模擬-ti開關(guān)電源組件選擇

開關(guān)電源組DC/DC轉(zhuǎn)換器的電容器自發(fā)熱：與RMS電流 2+-常用+-降壓轉(zhuǎn)降壓轉(zhuǎn)關(guān)鍵降壓-升壓轉(zhuǎn)換升壓轉(zhuǎn)3常用降降降壓轉(zhuǎn)輸入電容RMS輸出電容RMS降壓-升壓轉(zhuǎn)換升壓轉(zhuǎn)4升壓轉(zhuǎn)+-常升壓轉(zhuǎn)+-關(guān)鍵關(guān)鍵降降壓轉(zhuǎn)降降壓-升壓轉(zhuǎn)換5常用輸入電輸入電容RMS輸出電容RMS降壓降壓轉(zhuǎn) 降壓降壓-升壓轉(zhuǎn)換6+-常用+- 關(guān)鍵路降壓-升壓轉(zhuǎn)換降壓轉(zhuǎn)升升壓轉(zhuǎn)7 1（降 1（降壓2（升壓輸入電容RMS輸入電容RMS輸出電容RMS輸出電容RMS降壓-升壓轉(zhuǎn)換升壓轉(zhuǎn)降壓轉(zhuǎn)++8其他拓9開關(guān)電源組電容器數(shù)值和額定100uF0.1uF

1pF

2鋁電概 有ESR3鋁電封較大的通孔電容器具有螺絲端子或焊徑向或軸向由于引線很長，所以非SMT型電容器可能具有較SMT版本通常會將電容值明SMT版本有可能使用字母代 4主要面向去耦和旁路多家供應(yīng)商，多種尺可表面由電極和陶瓷電介質(zhì)材料的交替層構(gòu)Class2電介質(zhì)（X5R、X7R）電壓偏置溫度老每十5%（Q5陶瓷電介3種字符T溫T溫度系數(shù)譯Class1最佳性能典型值溫度和電容容差譯Class2較高的電容6概述（）可提供小的封裝用鉭絲緊緊圍繞鉭在表面生長氧負(fù)極通過浸漬以及熱轉(zhuǎn)換形環(huán)氧樹脂包

7固體鉭電封1uF1000uF+- 8聚合物概可提供小的封裝用鉭絲緊緊圍繞鉭在表面生長氧化負(fù)極通過浸入單體并在室溫下進(jìn)行加工處理后形環(huán)氧樹脂包！較高的工作頻率！1MHz…看起來仍然像較低的功9聚合物和有機電封Kemet電容器快速比 電容器普通參鋁電缺缺優(yōu)是需要高電壓和高電SMPS的唯一選擇鋁電優(yōu)優(yōu)缺ESR（有效串聯(lián)電阻ESL（有效串聯(lián)電感） 長 ESR較高的ESR會引 高ESR和ESL會導(dǎo)致SMPS發(fā)生故障。具有可測DC漏電陶瓷電容缺缺優(yōu)可靠和堅最低的有效串聯(lián)電阻（低導(dǎo)RMS電流額定<陶瓷電容缺缺優(yōu)電容被限制在大150uFPCB撓曲時發(fā)生破裂。把幾個小元件并列起來可能是一種更好的選擇。Class2電介質(zhì)時更加明顯。通常是采用COT控制的LDO和器件固體鉭電缺缺優(yōu)1uF1000uF（最大值10至500m?RMS電流低有效串聯(lián)電感（ESL）<固體鉭電缺缺優(yōu)有限的電壓范50V最大額定2535VDC的電路電壓固體鉭電應(yīng)用安 –會發(fā)生開路或短路故

聚合物和有機電缺缺優(yōu)低ESL新技聚合物和有機電缺缺優(yōu)聚合物和有機電故障 發(fā) DC/DC轉(zhuǎn)換器的電容器)選擇過程電氣規(guī)電RMS電RMS電在選DC/DC拓?fù)渲袑MS電進(jìn)行降額處選擇過程 應(yīng)進(jìn)行至少20%的電壓降100kHz120Hz的版本不適用于SMPS考慮的先后次序是：NP0C0G)、X7R、X5RX7S陶瓷不要使用 選擇過程采用聚合物將陶瓷電容器用作首選擇過程鉭和鋁電解電容器用陶瓷電容器用于提供振溫冷為延 ，應(yīng)改善組件的質(zhì)相比于電解和鉭電容器，陶瓷和聚合物電容器 有所改在組件成本與總擁有開關(guān)電源組輸出紋形保持在要求的調(diào)節(jié)窗口[Vo?Vo_reg]之內(nèi)2輸出紋 3輸出紋波分析中的雜散ESRxC的不同，輸出鉭鉭4輸出紋波分析中的雜散為考慮取決于輸出電容器等效串聯(lián)電(ESL)和印刷電路板走線電感代容許的最大峰至峰輸出紋波電壓幅度?VOpp就足夠了，其由下式給出：如果ESL和LPCB是未知的，則前面的公式還可用于決定與采用不包LPCB的算法所選擇的電容器之ESR和電C相兼容的最大容5輸出紋波ESRESR

