材料分析方法之課后習(xí)題答案

編號(hào)：絕密文件內(nèi)部資料編號(hào)：絕密文件姓名：版權(quán)全部 翻版必究目 錄第一章材料X射線(xiàn)衍射分析 其次章X射線(xiàn)衍射方向第三章X射線(xiàn)衍射強(qiáng)度第四章多晶體分析方法第八章電子光學(xué)根底 第九章透射電子顯微鏡第十章電子衍射 第十一章晶體薄膜衍襯成像分析 第十三章掃描電子顯微鏡 第十五章電子探針顯微分析 第一章X射線(xiàn)物理學(xué)根底2X射線(xiàn)管的額定功率為1.5KW，在管電壓為35KV時(shí)，容許的最大電流是多少？答：1.5KW/35KV=0.043?4CuKβKα線(xiàn)透射系數(shù)的1/6，求濾波片的厚度。＝290cm2/g，有公式 故： ，解得:t=8.35umt6、欲用MoX射線(xiàn)管激發(fā)CuX射線(xiàn)輻射，所需施加的最低管電壓是多少？激發(fā)出的熒光輻射的波長(zhǎng)是多少？k答：eV=hc/λkkV=6.626×10-34×2.998×108/(1.602×10-19×0.71×10-10)=17.46(kv)kh為普朗克常數(shù)，其值等于6.626×10-34e為電子電荷，等于1.602×10-19C故需加的最低管電壓應(yīng)≥17.46(kv)，所放射的熒光輻射波長(zhǎng)是0.071納米。7、名詞解釋?zhuān)合喔缮⑸?、不相干散射、熒光輻射、吸取限、俄歇效?yīng)答：⑴當(dāng)χ射線(xiàn)通過(guò)物質(zhì)時(shí)，物質(zhì)原子的電子在電磁場(chǎng)的作用下將產(chǎn)生受迫振動(dòng)，受迫振動(dòng)產(chǎn)生交變電磁場(chǎng)，其頻率與入射線(xiàn)的頻率一樣，這種由于散射線(xiàn)與入射線(xiàn)的波長(zhǎng)和頻率全都，位相固定，在一樣方向上各散射波符合相干條件，故稱(chēng)為相干散射。⑵當(dāng)χχ射線(xiàn)長(zhǎng)的χ長(zhǎng)隨散射方向不同而轉(zhuǎn)變，這種散射現(xiàn)象稱(chēng)為非相干散射。⑶一個(gè)具有足夠能量的χ射線(xiàn)光子從原子內(nèi)部打出一個(gè)K電子，當(dāng)外層電子來(lái)填充K空位時(shí)，將向外輻射Kχ射線(xiàn)，這種由χ射線(xiàn)光子激發(fā)原子所發(fā)生的輻射過(guò)程，稱(chēng)熒光輻射?；蚨螣晒?。⑷指χ射線(xiàn)通過(guò)物質(zhì)時(shí)間子的能量大于或等于使物質(zhì)原子激發(fā)的能量，如入射光子的能量必需等于或大于將K電子從無(wú)窮遠(yuǎn)移至K層時(shí)所作的功W，稱(chēng)此時(shí)的光子波長(zhǎng)λ稱(chēng)為K系的吸取限。K層電子被光量子擊出后，LKL層中另一個(gè)電子獲得能量越出吸取體，這樣一個(gè)K層空位被兩個(gè)L層空位代替的過(guò)程稱(chēng)為俄歇效應(yīng)。其次章X射線(xiàn)衍射方向1、試畫(huà)出以下晶向及晶面(均屬立方晶系):[111],[121],[212],(010),[110],(123),(211)自己動(dòng)手畫(huà)，依據(jù)步驟來(lái)、下面是某立方晶第物質(zhì)的幾個(gè)晶面，試將它們的面間距從大到小按次序重排列〔〔20〔31〔12，〔11〔21〔22〔13〔03〔22〔11。