第五章 薄膜的化學(xué)氣相沉積

第五章化學(xué)氣相沉積定義

CVD是利用汽態(tài)的先驅(qū)反應(yīng)物，通過原子分子間化學(xué)反應(yīng)的途徑生成固態(tài)薄膜的技術(shù)。

特點需要使用汽態(tài)的物質(zhì)作為反應(yīng)物質(zhì)源物質(zhì)要經(jīng)過化學(xué)汽相反應(yīng)生成所需要的材料需要相對較高的氣體壓力環(huán)境通常需要熱，電磁場或光等的作用，促使化學(xué)反應(yīng)的進行。

熱能：熱CVD，熱絲CVD光能：激光誘導(dǎo)CVD；紫外光誘導(dǎo)CVD電磁場：等離子體增強CVD5.1CVD模型

薄膜的生長過程取決于氣體與襯底間界面的相互作用，其具體過程可能涉及以下幾個步驟：1、反應(yīng)氣體從入口區(qū)域流動到襯底表面的淀積區(qū)域2、氣相反應(yīng)導(dǎo)致膜先驅(qū)物（組成膜最初的原子或分子）和副產(chǎn)物的形成3、膜先驅(qū)物附著在襯底表面4、膜先驅(qū)物粘附在襯底表面5、膜先驅(qū)物向膜生長區(qū)域的表面擴散6、表面化學(xué)反應(yīng)導(dǎo)致膜淀積和副產(chǎn)物的生成7、副產(chǎn)物擴散離開襯底表面8、副產(chǎn)物從反應(yīng)室排出去CVD反應(yīng)室襯底連續(xù)膜

8) 副產(chǎn)物去除

1)反應(yīng)物的質(zhì)量傳輸副產(chǎn)物

2) 薄膜先驅(qū)物反應(yīng)

3) 氣體分子擴散

4) 先驅(qū)物的吸附

5) 先驅(qū)物擴散到襯底中

6)表面反應(yīng)

7) 副產(chǎn)物的解吸附作用排氣氣體傳送

1.熱解反應(yīng)：氣體化合物在適當條件下發(fā)生熱解反應(yīng)生成薄膜，如：SiH4(氣)=Si(固)+2H2(g)(650oC)Ni(CO)4(氣)=Ni(固)+4CO(g)TiI(氣)=Ti(固)+2I2、還原反應(yīng)：最典型的是H2還原鹵化物如：SiCl4(氣)+2H2(g)=Si(固)+4HCl(g)(1200oC)SiHCl3+H2=Si+3HClWCl6(氣)+3H2=W(固)+6HCl2WF6（氣）+3Si=2W+3SiF4(氣）CVD所涉及的化學(xué)反應(yīng)類型可劃分為以下幾類：化學(xué)氣相沉積所涉及的化學(xué)反應(yīng)類型3.氧化反應(yīng):利用氧氣作為氧化劑促進反應(yīng)：SiH4(g)+O2=SiO2(s)+H2O(g)(450℃)Si(C2H5O)4+8O2=SiO2+10H2O+8CO2

Si(C2H5O)4是正硅酸乙酯簡稱TEOSSiCl4+O2=SiO2+2Cl2GeCl4+O2=GeO2+2Cl24、化合反應(yīng):只要所需物質(zhì)的先驅(qū)物可以氣態(tài)存在并具有反應(yīng)活性，就可以利用化學(xué)反應(yīng)沉積其化合物，如SiCl4(g)+CH4(g)=SiC(s)+4HCl(g)(1400℃)3SiH4+4NH3=Si3N4+12H2BCl3+NH3=BN+HCl5.2邊界層理論一、流動氣體的邊界層及影響因素進入管道后呈層流狀態(tài)流動的氣體的流速分布和邊界層,即泊松流。雷諾數(shù)是用來判斷流體流動狀態(tài)的一個無量綱的參數(shù)，表示流體流動中慣性效應(yīng)與黏滯效應(yīng)的比Re>2200湍流狀態(tài)2200<Re<1200湍流或?qū)恿鱎e<1200層流狀態(tài)對于一般的CVD過程，希望氣體的流動處于層流狀態(tài)流速、密度、粘滯系數(shù)邊界層厚度

