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文檔簡(jiǎn)介

會(huì)計(jì)學(xué)1C的串行總線擴(kuò)展實(shí)用2023/1/1728.1

I2C總線接口及其擴(kuò)展有兩根雙向信號(hào)線:數(shù)據(jù)線SDA和時(shí)鐘線SCL

I2C總線架構(gòu)8.1.1I2C總線基礎(chǔ)第1頁(yè)/共25頁(yè)2023/1/173

I2C總線的特點(diǎn)采用2線制

器件引腳少,器件間連接簡(jiǎn)單,電路板體積減小,可靠性提高

傳輸速率高標(biāo)準(zhǔn)模式:100Kb/s,快速模式:400Kb/s,高速模式為3.4Mb/s

支持主/從和多主兩種工作方式標(biāo)準(zhǔn)型80C51沒(méi)有I2C總線接口,只能工作于單主方式(擴(kuò)展外圍從器件)

第2頁(yè)/共25頁(yè)2023/1/174

I2C總線的數(shù)據(jù)傳輸傳輸時(shí)序圖

起始信號(hào)S終止信號(hào)P第3頁(yè)/共25頁(yè)2023/1/175字節(jié)傳送與應(yīng)答

尋址字節(jié)

位:D7D6D5D4D3D2D1D0器件地址R/W第4頁(yè)/共25頁(yè)2023/1/176器件地址表器件型號(hào)字節(jié)容量尋址字節(jié)內(nèi)部地址字節(jié)數(shù)頁(yè)面寫(xiě)字節(jié)數(shù)最多可掛器件數(shù)固定標(biāo)識(shí)片選R/WAT24C01A1281010A2A1A01/0188AT24C02256A2A1A01/088AT24C04512A2A1P01/0164AT24C08A1KA2P1P01/0162AT24C16A2KP2P1P01/0161AT24C32A4KA2A1A01/02328AT24C64A8KA2A1A01/0328AT24C128B16KA2A1A01/0648AT24C256B32KA2A1A01/0648AT24C512B64KA2A1A01/01288第5頁(yè)/共25頁(yè)2023/1/177

I2C總線典型信號(hào)時(shí)序模擬8.1.280C51的I2C總線時(shí)序模擬第6頁(yè)/共25頁(yè)2023/1/178

I2C總線典型信號(hào)模擬子程序

起始信號(hào)STA:SETBSDASETBSCLNOPNOPCLRSDANOPNOPCLRSCLRET

終止信號(hào)STP:CLRSDASETBSCLNOPNOPSETBSDANOPNOPCLRSDACLRSCLRET發(fā)應(yīng)答位“0”ASK:CLRSDASETBSCLNOPNOPCLRSCLSETBSDARET發(fā)非應(yīng)答位“1”NAS:SETBSDASETBSCLNOPNOPCLRSCLCLRSDARETSDAEQUP1.7SCLEQUP1.6主程序設(shè)置:第7頁(yè)/共25頁(yè)2023/1/1798.1.380C51與AT24C02的接口AT24C02為串行E2PROM存儲(chǔ)器。體積小、功耗低、占用I/O口線少,性能價(jià)格比高WP:寫(xiě)保護(hù)控制端,接地時(shí)允許寫(xiě)入。第8頁(yè)/共25頁(yè)2023/1/1710寫(xiě)操作過(guò)程單片機(jī)發(fā)送起始信號(hào)S單片機(jī)發(fā)送控制字節(jié),釋放SDA線

被選中的器件確認(rèn)是自己地址后,在SDA線產(chǎn)生應(yīng)答單片機(jī)發(fā)送1字節(jié)預(yù)寫(xiě)入存儲(chǔ)區(qū)首地址器件產(chǎn)生應(yīng)答---單片機(jī)發(fā)出停止信號(hào)P

器件進(jìn)入寫(xiě)周期(10ms內(nèi)結(jié)束)第9頁(yè)/共25頁(yè)2023/1/1711讀操作過(guò)程單片機(jī)發(fā)送起始信號(hào)S單片機(jī)發(fā)送控制字節(jié)(偽寫(xiě)),釋放SDA線

被選中的器件確認(rèn)是自己地址后,在SDA線產(chǎn)生應(yīng)答單片機(jī)發(fā)送1字節(jié)預(yù)讀出存儲(chǔ)區(qū)首地址器件產(chǎn)生應(yīng)答單片機(jī)再發(fā)一次起始信號(hào)S和讀控制字節(jié)器件產(chǎn)生應(yīng)答

單片機(jī)讀數(shù)據(jù)、恢復(fù)應(yīng)答----

最后字節(jié)讀完、發(fā)非應(yīng)答、發(fā)停止信號(hào)P(程序略)第10頁(yè)/共25頁(yè)2023/1/17128.2

SPI總線接口及其擴(kuò)展8.2.1單片機(jī)擴(kuò)展SPI總線的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)用于E2PROM、A/D、D/A、實(shí)時(shí)時(shí)鐘等。單片機(jī)可模擬SPI時(shí)序。對(duì)于80C51,常采用“主MCU+多個(gè)從器件”的主從模式

