lái)源：ADIreports,March2021&September82021特色工藝壁壘高出于差異化定制需求和對(duì)性能提升的考慮，模擬芯片通常采用BCD特色工藝技術(shù).BCD工藝由意法半導(dǎo)體在1986年率先研制，是一種將Bipolar.CMOS、DMOS集成在同一芯片上的單片集成技術(shù)“Bipolar可制備高精度器件、CMOS具有高集成特性、DMOS作為功率輸出極具有高效率、高強(qiáng)度、高耐壓等優(yōu)點(diǎn)，而B(niǎo)CD能夠有效集成三者優(yōu)勢(shì)，為模擬產(chǎn)品定制化需求提供制備技術(shù)基礎(chǔ)。整合后的BCD能夠大幅降低功耗，提高系統(tǒng)性能，降低成本，增加芯片的可靠性。圖56:圖56:電源管理芯片大多采用BCD工藝，高壓往往在0.32pm工藝做2021-2026-PowerICvoltagerangebytechnology數(shù)據(jù)來(lái)源：Yble圖57:BCD是Bipolar、CMOS.DMOS三者的結(jié)合數(shù)據(jù)來(lái)源：ST0.32pmBCD6/6sIBCD6SOFFLINE!圖57:BCD是Bipolar、CMOS.DMOS三者的結(jié)合數(shù)據(jù)來(lái)源：ST0.32pmBCD6/6sIBCD6SOFFLINE!BCD6SSOI|gSQV-800V|■TaiTinii:Isolalxm： 0.16pmBCD8S-AUTOI BCDfisP IBCD8S-SOIiicIsolation(Caoaertne) : GalvanicIsolation(Capaolive)10WAvailable Prototyping Development圖59:RESURF的耗盡層結(jié)構(gòu)示意圖AnodeCathode數(shù)據(jù)來(lái)源：BackgroundSurveyofPowerDevicesandRelatedIssues圖58:BCD工藝演進(jìn)圖數(shù)據(jù)來(lái)源：srr近三十年來(lái)，BCD工藝已取得了極大的發(fā)展，從最初的4Nm制程，到現(xiàn)在對(duì)65nm的突破，線(xiàn)寬不斷減小，但與標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝遵循摩爾定律持續(xù)追求線(xiàn)寬更小、速度更快不同，BCD工藝未來(lái)將向著3個(gè)方向分化發(fā)展：高壓、高功率、高密度.1）高壓BCD工藝主要適用于500-700V電壓，其核心在于提高器件耐壓，同時(shí)實(shí)現(xiàn)對(duì)電壓的精確控制.通常而言為提高耐壓需要更厚的外延層，導(dǎo)致橫向擴(kuò)散會(huì)消耗更多的硅片面積.根據(jù)《BCD工藝概述》介紹，為化解這一問(wèn)題，1979年J.AAppels等人提出將RESURF（reducedsurfacefield,即降低表面電場(chǎng)）技術(shù)應(yīng)用于橫向DMOS中，利用輕摻雜外延層使得表面電場(chǎng)分布更加平坦，從而改善表面擊穿特性，使得擊穿發(fā)生在體內(nèi)以提高器件的擊穿電壓。此外，高壓應(yīng)用需要更加復(fù)雜的數(shù)字電路對(duì)電壓等級(jí)加以精確控制，因此高壓BCD的技術(shù)難點(diǎn)在于光刻尺寸的減小。2）高功率BCD工藝主要用于電壓范圍40-90V、大電流、中等規(guī)模的控制電路中，例如汽車(chē)電子.其發(fā)展關(guān)鍵在于提高器件可靠性，同時(shí)最大程度的降低成本.參考《BCD集成電路技術(shù)的研究與進(jìn)展》中的論述，以意法半導(dǎo)體的0.8pmBCD4為例，此類(lèi)工藝中的DMOS器件占據(jù)管芯的較大面積，因此其發(fā)展關(guān)鍵是如何優(yōu)化DMOS器件的結(jié)構(gòu)以提高器件強(qiáng)度、降低導(dǎo)通電阻，同時(shí)降低控制電路的成本，而減小工藝特征尺寸并非其關(guān)注重點(diǎn).3）高密度BCD是BCD工藝與標(biāo)準(zhǔn)VLSICMOS工藝的融合,代表了BCD工藝的主流方向，應(yīng)用領(lǐng)域最廣.