瀾起科技研究報(bào)告：DDR5世代揚(yáng)帆起航高速互聯(lián)打開(kāi)成長(zhǎng)新空間

瀾起科技研究報(bào)告：DDR5世代揚(yáng)帆起航，高速互聯(lián)打開(kāi)成長(zhǎng)新空間1、

瀾起科技：內(nèi)存接口芯片行業(yè)國(guó)際領(lǐng)軍者1.1、

內(nèi)存接口芯片：服務(wù)器

CPU存取內(nèi)存數(shù)據(jù)的必由通路內(nèi)存接口芯片是服務(wù)器內(nèi)存模組（又稱(chēng)“內(nèi)存條”）的核心邏輯器件，作為服務(wù)

器

CPU存取內(nèi)存數(shù)據(jù)的必由通路，其主要作用是提升內(nèi)存數(shù)據(jù)訪問(wèn)的速度及穩(wěn)

定性，滿足服務(wù)器

CPU對(duì)內(nèi)存模組日益增長(zhǎng)的高性能及大容量需求。服務(wù)器進(jìn)行實(shí)時(shí)運(yùn)算需要

CPU和內(nèi)存：CPU用于計(jì)算，內(nèi)存用于存放

CPU即

時(shí)讀取和運(yùn)行的數(shù)據(jù)。CPU比內(nèi)存處理數(shù)據(jù)的速度快，不加緩沖的內(nèi)存條無(wú)法

滿足服務(wù)器

CPU的運(yùn)行速度、信號(hào)完整性和穩(wěn)定性方面的要求，因此需額外添

加接口芯片來(lái)提升內(nèi)存性能。CPU讀寫(xiě)數(shù)據(jù)需要控制節(jié)拍——控制信號(hào)，命令

CPU讀寫(xiě)指令需要——命令信

號(hào)，控制數(shù)據(jù)儲(chǔ)存的位置需要——地址信號(hào)，控制存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)內(nèi)容需要——數(shù)據(jù)

信號(hào)。

通常，內(nèi)存接口芯片按功能可分為兩類(lèi)：一是寄存緩沖器（RCD，又稱(chēng)“寄存時(shí)

鐘驅(qū)動(dòng)器”），用來(lái)緩沖來(lái)自?xún)?nèi)存控制器的地址/命令/控制信號(hào)；二是數(shù)據(jù)緩沖

器（DB），用來(lái)緩沖來(lái)自?xún)?nèi)存控制器或內(nèi)存顆粒的數(shù)據(jù)信號(hào)。RCD與

DB組成套片，可實(shí)現(xiàn)對(duì)地址/命令/控制信號(hào)和數(shù)據(jù)信號(hào)的全緩沖。僅采

用了

RCD芯片對(duì)地址/命令/控制信號(hào)進(jìn)行緩沖的內(nèi)存模組通常稱(chēng)為

RDIMM，而

采用了

RCD和

DB套片對(duì)地址/命令/控制信號(hào)及數(shù)據(jù)信號(hào)進(jìn)行緩沖的內(nèi)存模組

稱(chēng)為

LRDIMM。由于

LRDIMM對(duì)內(nèi)存控制器接口的所有信號(hào)都進(jìn)行了緩沖，對(duì)

內(nèi)存控制器而言降低了其負(fù)載，故名為減載內(nèi)存模組。1.2、

成長(zhǎng)復(fù)盤(pán)：從消費(fèi)電子芯片起家，向數(shù)據(jù)中心平臺(tái)型公司轉(zhuǎn)型瀾起科技（688008.SH）是國(guó)際領(lǐng)先的高性能處理器和全互連芯片設(shè)計(jì)公司，為

全球僅有的三家內(nèi)存接口芯片供應(yīng)商之一（瀾起科技，IDT，Rambus）。公司

前身瀾起有限于

2004

年

5

月由

MontageGroup獨(dú)資設(shè)立，早期專(zhuān)注于為家庭

娛樂(lè)和云計(jì)算市場(chǎng)提供以芯片為基礎(chǔ)的全方位解決方案。2019

年

7

月，瀾起科

技在科創(chuàng)板上市。目前，公司致力于為云計(jì)算和人工智能領(lǐng)域提供高性能、低功耗的芯片解決方案，

產(chǎn)品包括內(nèi)存接口芯片、PCIeRetimer芯片、服務(wù)器

CPU和混合安全內(nèi)存模組

等。經(jīng)過(guò)多年的研發(fā)積累，包含公司產(chǎn)品的服務(wù)器廣泛應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心、云計(jì)算

和人工智能等諸多領(lǐng)域，滿足了新一代服務(wù)器對(duì)高性能、高可靠性和高安全性的

需求。1.3、

主營(yíng)業(yè)務(wù)：持續(xù)擴(kuò)充接口芯片產(chǎn)品組合，全面布局全互連和計(jì)算領(lǐng)域公司主要產(chǎn)品包括內(nèi)存接口芯片、津逮?服務(wù)器