4個(gè)引腳第11頁(yè)/共25頁(yè)2023/1/17138.2.2單片機(jī)SPI總線的時(shí)序模擬單片機(jī)讀(從器件輸出)時(shí),在選通有效的情況下,SCK的下降沿時(shí)從器件將數(shù)據(jù)放在MISO線上,單片機(jī)延時(shí)并采樣MISO線,將數(shù)據(jù)位讀入。然后將SCK置為高電平形成上升沿,數(shù)據(jù)被鎖存。單片機(jī)寫(xiě)(從器件輸入)操作類(lèi)似。第12頁(yè)/共25頁(yè)2023/1/1714【例8-3】單片機(jī)與具有SPI總線接口的E2PROM器件X25F008的接口電路如圖所示。定義單片機(jī)引腳如下:MOSIEQUP1.0SCKEQUP1.1SSEQUP1.2MISOEQUP1.3單片機(jī)讀子程序(讀取字節(jié)在R0中)SPIRD:SETBSCKCLRSSMOVR1,#8RLP:CLRSCKNOPNOPMOVC,MISORLCASETBSCKDJNZR1,RLPMOVR0,ARET(寫(xiě)程序略)第13頁(yè)/共25頁(yè)2023/1/1715主要性能8.3串行時(shí)鐘日歷芯片DS1302及其接口DS1302,含有實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷和31字節(jié)靜態(tài)RAM

8.3.1DS1302的性能與引腳計(jì)算2100年之前的秒、分、時(shí)、日、星期、月和年,能進(jìn)行閏年調(diào)整;31字節(jié)數(shù)據(jù)RAM;引腳與TTL兼容;工作電流小于300nA,有備份電源和涓流充電能力。第14頁(yè)/共25頁(yè)2023/1/1716引腳定義

I/O:數(shù)據(jù)輸入/輸出引腳

SCLK:串行時(shí)鐘輸入引腳

RST復(fù)位引腳

GND:接地引腳

Vcc1、Vcc2:工作電源、備份電源引腳

X1、X2:晶振接入管腳。晶振頻率為32.768KHz。第15頁(yè)/共25頁(yè)2023/1/1717命令字格式8.3.2DS1302的操作位:D7D6D5D4D3D2D1D01R/CA4A3A2A1A0R/W

D7位:固定為1R/C位:為0時(shí)選擇操作時(shí)鐘,為1時(shí)選擇操作RAM

A4A3A2A1A0:操作地址

R/W位:為0時(shí)進(jìn)行寫(xiě)操作,為1時(shí)進(jìn)行讀操作第16頁(yè)/共25頁(yè)2023/1/1718單字節(jié)操作寫(xiě)操作

讀操作

第17頁(yè)/共25頁(yè)2023/1/1719多字節(jié)操作(突發(fā)模式)

每次寫(xiě)入或讀出8個(gè)字節(jié)時(shí)鐘日歷數(shù)據(jù)或31個(gè)字節(jié)RAM數(shù)據(jù)。與單字節(jié)時(shí)相似,僅需將A0~A4換成“11111”。第18頁(yè)/共25頁(yè)2023/1/17208.3.3DS1302的寄存器及RAM日歷時(shí)鐘相關(guān)寄存器寄存器名命令字節(jié)范圍位內(nèi)容讀寫(xiě)D7D6D5D4D3D2D1D0秒80H81H00~59CH秒的十位秒的個(gè)位分82H83H00~590分的十位分的個(gè)位時(shí)84H85H01~12或00~2312/240A/PHR小時(shí)個(gè)位日86H87H01~3100日的十位日的個(gè)位月88H89H01~120000/1月的個(gè)位星期8AH8BH01~0700000星期幾年8CH8DH00~99年的十位年的個(gè)位第19頁(yè)/共25頁(yè)2023/1/1721注意:1、秒寄存器的CH位:置1,時(shí)鐘停振,進(jìn)入低功耗態(tài);置0,時(shí)鐘工作。2、小時(shí)寄存器的D7位:置1,12小時(shí)制(D5置1表示上午,置0表示下午);置0,24小時(shí)制(此時(shí)D5、D4組成小時(shí)的十位)。第20頁(yè)/共25頁(yè)2023/1/1722其它寄存器及RAM

寄存器名命令字節(jié)范圍位內(nèi)容讀寫(xiě)D7D6D5D4D3D2D1D0寫(xiě)保護(hù)8EH8FH00H~80HWP0涓流充電90H91H-TCSDSRS時(shí)鐘突發(fā)BEHBFH--RAM突發(fā)FEHFFH--RAM0C0HC1H00H~FFHRAM數(shù)據(jù)…

……00H~FFHRAM30FCHFDH00H~FFH第21頁(yè)/共25頁(yè)2023/1/1723注意:1、WP:寫(xiě)保護(hù)位:置為1時(shí),寫(xiě)保護(hù);置為0時(shí),未寫(xiě)保護(hù)。2、TCS:1

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