答：立方晶系中三個(gè)邊長(zhǎng)度相等設(shè)為答：立方晶系中三個(gè)邊長(zhǎng)度相等設(shè)為a，則晶面間距為dah2k2l2，則它們的面間距從大到小按次序是1011〔1120〔21〔12〔22〔22〔03〔1331〔12〕3λX射線(xiàn)照耀到晶體并消滅衍射線(xiàn)時(shí)，相鄰兩個(gè)〔hkl〕反射線(xiàn)的波程差是多少？相鄰兩個(gè)〔HKL〕反射線(xiàn)的波程差又是多少？X射線(xiàn)照耀到晶體上發(fā)生衍射(hk1)晶面的波程差是n(HKL)晶面的波程差是4、-Fe屬立方晶體，點(diǎn)陣參數(shù)a=0.286。如用X射線(xiàn)〔〕照耀，試求〔11、〔200〕及〔211〕可發(fā)生衍射的掠射角。答：立方晶系的晶面間距：d ah2k2l2

，布拉格方程：2dsinθ=λ，故掠射角θ=arcsin(λ/2),由以上公式得：2d(110)sinθ=λ，得θ=34.4°，同理θ=53.1°，θ=78.2°1 1 2 36[111〔11〔23〔23〔21〔10〔13〔11〔13，〔01〔21?！?1〔231〔21〔11〔101〔01〕屬于[111]晶帶。由于它們符合晶帶定律公式：7、試計(jì)算〔311〕及〔132〕的共同晶帶軸。答：由晶帶定律：v=u,化簡(jiǎn)后其晶帶軸為：[112]X射線(xiàn)衍射強(qiáng)度

，得：-3u+v+w=0(1),-u-3v+2w=0(2),聯(lián)立兩式解得：w=2v,1X承受什么樣的底片去記錄？答：當(dāng)單色X射線(xiàn)照耀圓柱柱多晶體試樣時(shí)，衍射線(xiàn)將分布在一組以入射線(xiàn)為軸的圓錐而上。在垂用以試樣為軸的圓筒窄條底片來(lái)記錄。2、原子散射因數(shù)的物理意義是什么？某元素的原子散射因數(shù)與其原子序數(shù)有何關(guān)系？1〕原子散射因數(shù)f的比值。它反映了原子將X射線(xiàn)向某一個(gè)方向散射時(shí)的散射效率?！?〕原子散射因數(shù)與其原子序數(shù)有何關(guān)系，Z越大，f越大。因此，重原子對(duì)X射線(xiàn)散射的力氣比輕原子要強(qiáng)。3、洛倫茲因數(shù)是表示什么對(duì)衍射強(qiáng)度的影響？其表達(dá)式是綜合了哪幾個(gè)方面考慮而得出的？答：洛倫茲因數(shù)是表示幾何條件對(duì)衍射強(qiáng)度的影響。洛倫茲因數(shù)綜合了衍射積分強(qiáng)度，參與衍射的晶粒分?jǐn)?shù)與單位弧長(zhǎng)上的積分強(qiáng)度。4、多重性因數(shù)的物理意義是什么？某立方第晶體，其{100}的多重性因數(shù)是多少？如該晶體轉(zhuǎn)變?yōu)樗姆较?，這個(gè)晶體的多重性因數(shù)會(huì)發(fā)生什么變化？為什么？1〕〔2〕其{100的多重性因子是6〔3〕如該晶體轉(zhuǎn)變?yōu)樗姆骄刀嘀匦砸蜃邮?〔4〕這個(gè)晶面族的多重性因子會(huì)隨對(duì)稱(chēng)性不同而轉(zhuǎn)變。5、總結(jié)簡(jiǎn)潔點(diǎn)陣、體心點(diǎn)陣和面心點(diǎn)陣衍射線(xiàn)的系統(tǒng)消光規(guī)律。產(chǎn)生電子衍射的充分條件是F0,產(chǎn)生電子衍射必要條件是滿(mǎn)足或根本滿(mǎn)足2dsin=hkl7、總結(jié)簡(jiǎn)潔點(diǎn)陣、體心點(diǎn)陣和面心點(diǎn)陣衍射線(xiàn)的系統(tǒng)消光規(guī)律。