CPU以及混合安全內(nèi)存模組，

津逮服務(wù)器

CPU及混合安全內(nèi)存模組組成了津逮服務(wù)器平臺(tái)。公司的主營(yíng)產(chǎn)品

均屬于產(chǎn)業(yè)鏈的芯片層環(huán)節(jié)，其中內(nèi)存接口芯片是公司最主要的業(yè)務(wù)，2020

年

其營(yíng)收占公司總營(yíng)業(yè)收入的

98.37%；津逮?服務(wù)器平臺(tái)直接面對(duì)服務(wù)器市場(chǎng)，

目前還處于市場(chǎng)推廣階段，不是公司的主要收入來(lái)源。作為國(guó)際領(lǐng)先的高性能處理器和全互連芯片設(shè)計(jì)公司，公司的接口類(lèi)芯片產(chǎn)品線

已經(jīng)由內(nèi)存接口芯片延伸到多品類(lèi)全互連芯片，包括內(nèi)存接口芯片、內(nèi)存模組配

套芯片、PCIeRetimer芯片

3

個(gè)品類(lèi)。隨著

2021

年主流

CPU廠商推出支持

PCIe4.0

協(xié)議及

DDR5

標(biāo)準(zhǔn)的服務(wù)器

CPU，PCIe4.0

Retimer芯片與

DDR5

內(nèi)存模組

配套芯片將迎來(lái)強(qiáng)勁需求，有望為公司貢獻(xiàn)可觀的業(yè)績(jī)?cè)隽俊?.4、

財(cái)務(wù)分析：產(chǎn)品結(jié)構(gòu)優(yōu)化改善盈利能力，量?jī)r(jià)齊升助推業(yè)績(jī)騰飛公司營(yíng)收高速增長(zhǎng)，內(nèi)存接口芯片量?jī)r(jià)齊升是主要?jiǎng)恿Α?6/17/18

年，公司分

別實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入

8.5/12.3/17.6

億元，年均復(fù)合增長(zhǎng)率高達(dá)

44.2%，主要系產(chǎn)品

銷(xiāo)售數(shù)量與單價(jià)大幅增加。2019

年，公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入

17.4

億元，同比略微下

滑

1.1%，主要系

2019

年下半年服務(wù)器市場(chǎng)不景氣導(dǎo)致公司內(nèi)存接口芯片銷(xiāo)量

同比下滑

16.3%。2020

年?duì)I收

18.25

億元，同比增長(zhǎng)

5.0%。2021

年前三季度

公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入

15.93

億元，同比增長(zhǎng)

8.46%。2021

年第三季度公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)

業(yè)收入

8.68

億元，同比增長(zhǎng)

129.16%，主要系津逮?服務(wù)器平臺(tái)產(chǎn)品線收入較

上年同期增長(zhǎng)

43

倍；互連類(lèi)芯片產(chǎn)品線收入較上年同期增長(zhǎng)

16.35%。2、

內(nèi)存接口芯片行業(yè)：技術(shù)+認(rèn)證壁壘高企，先發(fā)優(yōu)勢(shì)至關(guān)重要2.1、

行業(yè)特點(diǎn)：技術(shù)+認(rèn)證壁壘高企，先發(fā)優(yōu)勢(shì)至關(guān)重要技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)快速迭代，需持續(xù)投入大量研發(fā)資金。從時(shí)間方面，每代標(biāo)準(zhǔn)間替換周

期約為

4-6

年，需提前

2-3

年研發(fā)，每一標(biāo)準(zhǔn)下又分為多個(gè)子代，平均

12-18

個(gè)

月進(jìn)行一次升級(jí)。從資金方面，企業(yè)設(shè)計(jì)和研發(fā)一款芯片需要持續(xù)投入大量的資

金。產(chǎn)品替代需經(jīng)過(guò)三重認(rèn)證，準(zhǔn)入門(mén)檻高。內(nèi)存接口芯片需與內(nèi)存廠商生產(chǎn)的各種

內(nèi)存顆粒和內(nèi)存模組進(jìn)行配套，并通過(guò)服務(wù)器

CPU、內(nèi)存和

OEM廠商針對(duì)其

功能和性能（如穩(wěn)定性、運(yùn)行速度和功耗等）的全方位嚴(yán)格認(rèn)證，才能進(jìn)入大規(guī)

模商用階段。因此，研發(fā)此類(lèi)產(chǎn)品不僅要攻克內(nèi)存接口的核心技術(shù)難關(guān)，還要跨

越服務(wù)器生態(tài)系統(tǒng)的高準(zhǔn)入門(mén)檻。下游內(nèi)存廠商集中度高，認(rèn)證周期長(zhǎng)，客戶粘性高。內(nèi)存接口芯片的下游客戶主

