標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 17626.1-2006 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 抗擾度試驗(yàn)總論》相比于其前版《GB/T 17626.1-1998 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 抗擾度試驗(yàn)總論》，主要在以下幾個(gè)方面進(jìn)行了更新與調(diào)整：

  1. 標(biāo)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)和內(nèi)容的優(yōu)化：2006版對(duì)標(biāo)準(zhǔn)的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了重新編排，使得內(nèi)容更加條理化，便于使用者理解和執(zhí)行。增加了對(duì)試驗(yàn)過(guò)程細(xì)節(jié)的描述，提高了指導(dǎo)性和實(shí)用性。

  2. 引用標(biāo)準(zhǔn)更新：隨著科技發(fā)展，相關(guān)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)和技術(shù)規(guī)范有所更新，2006版標(biāo)準(zhǔn)對(duì)引用的標(biāo)準(zhǔn)清單進(jìn)行了修訂，確保與國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)保持一致，如參考了更多的IEC（國(guó)際電工委員會(huì)）標(biāo)準(zhǔn)，提升了試驗(yàn)方法的國(guó)際化水平。

  3. 術(shù)語(yǔ)和定義的完善：新增和修訂了一些關(guān)鍵術(shù)語(yǔ)和定義，以更準(zhǔn)確地反映當(dāng)前電磁兼容領(lǐng)域的專業(yè)術(shù)語(yǔ)，幫助讀者更好地理解試驗(yàn)要求和概念。

  4. 試驗(yàn)等級(jí)和嚴(yán)酷度調(diào)整：根據(jù)技術(shù)進(jìn)步和實(shí)際應(yīng)用需求，部分試驗(yàn)項(xiàng)目的等級(jí)和嚴(yán)酷度進(jìn)行了調(diào)整，提供了更符合當(dāng)前設(shè)備使用環(huán)境的測(cè)試條件，增強(qiáng)了試驗(yàn)的適用性和準(zhǔn)確性。

  5. 測(cè)量技術(shù)和方法改進(jìn)：介紹了新的測(cè)量技術(shù)和方法，包括測(cè)量?jī)x器的選擇、校準(zhǔn)以及數(shù)據(jù)處理等方面的更新，旨在提高測(cè)試結(jié)果的可靠性和重復(fù)性。

  6. 安全和操作指南的強(qiáng)化：2006版標(biāo)準(zhǔn)加強(qiáng)了在進(jìn)行抗擾度試驗(yàn)時(shí)的安全注意事項(xiàng)和操作指導(dǎo)，確保試驗(yàn)人員的安全及設(shè)備的正確使用。

  7. 環(huán)境因素考慮：更加注重在不同環(huán)境條件下（如溫度、濕度）進(jìn)行抗擾度試驗(yàn)的指導(dǎo)，以評(píng)估設(shè)備在多種環(huán)境下的兼容性能。


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文檔簡(jiǎn)介

ICS33.100L06中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T17626.1-2006/IEC61000-4-1:2000代替GB/T17626.1-1998電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)抗擾度試驗(yàn)總論ElectromagneticcompatibilityTestingandmeasurementtechniques-Overviewofimmunitytests(IEC61000-4-1:2000,Electromagneticcompatibility（EMC)-Part4-1:TestingandmeasurementtechniquesOverviewofIEC61000-4series,IDT)2006-12-01發(fā)布2007-07-01實(shí)施中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局愛(ài)布中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T17626.1-2006/IEC61000-4-1:2000次前育圍2規(guī)范性引用文件3總則4術(shù)語(yǔ)和定義5GB/T17626系列標(biāo)準(zhǔn)的結(jié)構(gòu)6武驗(yàn)的選擇表1依據(jù)安裝位置(環(huán)境）選擇抗擾度試驗(yàn)·10000600600000660000000000000000000000000000000000000000000000000000000605表2基于EUT端口的抗擾度試驗(yàn)的適用范圍