簡(jiǎn)潔點(diǎn)陣 不存在系統(tǒng)消光體心點(diǎn)陣 衍射線(xiàn)的系統(tǒng)消光規(guī)律是(h+k+l)偶數(shù)時(shí)消滅反射(h+k+l)奇數(shù)時(shí)消光面心點(diǎn)陣 衍射線(xiàn)的系統(tǒng)消光規(guī)律是h，k，l全奇或全偶消滅反射，h，k，l7、總結(jié)簡(jiǎn)潔點(diǎn)陣、體心點(diǎn)陣和面心點(diǎn)陣衍射線(xiàn)的系統(tǒng)消光規(guī)律。簡(jiǎn)潔點(diǎn)陣 不存在系統(tǒng)消光體心點(diǎn)陣 衍射線(xiàn)的系統(tǒng)消光規(guī)律是(h+k+l)偶數(shù)時(shí)消滅反射(h+k+l)奇數(shù)時(shí)消光面心點(diǎn)陣 衍射線(xiàn)的系統(tǒng)消光規(guī)律是h，k，l全奇或全偶消滅反射，h，k，l有奇有偶時(shí)消光2、同一粉末相上背射區(qū)線(xiàn)條與透射區(qū)線(xiàn)條比較起來(lái)其θ較高還是較低？相應(yīng)的d較大還是較?。考热欢嗑Х勰┑木w取向是混亂的，為何有此必定的規(guī)律。答:背射區(qū)線(xiàn)條與透射區(qū)線(xiàn)條比較，θ較高,相應(yīng)的d2dsinθ=λ,對(duì)于背射區(qū)屬于2θd=λ/2sinθ,θ越大，d越小。3、衍射儀測(cè)量在入射光束、試樣外形、試樣吸取以及衍射線(xiàn)記錄等方面與德拜法有何不同？〕入射X射線(xiàn)的光束：都為單色的特征X確定發(fā)散度的入射線(xiàn)，且聚焦半徑隨2θ變化；德拜法：通過(guò)進(jìn)光管限制入射線(xiàn)的發(fā)散度。試樣外形：衍射儀法為平板狀，德拜法為細(xì)圓柱狀。試樣吸?。貉苌鋬x法吸取時(shí)間短，德拜法吸取時(shí)間長(zhǎng)，約為10~20h記錄方式：衍射儀法承受計(jì)數(shù)率儀作圖，德拜法承受環(huán)帶形底片成相，而且它們的強(qiáng)度〔I〕對(duì)〔2θ〕的分布〔I-2θ曲線(xiàn)〕也不同；430°能產(chǎn)生衍射的晶面，與試樣的自由外表呈何種幾何關(guān)系？答：當(dāng)試樣外表與入射X射線(xiàn)束成30°60°，能產(chǎn)生衍射的晶面與試樣的自由外表平行。1、電子波有何特征？與可見(jiàn)光有何異同？〔1〕〔2〕可見(jiàn)光的波長(zhǎng)在39760n壓下，電子波的波長(zhǎng)比可見(jiàn)光小5個(gè)數(shù)量級(jí)。2、分析電磁透鏡對(duì)電子波的聚焦原理，說(shuō)明電磁透鏡的構(gòu)造對(duì)聚焦力氣的影響。答：聚焦原理：〔洛侖茲力〕使電子運(yùn)動(dòng)方向發(fā)生偏轉(zhuǎn)。在一個(gè)電磁線(xiàn)圈中，當(dāng)電子沿線(xiàn)圈軸線(xiàn)運(yùn)動(dòng)時(shí)，電子運(yùn)動(dòng)方向與磁感應(yīng)強(qiáng)度方向全都，電子不受力，以直線(xiàn)運(yùn)動(dòng)通過(guò)線(xiàn)圈；當(dāng)電子運(yùn)動(dòng)偏離軸線(xiàn)時(shí)，電子受磁場(chǎng)力的作用，運(yùn)動(dòng)方向發(fā)生偏轉(zhuǎn)，最終會(huì)聚在軸線(xiàn)上的一點(diǎn)。電子運(yùn)動(dòng)的軌跡是一個(gè)圓錐螺旋曲線(xiàn)。構(gòu)造的影響：增加極靴后的磁線(xiàn)圈內(nèi)的磁場(chǎng)強(qiáng)度可以有效地集中在狹縫四周幾毫米的范圍內(nèi)；電磁透鏡中為了增加磁感應(yīng)強(qiáng)度，通常將線(xiàn)圈置于一個(gè)由軟磁材料〔純鐵或低碳鋼〕制成的具有內(nèi)環(huán)形間隙的殼子里，此時(shí)線(xiàn)圈的磁力線(xiàn)都集中在殼內(nèi)，磁感應(yīng)強(qiáng)度得以加強(qiáng)。