要為三星電子、海力士、美光科技為代表的內(nèi)存模組制造商，三者市場(chǎng)占有率合

計(jì)

76%，呈現(xiàn)出了很高的市場(chǎng)集中度。由于認(rèn)證周期較長(zhǎng)且流程繁瑣，通過(guò)認(rèn)

證后的內(nèi)存接口芯片廠商將具有較高的客戶粘性。CPU與內(nèi)存互聯(lián)架構(gòu)革新，大批廠商受影響退出市場(chǎng)。2008

年

Intel發(fā)布

Nehalem處理器，開(kāi)始采用全新的

QuickPath互聯(lián)架構(gòu)，將內(nèi)存控制器整合于

CPU內(nèi)部，內(nèi)存直接通過(guò)存儲(chǔ)器總線與

CPU相連，內(nèi)存接口芯片廠商需要投入

大量資金重新研發(fā)，資金及技術(shù)障礙令大批廠商望而卻步。

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)快速迭代，分工細(xì)化強(qiáng)者恒強(qiáng)。內(nèi)存接口芯片技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的迭代升級(jí)，對(duì)

廠商的設(shè)計(jì)工藝、工程管理經(jīng)驗(yàn)、資金投入等方面提出了更高的要求，僅有專(zhuān)注

于內(nèi)存接口芯片技術(shù)研發(fā)、能提供高集成度方案的廠商才能受到內(nèi)存廠商青睞。

因此，全球內(nèi)存接口芯片廠商呈遞減趨勢(shì)，自從采用

DDR4

標(biāo)準(zhǔn)后，全球市場(chǎng)中

可提供內(nèi)存接口芯片的主要廠商僅剩三家，其中瀾起科技憑借持續(xù)的創(chuàng)新研發(fā)能

力和領(lǐng)先的技術(shù)優(yōu)勢(shì)與

IDT各占市場(chǎng)近半份額，市場(chǎng)呈現(xiàn)雙寡頭格局。云計(jì)算助推數(shù)據(jù)中心需求，催化數(shù)據(jù)中心行業(yè)集中度提升。

數(shù)據(jù)中心是云計(jì)算服務(wù)的核心基礎(chǔ)設(shè)施，其所要處理、存儲(chǔ)和訪問(wèn)的數(shù)據(jù)量將

跟隨云計(jì)算快速應(yīng)用持續(xù)攀升。云計(jì)算廠商出于業(yè)務(wù)需求、運(yùn)營(yíng)管理等訴求，希望采用超大規(guī)模的數(shù)據(jù)中心，

對(duì)

IDC網(wǎng)絡(luò)互聯(lián)要求、運(yùn)營(yíng)穩(wěn)定性要求均會(huì)持續(xù)提升，IDC產(chǎn)業(yè)技術(shù)門(mén)檻也將

顯著提升，預(yù)計(jì)未來(lái)將呈現(xiàn)頭部廠商強(qiáng)者愈強(qiáng)的格局。產(chǎn)業(yè)鏈傳導(dǎo)：云相關(guān)

IT支出將首先反應(yīng)在云服務(wù)提供商的資本開(kāi)支中，進(jìn)一步

傳導(dǎo)至服務(wù)器

BMC及服務(wù)器

CPU的營(yíng)收，最終傳導(dǎo)至服務(wù)器行業(yè)。FAMGA

（Facebook、Amazon、Microsoft、Google、Apple）的資本開(kāi)支于

2020Q2

放緩，英特爾生產(chǎn)服務(wù)器

CPU的

DCG部門(mén)營(yíng)收、全球服務(wù)器

BMC龍頭信驊的

營(yíng)收同比增速均自

2020Q3

出現(xiàn)大幅下滑，表明服務(wù)器市場(chǎng)去庫(kù)存周期開(kāi)啟。

FAMGA的資本開(kāi)支于

2020Q4

大幅回升，英特爾

DCG營(yíng)收、信驊的營(yíng)收分別于

21Q2

和

21Q1

回升復(fù)蘇，表明服務(wù)器市場(chǎng)需求依然旺盛。進(jìn)入

2020

年后，雖然短期內(nèi)，疫情的影響會(huì)削弱全球企業(yè)及云服務(wù)商在

IT基

礎(chǔ)設(shè)施上的整體支出，但疫情下云服務(wù)需求的激增，將導(dǎo)致云服務(wù)提供商數(shù)據(jù)中

心的

IT基礎(chǔ)架構(gòu)壓力增加，從而導(dǎo)致數(shù)據(jù)中心對(duì)服務(wù)器和系統(tǒng)組件的需求不斷

增加。云計(jì)算、5G、AI、IOT將成為未來(lái)

5

年推動(dòng)服務(wù)器增長(zhǎng)的主要驅(qū)動(dòng)力。未來(lái)

