特種陶瓷第三講氮化物陶瓷_第1頁(yè)
特種陶瓷第三講氮化物陶瓷_第2頁(yè)
特種陶瓷第三講氮化物陶瓷_第3頁(yè)
特種陶瓷第三講氮化物陶瓷_第4頁(yè)
特種陶瓷第三講氮化物陶瓷_第5頁(yè)
已閱讀5頁(yè),還剩29頁(yè)未讀, 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶(hù)提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

氮化物陶瓷2/1/20231非氧化物陶瓷概述氮化物陶瓷的通式是MexNy表示的一類(lèi)化合物;氮化物的晶體結(jié)構(gòu)多屬于立方晶系和六方晶系,均需人工合成;根據(jù)氮化物物理性質(zhì)和鍵的特點(diǎn),氮化物可分為非金屬氮化物(如Si3N4、BN)和金屬氮化物(AlN、TiN);一部分氮化物,如Si3N4、BN、AlN等在高溫下不出現(xiàn)熔融狀態(tài)而直接升華分解;氮化物一般都具有非常高的硬度,個(gè)別很低。2/1/20232非氧化物陶瓷一、氮化硅陶瓷1.晶體結(jié)構(gòu)氮化硅(Si3N4)是共價(jià)鍵化合物,它有兩種晶型,即α-Si3N4和β-Si3N4;高溫下穩(wěn)定,分解前(1900℃)仍保持很高的強(qiáng)度。α-Si3N41400~1600℃下加熱,可轉(zhuǎn)化為β-Si3N4;α-Si3N4為針狀晶體,其力學(xué)性能優(yōu)于β-Si3N4。2/1/20233非氧化物陶瓷β-Si3N4可以看成是Si和N交替連成的環(huán)經(jīng)堆積而成→α-Si3N4

是由Si3N4四面體組成的共價(jià)鍵固體↑2/1/20234非氧化物陶瓷氮化硅(Si3N4

)的晶體結(jié)構(gòu)α-Si3N4顆粒狀晶體β-Si3N4長(zhǎng)柱狀或針狀晶體

相同點(diǎn):兩者均同六方晶系,[SiN4]四面體共用頂角構(gòu)成的三維空間網(wǎng)絡(luò).不同點(diǎn):β-Si3N4比α-Si3N4的對(duì)稱(chēng)性高;

α-Si3N4相為低溫型,β-Si3N4為高溫型穩(wěn)定性高2/1/20235非氧化物陶瓷α-Si3N4相為低溫型,β-Si3N4

α-Si3N4在1400-1600℃下加熱會(huì)轉(zhuǎn)變成β-Si3N4,因而人們?cè)J(rèn)為,α-Si3N4和β-Si3N4相分別為低溫和高溫兩種晶型。反例:(1)低于相變溫度的反應(yīng)燒結(jié)Si3N4中,α-Si3N4和β-Si3N4兩相幾乎同時(shí)出現(xiàn)。(2)又如在另SiCl4-NH3-H2系中加入少量TiCl4,1350-1450℃可直接制備出β-Si3N4,該系在1150℃生成沉淀,然后于Ar氣中1400℃熱處理6小時(shí),得到的僅為α-Si3N4。β-Si3N4可直接生成2/1/20236非氧化物陶瓷2.氮化硅陶瓷的制備工藝①氮化硅粉的制備A:Si粉的直接氮化法:將純度較高的Si粉磨細(xì)后,置于反應(yīng)爐內(nèi)通氮?dú)?,加熱?200~1400℃進(jìn)行氮化:3Si+2N2→Si3N4Si粉氮化法最為成熟,但一般會(huì)在氮化硅顆粒中留下硅芯,同時(shí)由于氮化時(shí)發(fā)生粘結(jié),故必須經(jīng)過(guò)粉碎和球磨才能成細(xì)粉;原料Si→粉碎→氮化→Si3N4粉塊→粉碎→Si3N4粉末.2/1/20237非氧化物陶瓷B:二氧化硅還原氮化法利用廉價(jià)、高純?cè)鲜⒎跾iO2和C,通氮?dú)?300~1150℃進(jìn)行氮化即生成純度高、顆粒細(xì)的Si3N4粉。3SiO2+6C