高密度BCD耐壓通常在5-50V之間，汽車(chē)電子主要為70V,高集成度能提高產(chǎn)品功能多樣性，同時(shí)有效降低器件的體積和重量。典型的有意法半導(dǎo)體推出的0.6pmBCD5和0.35gmBCD6,高密度體現(xiàn)在兩種工藝均集成了非易失性存儲(chǔ)器.高密度BCD工藝的核心在于怎樣在高光刻精度的CMOS平臺(tái)實(shí)現(xiàn)DMOS器件，并使其達(dá)到最優(yōu)性能.例如，傳統(tǒng)DMOS工藝的長(zhǎng)時(shí)間高溫推阱工藝、VLSI（\feryLargeScaleIntegration,即超大規(guī)模集成電路）所需的特征尺寸減小工藝、以及薄柵氧層低抹陷要求之間并不兼容.為了實(shí)現(xiàn)BCD和VLSICMOS工藝的融合，BCD5、BCD6研發(fā)了一系列改善工藝，包括采用大角度離子斜注入技術(shù)減少熱過(guò)程、提高光刻精度以增加溝道電流密度、使用5層Al/Cu金屬互連以降低導(dǎo)通電阻、采用P7P+襯底改善寄生雙極晶體管效應(yīng)、應(yīng)用自對(duì)準(zhǔn)硅化物技術(shù)提高器件強(qiáng)度和速度等。高密度BCD工藝的發(fā)展方向是更小的光刻尺寸、更加模塊化和靈活化的工藝步驟。所謂模塊化是指將一些器件制成標(biāo)準(zhǔn)化模塊，根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需求選用或省略該模塊。采用模塊化的開(kāi)發(fā)方法有利于高效完成產(chǎn)品設(shè)計(jì)，從而快速滿(mǎn)足市場(chǎng)持續(xù)增長(zhǎng)的需求，同時(shí)保證性能、功能和成本達(dá)到最佳折中。高端BCD工藝壁壘較高，主要被歐美廠商所掌握.目前掌握高端BCD特色工藝技術(shù)的主要為歐美廠商，包括意法半導(dǎo)體、德州儀器、ADI等。東部高科等也屬于BCD工藝第一梯隊(duì)領(lǐng)跑者，與歐美IDM廠商差距已經(jīng)很小，甚至在某些方面更加優(yōu)秀.此外，中芯國(guó)際、華虹半導(dǎo)體、華潤(rùn)微等也在不斷推出BCD工藝平臺(tái)，華虹的第二代0.18微米5V/40VBCD工藝平臺(tái)40VDMOS擊穿電壓達(dá)到52V,導(dǎo)通電阻也顯著下降，達(dá)到該制程領(lǐng)先工藝水平。盡管如此，我們預(yù)計(jì)大陸廠商和國(guó)際最先進(jìn)的水平仍然有1代工藝（3-5年）的差距.設(shè)計(jì)更依賴(lài)經(jīng)驗(yàn)?zāi)M芯片設(shè)計(jì)自動(dòng)化程度低，輔助設(shè)計(jì)工具較少，更加依賴(lài)設(shè)計(jì)師的經(jīng)驗(yàn)積累。數(shù)字芯片可以借助EDA等工具輔助設(shè)計(jì)，前期邏輯設(shè)計(jì)中LogicSynthesis和FormalXbrification的自動(dòng)化程度較高，后期版圖設(shè)計(jì)也可借助軟件自動(dòng)完成并優(yōu)化，因此數(shù)字芯片設(shè)計(jì)門(mén)檻相對(duì)較低，平均學(xué)習(xí)曲線(xiàn)大約3-5年.但是模擬芯片可以借助的設(shè)計(jì)工具較少，需要工程師憑借設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)完成邏輯設(shè)計(jì)和版圖布局.此外，由于模擬芯片對(duì)寄生電容等敏感，不同應(yīng)用場(chǎng)景下即使是同類(lèi)型芯片的layout版圖設(shè)計(jì)也需要進(jìn)行調(diào)整。這也就造成模擬芯片設(shè)計(jì)門(mén)檻高、研發(fā)周期長(zhǎng)，平均人才培養(yǎng)周期需要10-15年.因此，模擬IC設(shè)計(jì)