5G建網(wǎng)的

IT化趨勢(shì)下，針對(duì)邊緣計(jì)算的微型服務(wù)器也將會(huì)在未來(lái)

3-5

年顯著成長(zhǎng)。

以

CPU+GPU、FPGA、ASIC等形態(tài)為主的異構(gòu)計(jì)算架構(gòu)新趨勢(shì)，AI服務(wù)器持續(xù)

保持高速增長(zhǎng)。因此，疫情過(guò)后，服務(wù)器市場(chǎng)有望實(shí)現(xiàn)強(qiáng)勁復(fù)蘇。DIGITIMES預(yù)

期

2020~2025

年全球服務(wù)器出貨量復(fù)合年均成長(zhǎng)率(CAGR)將達(dá)

6.7%。足服務(wù)器對(duì)整體計(jì)算性能的高要求，CPU供應(yīng)商逐漸開(kāi)始采用多核和超多核架

構(gòu)。由于可直接連接到

CPU的

DRAM數(shù)量有限，且受到信號(hào)完整性、功率傳輸、

布局復(fù)雜性以及其他系統(tǒng)級(jí)挑戰(zhàn)的限制，隨著核心數(shù)的增長(zhǎng)，單個(gè)

CPU內(nèi)核的

數(shù)據(jù)獲取能力愈發(fā)難以增長(zhǎng)，甚至逐漸下降。②隨著

DRAM制程工藝進(jìn)入

20nm以后，其加工工藝逐漸逼近物理極限，工藝節(jié)點(diǎn)突破的難度越來(lái)越高，產(chǎn)品良率

無(wú)法得到有效控制，各大

DRAM廠商工藝進(jìn)度規(guī)劃推進(jìn)逐漸趨緩，這使得

DRAM性能的全面改進(jìn)更具難度和挑戰(zhàn)性。為了滿足市場(chǎng)對(duì)服務(wù)器的性能要求，不僅需要更快的處理器，還需要更智能的內(nèi)

存系統(tǒng)設(shè)計(jì)。隨著

DDR4

產(chǎn)品的數(shù)據(jù)傳輸速率已達(dá)到極限，市場(chǎng)亟需采用新技術(shù)

標(biāo)準(zhǔn)來(lái)滿足下一代每核帶寬的需求。2.2、

成長(zhǎng)動(dòng)力：行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)升級(jí)勢(shì)不可擋，DDR5

產(chǎn)品單價(jià)提升（價(jià)）DDR5

性能大幅提升：通過(guò)優(yōu)化服務(wù)器內(nèi)存體系結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，在不損害內(nèi)存容量的

情況下實(shí)現(xiàn)高速內(nèi)存性能，是提高服務(wù)器整體性能和可靠性的最佳選擇。相較于

DDR4，DDR5

具有高帶寬、高效率、高密度、低功耗等優(yōu)勢(shì)，可使內(nèi)存性能提

高

85％以上，能有效支持下一代服務(wù)器的工作負(fù)載。技術(shù)升級(jí)，DDR5

芯片單價(jià)大幅提升。據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈調(diào)研，DDR5

標(biāo)準(zhǔn)下有單顆

RCD、

1

顆

RCD+10

顆

DB兩種架構(gòu)。DDR5

較

DDR4，單顆

RCD價(jià)格增加

25-30%；

1+10

架構(gòu)較

1+9

架構(gòu)套片單價(jià)增加

15-20%。

主流內(nèi)存廠商相繼布局，未來(lái)滲透趨勢(shì)明顯。主導(dǎo)服務(wù)器處理器市場(chǎng)的英特爾已

宣布在

2021

年推出支持

8

通道

DDR5

的服務(wù)器處理器，同時(shí)，美光、SK海力

士、三星等多家存儲(chǔ)器廠商已相繼推出

DDR5

內(nèi)存樣品。2021

年

11

月

4

日消

費(fèi)級(jí)

DDR5

內(nèi)存——Intel第

12

代酷睿處理器正式性能解禁，預(yù)計(jì)到

2021

年底

滲透率將達(dá)到

20%-30%。3、

內(nèi)存接口芯片業(yè)務(wù)：研發(fā)能力+客戶資源行業(yè)領(lǐng)先，市占率有望進(jìn)一步提升3.1、

研發(fā)分析能力：技術(shù)沉淀深厚，持續(xù)高研發(fā)投入初期機(jī)頂盒芯片業(yè)務(wù)提供研發(fā)資金支撐，后期上市募資實(shí)現(xiàn)持續(xù)研發(fā)投入。機(jī)頂

盒芯片屬于消費(fèi)電子產(chǎn)品，市場(chǎng)壁壘低、市場(chǎng)空間大，瀾起科技從機(jī)頂盒芯片切

入，并跟隨機(jī)頂盒的快速普及迅速成長(zhǎng)起來(lái)。內(nèi)存緩沖芯片是企業(yè)級(jí)產(chǎn)品，市場(chǎng)

