GB/T 4937.17-2018半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第17部分：中子輻照

ICS3108001

L40..

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T493717—2018/IEC60749-172003

.:

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法

第17部分中子輻照

:

Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—

Part17Neutronirradiation

:

(IEC60749-17:2003,IDT)

2018-09-17發(fā)布2019-01-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T493717—2018/IEC60749-172003

.:

前言

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法由以下部分組成

GB/T4937《》:

第部分總則

———1:;

第部分低氣壓

———2:;

第部分外部目檢

———3:;

第部分強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(yàn)

———4:(HAST);

第部分穩(wěn)態(tài)溫濕度偏置壽命試驗(yàn)

———5:;

第部分高溫貯存

———6:;

第部分內(nèi)部水汽含量測(cè)試和其他殘余氣體分析

———7:;

第部分密封

———8:;

第部分標(biāo)志耐久性

———9:;

第部分機(jī)械沖擊

———10:;

第部分快速溫度變化雙液槽法

———11:;

第部分掃頻振動(dòng)

———12:;

第部分鹽霧

———13:;

第部分引出端強(qiáng)度引線牢固性

———14:();

第部分通孔安裝器件的耐焊接熱

———15:;

第部分粒子碰撞噪聲檢測(cè)

———16:(PIND);

第部分中子輻照

———17:;

第部分電離輻射總劑量

———18:();

第部分芯片剪切強(qiáng)度

———19:;

第部分塑封表面安裝器件耐潮濕和焊接熱綜合影響

———20:;

第部分對(duì)潮濕和焊接熱綜合影響敏感的表面安裝器件的操作包裝標(biāo)志和運(yùn)輸

———20-1:、、;

第部分可焊性

———21:;

第部分鍵合強(qiáng)度

———22:;

第部分高溫工作壽命

———23:;

第部分加速耐濕無偏置強(qiáng)加速應(yīng)力試驗(yàn)

———24:(HSAT);

第部分溫度循環(huán)

———25:;

第部分靜電放電敏感度試驗(yàn)人體模型

———26:(ESD)(HBM);

第部分靜電放電敏感度試驗(yàn)機(jī)械模型

———27:(ESD)(MM);

第部分靜電放電敏感度試驗(yàn)帶電器件模型器件級(jí)

———28:(ESD)(CDM);

第部分閂鎖試驗(yàn)

———29:;

第部分非密封表面安裝器件在可靠性試驗(yàn)前的預(yù)處理

———30:;

第部分塑封器件的易燃性內(nèi)部引起的

———31:();

第部分塑封器件的易燃性外部引起的

———32:();

第部分加速耐濕無偏置高壓蒸煮

———33:;

第部分功率循環(huán)

———34:;

第部分塑封電子元器件的聲學(xué)掃描顯微鏡檢查

———35:;

第部分恒定加速度

———36:;

Ⅰ

GB/T493717—2018/IEC60749-172003

.:

第部分采用加速度計(jì)的板級(jí)跌落試驗(yàn)方法

———37:;

第部分半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的軟錯(cuò)誤試驗(yàn)方法

———38:;

第部分半導(dǎo)體元器件原材料的潮氣擴(kuò)散率和水溶解率測(cè)量

———39:;

第部分采用張力儀的板級(jí)跌落試驗(yàn)方法

———40:;

第部分非易失性存儲(chǔ)器件的可靠性試驗(yàn)方法

———41:;

第部分溫度和濕度貯存

———42:;

第部分集成電路可靠性鑒定方案指南

———43:(IC);

第部分半導(dǎo)體器件的中子束輻照單粒子效應(yīng)試驗(yàn)方法

———44:。

本部分為的第部分

GB/T493717。

本部分按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本部分使用翻譯法等同采用半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分

IEC60749?17:2003《17:

中子輻照

》。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別這些專利的責(zé)任

。。

本部分由中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部提出

。

本部分由全國(guó)半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC78)。

本部分起草單位中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所西北核技術(shù)研究所中國(guó)科學(xué)院新疆理化

:、、

技術(shù)研究所

。

本部分主要起草人席善斌彭浩陳偉林東生楊善潮金曉明郭旗陸嫵崔波陳海蓉

:、、、、、、、、、。

Ⅱ

GB/T493717—2018/IEC60749-172003

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半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法

第17部分中子輻照

:

1范圍

的本部分是為了測(cè)定半導(dǎo)體器件在中子環(huán)境中性能退化的敏感性本部分適用于集

GB/T4937。

成電路和半導(dǎo)體分立器件中子輻照主要針對(duì)軍事或空間相關(guān)的應(yīng)用是一種破壞性試驗(yàn)

。,。

試驗(yàn)?zāi)康娜缦?/p>

:

檢測(cè)和測(cè)量半導(dǎo)體器件關(guān)鍵參數(shù)的退化與中子注量的關(guān)系

a);

確定規(guī)定的半導(dǎo)體器件參數(shù)在接受規(guī)定水平的中子注量輻射之后是否在規(guī)定的極限值之內(nèi)

b)

見第章

(4)。

2試驗(yàn)設(shè)備

21測(cè)試儀器

.

輻射試驗(yàn)中采用的測(cè)試儀器應(yīng)是能測(cè)量所要求電參數(shù)的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)驗(yàn)室電子測(cè)試儀器如電源數(shù)字電

,、

壓表和皮安培計(jì)等

。

22輻射源

.

試驗(yàn)中采用的輻射源應(yīng)是脈沖反應(yīng)堆

。

23劑量測(cè)定設(shè)備

.

快中子閾值活化箔如3254和58

a),S、FeNi;

等熱釋光劑量計(jì)

b)CaF2(TLD);

適用的活化箔計(jì)數(shù)設(shè)備及讀出設(shè)備

c)TLD。

24劑量測(cè)定

.

241中子注量

..

通過測(cè)定同時(shí)受輻照的快中子活化箔如3254和58中感生的放射總量可獲得用于器件輻射

S、FeNi,

的中子注量

。

把活化箔中測(cè)得的放射量換算到中子注量的標(biāo)準(zhǔn)方法由有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)給出由箔的放射量換算到中子

。

注量需要確定入射在箔上的中子譜