狹縫的間隙越小，磁場(chǎng)強(qiáng)度越強(qiáng)，對(duì)電子的折射力氣越大。轉(zhuǎn)變激磁電流可以便利地轉(zhuǎn)變電磁透鏡的焦距3、電磁透鏡的像差是怎樣產(chǎn)生的？如何來(lái)消退和削減像差？答：電磁透鏡的像差包括球差、像散和色差。球差即球面像差，是磁透鏡中心區(qū)和邊沿區(qū)對(duì)電子的折射力氣不同引起的，增大透鏡的激磁電流可減小球差。像散是由于電磁透鏡的軸向磁場(chǎng)不對(duì)稱(chēng)旋轉(zhuǎn)引起。可以通過(guò)引入一強(qiáng)度和方位都可以調(diào)整的矯正磁場(chǎng)來(lái)進(jìn)展補(bǔ)償色差是電子波的波長(zhǎng)或能量發(fā)生確定幅度的轉(zhuǎn)變而造成的。穩(wěn)定加速電壓和透鏡電流可減小色差。4、說(shuō)明影響光學(xué)顯微鏡和電磁透鏡區(qū)分率的關(guān)鍵因素是什么？如何提高電磁透鏡的區(qū)分率？〔1〕響?！?〕使波長(zhǎng)減小，可降低衍射效應(yīng)?？紤]與衍射的綜合作用，取用最正確的孔徑半角。5、電磁透鏡景深和焦長(zhǎng)主要受哪些因素影響？說(shuō)明電磁透鏡的景深大、焦長(zhǎng)長(zhǎng)，是什么因素影響的結(jié)果？假設(shè)電磁透鏡沒(méi)有像差，也沒(méi)有衍射埃利斑，即區(qū)分率極高，此時(shí)它們的景深和焦長(zhǎng)如何？〕電磁透鏡景深為孔徑半角越小，景深越大。

，受透鏡區(qū)分率和孔徑半角的影響。區(qū)分率低，景深越大；焦長(zhǎng)為 ，M為透鏡放大倍數(shù)。焦長(zhǎng)受區(qū)分率、孔徑半角、放大倍數(shù)的影響。當(dāng)放大倍數(shù)確定時(shí)，孔徑半角越小焦長(zhǎng)越長(zhǎng)。透鏡景深大，焦長(zhǎng)長(zhǎng)，則確定是孔徑半角小，區(qū)分率低。當(dāng)區(qū)分率極高時(shí)，景深和焦長(zhǎng)都變小。1、透射電鏡主要由幾大系統(tǒng)構(gòu)成？各系統(tǒng)之間關(guān)系如何？〕由三大系統(tǒng)構(gòu)成，分別為電子光學(xué)系統(tǒng)、電源與把握系統(tǒng)和真空系統(tǒng)?！?〕電子光學(xué)系統(tǒng)是透射電鏡的核心，為電鏡供給射線(xiàn)源，保證成像和完成觀看記錄任務(wù)。供是為了保證光學(xué)系統(tǒng)時(shí)為真空，防止樣品在觀看時(shí)遭到污染，使觀看像清楚準(zhǔn)確。電子光學(xué)系統(tǒng)的工作過(guò)程要求在真空條件下進(jìn)展。2、照明系統(tǒng)的作用是什么？它應(yīng)滿(mǎn)足什么要求？照明孔經(jīng)角小、平行度好、束流穩(wěn)定的照明源。要求：入射電子束波長(zhǎng)單一，色差小，束斑小而均勻，像差小。3、成像系統(tǒng)的主要構(gòu)成及其特點(diǎn)是什么？答：成像系統(tǒng)主要是由物鏡、中間鏡和投影鏡組成。物鏡：物鏡是一個(gè)強(qiáng)激磁短焦距的透鏡，它的放大倍數(shù)較高，區(qū)分率高。中間鏡：中間鏡是一個(gè)弱激磁的長(zhǎng)焦距變倍透鏡，可在0到20倍范圍調(diào)整。投影鏡：和物鏡一樣，是一個(gè)短焦距的強(qiáng)激磁透鏡。4〔像平面與物平面〕之間的相對(duì)位置關(guān)系，并畫(huà)出光路圖。答：假設(shè)把中間鏡的物平面和物鏡的像平面重合，則在熒光屏〔a〕所示。