壁壘高、盈利性強(qiáng)，因此公司機(jī)頂盒芯片在做大做強(qiáng)的同時(shí)，也為內(nèi)存緩沖芯片

提供強(qiáng)有力的研發(fā)資金支撐。公司研發(fā)人員占比超

60%，研發(fā)費(fèi)用率常年保持

在

15%以上。2021

年上半年研發(fā)投入

1.44

億元，研發(fā)費(fèi)用率達(dá)到

19.84%，全

年投入有望超過(guò)

3

億元。3.2、

客戶資源：綁定英特爾，跟隨服務(wù)器

CPU領(lǐng)導(dǎo)者收獲行業(yè)紅利深度綁定產(chǎn)業(yè)鏈龍頭，產(chǎn)品認(rèn)證不存障礙。自

2006

年及

2012

年以來(lái)，公

司主要供應(yīng)商英特爾、主要客戶三星電子分別與公司建立了穩(wěn)定的業(yè)務(wù)合作

關(guān)系。2016

年，英特爾旗下的

IntelCapital與三星電子間接控制的

SVICNo.

28

Investment通過(guò)增資方式成為公司優(yōu)先股股東，二者于

2018

年再次增

資成為公司普通股股東，目前英特爾為公司第二大股東，公司產(chǎn)品突破認(rèn)證

壁壘，獲得產(chǎn)業(yè)鏈巨頭背書(shū)。英特爾即將發(fā)布

DDR5

標(biāo)準(zhǔn)服務(wù)器，公司有望跟隨龍頭收獲行業(yè)紅利。公司

深耕于服務(wù)器內(nèi)存接口芯片市場(chǎng)，同全球主流的處理器供應(yīng)商、服務(wù)器廠商、

內(nèi)存模組廠商及軟件系統(tǒng)提供商，建立了長(zhǎng)期穩(wěn)定的合作關(guān)系，有望跟隨

CPU性能提升及內(nèi)存架構(gòu)升級(jí)，不斷收獲行業(yè)紅利。2021

年

4

月，Intel發(fā)

布第

3

代至強(qiáng)可拓展處理器

IceLake，該平臺(tái)每插槽最多可支持

6TB系統(tǒng)

內(nèi)存，高達(dá)

8

個(gè)

DDR4-3200

內(nèi)存通道和

64

個(gè)第四代

PCIe通道。隨著

icelake平臺(tái)正式發(fā)布并逐漸上量，公司將穩(wěn)步開(kāi)拓

PCIe4.0Retimer芯片市場(chǎng)。

Intel第四代至強(qiáng)

SapphireRapids也將在

2022

年發(fā)布，支持

8

通道

DDR5

內(nèi)存和

PCIe5.0

通道。3.3、

同業(yè)比較：國(guó)際舞臺(tái)對(duì)比優(yōu)勢(shì)明顯，市占率有望進(jìn)一步提高Rambus體量較小、科研能力較落后。Rambus是一家主攻接口

IP和內(nèi)存接口

芯片的公司，2018

年內(nèi)存接口芯片市場(chǎng)份額約

6%。2020Q2~2021Q2

的總營(yíng)收

分別為

62/57/62/71/85

百萬(wàn)美元，其中專(zhuān)利使用費(fèi)依次為

19/17/28/29/42

百

萬(wàn)美元，產(chǎn)品銷(xiāo)售收入依次為

32/30/22/31/31

百萬(wàn)美元，合同和其他收入依次

為

11/11/12/11/12

百萬(wàn)美元。由此可知

Rambus近幾個(gè)季度營(yíng)收的增長(zhǎng)主要來(lái)

源于專(zhuān)利使用費(fèi)的增加，產(chǎn)品銷(xiāo)售額并沒(méi)有發(fā)生重大變化。根據(jù)

Rambus年報(bào)

披露，雖然近年

Rambus市場(chǎng)份額有一定增長(zhǎng)，但公司內(nèi)存接口芯片更多面向

中低端市場(chǎng)，且訂單大多為短期、緊急并且沒(méi)有定金的訂單，市場(chǎng)認(rèn)可度較低。

公司技術(shù)水平與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手差距較大，沒(méi)有

LRDIMM解決方案，在

DDR5

時(shí)代很

難趕超瀾起科技和

IDT。Rambus在

DDR5

研發(fā)方面取得了一定突破。2017

年

9

月，Rambus宣布在其

實(shí)驗(yàn)室開(kāi)發(fā)出了

DDR5

DIMM芯片。2021

年

10

月

14

日，Rambus宣布了第二

代

DDR5

RCD(寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器)芯片，業(yè)界第一個(gè)將頻率做到了