在化學(xué)氣相沉積過程中，襯底表面的氣體也要形成相應(yīng)的邊界層，由于在邊界層內(nèi)，氣體處于一種流動性很低的狀態(tài)，而反應(yīng)物和反應(yīng)產(chǎn)物都需要經(jīng)過擴散過程通過邊界層，因此邊界層的存在限制了沉積的速度。根據(jù)（提高Re，降低邊界層厚度）（提高氣體流速和壓力，降低粘滯系數(shù)可提高雷諾數(shù)）

氣流

邊界層

氣流停滯層在硅片表面的氣流氣體流動的速度為零或接近于零氣流以一定平均速度流動邊界層很薄，流速為零

提高Re，可以降低邊界層的厚度，促進化學(xué)反應(yīng)和提高沉積速度。但Re的增加受到一定限制，Re過高，氣體的流動狀態(tài)變?yōu)橥牧?，這將破壞CVD沉積過程中氣流的穩(wěn)定性，影響沉積的均勻性。結(jié)論5.3Grove模型

1966年Grove建立了一個簡單的CVD模型：控制薄膜沉積速率的兩個主要因素是：（1）反應(yīng)劑在邊界層中的輸運過程（2）反應(yīng)劑在襯底表面上的化學(xué)反應(yīng)過程。雖然這個假設(shè)很簡單，但能解釋CVD過程中的許多現(xiàn)象，并且準確地預(yù)測了薄膜的沉積速率。

設(shè)在生長中的薄膜表面形成了界面層，其厚度為，cg和cs分別為反應(yīng)物的原始濃度和其在襯底表面的濃度，則擴散至襯底表面的反應(yīng)物的通量為：在襯底表面消耗掉的反應(yīng)物通量與Cs成正比平衡時兩個通量相等，得hg為氣相質(zhì)量輸運系數(shù)，Ks為表面化學(xué)反應(yīng)速率常數(shù)

在多數(shù)CVD過程中，反應(yīng)劑先被惰性氣體稀釋，此時反應(yīng)劑的濃度Cg=YCTY是反應(yīng)劑的摩爾百分比，CT單位體積中反應(yīng)劑和惰性氣體分子的總數(shù)，則薄膜的生長速度：反應(yīng)導(dǎo)致的沉積速率N1表示形成單位體積的薄膜所需原子個數(shù)結(jié)論：1.反應(yīng)氣體沒有稀釋時，沉積速率與反應(yīng)劑濃度Cg成正比2.當反應(yīng)劑稀釋時，沉積速率與氣相中反應(yīng)劑的摩爾百分比Y成正比3.在Cg或Y為常數(shù)時，薄膜沉積速率將由ks和hg中較小的一個決定：在ks<<hg時，在hg<<ks時，薄膜的沉積速率由表面反應(yīng)速率控制薄膜的沉積速率由質(zhì)量輸運速率控制表面反應(yīng)速率控制的CVD

薄膜的沉積速率是由表面反應(yīng)速率控制的，那么襯底的溫度對沉積速率有比較大的影響，因為表面化學(xué)反應(yīng)對溫度的變化非常敏感。當溫度升高時，反應(yīng)速率增加，薄膜的沉積速率加快。當溫度升高到一定程度時，由于反應(yīng)速度的加快，輸運到表面的反應(yīng)劑的數(shù)量低于表面反應(yīng)所需的數(shù)量，這時沉積速率轉(zhuǎn)為由質(zhì)量輸運控制，反應(yīng)速度不再隨溫度變化而變化。

質(zhì)量輸運控制的CVD質(zhì)量輸運過程是通過氣體擴散完成的，擴散速度與氣體的擴散系數(shù)和邊界層內(nèi)的濃度梯度有關(guān)。質(zhì)量輸運速率控制的薄膜沉積速率與主氣流速度的平方根成正比，增加氣流速度可以提高薄膜沉積速率，當氣流速率大到一定程度時，薄膜的沉積速率達到一穩(wěn)定值不再變化。沉積速率轉(zhuǎn)變?yōu)橛杀砻娣磻?yīng)速度控制在由質(zhì)量輸運速度控制的沉積過程中，要得到均勻的薄膜，必須嚴格控制到達各硅片表面的反應(yīng)劑的濃度，各硅片的溫度的均勻性次要因素。在由表面反應(yīng)速度控制的沉積過程中，必須嚴格控制各硅片表面的溫度，使各硅片均處于一個恒溫場中。質(zhì)量輸運控制的CVD5.2化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)

