大三上-材料物理性能物理

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壓縮系數(shù)與結(jié)合能有效質(zhì)量、空穴影響散射或電阻的微馬西森定律、剩余電20122.2.2t0(1 (2.9 at0(1 2012不同溫度范圍電阻率與溫度的關(guān)極低溫度時電子-電子散

T D

T

T

T電子-聲子(離子)散T3

在高溫下，電子的平均自晶格振動振幅均

2012鐵磁金屬的電阻與一般純金屬的電阻溫度系數(shù)～4×10-3渡族金屬，特別是鐵磁性金屬具有較高的 Fe:6×10-3，Co:6.6×10-3，Ni:6.2×10-Ms平方成正比。鐵磁性金ds2012金屬熔化時電

熔化時電阻反屬鍵結(jié)合使電阻率下降(Sb)。20122.2.3電阻率與在流體靜壓下，金屬的電阻率可表p 0(1

(2.130：真空條件下的電阻p：壓：壓力系數(shù)(-10-5～10-1d 2012壓力對電阻率根據(jù)壓力對金屬導(dǎo)電性的影響特性正常金屬：隨壓力增大，金屬電阻率下 反常金屬：隨壓力增大，金屬電阻率增堿金屬、稀土金 2012冷加工對電阻率的影

冷加工一般引起金屬電阻率增低溫時常用電阻法研究金屬的冷加工2012根據(jù)馬西森定律，冷加工金屬的電阻mm：與溫度有關(guān)的退火金屬電：剩余電阻與溫度無關(guān)，所以T與冷加工程度無關(guān)m 比值隨溫度降低冷加工的金屬在任何溫度下都保留有高率。范比倫(VanBeuren表達(dá)電阻率增加值隨變ε的變化

(2.16C考C考冷加工前的電阻值2012空位、間隙原子以及它們的組晶體缺陷使金屬電阻率增加，根據(jù)馬西森 2012 平衡狀態(tài)濃度的缺陷，引起附加電阻率AeE/E：空位形成能；T：淬火溫度；A：常2012缺陷對電阻率的影響實驗表明，點缺陷引起的剩余電阻率遠(yuǎn)比線缺陷的影響大?？瘴缓烷g隙原子對剩余電阻率的影響和金屬雜質(zhì)原子的影似，其影響大小為同一數(shù)量級2012位錯對電阻率的大多數(shù)金屬，當(dāng)形變量不大時，位錯引起的電阻率變化d與位錯密度Nd之間呈線性關(guān)系。當(dāng)退火溫度接近再結(jié)晶溫度時，位錯對電阻率的影響可忽

20122.2.7固溶體的

(K狀態(tài)電阻2012 體的溶質(zhì)在從固布等)

低性很電子2012低濃度固溶

0

0：固溶體溶劑組元的電：剩余電阻C：雜質(zhì)原子含：1%原子雜質(zhì)引起的附加電阻溶質(zhì)金屬所引起的電阻率增加，由溶劑數(shù)決定，價數(shù)差越大電阻率增加越大 2012諾伯里-林德(Norbury-lide)

ab(Z ΔZ：低濃度合金溶質(zhì)和溶劑間的價2012馬西森定律目前已有不少低濃度固溶體偏差馬西森定0Δ：偏離馬西森定律相互作2012有序合金

合金有序化對其電阻率的影響有兩種競2012合金有序化導(dǎo)致電

2012v1(qc)22合金成份及有序度對剩余電斯米爾諾夫理論公：0K時合金剩余電阻c：合金中第一組元v：第一類結(jié)點相對濃度據(jù)的可能 ：與組元性質(zhì)有關(guān) 2012 2012KX的結(jié)果，所以稱“不均勻固溶，又稱“K2012料的電性引電子類載流離子類載流半導(dǎo)超導(dǎo)電導(dǎo)2012離子類載缺陷。。參與導(dǎo)電的載流子主要是雜質(zhì)，稱為雜質(zhì)導(dǎo)電在較低溫度下雜質(zhì)導(dǎo) 現(xiàn)顯著；而本征2012離子電導(dǎo)

在離子導(dǎo)體2012無外加電

V為離子運動阻力最小路PPakTexpVh kTa：與不可逆跳躍相關(guān)：離子在勢阱中振動

2012離子在外電場作用

12zeEb 121zeEb12zeEb 121zeEb122左邊的勢壘升高F是作用在離子價為z的離子上的電場力外加電場使離子向左右兩邊克服的勢壘不2012離子在外電場作用下的運動(續(xù)P expP exp1V1Fb 2P exp1V1Fb 2

電場方

反電場由于P+>P-，電場方向上存在一平均漂移vb(PP)1bPexp(Fb)exp(Fb)bPsinh(FbvbPvbPsinh(Fb

該結(jié)果是在電場和溫度場作用下獲得的 2012vbPvbPsinh(Fb

當(dāng)電場足夠低時，即

kT vb當(dāng)電場足夠強大vconst.expbF

一般情況下，溫度場遠(yuǎn)大于電場 2012jjj:(C/cm2secn:每立方厘米的離子(離子數(shù)ze:2012離子導(dǎo)電性與溫度的關(guān)系(續(xù)

j

b2

nzeb2P

nz2e2b2

VVPakTexpVh kTjnz2e2b2Ea

V

naz2e2b2Eexp

GDC

kT

E

expGDC

2012離子導(dǎo)電性與溫度的關(guān)系(續(xù)

對

expGDC取自

naz2e2b2

lnln)lnlnlnlnlogATlogAT

與玻璃電阻率經(jīng)驗公式

2012求焓

根據(jù)熱力學(xué)第二定律GdcHdcT 代 ln

lnln

exp(Sdc)

ln1曲線上的斜率與截距，可求T熵變和焓變。(SdcHdc

2012材料中總電導(dǎo)率可表

i

BiT

同樣，總電阻率可表i

T2012離子電導(dǎo)電場使離子定向運動產(chǎn)生電流密度J2形成濃度梯度，導(dǎo)致擴散而產(chǎn)生電流密度J1當(dāng)達(dá)到熱平衡條件時，J1與J2J2EJ2E其中

Dq

Dqn

201201z8109-Nernst-Einstein根 分布，存在電場時，濃度表示

nn0exp(qV/kT濃度nqn

n0：常

Dqn

Dq(qn)V 2012Nernst-Einstein(續(xù)

Dq2nDq2n/nq 電導(dǎo)率σ與D正比，說明擴散激活能越小，電