5600MHz，相

比第一代的

4800MHz提速多達(dá)

17％，并且已經(jīng)試產(chǎn)，并提供給各大內(nèi)存模組

廠商。IDT被瑞薩電子收購(gòu)，內(nèi)存接口芯片業(yè)務(wù)戰(zhàn)略地位下降。IDT是一家主攻混合信

號(hào)集成電路公司，主要產(chǎn)品包括硅定時(shí)、無(wú)線電源、5GRF、傳感器和接口&連

接產(chǎn)品，面對(duì)的對(duì)象不僅限于服務(wù)器，也包括臺(tái)式機(jī)、筆記本和其他存儲(chǔ)設(shè)備。

其中內(nèi)存接口芯片與瀾起科技直接競(jìng)爭(zhēng)，2018

年全球業(yè)務(wù)市場(chǎng)份額占

42%。IDT與

2019

年

3

月被日本瑞薩電子收購(gòu)，根據(jù)瑞薩電子披露，瑞薩電子本次收購(gòu)旨

于增強(qiáng)其在自動(dòng)駕駛和

5G領(lǐng)域的市場(chǎng)地位，主要看重

IDT在模擬混合信號(hào)領(lǐng)域

的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。為配合瑞薩電子戰(zhàn)略發(fā)展目標(biāo)，我們預(yù)計(jì)

IDT重心將會(huì)在時(shí)鐘、傳

感器和

RF產(chǎn)品上，而內(nèi)存接口芯片業(yè)務(wù)會(huì)被置于相對(duì)次要地位，未來(lái)市場(chǎng)占有

率可能會(huì)有一定程度降低。IDT近年來(lái)也在

DDR5

領(lǐng)域取得了成績(jī)。2017

年

10

月，IDT發(fā)布業(yè)界首個(gè)

DDR5

服務(wù)器內(nèi)存模塊電源管理

IC；2018

年

1

月，IDT開(kāi)始對(duì)下一代數(shù)據(jù)中心的

DDR5

注冊(cè)時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器(RCD)進(jìn)行采樣；2019

年

3

月，IDT發(fā)布業(yè)界首款用于

DDR5

服務(wù)器內(nèi)存模塊的

SPDHubIC；2019

年

10

月，IDT發(fā)布業(yè)界首個(gè)

DDR5

客戶

端內(nèi)存模塊電源管理

IC；2020

年

9

月，瑞薩電子推出面向高性能服務(wù)器和云服

務(wù)應(yīng)用的

DDR5

數(shù)據(jù)緩沖器。技術(shù)+認(rèn)證雙壁壘高企，新廠家難以突破。內(nèi)存接口芯片行業(yè)工藝和制造技術(shù)難

度高、研發(fā)周期長(zhǎng)，較高的技術(shù)壁壘使得行業(yè)龍頭企業(yè)在短時(shí)間內(nèi)難以被趕超。3.4、

未來(lái)前景：DDR5

量產(chǎn)準(zhǔn)備完成DDR5

是

JEDEC標(biāo)準(zhǔn)定義的第

5

代雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)。與

DDR4

相比，DDR5

采用了更低的工作電壓（1.1V），同時(shí)在傳輸有效性和可靠

性上又邁進(jìn)了一步，其支持的最高速率可能超過(guò)

6400MT/S，是

DDR4

最高速率

的

2

倍。公司自主研發(fā)的

DDR5

第一子代內(nèi)存接口芯片包括

RCD芯片和

DB芯片。RCD芯片支持雙通道內(nèi)存架構(gòu)，符合

JEDEC標(biāo)準(zhǔn)，支持

DDR5-4800

速率，采用

1.1V工作電壓，更為節(jié)能。該款芯片除了可作為中央緩沖器單獨(dú)用于

RDIMM之外，還可以與

DDR5

DB芯片組成套片，用于

LRDIMM，以提供更高容量、更

低功耗的內(nèi)存解決方案。DB芯片是一款

8

位雙向數(shù)據(jù)緩沖芯片，該芯片與

DDR5

RCD芯片一起組成套片，用于

DDR5

LRDIMM。該芯片符合

JEDEC標(biāo)

準(zhǔn)，支持

DDR5-4800

速率，采用

1.1V工作電壓。在

DDR5

LRDIMM應(yīng)用中，

一顆

DDR5

RCD芯片需搭配十顆

DDR5

DB芯片，即每個(gè)子通道配置五顆

DB芯片，以支持片上數(shù)據(jù)校正，并可將數(shù)據(jù)預(yù)取提升至最高

16

位，從而為高端

多核服務(wù)器提供更大容量、更高帶寬和更強(qiáng)性能的內(nèi)存解決方案。公司實(shí)現(xiàn)