假設(shè)把中間鏡的物平面和物鏡的后焦面重合，則在熒光屏上得到一幅電子衍射把戲，這就是電子顯微鏡中的電子衍射操作，如圖〔b〕所示。5、樣品臺(tái)的構(gòu)造與功能如何？它應(yīng)滿(mǎn)足哪些要求？答：構(gòu)造：有很多網(wǎng)孔，外徑3mm的樣品銅網(wǎng)。樣品臺(tái)的作用是承載樣品，并使樣品能作平移、傾斜、旋轉(zhuǎn)，以選擇感興趣的樣品區(qū)域或位向進(jìn)展觀看分析。透射電鏡的樣品臺(tái)是放置在物鏡的上下極靴之間，由于這里的空間很小，所以透射電鏡的樣品臺(tái)很小，通常是直徑3mm的薄片。2個(gè)相互垂直方向上樣品平移最大值為±1mm；樣品平移機(jī)構(gòu)要有足夠的機(jī)械密度，無(wú)效行程應(yīng)盡可能小?？偠灾?，在照相暴光期間樣品圖像漂移量應(yīng)相應(yīng)狀況下的顯微鏡的區(qū)分率。6、透射電鏡中有哪些主要光闌，在什么位置？其作用如何？〕透鏡電鏡中有三種光闌：聚光鏡光闌、物鏡光闌、選區(qū)光闌。〔2〕聚光鏡光闌 的作用是限制照明孔徑角，在雙聚光鏡系統(tǒng)中，它常裝在其次聚光鏡的下方；物鏡光闌 通常安放在物鏡的后焦面上擋住散射角較大的電子另一個(gè)作用是在后焦面上套取衍射來(lái)的斑點(diǎn)成像；選區(qū)光闌 是在物品的像平面位置，便利分析樣品上的一個(gè)微小區(qū)域。7、如何測(cè)定透射電鏡的區(qū)分率與放大倍數(shù)。電鏡的哪些主要參數(shù)把握著區(qū)分率與放大倍數(shù)？〔1〕攝晶格像,測(cè)定晶格區(qū)分率。放大倍數(shù)：用衍射光柵復(fù)型為標(biāo)樣，在確定條件下拍攝標(biāo)樣的放大像，然后從底片上測(cè)量光柵條紋像間距，并與實(shí)際光柵條紋間距相比即為該條件下的放大倍數(shù)?！?〕透射電子顯微鏡區(qū)分率取決于電磁透鏡的制造水平，球差系數(shù)，透射電子顯微鏡的加速電壓。透射電子顯微鏡的放大倍數(shù)隨樣品平面高度、加速電壓、透鏡電流而變化。8、點(diǎn)區(qū)分率和晶格區(qū)分率有何不同？同一電鏡的這兩種區(qū)分率哪個(gè)高？為什么？〔1〕相互干預(yù)后的干預(yù)條紋，其間距恰好與參與衍射的晶面間距一樣，并非晶面上原子的實(shí)際形貌相?！?〕點(diǎn)區(qū)分率的測(cè)定必需在放大倍數(shù)時(shí)測(cè)定，可能存在誤差；晶格區(qū)分率測(cè)定圖需要先知道放大倍數(shù)，更準(zhǔn)確。所以，晶格區(qū)分率更高。9、為什么TEM既能選區(qū)成像又能選區(qū)行射?怎樣才能做到兩者所選區(qū)域的全都性。在實(shí)際應(yīng)用方面有和重要意義?答：成像系統(tǒng)主要是由物鏡，中間鏡和投影鏡組成。假設(shè)把中間鏡的物甲面和物鏡的像平面重合，則在熒光屏上得到一幅放大像，這就是TEM的成像操作。-幅電子衍射把戲，這就是TEM的電子銜射操作。降低成像的像差，準(zhǔn)確聚焦才能做到兩者所選區(qū)域-致。實(shí)際應(yīng)用中是通過(guò)選區(qū)衍射確定微小物相的晶體構(gòu)造。1X射線(xiàn)衍射有何異同？答：電子衍射的原理和X射線(xiàn)相像，是以滿(mǎn)足〔或根本滿(mǎn)足〕布拉格方程作為產(chǎn)生衍射的必要條件，電子波的波長(zhǎng)比X射線(xiàn)短得多，通常低兩個(gè)數(shù)量級(jí)；在進(jìn)展電子衍射操作時(shí)承受薄晶樣品，薄樣品的倒易點(diǎn)陣會(huì)沿著樣品厚度方向延長(zhǎng)成桿狀，因因電子波的波長(zhǎng)短，承受愛(ài)瓦爾德球圖解時(shí)，反射球的半徑很大，在衍射角較小的范圍內(nèi)反射倒易截面上。