公司的核心競(jìng)爭(zhēng)力就體現(xiàn)在研發(fā)團(tuán)隊(duì)上，公司能否持續(xù)擴(kuò)品類(lèi)很大程度上依賴(lài)于研發(fā)團(tuán)隊(duì)的規(guī)模和設(shè)計(jì)能力.統(tǒng)計(jì)國(guó)內(nèi)模擬廠商2018-2020年研發(fā)人員數(shù)和公司營(yíng)收數(shù)據(jù)，可以發(fā)現(xiàn)兩者大致呈現(xiàn)正相關(guān).圖61:圖61:模擬IC設(shè)計(jì)自動(dòng)化程度低（顏色深自動(dòng)化程度高）圖62:國(guó)內(nèi)模擬廠商研發(fā)人員數(shù)與公司營(yíng)收呈正相關(guān)Q0 100 200研發(fā)人員數(shù)（人）?基邦股份 ?芯朋微300 400?Q0 100 200研發(fā)人員數(shù)（人）?基邦股份 ?芯朋微300 400?思瑞浦0505211ee)據(jù)?艾為電子 ?卓勝崔數(shù)據(jù)來(lái)源：芯片天地?cái)?shù)據(jù)來(lái)源：Wind,國(guó)泰君安證券研究數(shù)據(jù)來(lái)源：芯片天地市場(chǎng)：周期性較弱，規(guī)模穩(wěn)增長(zhǎng)模擬芯片行業(yè)周期性相對(duì)較弱周期性：行業(yè)周期性較弱，增長(zhǎng)穩(wěn)定性高.模擬芯片作為半導(dǎo)體子行業(yè),其周期變化基本和集成電路行業(yè)相一致。但由于模擬芯片產(chǎn)品種類(lèi)繁雜、分散，下游涉及市場(chǎng)廣，各行業(yè)需求波動(dòng)此消彼長(zhǎng)、相互對(duì)沖，因此模擬芯片增長(zhǎng)波動(dòng)性弱于集成電路行業(yè)整體的波動(dòng)性。根據(jù)WSTS.ICInsights的報(bào)道，2013年至2020年全球集成電路市場(chǎng)增速來(lái)看，模擬IC增速波動(dòng)較小.圖64:模擬IC增速高于整體半導(dǎo)體行業(yè)（2018-2023E）圖圖64:模擬IC增速高于整體半導(dǎo)體行業(yè)（2018-2023E）圖63:模擬市場(chǎng)波動(dòng)小于整體集成電路全球我字IC市Mtt?模（，匕關(guān)無(wú)）全*tt也IC市場(chǎng)規(guī)樵"C關(guān)五） 仝球集熊電*?地運(yùn)（%, ￡1MSU，"C增連<%,*4*>數(shù)據(jù)來(lái)源：ICInsights,思瑞浦招股說(shuō)明書(shū)，國(guó)泰君安證券研究數(shù)據(jù)來(lái)源：WSTS,ICInsights,國(guó)泰君安證券研究汽車(chē)和通信拉動(dòng)模擬芯片需求成長(zhǎng)性：模擬行業(yè)增速穩(wěn)定，但不代表增長(zhǎng)緩慢，相反，其增速高于集

成電路整體.WSTS的數(shù)據(jù)顯示，從2013-2020年，全球模擬集成電路的銷(xiāo)售額從401億美元提升至570億美元，年均復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)到5.15%,而全球數(shù)字IC市場(chǎng)CAGR僅為4.66%、集成電路整體增速4.74%.據(jù)ICInsights預(yù)測(cè)，模擬集成電路2018-2023E的增長(zhǎng)率有望達(dá)到7.4%,遠(yuǎn)超過(guò)整體市場(chǎng)增速6.8%,僅次于存儲(chǔ)細(xì)分行業(yè)7.8%的年均復(fù)合增長(zhǎng)率.圖65:模擬IC下游應(yīng)用中通訊占比高Communication.37.0%Computer.7.3%圖66:全球新能源汽車(chē)出貨量增速快數(shù)據(jù)來(lái)源：GGII,圖66:全球新能源汽車(chē)出貨量增速快數(shù)據(jù)來(lái)源：GGII,Ev-sales,前瞻產(chǎn)業(yè)研究院，國(guó)泰君安證券研究68%數(shù)據(jù)來(lái)源：ICInsists,國(guó)泰君安證券研究通信、汽車(chē)是重要應(yīng)用領(lǐng)域，未來(lái)亦將拉動(dòng)行業(yè)發(fā)展。