CVD系統(tǒng)通常包含：1.氣態(tài)源或液態(tài)源2.氣體輸送管道3.氣體流量控制系統(tǒng)4.反應(yīng)室5.基座加熱及控制系統(tǒng)6.溫度控制及測量系統(tǒng)

1、CVD氣體源氣體源：氣瓶–減壓閥-質(zhì)量流量控制器-閥-反應(yīng)室液態(tài)源：輸送方式：1.冒泡法

2.加熱液態(tài)源

3.液態(tài)源直接注入法：先把液態(tài)源注入到汽化室，在氣化室氣化后直接輸送到反應(yīng)室。

5.2化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)

2.CVD反應(yīng)室的熱源

薄膜的沉積溫度一般都高于室溫CVD的反應(yīng)加熱器可分為熱壁還是冷壁反應(yīng)。反應(yīng)室器壁溫度TW，放置硅片的襯底溫度TS當TW=TS，稱做熱壁CVD系統(tǒng)當TW<TS，稱做冷壁CVD系統(tǒng)熱璧反應(yīng)不僅加熱襯底還加熱反應(yīng)室的器壁。冷璧反應(yīng)只加熱襯底，不加熱反應(yīng)室器壁或用冷卻水冷卻器壁。抑制吸熱反應(yīng)的反應(yīng)產(chǎn)物在器壁上形成沉積物，采用冷壁反應(yīng)；控制放熱反應(yīng)在器壁上形成沉積物，采用熱壁反應(yīng)。樣品臺導(dǎo)電性好，器壁導(dǎo)電性差，冷卻冷壁反應(yīng)熱壁反應(yīng)1、APCVD和LPCVD

（1）APCVD反應(yīng)在常壓下進行，是質(zhì)量輸運限制沉積速度，因為用到了不充足的反應(yīng)氣體，（如SiH4稀釋到很低含量）溫度可能是高溫或低溫3.CVD系統(tǒng)的分類APCVD的應(yīng)用1、用SiH4+O2制備SiO2，用氬氣或氮氣將SiH4稀釋到2%-10%，反應(yīng)溫度450-500C2、用TEOS+O3制備SiO2，反應(yīng)溫度400CN2反應(yīng)氣體加熱器N2N2N2N2N2

硅片連續(xù)加工的APCVD反應(yīng)爐硅片薄膜反應(yīng)氣體2反應(yīng)氣體1惰性分隔氣體（2）LPCVD：降低工作室的壓力可以提高反應(yīng)氣體和反應(yīng)產(chǎn)物通過邊界層的擴散能力，可提高反應(yīng)氣體濃度，是反應(yīng)速度限制的。與APCVD比，薄膜的沉積速率高，膜性能好，成本低。（一般是熱壁型的）低壓CVD裝置圖維持低壓2、PECVD和HDPCVD

（1）PECVD使用輝光放電等離子體的能量來產(chǎn)生并維持化學(xué)反應(yīng)。PECVD的反應(yīng)氣壓與LPCVD的氣壓差不多（5-500Pa），但PECVD的沉積溫度比LPCVD的沉積溫度低很多。如LPCVD沉積Si3N4的溫度800-900C，而用PECVD只需350C。因為等離子體可以促進氣體分子的分解、化合、激發(fā)和電離過程，促進反應(yīng)活性基團的形成，因而顯著降低了反應(yīng)沉積溫度。PECVD的射頻電場可以分為電容耦合和電感耦合。5.2化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)PECVDRF頻率13.56MHz

2高密度等離子體CVD（HDPCVD）HPCVD在20世紀90年代中期發(fā)展并應(yīng)用于先進的IC制造工廠。高密度指的是等離子體中活性基團的數(shù)目。在同樣的工作壓力下，在傳統(tǒng)的等離子體中，典型的離化度是0.01-0.1%。高密度等離子體技術(shù)更有效地使輸入功率耦合等離子體，從而獲得高達10%的離化率。主要有三種高密度等離子體源電子回旋共振（ECR）感應(yīng)耦合等離子（ICP）電感耦合感應(yīng)器-海利空波）（heliconwave）4.2化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)