原子對(duì)電子的散射力氣遠(yuǎn)高于它對(duì)X射線(xiàn)的散射力氣〔約高出四個(gè)數(shù)量級(jí)〕2、倒易點(diǎn)陣與正點(diǎn)陣之間關(guān)系如何？倒易點(diǎn)陣與晶體的電子衍射斑點(diǎn)之間有何對(duì)應(yīng)關(guān)系？答：倒易點(diǎn)陣是在正點(diǎn)陣的根底上三個(gè)坐標(biāo)軸各自旋轉(zhuǎn)90度而得到的。關(guān)系：零層倒易截面與電子衍射束是重合的，其余的截面是在電子衍射斑根底上的放大或縮小。3、用愛(ài)瓦爾德圖解法證明布拉格定律。答：作一個(gè)長(zhǎng)度等于的矢量 ，使它平行于入射光束，并取該矢量的端點(diǎn)O作為倒點(diǎn)陣的原點(diǎn)。然后用與矢量KK的起始點(diǎn)C為圓心，以

為半徑作一球，則從0 0〔HKL〕HKL〔P點(diǎn)〕必需處于此球面上，而衍射線(xiàn)束的方向即是C至P點(diǎn)的聯(lián)接線(xiàn)方向，即圖中的矢量K的方向。當(dāng)上述條件滿(mǎn)足時(shí)，矢量 就是倒點(diǎn)陣原點(diǎn)O至倒結(jié)點(diǎn)P〔HKL〕的聯(lián)結(jié)矢量OP，即倒格矢R*HKL.于是衍射方程K-K=R*HKL得到了滿(mǎn)足。即倒易點(diǎn)陣空間的衍射條件方程成立。0g*=R*HK，2sinθ1/λ=g*，2sinθ1/λ=1/d，2dsinθ=λ，證畢。7射斑點(diǎn)?假設(shè)倒易點(diǎn)是幾何點(diǎn)，那么對(duì)稱(chēng)入射時(shí)就沒(méi)有倒易點(diǎn)落在厄瓦爾德球上。但是，由于電鏡樣品是薄樣品，倒易點(diǎn)拉長(zhǎng)成倒易桿。倒易桿與厄瓦爾德球相交可以產(chǎn)生衍射。9、說(shuō)明多晶、單晶及非單晶衍射把戲的特征及形成原理。答：?jiǎn)尉а苌浒呤橇銓拥挂c(diǎn)陣截面上的斑點(diǎn)，是有規(guī)律的斑點(diǎn)；多晶衍射斑是由多個(gè)晶面在同一晶面族上構(gòu)成的斑點(diǎn)，構(gòu)成很多同心圓，每個(gè)同心圓代表一個(gè)晶帶；非晶衍射不產(chǎn)生衍射斑，只有電子束穿過(guò)的斑點(diǎn)。1、試證明倒易矢g與所對(duì)應(yīng)的(hkl證明：a，b，c(hkl

所得到的正空間點(diǎn)陣的倒易點(diǎn)陣晶胞的基矢為a*,b*,cc*ab，a*bc，b*ac一樣文字的倒易矢量與正矢量滿(mǎn)足：倒易矢量g由晶體幾何學(xué)的學(xué)問(wèn):晶體點(diǎn)陣中的任何陣點(diǎn)的位置矢量都可由下式確定:——從原點(diǎn)到某一陣點(diǎn)的矢量;——晶胞基矢;——該陣點(diǎn)的坐標(biāo)即晶面指數(shù)。g(hkl證畢!1、制備薄膜樣品的根本要求是什么？具體工藝過(guò)程如何？雙噴減薄與離子減薄各適用于制備什么樣品？品？答：根本要求：〔1〕薄膜樣品的組織構(gòu)造必需和大塊樣品的一樣，在制備過(guò)程中，組織構(gòu)造不發(fā)生變〔〕〔〕薄膜樣品應(yīng)有確定的強(qiáng)度和剛度，在制備、夾持和操作過(guò)程中不會(huì)引起變形和損壞〔〕在樣品制備的過(guò)程中不允許外表氧化和腐蝕?！?〕樣品薄皮的預(yù)先減薄，有機(jī)械法和化學(xué)法兩種〔〕最終減薄。