GB/T17626.1-2006/IEC61000-4-1：2000GB/T17626《電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)》系列標(biāo)準(zhǔn)目前包括以下部分GB/T17626.1-2006電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)抗擾度試驗(yàn)總論GB/T17626.2—2006電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)靜電放電抗擾度試驗(yàn)GB/T17626.3-2006電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度試驗(yàn)GB/T17626.4—1998電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)電快速瞬變脈沖群抗擾度試驗(yàn)GB/T17626.5—1999電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)浪涌(沖擊)抗擾度試驗(yàn)GB/T17626.6—1998電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)耐頻場(chǎng)感應(yīng)的傳導(dǎo)強(qiáng)擾抗擾度GB/T17626.7-1998電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)供電系統(tǒng)及所連設(shè)備諧波、諧間波的測(cè)量和測(cè)量?jī)x器導(dǎo)則GB/T17626.8-2006電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)工頻磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)GB/T17626.9—1998電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)脈沖磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)GB/T17626.10—1998電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)阻尼振蕩磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)GB/T17626.11-1999！電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)電電壓暫降、短時(shí)中斷和電壓變化的抗擾度試驗(yàn)電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)GB/T17626.12-1998振蕩波抗擾度試驗(yàn)GB/T17626.13-2006電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)交流電源端口諧波、諧間波及電網(wǎng)信號(hào)的低頻抗擾度試驗(yàn)GB/T17626.14-2005電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)電壓波動(dòng)抗擾度試驗(yàn)GB/T17626.17-2005F電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)直流電源輸人端口紋波抗擾度試驗(yàn)GB/T17626.27-2006電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)三相電壓不平衡抗擾度試驗(yàn)GB/T17626.28-2006電磁兼容、試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)工頻頻率變化抗擾度試驗(yàn)GB/T17626.29-2006電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)直流電源輸人端口電壓智降、短時(shí)中斷和電壓變化的抗擾度試驗(yàn)本部分為GB/T17626的第1部分。本部分等同采用IEC61000-4-1(2000)《電磁兼容第4部分：試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)第1分部分：抗擾度試驗(yàn)總論》。本部分給出了有關(guān)試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)的的實(shí)用性指導(dǎo)，并就選擇相關(guān)的試驗(yàn)提供了通用的建議。本部分自實(shí)施之日起代替GB/T17626.1—1998《電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)抗擾度試驗(yàn)總論》本部分與GB/T17626.1—1998相比.主要變化如下：刪除了第6章環(huán)境條件、第8章嚴(yán)酷度等級(jí)的選擇、第9章試驗(yàn)結(jié)果的評(píng)估；刪除了附錄A抗擾度試驗(yàn)簡(jiǎn)述和附錄B傳導(dǎo)瞬態(tài)試驗(yàn)的特點(diǎn)；增加了表1依據(jù)安裝位置（環(huán)境）選擇抗擾度試驗(yàn)；增加了表2基于EUT端口的抗擾度試驗(yàn)的適用范圍本部分由中國(guó)電力企業(yè)聯(lián)合會(huì)提出本部分由全國(guó)電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)（SAC/TC246)歸口本部分起草單位：國(guó)網(wǎng)武漢高壓研究院。本部分主要起草人：王勒、鄒雄、萬(wàn)保權(quán)、張廣洲、路遙本部分所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為：GB/T17626.1-1998。

GB/T17626.1一2006/IEC61000-4-1:2000電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)抗擾度試驗(yàn)總論1范圍本部分涵蓋了電氣和電子設(shè)備(裝置和系統(tǒng))在其電磁環(huán)境中的試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)。本部分的目的是為專業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)或其他團(tuán)體、電氣電子設(shè)備用戶以及制造廠商提供電磁兼容（EMC)標(biāo)準(zhǔn)GB/T17626系列中有關(guān)試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)的實(shí)用性指導(dǎo)，并對(duì)選擇相關(guān)的試驗(yàn)提供通用的建議。規(guī)規(guī)范性引用文件下列文件中的條款通過(guò)GB/T17626的本部分的引用而成為本部分的條款。凡是注日期的引用文件,其隨后所有的修改單或修訂版均不適用于本部分.然而.鼓勵(lì)根據(jù)本部分達(dá)成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件.其最新版本適用于本部分。GB/T4365-2003電工術(shù)語(yǔ)電磁兼容（IEC60050（161）:1990.IDT)GB/T17624.1—1998電磁兼容綜述電磁兼容基本術(shù)語(yǔ)和定義的應(yīng)用與解釋(idtIEC61000-1-1:1992）GB17625.1—2003電磁兼容限值借波電流發(fā)射限值（設(shè)備每相輸入電流<16A）(IEC61000-3-2:2001.IDT）GB17625.2—1999電磁兼容限值對(duì)額定電流不大于16A的設(shè)備在低壓供電系統(tǒng)中產(chǎn)生的電壓波動(dòng)和閃煉的限制(idtIEC61000-3-3:1994）GB/Z17625.3—2000電磁兼容限值對(duì)額定電流大于16A的設(shè)備在低壓供電系統(tǒng)中產(chǎn)生的電壓波動(dòng)和閃煉的限制（idtIEC61000-3-5:1994）GB/Z17625.6—2003電磁兼容限值對(duì)額定電流大于16A的設(shè)備在低壓供電系統(tǒng)中產(chǎn)生的譜波電流的限制(IECTR61000-3-4:1998.IDT）GB/T17626.2—2006電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)靜電放電抗擾度試驗(yàn)(IEC61000-4-2:2001.IDT）GB/T17626.3—1998電磁兼容武驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)：射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度試驗(yàn)(idtIEC61000-43:2002.IDT)GB/T17626.4-1998電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)電快速瞬變脈沖群抗擾度試驗(yàn)(idtIEC610004-4:1995）GB/T17626.5一1999電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)浪涌(沖擊)抗擾度試驗(yàn)(idtIEC61000-4-5：1995）GB/T17626.6—1998電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)：射頻場(chǎng)感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾抗擾度(idtIEC610004-6:1996）GB/T17626.7—1998電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)：供電系統(tǒng)及所連設(shè)備

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