DDR5

第一子代相關(guān)產(chǎn)品量產(chǎn)。2021

三季報(bào)顯示，公司完成了

DDR5

第一子代內(nèi)存接口芯片及內(nèi)存模組配套芯片正式量產(chǎn)前的準(zhǔn)備工作。2021

年

10

月，公司

DDR5

第一子代內(nèi)存接口芯片及內(nèi)存模組配套芯片已成功實(shí)現(xiàn)量

產(chǎn)，包括寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器(RCD)、數(shù)據(jù)緩沖器(DB)、串行檢測(cè)集線器(SPD)、溫

度傳感器(TS)和電源管理芯片(PMIC)。針對(duì)

DDR5

第二子代內(nèi)存接口芯片及內(nèi)

存模組配套芯片的相關(guān)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，公司正積極參與

JEDEC組織相關(guān)技術(shù)討論和

標(biāo)準(zhǔn)制定工作。3.5、

DDR5

配套芯片打開(kāi)廣闊市場(chǎng)空間根據(jù)

JEDEC標(biāo)準(zhǔn)，DDR5

內(nèi)存模組上除了內(nèi)存顆粒及可能需要的內(nèi)存接口芯片

外，還可能需要三種配套芯片，分別是串行檢測(cè)集線器（SPD）、溫度傳感器（TS）

以及電源管理芯片（PMIC)。（1）串行檢測(cè)集線器（SPD）公司與合作伙伴共同研發(fā)了

DDR5

第一子代串行檢測(cè)集線器（SPD），芯片內(nèi)部

集成了

8KbitEEPROM、I2C/I3C總線集線器（Hub）和溫度傳感器（TS），適

用于所有

DDR5

系列內(nèi)存模組（如

LRDIMM、RDIMM、UDIMM、SODIMM等），

應(yīng)用范圍包括服務(wù)器、臺(tái)式機(jī)及筆記本內(nèi)存模組。SPD是

DDR5

內(nèi)存模組不可

或缺的組件，也是內(nèi)存管理系統(tǒng)的關(guān)鍵組成部分，其包含如下幾項(xiàng)功能：第一，其內(nèi)置的

SPDEEPROM是一個(gè)非易失性存儲(chǔ)器，用于存儲(chǔ)內(nèi)存模組的相

關(guān)信息以及模組上內(nèi)存顆粒和相關(guān)器件的所有配置參數(shù)。根據(jù)

JEDEC的內(nèi)存規(guī)

范，每個(gè)內(nèi)存模組都需配置一個(gè)

SPD器件，并按照

JEDEC規(guī)范的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)編寫(xiě)

SPDEEPROM的內(nèi)容。主板

BIOS在開(kāi)機(jī)后會(huì)讀取

SPD內(nèi)存儲(chǔ)的信息，并根據(jù)

讀取到的信息來(lái)配置內(nèi)存控制器和內(nèi)存模組。DDR5

SPD數(shù)據(jù)可通過(guò)

I2C/I3C總

線訪問(wèn)，并可按存儲(chǔ)區(qū)塊（block）進(jìn)行寫(xiě)保護(hù)，以滿足

DDR5

內(nèi)存模組的高速

率和安全要求。第二，該芯片還可以作為

I2C/I3C總線集線器，一端連接系統(tǒng)主控設(shè)備（如

CPU或基板管理控制器（BMC）），另一端連接內(nèi)存模組上的本地組件，包括

RCD、

PMIC和

TS，是系統(tǒng)主控設(shè)備與內(nèi)存模組上組件之間的通信中心。在

DDR5

規(guī)

范中，一個(gè)

I2C/I3C總線上最多可連接

8

個(gè)集線器（8

個(gè)內(nèi)存模組），每個(gè)集線

器和該集線器管理下的每個(gè)內(nèi)存模組上的本地組件都被指定了一個(gè)特定的地址

代碼，支持唯一地址固定尋址。第三，該芯片還內(nèi)置了溫度傳感器（TS），可連續(xù)監(jiān)測(cè)

SPD所在位置的溫度。

主控設(shè)備可通過(guò)

I2C/I3C總線從

SPD中的相關(guān)寄存器讀取傳感器檢測(cè)到的溫度，

以便于進(jìn)行內(nèi)存模組的溫度管理，提高系統(tǒng)工作的穩(wěn)定性。（2）溫度傳感器（TS）（3）電源管理芯片（PMIC）公司與合作伙伴共同研發(fā)了符合JEDEC規(guī)范的DDR5第一子代低/高電流電源管

