內(nèi)存相關(guān)知識總結(jié)

內(nèi)存設(shè)計相關(guān)知識總結(jié)

RD中心SBC組王海精選ppt內(nèi)容內(nèi)存相關(guān)名詞解釋內(nèi)存種類內(nèi)存區(qū)別及信號描述內(nèi)存基本時序內(nèi)存設(shè)計Example精選ppt1.名詞解釋RAM：隨機(jī)存儲器ROM：只讀存儲器SRAM：StaticRAM靜態(tài)隨機(jī)存儲器，利用雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器保存信息。DRAM：DynamicRAM動態(tài)隨機(jī)存儲器，利用電容充放電保存信息，需要不斷的充電，也叫刷新(Refresh)。SDRAM：SynchronousDRAM同步動態(tài)隨機(jī)存儲器，64位帶寬，3.3V工作電壓。DDR：DoubleDataRateSDRAM雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器。DDR2：DoubleDataRate2SDRAM4倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器。DDR3：DoubleDataRate3SDRAM8倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器。SIMM：singleinlinememorymodule單列直插內(nèi)存模組，內(nèi)存條兩側(cè)金手指提供相同信號，一次最高傳輸32bit數(shù)據(jù)。DIMM：dualinlinememorymodule雙列直插內(nèi)存模塊，金手指兩側(cè)各自獨立傳輸信號。精選ppt位寬：內(nèi)存芯片顆粒的數(shù)據(jù)線位數(shù)，目前常用有x4，x8，x16三種。BANK：顆粒內(nèi)部的存儲陣列，一個陣列就是一個BANK，目前主要有4BANK和8BANK。RANK：處理器和內(nèi)存能夠進(jìn)行一次完整的數(shù)據(jù)讀取所需要的顆粒數(shù)目組成一個RANK。如64位處理器，一次完整的數(shù)據(jù)讀取分別需要16個x4，8個x8，16個x4的顆粒組成一個RANK。PAGE：在一個RANK中，相同邏輯地址的BANK（分屬于不同顆粒）同一行地址所包含的列的存儲單元數(shù)目稱為一個PAGE。頻率：如DDR2等效工作頻率400/533/667/800對應(yīng)實際時鐘頻率為100/133/166/200MHz精選ppt內(nèi)存的倉庫解釋精選ppt168PinSDRAM

兩個卡口240pinDDR2

184PinDDR

工作電壓3.3V工作電壓2.5V工作電壓1.8VDIMM內(nèi)存條2.內(nèi)存種類精選ppt144PinSDRAM工作電壓2.5V200pinDDR200pinDDR2工作電壓1.8V工作電壓3.3VSODIMM內(nèi)存條精選ppt工作電壓2.5V172pinDDRMicro-DIMM內(nèi)存條用于筆記本工作電壓1.8V214pinDDR2精選pptMINIRegisteredDIMM內(nèi)存條用于筆記本工作電壓1.8V244pinDDR2精選ppt內(nèi)存芯片及內(nèi)存條生產(chǎn)廠商廠商網(wǎng)址KINGMAX（勝創(chuàng)）/HyunDai（現(xiàn)代）http://kcs.hei.co.kr/models/Kingston(金士頓)/pc/dnyjcs/Adata(威剛)/pc/dnyjcs/.twInfineon(英飛凌)/pc/dnyjcs//cnLGS（高士達(dá)）/Micron（麥康）/Samsung（三星）/Memory/NEC/Toshiba（東芝）/Siemens（西門子）/Mitsubishi（三菱）/ghp_japanFujitsu（富士通）/Hitachi（日立）/TI（德州儀器）/內(nèi)存主要廠商精選pptSDRAM（以時鐘頻率來命名）PC100PC133DDR（DDR/DDR2/DDR3以數(shù)據(jù)傳輸率命名，單位MB/s）PC1600〉DDR200(64bit×100MHz×2÷8＝1600MB/s)PC2100〉DDR266（64bit×133MHz×2÷8＝2128MB/s）PC2700〉DDR333PC3200〉DDR400DDR2PC2-4300〉DDR2533PC2-5300〉DDR2-667PC2-6400〉DDR2-800DDR3PC3-6400〉DDR3800PC3-8500〉DDR3-1066PC3-10600〉DDR3-1333PC3-12800〉DDR3-1600內(nèi)存代碼含義精選ppt