按照下游需求劃分，模擬芯片主要被應(yīng)用于消費(fèi)、通訊、電腦、汽車(chē)、工業(yè)等，其中在通信領(lǐng)域的銷(xiāo)售額占比比較高，2020年達(dá)到37%,汽車(chē)電子以及工業(yè)占據(jù)22.5%和20.9%的銷(xiāo)售額.根據(jù)ICInsights數(shù)據(jù)，未來(lái)汽車(chē)電子和通信占比有望進(jìn)一步提升，成為拉動(dòng)模擬IC需求的重要?jiǎng)恿?汽車(chē)模擬IC:受益新能源車(chē)快速滲透隨技術(shù)不斷完善及全球政府的大力推進(jìn)，新能源汽車(chē)未來(lái)有望保持較高增速：供給端來(lái)看。特斯拉等造車(chē)新勢(shì)力通過(guò)打造全新的用戶(hù)體驗(yàn)■及產(chǎn)品模式,倒逼傳統(tǒng)廠商向新能源轉(zhuǎn)型，形成良性循環(huán)，大量?jī)?yōu)質(zhì)新能源車(chē)型被紛紛推向市場(chǎng).需求端來(lái)看：購(gòu)車(chē)群體對(duì)新能源車(chē)逐步產(chǎn)生認(rèn)識(shí)疊加政府的大力推進(jìn)，新能源汽車(chē)消費(fèi)人群逐步起量.因此，新能源車(chē)未來(lái)有望逐步替代傳統(tǒng)能源汽車(chē)，成為汽車(chē)市場(chǎng)增長(zhǎng)的主要驅(qū)動(dòng)力。圖67:新能源汽車(chē)出貨結(jié)構(gòu)，純電動(dòng)超60%■純電動(dòng)■插混動(dòng)力■氫數(shù)據(jù)來(lái)源：乘聯(lián)會(huì)，前瞻產(chǎn)業(yè)研究院，國(guó)泰君安證券研究

2021年全球新能源車(chē)出貨量快速增長(zhǎng).進(jìn)入2021年后，全球出貨量快速增長(zhǎng)，截至2021年上半年，全球新能源車(chē)出貨量超過(guò)250萬(wàn)輛，預(yù)計(jì)全年增速將超過(guò)50%。從出貨結(jié)構(gòu)看，純電動(dòng)和插混動(dòng)力占據(jù)全球約99%份額，氫燃料電池汽車(chē)占比約為1%。分地區(qū)來(lái)看，中國(guó)是全球最大市場(chǎng)之一,2021增速?？?2020年，中國(guó)占據(jù)全球新能源汽車(chē)出貨41.27%,歐洲這一份額為43.06%,二者是全球最大的新能源汽車(chē)市場(chǎng)。根據(jù)中商情報(bào)網(wǎng)報(bào)道，2021年1-9月，國(guó)內(nèi)新能源汽車(chē)銷(xiāo)量達(dá)到215.7萬(wàn)輛，預(yù)計(jì)全年銷(xiāo)量有望達(dá)到260萬(wàn)輛，預(yù)計(jì)全年銷(xiāo)量增速有望超過(guò)90%。從銷(xiāo)售結(jié)構(gòu)來(lái)看，國(guó)內(nèi)純電動(dòng)車(chē)占據(jù)新能源汽車(chē)銷(xiāo)量比重為81.6%,混合動(dòng)力車(chē)占比為18.60%,氫燃料電池汽車(chē)占比僅為0.07%。銷(xiāo)量增長(zhǎng)有望持續(xù)，拉動(dòng)上游汽車(chē)電子需求.隨著技術(shù)的不斷成熟與成本的顯著下降，新能源汽車(chē)的用戶(hù)體驗(yàn)得到了顯著的提升，隨著消費(fèi)者需求不斷釋放，未來(lái)中國(guó)乃至全球新能源汽車(chē)銷(xiāo)量將維持長(zhǎng)期高速增長(zhǎng)，行業(yè)進(jìn)入高景氣周期，預(yù)計(jì)2021-2026年的CAGR將接近30%。隨著下游新能源汽車(chē)需求不斷釋放，汽車(chē)電子作為新能源車(chē)產(chǎn)業(yè)鏈的上游有望充分受益。圖68:中國(guó)和歐洲是全球最主要市場(chǎng)數(shù)據(jù)來(lái)源：Ev-sales,前瞻產(chǎn)業(yè)研究院，國(guó)泰圖68:中國(guó)和歐洲是全球最主要市場(chǎng)數(shù)據(jù)來(lái)源：Ev-sales,前瞻產(chǎn)業(yè)研究院，國(guó)泰君安證券研究圖69:中國(guó)2021年新能源汽車(chē)出貨增速預(yù)計(jì)超過(guò)90%數(shù)據(jù)來(lái)源：中商情報(bào)網(wǎng)，國(guó)泰君安證券研究模擬芯片是汽車(chē)座艙、動(dòng)力、車(chē)身域的重要組成部分.