+2N2→Si3N4+6CO↑這種方法需要加入過(guò)量碳以確保SiO2的完全反應(yīng),但反應(yīng)在≥1550℃時(shí)生成SiC。殘留的C在氮化后600℃煅燒可排除。2/1/20238非氧化物陶瓷起始原料SiO2和C→混合→氮化燒成→脫碳處理→Si3N4粉末本工藝方法的特點(diǎn):高純、超細(xì)原料SiO2和C來(lái)源豐富,易于廉價(jià)獲得;反應(yīng)產(chǎn)物是疏松的粉末,無(wú)須像硅粉氮化那樣經(jīng)過(guò)粉碎處理,從而避免了雜質(zhì)的重新引入;SiO2和C還原氮化法制備的Si3N4粉末中的α相含量高,燒結(jié)后材料的抗彎強(qiáng)度高;為了避免SiC的生成,必須控制反應(yīng)溫度低于1550℃。2/1/20239非氧化物陶瓷C:Si或SiH4與NH3的化學(xué)氣相沉積(CVD)3SiH4+4NH3→Si3N4+12H2↑這種方法制得的是具有高比表面的無(wú)定形粉末,經(jīng)1300℃熱處理能成為結(jié)晶態(tài)。2/1/202310非氧化物陶瓷D:二亞胺硅的沉淀SiCl4液相法SiCl4+6NH3→Si(NH)2+4NH4Cl3Si(NH)2→Si3N4+2NH3以上每種方法制得的粉料都適用于燒結(jié),但是各種粉料具有不同的形貌、晶型、比表面、氧和碳等雜質(zhì)含量,這些對(duì)致密化速度都可能產(chǎn)生明顯的影響。2/1/202311非氧化物陶瓷理想的氮化硅粉料應(yīng)具有的特征:等軸狀顆粒以便提高素坯密度;高比表面以利于燒結(jié);高α-Si3N4含量以利于形成較好的顯微結(jié)構(gòu);雜質(zhì)含量低,這可避免不需要的反應(yīng)和有利于獲得良好的高溫力學(xué)性能;所有方法制備的粉料中,氧通常是以SiO2層形式存在于每個(gè)顆粒的表面。2/1/202312非氧化物陶瓷②氮化硅陶瓷的制備A:反應(yīng)燒結(jié)氮化硅(RSSN):3Si+2N2→Si3N4硅粉→磨細(xì)→成型→素坯氮化→修坯→氮化燒結(jié)→研磨加工→成品工藝步驟:把Si粉或Si粉與Si3N4的混合粉成形后在1200℃左右通氮?dú)忸A(yù)氮化,之后機(jī)械加工成所需部件,最后在1400℃左右進(jìn)行最終氮化燒結(jié)。2/1/202313非氧化物陶瓷反應(yīng)燒結(jié)氮化硅的特點(diǎn)優(yōu)點(diǎn):在制備過(guò)程中不需要加入添加劑,因此高溫下材料的強(qiáng)度不會(huì)下降;同時(shí)反應(yīng)燒結(jié)氮化硅無(wú)收縮特性,可制備形狀復(fù)雜的部件。缺點(diǎn):制品密度存在大量氣孔(Si粉壓坯有20~50%的空隙度),密度為2.2~2.7g/cm3(理論密度為3.19g/cm3),力學(xué)性能得到影響。2/1/202314非氧化物陶瓷反應(yīng)結(jié)合氮化硅工藝的要求硅粉的雜質(zhì)少,粒度?。ㄟ^(guò)200目篩)素坯成型時(shí)根據(jù)需要加入臨時(shí)粘結(jié)劑。