SDRDDRDDR2DDR3工作電壓(V)3.3(LVTTL標(biāo)準(zhǔn))2.5(SSTL2標(biāo)準(zhǔn))1.8(SSTL_18)1.5VCLOCK頻率(MHz)66/100/133100/133/167/200100/133/167/200100/133/167/200數(shù)據(jù)傳輸率(MHz)66/100/133200/266/333/400400/533/667/800800/1066/1333/1600密度(Mb)64/128/256/512256/512/1Gb256/512/1Gb/2Gb1Gb/2Gb位寬(bit)x4/x8/x16/x32x4/x8/x16x4/x8/x16x4/x8/x16BANK444/88Termination無無ODT(optional)ODT

DATAStrobe無單端差分/單端差分/單端SystemSynchronizationMasterReset儲存溫度(攝氏度)(-55)-1250-70(-40)-850-85(-40)-95(-55)-100封裝TSOP/FBGATSOP/FBGAFBGAFBGASDR/DDR/DDR2/DDR3區(qū)別3.幾種內(nèi)存的區(qū)別及信號描述精選pptSDR信號描述SymbolTypeDescription1A[n:0]I地址信號BA0(A13)

BA1(A12)IBANK片選與地址復(fù)用CLKI時鐘CKEI時鐘使能RAS#I行地址選通CS#I片選CAS#I列地址選通WE#I寫使能DQM,DQML/DQMHIDQMask.寫屏蔽

Forx16：DQML/DQMH

Forx8/x4:DQMDQ(x:0)I/O數(shù)據(jù)信號VCC/VCCQPowerVSS/VSSQGND精選pptSymbolTypeDescription1CK/CK#