ECR-CVD5.2化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)使用微波頻率2.56GHz的電源激發(fā)等離子體。（微波波導(dǎo)耦合）ECR反應(yīng)器的特點是磁場平行于反應(yīng)劑的流動方向，電子在微波場和磁場中運動時，當電子回旋頻率等于微波頻率時，能有效地把電場能轉(zhuǎn)移到等離子體的電子上，發(fā)生電子回旋共振，這種振蕩增加了電子碰撞的幾率，從而產(chǎn)生高密度等離子體。共振頻率和磁場B滿足關(guān)系式B=8.7510-2T5.2化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)微波源2.45GHz波導(dǎo)擴散孔石英窗靜電吸盤回旋加速器磁鐵等離子體腔硅片附加磁鐵13.56MHz真空系統(tǒng)ECR增強CVD電磁鐵介質(zhì)窗電感線圈偏置硅片吸盤RF發(fā)生器偏置RF發(fā)生器等離子體腔5.2化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)硅片放在遠離線圈的地方，因而不受電磁場影響，硅片加偏置來獲得化學(xué)和物理刻蝕。5.2化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)3、激光輔助CVD采用激光作為輔助的激發(fā)手段，促進和控制CVD反應(yīng)過程。激光的作用：（1）熱作用：激光對襯底的加熱作用促進襯底表面的化學(xué)反應(yīng)，可以實現(xiàn)在襯底表面薄膜的選擇性沉積，即，只在需要沉積的地方才用激光照射，同時可有效降低襯底的沉積溫度。（2）光作用：高能量光子可直接促進反應(yīng)物氣體分子的分解。激光輔助CVD可用于制備金屬和絕緣薄膜。5.2化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)4、金屬有機化合物CVD（MOCVD，或MOVPE）

特指用三族和二族元素的金屬有機化合物與五族和六族元素的氫化物反應(yīng)制備Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族半導(dǎo)體化合物的外延生長。如：Ga(CH3)3+AsH3=GaAs+3CH4

Zn(C2H5)2+H2S=ZnS+2C2H65.2化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)5.3CVD多晶硅的特性和制備方法多晶硅在集成電路中有許多重要的應(yīng)用：1.MOS的柵級用多晶硅代替鋁2.高摻雜的多晶硅作為集成電路中的互連線3.高摻雜的多晶硅薄膜在雙級和BiCMOS技術(shù)中用來做發(fā)射極4.填充介質(zhì)隔離技術(shù)中的深槽或淺槽。5.通過摻雜改變多晶硅的功函數(shù)，從而調(diào)整MOS器件的閾值電壓

5.3CVD多晶硅的特性和制備方法5.3.1多晶硅薄膜的性質(zhì)圖1.1基于原子在固體內(nèi)的有序排列程度對固體進行分類5.3.1多晶硅薄膜的性質(zhì)

多晶硅晶粒內(nèi)部的性質(zhì)非常類似于單晶硅，如擴散系數(shù)，替位式雜質(zhì)的性質(zhì)晶粒間界具有高密度的缺陷和懸掛鍵，從而使多晶硅具有兩個重要特性：1.

雜質(zhì)在晶粒間界處的擴散系數(shù)明顯高于晶粒內(nèi)部的擴散系數(shù)，雜質(zhì)在晶粒間界的擴散速度比在晶粒內(nèi)部快得多。2.

高溫時存在于晶粒內(nèi)部的雜質(zhì)，在低溫時由于分凝作用，一些雜質(zhì)從晶粒內(nèi)部運動到間界，而在高溫下又返回到晶粒內(nèi)。5.3.1多晶硅薄膜的性質(zhì)

在中等摻雜濃度下，多晶硅的電阻率比單晶硅的電阻率高。原因：雜質(zhì)原子跑到晶粒間界處晶粒間界處的懸掛鍵俘獲自由電子晶粒間界的缺陷使載流子遷移率降低。高摻雜情況下，二者差別不大5.3.2化學(xué)氣相沉積多晶硅