理芯片（PMIC）。該芯片包含

4

個(gè)直流-直流降壓轉(zhuǎn)換器，兩個(gè)線性穩(wěn)壓器（LDO，

分別為

1.8V和

1.0V），并能支持

I2C和

I3C串行總線，適用于

DDR5

服務(wù)器

RDIMM和

LRDIMM內(nèi)存模組。PMIC的作用主要是為內(nèi)存模組上的其他芯片（如

DRAM、RCD、DB、SPD和

TS等）提供電源支持。CPU可經(jīng)由

SPD芯片與之

進(jìn)行通訊，從而實(shí)現(xiàn)電源管理。低電流電源管理芯片應(yīng)用于

DDR5

服務(wù)器較小電

流的

RDIMM內(nèi)存模組，高電流電源管理芯片則應(yīng)用于

DDR5

服務(wù)器較大電流的

RDIMM和

LRDIMM內(nèi)存模組。3.6、

多條產(chǎn)品線齊發(fā)力，未來(lái)市場(chǎng)空間宏大通過(guò)對(duì)瀾起各條產(chǎn)品線的分析，未來(lái)

DDR5

世代產(chǎn)品

RCD、DB芯片、配套芯片

SPD、TS、PMIC芯片將持續(xù)放量，五年后為行業(yè)帶來(lái)約

27

億美元市場(chǎng)空間。

DDR5

產(chǎn)品主要應(yīng)用于

PC和服務(wù)器，考慮到服務(wù)器和

PC滲透率已較高，我們

假設(shè)未來(lái)

5

年

PC和服務(wù)器出貨量以

2%增長(zhǎng)。根據(jù)

Yole預(yù)測(cè)，DDR5

產(chǎn)品將于

2022

年開(kāi)始逐步滲透，2023

年占領(lǐng)主要市場(chǎng)，價(jià)格也將顯著高于

DDR4

產(chǎn)品，

到

2025

年基本完成對(duì)整個(gè)市場(chǎng)的滲透。服務(wù)器存儲(chǔ)容量和速度不斷提升，對(duì)單

個(gè)內(nèi)存顆粒數(shù)據(jù)傳輸提出更高要求，因此隨著數(shù)據(jù)量的不斷增大，我們預(yù)計(jì)

DB芯片的配置率將逐步提升。五年后總共為行業(yè)帶來(lái)

27

億美元左右的市場(chǎng)空間。4、

新業(yè)務(wù)布局：津逮平臺(tái)整裝待發(fā)，PCIeRetimer前景廣闊4.1、

津逮平臺(tái)：信息安全至關(guān)重要，國(guó)產(chǎn)替代空間廣闊津逮?服務(wù)器平臺(tái)主要由瀾起科技的津逮?CPU和混合安全內(nèi)存模組（HSDIMM?）

組成。該平臺(tái)具備芯片級(jí)實(shí)時(shí)安全監(jiān)控功能，可在信息安全領(lǐng)域發(fā)揮重要作用，

為云計(jì)算數(shù)據(jù)中心提供更為安全、可靠的運(yùn)算平臺(tái)。此外，該平臺(tái)還融合了先進(jìn)

的異構(gòu)計(jì)算與互聯(lián)技術(shù)，可為大數(shù)據(jù)及人工智能時(shí)代的各種應(yīng)用提供強(qiáng)大的綜合

數(shù)據(jù)處理及計(jì)算力支撐。

津逮?CPU是公司推出的一系列具有預(yù)檢測(cè)、動(dòng)態(tài)安全監(jiān)控功能的

x86

架構(gòu)處理

器，適用于津逮?或其他通用的服務(wù)器平臺(tái)。2020

年公司推出了第三代津逮?CPU產(chǎn)品，以更好滿足數(shù)據(jù)中心、高性能計(jì)算、云服務(wù)、大數(shù)據(jù)、人工智能等應(yīng)用場(chǎng)

景對(duì)綜合數(shù)據(jù)處理和計(jì)算力日益提升的需求。相較于第二代產(chǎn)品，第三代津逮

?CPU采用先進(jìn)的

10nm制程工藝，支持

64

通道

PCIe4.0，最高支持

8

通道

DDR4-3200

內(nèi)存，單插槽最大容量

6TB。其最高核心數(shù)為

28

核，最高基頻為

3.1GHz，最大共享緩存為

42MB，實(shí)現(xiàn)了較大幅度的性能提升。此外，第三代

津逮?CPU顯著提升了各種標(biāo)準(zhǔn)的加解密、驗(yàn)簽、數(shù)據(jù)完整性等密碼應(yīng)用的運(yùn)算

性能；豐富了內(nèi)存保護(hù)機(jī)制，可對(duì)不同內(nèi)存區(qū)域或內(nèi)存全域進(jìn)行加密保護(hù)；內(nèi)置

增強(qiáng)型深度學(xué)習(xí)加速技術(shù)，帶來(lái)了更為出色的人工智能推理和訓(xùn)練能力。該款服

務(wù)器

CPU支持瀾起科技獨(dú)有的安全預(yù)檢測(cè)（PrC）技術(shù)，適用于金融、交通、

政務(wù)、能源等對(duì)硬件安全要求較高的行業(yè)