導(dǎo)通關(guān)斷導(dǎo)通時關(guān)斷時6輸出紋波ESR最大值?VOpp=vO(tmax)-7輸出紋波D0.5D0.5，可以定義兩種不同的域邊界曲線針對高(HIGH)、中(MID)和低(LOW)ESR場合，可定義三種不同的可接受邊界曲線DESRESR<Rs+<ESR<ESR>RiESRRsESRRi-8輸出紋波簡化的9開關(guān)電源組用于降低高頻輸出噪聲的2高頻紋Vout紋波（具205mV10mvp-3采用圖像放大功能來測 頻時基放大掃需要增470pF0603路電容

20MHz200MHz2GHz

10mV/100mV/100mV/

??4繼續(xù)介紹該在增設(shè)一4700603之后（但2200pF之前）

時基放大20MHz帶 10mV/200MHz2GHz

100mV/100mV/

??1155繼續(xù)介紹該在增設(shè)一

時基放大（但在

20MHz200MHz2GHz

10mV/100mV/100mV/

??606在增設(shè)了第三個小電容器之后的效在增設(shè)了2200pF06034700pF0805后

20MHz200MHz2GHz

10mV/100mV/100mV/

7最終的幅度改善20MHz1020MHz10mV/20mVp-p（20MHz）200MHz10mV/80mVp-p（200MHz帶寬2GHz10mV/2200pF4700pF電容之82020MHz10mV/200MHz200mV/2GHz200mV/9最終原理圖和材15分鐘之成本大約1.2VDC1.2VDCOUT@3.3礖470pF

SpecialtySpecialty0.0075

直到您測試了工作電源 噪聲之后，才可獲知電容器實驗臺要具有圖像放大功能和可調(diào)通道帶寬的2GHz/20Gsps數(shù)字示利用自諧振頻率預(yù)先與受控阻抗的高質(zhì)量

高頻并聯(lián)濾波電容器采用C0G電介 SRF開關(guān)電源組電感器概2電感器概3電感器概術(shù)LDCRDC4電感器概術(shù)SRF自諧振Isat飽和值IrmsRMS電5電感器術(shù)

電流額

DCR隨溫度變化的方式與繞組材料（通常為銅）的6電感器術(shù)電流額重要的是額定記錄了環(huán)境測試溫因此所示的額DCR0.009?（最大值）的器件將必須具有（85℃時的最大值）的對應(yīng)額定DCR與溫度的關(guān)系曲線示于圖5。7電感器術(shù)

電流額

AC(ACR是一個通常在電感器產(chǎn)品手冊中率或電流AC分量相對DC分量較大。AC或紋波電流相對較DCR可為將應(yīng)會隨著導(dǎo)線直徑和頻率而改變，因此要計入該數(shù)據(jù)將需要用 每個電感器的完整頻8電感器術(shù)

電流額

對于大多數(shù)工作頻率低于500kHz因為由圖可見，在低于約200kHz的頻率條件下，ACDC電200kHz300kHz9電感器術(shù)

電流額

電感器術(shù)

電流額

SRF 電感器術(shù)

電流額

電感器術(shù)

電流額

電感器術(shù)

電流額

IIsat電感器術(shù)

電流額

作用。圖7示出了間隙式鐵氧體磁芯的“典型L與電流的關(guān)系”點被定義為電感下降10%之時。將飽和區(qū)起點定義在電感下降10%至20%的范圍內(nèi)是常見的，但 可能采用的是電感下降50%時的數(shù)字。電感器術(shù)

電流額

IrmsRMSCC（電感器術(shù)

電流額

Irms額定值應(yīng)包括其測量時作溫度范圍。該溫度°C或。開關(guān)電源組電感器概DC電阻2電感器概

3電感器選擇 (iL中的變化斜率子區(qū)間的長度 4電感器選擇假設(shè)下面所示的降壓總紋波電流Iout40%，則達(dá)到的最大電流值為1.2*Iout。電感器選擇 最大Iout被限制在Ilim-min/1.2。Iout830mA/1.2690mA。600mA。這意味著總紋波電流（Iout40%）為大致為3.15uH。6電感器概7電感器選擇由前一頁得到的電感4.7uH其必須傳輸?shù)碾娏?20mA7個電感器可滿足這兩項其右側(cè)的那些器件則顯示4.7uH的電感值?？赏ㄟ^采用一些其他的標(biāo)準(zhǔn)（如尺寸）例如：若要求高度為1.0mm，則唯一滿足該條件的電感器LPO30108電感器選擇假如選擇了一個不同的電感器會發(fā)生什么