采用LPCVD工藝，在580-650℃下熱分解SiH4（H2稀釋）制備多晶硅。SiH4首先被吸附在襯底的表面上，然后熱分解形成固態(tài)薄膜和H2。SiH4(吸附）=Si+H2當氣體中所含SiH4的濃度比較大時，SiH4在氣相中也可發(fā)生熱分解，使薄膜粗糙多孔，不能滿足IC工藝的要求。用N2和惰性氣體稀釋，硅烷的氣相分解更容易發(fā)生。所以通常用H2稀釋。因為分解的產(chǎn)物有H2,用H2稀釋可抑制硅烷的氣相分解。

5.3.3多晶硅的摻雜技術(shù)

1、多晶硅的擴散摻雜摻雜溫度：900-1000℃摻雜劑：POCl3，PH3，砷烷，乙硼烷等2、離子注入摻雜選擇合適的注入劑量和注入能量，雜質(zhì)注入之后，采用快速熱退火使雜質(zhì)重新分布。3、多晶硅的原位摻雜在多晶硅薄膜沉積的同時進行摻雜在硅烷中摻入乙硼烷實現(xiàn)硼摻雜，但使沉積速率迅速提高在硅烷中摻入磷烷或砷烷，會引起沉積速率明顯下降。原位摻雜沒有的到廣泛應(yīng)用。5.4CVD二氧化硅的特性和沉積方法5.4.1SiO2的基本特性結(jié)構(gòu)：四面體結(jié)構(gòu)：中心硅原子，頂點O原子折射率：1.46電阻率：1016cm介電常數(shù)：3.9密度：2.20g/cm3

CVDSiO2與熱生長SiO2的密度、硅氧數(shù)量比和性能有輕微差別。

測量CVD薄膜的折射率n：n>1.46,薄膜富硅；n<1.46，表明是低密度多孔薄膜。5.4.2CVDSiO2的方法CVD法制備SiO2，可以通過不同的反應(yīng)來完成工藝參數(shù)主要有：襯底溫度、壓力、反應(yīng)劑濃度，氣體流量。1、低溫（300-450℃）CVDSiO2硅烷為源的低溫CVDSiO2aSiH4+O2=SiO2+2H2

反應(yīng)溫度250-450℃

硅烷用Ar或N2稀釋到體積比為2~10%

通過增加O2的比例可以提高生長速率如：325℃:O2:SiH4=3:1;475℃:O2:SiH4=23:1

應(yīng)用：鋁連線中作互連介質(zhì)，缺點臺階覆蓋能力和間隙填充能力差對于關(guān)鍵的ULSI，APCVD方法并不適用。ConformalstepcoverageNonconformalstepcoverageUniformthickness臺階覆蓋能力AspectRatio=DepthWidth=21AspectRatio=500?250?500?D250?WAfterreflowPSGBeforereflowPSGMetalorpolysilicon硅烷與N2O反應(yīng)，采用PECVD制備SiO2。SiH4+2N2O(氣）=SiO2+2N2+2H2

反應(yīng)溫度200~400℃；較高的襯底溫度和較低的N2O:SiH4比例能形成折射率接近1.6的SiO2薄膜。以硅烷為反應(yīng)劑的PECVDSiO2薄膜的臺階覆蓋性差，在IC工藝中使用較少（2）TEOS為源的低溫PECVDSiO2

TEOS-正硅酸四乙酯，分子式[Si(OC2H5)4],在室溫下為液體，以N2，O2或He為載氣攜帶TEOS蒸汽進入反應(yīng)室，在一定溫度下分解形成SiO2。Si(OC2H5)4+O2=SiO2+副產(chǎn)物

反應(yīng)溫度在250~450℃，氣壓266-1333Pa2.中溫LPCVDSiO2

當沉積溫度控制在680~730℃范圍時，用TEOS沉積的SiO2足以能滿足IC生產(chǎn)的要求這種沉積一般采用LPCVD技術(shù)與APCVD相比，LPCVD系統(tǒng)有更低的成本，更高的產(chǎn)量和更好的膜性能。LPCVD是反應(yīng)速度限控制的反應(yīng)，只要嚴格控制溫度，就可以在大量硅片表面沉積均勻的薄膜。

TEOSLPCVDPressurecontrollerThree-zoneheaterHeaterTEOSN2O2VacuumpumpGasflowcontrollerLPCVDFurnaceTemp.controllerComputerterminaloperatorinterfaceFurnacemicrocontrollerExhaustFigure11.173.TEOS與臭氧方法沉積SiO2