根據(jù)nie的報(bào)道,當(dāng)前每輛汽車(chē)包含10-100個(gè)模擬芯片，每種芯片的價(jià)值量約為1美金.根據(jù)江蘇潤(rùn)石的報(bào)道，這些模擬芯片主要分布在座艙域、動(dòng)力域以及車(chē)身域，對(duì)汽車(chē)的控制起到舉足輕重的作用.隨著電動(dòng)車(chē)加速滲透，模擬芯片價(jià)值量提升,打開(kāi)行業(yè)空間.根據(jù)英飛凌、strategyanalytics和IHSMarkit的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，ICE（內(nèi)燃車(chē)）內(nèi)半導(dǎo)體價(jià)值396美元；而PHEV和BEV二者半導(dǎo)體價(jià)值量為834美元，顯著高于傳統(tǒng)燃油車(chē)，相比ICE的半導(dǎo)體價(jià)值量增加了約438美元。模擬芯片作為電動(dòng)車(chē)動(dòng)力域重要組成部分，單車(chē)價(jià)值量有望顯著提升，打開(kāi)行業(yè)空間。根據(jù)（Insights報(bào)道，2022年汽車(chē)電子在模擬芯片下游需求占比有望從2020年的22.5%上升至24.7%。:tedbyth1ComputingADAS(Camera)Ichippercarin60%ofcars28nmmostly?$35perchipPowerdiscreteforxEV:tedbyth1ComputingADAS(Camera)Ichippercarin60%ofcars28nmmostly?$35perchipPowerdiscreteforxEV10-30chipspercarin10%ofcars130nmto65nm<$SperchipI漁Alchipsforautonomy_￡jI-2chipspercarin<1%ofcarsI4nmorbelow?$150perchipLowimpactofthechipshortage圖70:每輛汽車(chē)包含10-100個(gè)模擬芯片ImagesensorsI-10chipspercarin60%of90nmto28nm?$10perchipMicrocontrollers15-80chipspercarin100%ofcarsl30nmto45nm?$1perchipAnalogcomponents10-100chipspercarin100%ofcarsl80nmto65nm?$1perchip數(shù)據(jù)來(lái)源：Yole圖1:BEV中半導(dǎo)體價(jià)值量顯著提升圖2:汽車(chē)電子成為拉動(dòng)模擬芯片需求主要?jiǎng)恿ull&Plug-inHybridsandBatteryElectricVehicles數(shù)據(jù)來(lái)源：ICInsights,國(guó)泰君安證券研究數(shù)據(jù)來(lái)源：英飛凌，Strategyanalytics,1HSMarkit1.1.2.2.通信模擬IC:受益信息網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)建設(shè)“十四五”數(shù)字經(jīng)濟(jì)發(fā)展規(guī)劃有望加快信息網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè),推動(dòng)通信設(shè)備市場(chǎng)持續(xù)增長(zhǎng).2020年，我國(guó)數(shù)字經(jīng)濟(jì)核心產(chǎn)業(yè)增加值占GDP比重達(dá)到7.8%,為經(jīng)濟(jì)發(fā)展提供了強(qiáng)勁支持。目前，我國(guó)已建成全球規(guī)模最大的光纖和4G移動(dòng)通信網(wǎng)絡(luò)，5G網(wǎng)絡(luò)建設(shè)和應(yīng)用也在加速推進(jìn).2020年，我國(guó)寬帶用戶(hù)普及率顯著提升，光纖用戶(hù)占比超過(guò)94%,移動(dòng)寬帶用戶(hù)實(shí)現(xiàn)108%的普及率，互聯(lián)網(wǎng)協(xié)議IPv6活躍用戶(hù)數(shù)達(dá)到4.6億?！