標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 41325-2022 集成電路用低密度晶體原生凹坑硅單晶拋光片》是一項國家標(biāo)準(zhǔn)，旨在規(guī)定集成電路制造中使用的低密度晶體原生凹坑硅單晶拋光片的技術(shù)要求、試驗方法、檢驗規(guī)則以及包裝、標(biāo)志、運輸和貯存等方面的內(nèi)容。該標(biāo)準(zhǔn)適用于直徑為150mm（6英寸）至300mm（12英寸）范圍內(nèi)的硅單晶拋光片。

根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)，對于硅單晶拋光片的基本參數(shù)如直徑、厚度及其均勻性、總厚度變化等提出了具體的要求。此外，還對表面質(zhì)量包括但不限于微粗糙度、顆粒數(shù)、劃痕數(shù)量及長度等進(jìn)行了詳細(xì)規(guī)范。針對原生凹坑缺陷，標(biāo)準(zhǔn)不僅定義了其形態(tài)特征，還明確了允許的最大尺寸與密度限制，以確保最終產(chǎn)品能滿足高端集成電路制造的需求。

在試驗方法部分，《GB/T 41325-2022》列出了用于檢測上述各項指標(biāo)的具體測試手段和技術(shù)條件，比如使用原子力顯微鏡測量表面形貌、采用光學(xué)顯微鏡觀察缺陷情況等。這些方法保證了檢測結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性。


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  • 現(xiàn)行
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  • 2022-03-09 頒布
  • 2022-10-01 實施
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文檔簡介

ICS29045

CCSH.82

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T41325—2022

集成電路用低密度晶體原生凹坑

硅單晶拋光片

Lowdensitycrystaloriginatedpitpolishedmonocrystallinesiliconwafersfor

integratedcircuit

2022-03-09發(fā)布2022-10-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T41325—2022

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構(gòu)不承擔(dān)識別專利的責(zé)任

。。

本文件由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會與全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草單位有研半導(dǎo)體硅材料股份公司山東有研半導(dǎo)體材料有限公司杭州中欣晶圓半導(dǎo)

:、、

體股份有限公司南京國盛電子有限公司有色金屬技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究院有限責(zé)任公司浙江金瑞泓科技股

、、、

份有限公司中環(huán)領(lǐng)先半導(dǎo)體材料有限公司浙江海納半導(dǎo)體有限公司

、、。

本文件主要起草人孫燕寧永鐸鐘耕杭李洋徐新華駱紅楊素心李素青張海英由佰玲

:、、、、、、、、、、

潘金平

。

Ⅰ

GB/T41325—2022

集成電路用低密度晶體原生凹坑

硅單晶拋光片

1范圍

本文件規(guī)定了低密度晶體原生凹坑硅單晶拋光片以下簡稱拋光片的技術(shù)要求試驗

(Low-COP)、

方法檢驗規(guī)則包裝標(biāo)志運輸貯存隨行文件及訂貨單內(nèi)容

、、、、、、。

本文件適用于對晶體原生凹坑敏感的集成電路用直徑為和晶向電阻

200mm300mm、<100>、

率的拋光片

0.1Ω·cm~100Ω·cmLow-COP。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測試方法

GB/T1550

計數(shù)抽樣檢驗程序第部分按接收質(zhì)量限檢索的逐批檢驗抽樣計劃

GB/T2828.11:(AQL)

硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法

GB/T4058

半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測試方法非接觸渦流法

GB/T6616

硅拋光片表面質(zhì)量目測檢驗方法

GB/T6624

硅單晶

GB/T12962

硅單晶切割片和研磨片

GB/T12965

半導(dǎo)體材料術(shù)語

GB/T14264

硅拋光片表面顆粒測試方法

GB/T19921

硅單晶

GB/T29504300mm

硅片平坦表面的表面粗糙度測量方法

GB/T29505

硅片平整度厚度及總厚度變化測試自動非接觸掃描法

GB/T29507、

硅單晶切割片和磨削片

GB/T29508300mm

硅片翹曲度和彎曲度的測試自動非接觸掃描法

GB/T32280

硅片表面金屬元素含量的測定電感耦合等離子體質(zhì)譜法

GB/T39145

硅片包裝

YS/T28

非本征半導(dǎo)體中少數(shù)載流子擴散長度的測試表面光電壓法

YS/T679

晶片納米形貌報告指南

SEMIM43(Guideforreportingwafernanoyopgraphy)

晶片近邊緣幾何形態(tài)的評價法

SEMIM67ESFQR、ESFQD、ESBIR(Testmethodfor

determiningwafernear-edgegeometryfromameasuredthicknessdataarrayusingtheESFQR,ES-

FQD,andESBIRmetrics)

晶片近邊緣幾何形態(tài)的評價高度徑向二階導(dǎo)數(shù)法

SEMIM68(Testmethodfordetermining

wafernear-edgegeometryfromameasuredheightdataarrayusingacurvaturemetric,ZDD)

晶片近邊緣幾

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