差分時鐘CKEI時鐘使能CS#I片選RAS#CAS#WE#I行地址選通列地址選通

寫使能DMLDM/UDMIDQMask.寫屏蔽

Forx16：LDM/UDM

Forx8/x4:DMBA0/BA1IBANK片選A0—A13I地址線DQI/O數(shù)據(jù)線DQSLDQS/UDQSI/O數(shù)據(jù)選通

Forx16：LDQS/UDQS

Forx8/x4:DQSVDDQ/VDD/VREF電源VSSQ/VSS地DDR信號描述精選pptDDR2信號描述信號描述CK/CK#CLOCKInputCKEClockEnableCS#RANKSelectODTOndietermination可通過設(shè)置寄存器EMR(1)使能內(nèi)部端接電阻RAS#，CAS#，WE#行選通，列選通，寫輸入使能DMUDM/LDMWritedatamask:DMfor×4×8UDM/LDMfor×16BA0-BA2BANKSELECTA0-A15Addressinput:提供行地址，列地址，讀寫命令的預(yù)充電位在預(yù)充電命令期間，A10為低，只對一個BANK充電；A10為高時，對所有BANK預(yù)充電DQDatainput/outputDQS/DQS#RDQS/RDQS#UDQS/UDQS#LDQS/LDQS#Datastrobe:×4DQS/DQS#×8DQS/DQS#RDQS/RDQS#(可配置為一對或兩對選通)×16UDQS/UDQS#(對應(yīng)DQ8-DQ15)LDQS/LDQS#(對應(yīng)DQ0-DQ7)VDDQ/VDDL/VDD/VREFPOWERVSSQ/VSSDL/VSSGND精選pptDDR3信號描述信號描述CK/CK#CLOCKInputCKEClockEnableCS#RANKSelectODTOndietermination可通過設(shè)置寄存器EMR(1)使能內(nèi)部端接電阻RAS#，CAS#，WE#行選通，列選通，寫輸入使能DMDMU/DMLWritedatamask:DMfor×4×8DMU/DMLfor×16BA0-BA2BANKSELECTA0-A15Addressinput:提供行地址，列地址，讀寫命令的預(yù)充電位在預(yù)充電命令期間，A10為低，只對一個BANK充電；A10為高時，對所有BANK預(yù)充電BC#/A12BurstchopDQDatainput/outputTDQS,TDQS#TerminationDataStrobe:for×8ZQReferencePinforZQcalibrationDQU,DQL,DQS,DQS#,DQSU,DQSU#,DQSL,DQSL#Datastrobe:VDDQ/VDD/VREFDQ/VREFCAPOWERVSSQ/VSSGND精選ppt4.內(nèi)存基本時序初始化預(yù)充電BANK激活讀寫預(yù)充電詳細(xì)內(nèi)容見JESD相關(guān)規(guī)范精選pptDDR2內(nèi)存基本時序(JESD79-2E)DDR2SDRAM內(nèi)部有4個模式配置寄存器：MR/EMR(1)/EMR(2)/EMR(3)向4個寄存器中寫入相應(yīng)的值，也就是命令，即配置了DDR2SDRAM的工作參數(shù)。命令的寫入是通過地址線和BA片選線實現(xiàn)。BA2BA1BA0A13-A15A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0向上述表格中信號寫入不同的值即實現(xiàn)了對各個寄存器命令的寫入精選ppt上電時，CKE=ODT=Low，VDD/VDDL/VDDQ來自同一PowerSource，VTT<0.95V，VREF=VDDQ/2，待VDDQ>VDDQmin時，完成上電。啟動時鐘，在VDD/VDDL/VDDQ/VREF/VTT穩(wěn)定后至少200us，CK/CK#穩(wěn)定，執(zhí)行NOP，并將CKE=High。400us后，執(zhí)行PrechargeAll。EMRStoEMR(2).(BA0=BA2=Low，BA1=High)EMRStoEMR(3).(BA2=Low，BA0=BA1=High)EMRS—〉使能DLL。MRS—〉resetDLL。Prechargeall.Auto-refresh2ormore.MRS（A8=Low）.初始化Device。OCDCalibration，exitOCDCalibrationmode。DDR2SDRAM初始化完成。初始化精選pptBANK激活激活BANK時：CAS#=WE#=High，CS#=RAS#=Low。BA0-BA2：選擇所要激活的BANK。A0-A15：確定所選擇BANK的行地址。激活BANK之前，不能進(jìn)行Read/Write操作。同一BANK在執(zhí)行相鄰的兩個激活命令之間，必須進(jìn)行一次預(yù)充電。幾個時間的定義tRAS：ACTtoPREDelaytRP：PREtoACTDelaytRC：ACTtoACTDelaytRCD：ACTtoRD(A)orWT(A)Delay（RAS#toCAS#Delay）CL：CAS#Latency精選pptRead/Write具體時序可參考規(guī)范JESD79-2E內(nèi)存讀寫可分為行有效和列讀寫兩個部分，行有效時序理解為：CKE有效（時鐘有效）—>CS#有效（選擇一個Rank）—>BA0，BA1有效（選擇一個邏輯地址Bank）—>RAS#有效（行地址選通）—>A0-An有效（行地址有效）。列讀寫時序理解為：CKE有效（時鐘有效）—>CS#有效（選擇一個Rank）—>BA0，BA1有效（選擇一個邏輯地址Bank）—>CAS#有效（列地址選通）—>A0-An有效（列地址有效）。精選ppt5.內(nèi)存設(shè)計DDR2顆粒：256Mb/512Mb(4BANK)1Gb/2Gb/4Gb(8BANK)目前公司內(nèi)存設(shè)計模組主要有：OnBoardMemoryDIMM：168Pin(SDRAM)184Pin(DDR)240Pin(DDR2)SODIMM：144Pin(SDRAM)200Pin(DDR/DDR2)除此之外，還有用于筆記本的內(nèi)存模組MicroDIMM：172Pin(DDR)214Pin(DDR2)MiniRegisteredDIMM：244pin(DDR2)設(shè)計模塊精選ppt內(nèi)存設(shè)計主要信號：CK/CK#：240Pin和184PinDIMM有三個CLOCK差分輸入，SODIMM只有兩個CLOCK輸入。根據(jù)內(nèi)存顆粒的不同，每個CLOCK負(fù)載也不同。CS#：RANK片選，每個RANK對應(yīng)一個獨立的CS#信號。CKE：時鐘使能，每個RANK對應(yīng)一個獨立的CKE信號。ODT：OnDieTermination，每個RANK對應(yīng)一個獨立的ODT信號。BS：BANK片選，每個通道對應(yīng)一組BS片選，用于選擇該通道上的BANK精選pptSPDSPD是SerialPresenceDetect（串行存在檢測）的縮寫。是內(nèi)存條上