笆奈澹?，數(shù)字經(jīng)濟(jì)發(fā)展規(guī)劃的實(shí)施，將持續(xù)推動(dòng)5G商用部署和規(guī)模應(yīng)用，同時(shí)加快6G技術(shù)的研發(fā)力度，實(shí)現(xiàn)信息網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施的優(yōu)化升級(jí)。

圖73:“十四五”數(shù)字經(jīng)濟(jì)發(fā)展主要指標(biāo)指標(biāo) 2020年 2025年 屬性數(shù)字經(jīng)濟(jì)核心產(chǎn)業(yè)增加值占GDP比重（%）7.810預(yù)期性IPv6活躍用戶(hù)數(shù)（億戶(hù)）4.68預(yù)期性千兆寬帶用戶(hù)數(shù)（萬(wàn)戶(hù)）6406000預(yù)期性軟件和信息技術(shù)服務(wù)業(yè)規(guī)模（萬(wàn)億元）8.1614預(yù)期性工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)平臺(tái)應(yīng)用普及率（％）14.745預(yù)期性全國(guó)網(wǎng)上零售額（萬(wàn)億元）11.7617預(yù)期性電子商務(wù)交易規(guī)模（萬(wàn)億元）37.2146預(yù)期性在線(xiàn)政務(wù)服務(wù)實(shí)名用戶(hù)規(guī)模（億）48預(yù)期性數(shù)據(jù)來(lái)源：《國(guó)務(wù)院關(guān)于印發(fā)“十四五”數(shù)字經(jīng)濟(jì)發(fā)展規(guī)劃的通知》，國(guó)泰君安證券研究2020年全球通信設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到925億美元，中國(guó)運(yùn)營(yíng)商份額超40%.據(jù)DelTOroGroup數(shù)據(jù)，隨著無(wú)線(xiàn)接入網(wǎng)（RAN）和移動(dòng)核心網(wǎng)絡(luò)在內(nèi)的多個(gè)無(wú)線(xiàn)領(lǐng)域的強(qiáng)勁增長(zhǎng)，以及寬帶接入和消費(fèi)電子展（CES）的溫和驅(qū)動(dòng)，預(yù)計(jì)2021-2027年全球通信設(shè)備市場(chǎng)將以4%左右的速度穩(wěn)步增長(zhǎng)，在2027年達(dá)到1217億美元的規(guī)模。從主要供應(yīng)商來(lái)看，華為的市場(chǎng)份額顯著領(lǐng)先于行業(yè)第二，2020年達(dá)到了30.8%的市占率.此外，即便是在貿(mào)易摩擦的背景下，華為、中興兩家中國(guó)通信設(shè)備供應(yīng)商的市場(chǎng)份額仍逐年上升，2020年實(shí)現(xiàn)了超越40%的市場(chǎng)份額。圖75:國(guó)內(nèi)通信設(shè)備主要供應(yīng)商市場(chǎng)份額高圖74:全球通信設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模超圖75:國(guó)內(nèi)通信設(shè)備主要供應(yīng)商市場(chǎng)份額高數(shù)據(jù)來(lái)源：Dell'OroGroup,前瞻產(chǎn)業(yè)研究院，國(guó)泰君安證券研究數(shù)據(jù)來(lái)源：Dell'OroGroup,前瞻產(chǎn)業(yè)研究院，國(guó)泰君安證券研究圖76：通訊設(shè)備系統(tǒng)應(yīng)用框架比阡P0NKCPE