Si(OC2H5)4+8O3=SiO2+10H2O+8CO2采用APCVD，不用等離子體，在低于500℃的條件下，O3就能使TEOS分解，且得到較高的沉積速率。薄膜具有很好的保形性，可以很好的填充溝槽以及金屬線間的空隙。5.4.3CVD摻雜SiO2磷硅玻璃（PSG）

采用硅烷作反應(yīng)劑制備SiO2時，將PH3同時摻入反應(yīng)氣體中，就可制得PSG。PSG由P2O5和SiO2的混合物共同組成。

PH3+5O2=2P2O5（固）+6H2

可通過調(diào)節(jié)SiH4與PH3的比例來控制薄膜中SiO2和P2O5的比例。

對于要永久黏附在硅片表面的PSG，P2O5的含量不超過4%，因為PSG有吸潮作用2、硼硅玻璃BSG

用乙硼烷（B2H6）摻入硅烷中，就可獲得BSG。

BSG需要高溫回流過程來平坦化硅片表面的臺階。

3.硼磷硅玻璃（BPSG）在用硅烷制備SiO2的同時，摻入PH3和B3H6，形成B2O3、P2O5和SiO2的混合物，就是BPSG。BPSG在850℃下回流平坦化。通常BPSG作為ILD-1沉積，使金屬層與其下面的多晶硅之間絕緣，同時它還具有固定可動離子雜質(zhì)的能力5.5CVD氮化硅的特性及沉積方法5.5.1氮化硅薄膜在ULSI中的主要應(yīng)用：1、鈍化層和機械保護層2、硅選擇性氧化的掩蔽膜3、DRAM電容中的絕緣材料4、作為MOSFET的側(cè)墻5、作為淺溝隔離的CMP停止層

注意：不用作層間絕緣層，因介電常數(shù)為7，形成較大的寄生電容STITiSi2STISGDTiSi2TiSi2TiSi2ReducedsheetresistanceReducedgatetoS/DresistanceReducedcontactresistanceReduceddiodeleakageFigure12.12

側(cè)墻5.5.2氮化硅的特點1、具有強的掩蔽能力，能很好地抑制水汽和潮氣的擴散2、氧很難透過氮化硅薄膜3、薄膜中的針孔很少4、對底層金屬能實現(xiàn)保形覆蓋5.5.3氮化硅薄膜的沉積1、氮化硅通常在700~800℃下，采用LPCVD技術(shù)，以二氯二氫硅和氨氣反應(yīng)沉積。3SiCl2H2+4NH3=Si3N4+6HCl+6H2

影響LPCVD氮化硅質(zhì)量的主要因素為：溫度，總氣壓、反應(yīng)劑比例等。如增加總氣壓和二氯二氫硅的分壓可提高沉積速度，而增加氨氣的比例則會降低沉積速度2、在200~400℃下，采用PECVD技術(shù)，以硅烷和氨氣或硅烷和氮氣為反應(yīng)劑制備氮化硅。SiH4+NH3（或N2）=SixNyHz+H2所沉積的薄膜中含有相當數(shù)量的N-H和Si-H形式存在的H。大量H的存在對IC器件是不利的。5.6金屬的化學(xué)氣相沉積

在ULSI中，金屬薄膜的沉積技術(shù)除蒸發(fā)和濺射外，也有采用化學(xué)氣相法沉積的，如鎢、鋁、鈦、銅、鉬、鉭等金屬。5.5.1鎢的化學(xué)氣相沉積

在IC互連系統(tǒng)中，鎢的主要用途兩個方面：1、作為填充塞。因為CVD的鎢比PVD的鋁有更好的通孔填充能力。當接觸孔的尺度大于1m時，用PVD的鋁可以實現(xiàn)很好的填充，小于1m時，PVD鋁無法完全填充接觸孔和通孔。2、被用作局部互連材料。W的CVD沉積：WF6+3H2=W+6HFWF6的沸點17℃，使WF6能以氣態(tài)形式向反應(yīng)室中輸送。通常采用LPCVD技術(shù)沉積

Metal-2stack(d)Metal-2depositionTungstenplug(a)ViaetchthroughILD-2(SiO2)Metal-