離子減薄：1〕不導(dǎo)電的陶瓷樣品；2〕要求質(zhì)量高的金屬樣品；3〕不宜雙噴電解的金屬與合金樣品。雙噴減?。弘p噴減?。?〕不易于腐蝕的裂紋端試樣；2〕非粉末冶金樣式；3〕組織中各相電解性能相差不大的材料；4〕不易于脆斷、不能清洗的試樣。2、什么是衍射襯度？它與質(zhì)厚襯度有什么區(qū)分？品不同微區(qū)間存在的原子序數(shù)或厚度的差異而形成的。4、什么是消光距離？影響消光距離的主要物性參數(shù)和外界條件是什么？〔1〕上發(fā)生周期性的振蕩，此振蕩的深度周期叫消光距離?！?〕影響因素：晶體特征，成像透鏡的參數(shù)。9、說(shuō)明孿晶與層錯(cuò)的襯度特征，并用各自的襯度形成原理加以解釋?！?〕的襯度，在傾斜的晶界上可以觀看到等厚條紋。層錯(cuò)的襯度是電子束穿過(guò)層錯(cuò)區(qū)時(shí)電子波發(fā)生位相轉(zhuǎn)變?cè)斐傻?。其一般特征是：平行于薄膜外表的層錯(cuò)襯度特征為，在衍襯像中有層錯(cuò)區(qū)域和無(wú)層錯(cuò)區(qū)域?qū)⑾麥绮煌牧炼龋瑢渝e(cuò)區(qū)域?qū)@示為均勻的亮區(qū)或暗區(qū)。傾斜于薄膜外表的層錯(cuò)，其襯度特征為層錯(cuò)區(qū)域消滅平行的條紋襯度。層錯(cuò)的明場(chǎng)像，外側(cè)條紋襯度相對(duì)于中心對(duì)稱(chēng)，當(dāng)時(shí)，明場(chǎng)像外側(cè)條紋為亮襯度，當(dāng)時(shí)，外側(cè)條紋是暗的；而暗場(chǎng)像外側(cè)條紋相對(duì)于中心不對(duì)稱(chēng)，外側(cè)條紋一亮一暗。下外表處層錯(cuò)條紋的襯度明暗場(chǎng)像互補(bǔ)，而上外表處的條紋襯度明暗場(chǎng)不反轉(zhuǎn)。10樣品？以怎樣的電鏡操作方式和步驟來(lái)進(jìn)展具體分析？答：把析出相作為其次相來(lái)對(duì)待，把其次相萃取出來(lái)進(jìn)展觀看，分析晶體構(gòu)造和位向關(guān)系；利用電子衍射來(lái)分析，用選區(qū)光闌套住基體和析出相進(jìn)展衍射，獲得包括基體和析出相的衍射把戲進(jìn)展分析，確定其晶體構(gòu)造及位向關(guān)系。1、電子束入射固體樣品作用時(shí)會(huì)產(chǎn)生哪些信號(hào)？它們各具有什么特點(diǎn)？答：主要有六種：背散射電子:能量高；來(lái)自樣品外表幾百nm深度范圍；其產(chǎn)額隨原子序數(shù)增大而增多.用作形貌分析，顯示原子序數(shù)稱(chēng)度，定性地用作成分分析。二次電子:能量較低；對(duì)樣品外表狀態(tài)格外敏感。不能進(jìn)展成分分析.主要用于分析樣品外表形貌。吸取電子:其襯度恰好和SE或BE信號(hào)調(diào)制圖像襯度相反;與背散射電子的襯度互補(bǔ)。吸取電子能產(chǎn)生原子序數(shù)襯度，即可用來(lái)進(jìn)展定性的微區(qū)成分分析。透射電子：透射電子信號(hào)由微區(qū)的厚度、成分和晶體構(gòu)造打算.可進(jìn)展微區(qū)成分分析。特征X射線(xiàn):用特征值進(jìn)展成分分析，來(lái)自樣品較深的區(qū)域。俄歇電子:各元素的俄歇電子能量值很低；來(lái)自樣品外表1—2nm范圍。它適合做外表分析。2、掃描電鏡的區(qū)分率受哪些因素影響？用不同信號(hào)成像時(shí)，其區(qū)分率有何不同？所謂掃描電鏡的區(qū)分率是指用何種信號(hào)成像時(shí)的區(qū)分率？答：在其他條件一樣的狀況下，電子束的束斑大小、檢測(cè)信號(hào)的類(lèi)型以及檢測(cè)