光學(xué)模塊文戰(zhàn)機(jī)JtMWLAN同美（xDSL/ntt）—訐制解調(diào)M<tWDSL/GFAST）光纖網(wǎng)絡(luò)饞埼紫五（ONT>'及梃中心內(nèi)互&（長(zhǎng)金網(wǎng)絡(luò),本?下）一??1梃中心角年互R（地鐵），氐站網(wǎng)關(guān)路由3_'幢心路由A一邊鋒”由器/小叁企dUt由8?E9?和分攵文彼九一/It據(jù)中7攵接機(jī)小型金建文模機(jī)一?WLAN/WkFiM人A無(wú)線(xiàn)基N設(shè)施4UI傳*系統(tǒng)*B4E小叁峰H蠹站,中鯉站（AAS）6號(hào)單七（B8U?宏述線(xiàn)尤段電單元（RRU）多發(fā)人邊爆計(jì)算（MEC）/室內(nèi)閾程宣撲田程單七模擬芯片在通信設(shè)備系統(tǒng)中有著廣泛應(yīng)用*一套完整的通信系統(tǒng)包含了從信號(hào)鏈到電源鏈的多種模擬芯片，對(duì)設(shè)備的正常運(yùn)行發(fā)揮著重要作用.據(jù)TI官網(wǎng)，模擬芯片在通訊領(lǐng)域的應(yīng)用可以分為四大類(lèi)型，分別是寬帶固定線(xiàn)路接入、數(shù)據(jù)通訊模塊、有線(xiàn)網(wǎng)絡(luò)和無(wú)線(xiàn)基礎(chǔ)設(shè)施。1）寬帶固定線(xiàn)路接入：以調(diào)制解調(diào)器為例.從特性上看，該系統(tǒng)需要克服和適應(yīng)各種信號(hào)條件，同時(shí)要具備出色的外機(jī)接口（EMI）,失真性能以及較低的功耗。結(jié)構(gòu)決定性能，從其元器件構(gòu)成上看，該系統(tǒng)的非隔離負(fù)載點(diǎn)（PoL）電源、測(cè)序和監(jiān)控部分、LED控制部分均用到了大量的電源管理芯片，包括升/降壓轉(zhuǎn)換器、線(xiàn)性穩(wěn)壓器LDO、負(fù)載開(kāi)關(guān)、驅(qū)動(dòng)芯片和端口控制器等。在DSL寬帶、以太網(wǎng)接口、USB等部分，線(xiàn)性產(chǎn)品如放大器、接口收發(fā)器等模擬IC也發(fā)揮了重要作用.圖77:寬帶固定線(xiàn)路接入（以調(diào)制解調(diào)器為例）EZZIImI數(shù)據(jù)來(lái)源：TI圖78:數(shù)據(jù)通信模塊（以光學(xué)模塊為例）圖77:寬帶固定線(xiàn)路接入（以調(diào)制解調(diào)器為例）EZZIImI數(shù)據(jù)來(lái)源：TI圖78:數(shù)據(jù)通信模塊（以光學(xué)模塊為例）iiiiz七二：數(shù)據(jù)來(lái)源：TI2）數(shù)據(jù)通信模塊：以光學(xué)模塊為例。這類(lèi)通信設(shè)備主要是指高寬帶數(shù)據(jù)通信的光收發(fā)器，通常需要更低的功耗以抑制模塊升溫，同時(shí)也需要通過(guò)精確調(diào)控激光二極管進(jìn)而實(shí)現(xiàn)對(duì)榆出功率的調(diào)節(jié).值得一提的是，在數(shù)據(jù)通信光模塊的4個(gè)重要部分（PhotoDiodeBias,MeasurementFeedback,SerDesClockDataRecovery&LaserDriver,ExternallyModulatedLaserElectroAbsorptionBias）,都有精密ADC.DAC的應(yīng)用以完成模數(shù)、數(shù)模轉(zhuǎn)換。3）有線(xiàn)網(wǎng)絡(luò)：以WLAN/Wi-Fi接入點(diǎn)為例，其主要用于高速網(wǎng)絡(luò)連接的千兆位以太網(wǎng)鏈路，具有微控制器、符合802.11標(biāo)準(zhǔn)的射頻（RF）收發(fā)器。其應(yīng)用到的電源鏈模擬芯片包括PWM控制器、隔離式DC/DC轉(zhuǎn)換器、升/降壓轉(zhuǎn)換器和線(xiàn)性穩(wěn)壓器LDO等，信號(hào)鏈模擬IC包括RS-232收發(fā)器、ESD和浪涌保護(hù)IC等.圖79:有線(xiàn)網(wǎng)絡(luò)（以WLAN/Wi-Fi接入點(diǎn)為例）圖80:無(wú)線(xiàn)基礎(chǔ)設(shè)施（以小型蜂窩基站為例），理二注,_-HEZ3|數(shù)據(jù)來(lái)源：TI數(shù)據(jù)來(lái)源：數(shù)據(jù)來(lái)源：TI4）無(wú)線(xiàn)基礎(chǔ)設(shè)施：以小型蜂窩基站為例，其具有寬帶寬和多頻帶操作的高度集成模擬前端器件，通過(guò)分組接口實(shí)現(xiàn)網(wǎng)絡(luò)同步，可在高環(huán)境溫度下實(shí)現(xiàn)高密度電源管理。