密度與成型方法的關(guān)系:等靜壓>干壓>澆注或擠壓素坯的初步氮化:1150-1200℃保溫1-1.5小時(shí),坯體獲得一定的強(qiáng)度坯體的加工,燒成后體積變化小,尺寸精度保持在0.1%氮化燒成:加入催化劑促進(jìn)氮化,如氧化鐵、氟化鈣等2/1/202315非氧化物陶瓷汽輪機(jī)轉(zhuǎn)子氣閥葉片2/1/202316非氧化物陶瓷B:常壓燒結(jié)氮化硅(PLS)是以高純、超細(xì)(≤1μm)、高α相含量的氮化硅粉與少量助燒劑(Y2O3、Al2O3、SiO2,形成硅酸鹽液相)混合,通過(guò)成型、燒結(jié)等工序制備而成。燒結(jié)氣氛:提高N2氣氛壓力可減少熱分解和提高Si3N4燒結(jié)體的致密度。Ts=1900~2100℃,相應(yīng)的N2氣氛壓力要求1~5MPa,重量損失≤2%。2/1/202317非氧化物陶瓷無(wú)壓燒結(jié)獲得致密氮化硅陶瓷原料粉末細(xì)化高α相含量采用有效的燒結(jié)助劑氣氛壓力燒結(jié)使用Si3N4+BN+MgO(5:4:1)埋粉控制保溫時(shí)間高表面能,接觸面積多,晶界面積大,擴(kuò)散距離短α→β相變,獲得鑲嵌結(jié)構(gòu)復(fù)合添加劑,如同時(shí)添加Y2O3和Al2O3抑制失重、促進(jìn)致密化2/1/202318非氧化物陶瓷C:重?zé)Y(jié)氮化硅(PS)將反應(yīng)燒結(jié)的Si3N4燒結(jié)坯體在助燒劑存在的情況下,置于氮化硅粉體中,在高溫下重?zé)Y(jié),得到致密的Si3N4制品。重?zé)Y(jié)Si3N4制品的密度都在理論密度的90%以上,使材料的抗彎強(qiáng)度大大提高。D:熱等靜壓燒結(jié)氮化硅(HIP)將氮化硅及助燒劑的混合物粉末封裝到金屬或玻璃包套中,抽真空后通過(guò)高壓氣體在高溫下燒結(jié)。Si3N4制品的密度可達(dá)理論密度。2/1/202319非氧化物陶瓷D:熱壓燒結(jié)氮化硅熱壓燒結(jié)氮化硅可獲得密度和強(qiáng)度高的制品。同時(shí)需要加入適量的燒結(jié)助劑,如MgO,BeO,Y2O3,Al2O3,氟化物等質(zhì)量分?jǐn)?shù)>90%高溫高壓α-Si3N4細(xì)粉燒結(jié)助劑制品高壓使傳質(zhì)過(guò)程加速2/1/202320非氧化物陶瓷圖10-11熱壓機(jī)結(jié)構(gòu)示意圖1.液壓機(jī)壓桿2.石墨壓桿3.模具4.發(fā)熱體5.熱壓材料6.爐體隔熱材料7.爐體外殼8.觀察孔2/1/202321非氧化物陶瓷實(shí)驗(yàn)原理2/1/202322非氧化物陶瓷MgO燒結(jié)助劑的熱壓燒結(jié)原理MgO是最先使用的燒結(jié)助劑原理:燒結(jié)助劑和Si3N4粉末所含雜質(zhì)(如SiO2)以及Si3N4本身反應(yīng)生成液相,通過(guò)液相燒結(jié)機(jī)理促進(jìn)致密化過(guò)程。SiO2+MgO=MgSiO3SiO2+2MgO=Mg2SiO4熔化潤(rùn)濕Si3N4顆粒,填充于顆粒之間表面張力作用,顆粒重排密度增加,氣孔率下降2/1/202323非氧化物陶瓷使用燒結(jié)助劑時(shí)需考慮使用純度高的氮化硅原料(雜質(zhì)降低玻璃相的粘度)采用形成粘度較高玻璃相的燒結(jié)助劑經(jīng)過(guò)熱處理使玻璃相析晶2/1/202324非氧化物陶瓷熱壓燒結(jié)氮化硅的優(yōu)缺點(diǎn)優(yōu)點(diǎn):可獲得密度和強(qiáng)度高的制品缺點(diǎn):生成效率低,成本高,產(chǎn)品形狀簡(jiǎn)單,后續(xù)機(jī)加工困難2/1/202325非氧化物陶瓷3.氮化硅陶瓷的性質(zhì)和用途根據(jù)制造方法不同,氮化硅陶瓷的性質(zhì)會(huì)有很大差別2/1/202326非氧化物陶瓷利用其耐高溫、耐磨性能,在陶瓷發(fā)動(dòng)機(jī)中用于燃?xì)廨啓C(jī)的轉(zhuǎn)子、定子和渦形管;無(wú)水冷陶瓷發(fā)動(dòng)機(jī)中,用熱壓氮化硅做活塞頂蓋;用反應(yīng)燒結(jié)氮化硅可做燃燒器,它還可用做柴油機(jī)的火花塞、活塞罩、汽缸套、副燃燒室以及活塞一渦輪組合式航空發(fā)動(dòng)機(jī)的零件等。2/1/202327非氧化物陶瓷利用它熱震性好、耐腐蝕、摩擦系數(shù)小、熱膨脹系數(shù)小的特點(diǎn),它在冶金和熱加工工業(yè)上被廣泛用于測(cè)溫?zé)犭娕继坠?、鑄模、坩堝、燒舟、馬弗爐爐膛、燃燒嘴、發(fā)熱體夾具、煉鋁爐爐襯、鋁液導(dǎo)管、鋁包內(nèi)襯等。2/1/202328非氧化物陶瓷氮化硅陶瓷硬度高;摩擦系數(shù)小,只有0.1~0.2;具有自潤(rùn)滑性,可以在沒(méi)有潤(rùn)滑劑的條件下使用;蠕變抗力高,熱膨脹系數(shù)小;抗熱震性能在陶瓷中最佳,比Al2O3瓷高2~3倍?;瘜W(xué)穩(wěn)定性好,抗氫氟酸以外的各種無(wú)機(jī)酸和堿溶液的侵蝕,也能抵抗熔融非鐵金屬的侵蝕。此外,由于氮化硅為共價(jià)晶體,因此具有優(yōu)異的電絕緣性能。2/1/202329非氧化物陶瓷氮化硅基陶瓷軸承球2/1/202330非氧化物陶瓷氮化硅陶瓷渦輪轉(zhuǎn)子

2/1/202331非氧化物陶瓷氮化硅陶瓷擦輪2

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶(hù)所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫(kù)網(wǎng)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶(hù)上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶(hù)上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶(hù)因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論