具體而言，僅在RFfrontend&poweramplifier部分，就使用到了電源管理、ADC/DAC轉(zhuǎn)換器、運(yùn)算放大器、數(shù)字/模擬溫度傳感器這四大類(lèi).由此可見(jiàn)，通訊設(shè)備幾乎囊括了所有模擬IC細(xì)分子類(lèi)，包括信號(hào)鏈和電源鏈.隨著5G移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)建設(shè)的加速推進(jìn)，模擬芯片在通信領(lǐng)域的市場(chǎng)仍將不斷被開(kāi)拓。根據(jù)ICInsights報(bào)道，模擬IC下游中，通信行業(yè)占比將從2020年的37%提升至2022年的37.5%.圖81:通訊成為拉動(dòng)模擬IC行業(yè)增長(zhǎng)的主要驅(qū)動(dòng)力（占比提升）數(shù)據(jù)來(lái)源：ICInsights,國(guó)泰君安證券研究1.4.份額：格局較分散，國(guó)產(chǎn)化率低模擬IC市場(chǎng)以TI為龍頭廠商，整體市場(chǎng)份額相對(duì)分散.根據(jù)ICIns朝ts官網(wǎng)披露數(shù)據(jù),2020年模擬集成電路行業(yè)龍頭廠商TI的市占率達(dá)到19%,

其次為ADI市場(chǎng)份額9%,之后各公司的市場(chǎng)份額均不超過(guò)7%,CR5僅48%,整體市場(chǎng)份額相對(duì)分散。圖82:TI為模擬行業(yè)龍頭，市占率達(dá)到19%（2020年）圖83:2015年后，市場(chǎng)集中度有所上升數(shù)據(jù)來(lái)源：ICInsights,國(guó)泰君安證券研究數(shù)據(jù)來(lái)源：圖83:2015年后，市場(chǎng)集中度有所上升數(shù)據(jù)來(lái)源：ICInsights,國(guó)泰君安證券研究從行業(yè)發(fā)展來(lái)看，市場(chǎng)集中度有所上升，從2015年以來(lái)，CR10,CR5均上升7%.CR10從2015年的56%上升至2019年67%,增加近11個(gè)點(diǎn)，2020年略有下降至63%。行業(yè)集中度的上升主要來(lái)自于除TI以外的廠商，銷(xiāo)售額位列2-5廠商市場(chǎng)的份額上升解釋了絕大部分行業(yè)集中度的提高，TI的市占率僅提升1%,而剩余廠商的市場(chǎng)份額合計(jì)沒(méi)有發(fā)生變動(dòng)。行業(yè)格局相對(duì)穩(wěn)定，前五大廠商名單近年來(lái)未曾發(fā)生變動(dòng).根據(jù)ICInsights數(shù)據(jù)，從2014年到2020年，銷(xiāo)售額前5的廠商名單沒(méi)有發(fā)生變動(dòng)，分別為T(mén)hADLSkyworks>Infineon和ST。排名前10的廠商名單僅1家LinearTechnology由于被ADI收購(gòu)而退出名單。圖84:2013-2018中國(guó)模擬集成電路市場(chǎng)規(guī)?？焖僭鲩L(zhǎng)數(shù)據(jù)來(lái)源：ICInsights,思瑞浦招股說(shuō)明書(shū)，國(guó)泰君安證券研究數(shù)據(jù)來(lái)源：中國(guó)半導(dǎo)體協(xié)會(huì)，前瞻產(chǎn)業(yè)研究院，國(guó)泰君安證券研究目前，模擬行業(yè)前十大廠商均為美歐日.從2020年銷(xiāo)售額排名前十的廠商可以看出，TI、ADI.Skyworks>NXP.ONSemi.Microchip.Maxim為美國(guó)廠商，英飛凌、意法半導(dǎo)體為歐洲廠商，Renesas為日本廠商，圖84:2013-2018中國(guó)模擬集成電路市場(chǎng)規(guī)?？焖僭鲩L(zhǎng)數(shù)據(jù)來(lái)源：ICInsights