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文檔簡介
第一章半導(dǎo)體器件基本概念:本征半導(dǎo)體、雜質(zhì)半導(dǎo)體(P型、N型);自由電子與空穴、擴散與漂移,復(fù)合、
PN結(jié)及其單向?qū)щ娦灾饕攸c:受溫度影響大一、常用半導(dǎo)體器件
例1
P型半導(dǎo)體中,多數(shù)載流子是()A.自由電子B.負離子C.空穴D.正離子C
例2
在本征半導(dǎo)體中加入()元素可形成N型半導(dǎo)體,加入()元素可形成P型半導(dǎo)體導(dǎo)體。A.五價B.四價C.三價AC
例3當溫度升高時,二極管的反向飽和電流將()。A.增大B.不變C.減少A
例4PN結(jié)加正向電壓時,空間電荷區(qū)將()。A.變窄B.不變C.變寬A
例5PN結(jié)未加外部電壓時,擴散電流()漂移電流。A.小于B.等于C.大于B二、二極管陽極陰極+-uiO
uU(BR)1.特性—單向?qū)щ娬螂娮栊?理想為0),反向電阻大()。2.主要參數(shù)Uon開啟電壓UonU(BR)反向擊穿電壓IS反向飽和電流3.二極管的等效模型UUrd理想二極管
例1二極管的正向電阻(),反向電阻()。A.小B.大AB
例2利用二極管的()可組成整流電路及限幅電路。A.正向特性B.反向特性C.單向?qū)щ娦訡
例3溫度升高時,二極管的反向伏安特性會()。A.上升B.下移C.不變B[1.3]
電路如圖所示,設(shè)ui=5sinωtV,二極管導(dǎo)通壓降0.7V,試繪出輸入和輸出電壓的波形和幅值+ui-3VRD1+uo-3VD2解:ui
3.7VD1導(dǎo)通、D2截止uo=3.7Vui-3.7VD1截止、D2導(dǎo)通uo=-3.7Vui3.7V-3.7VD1截止D2截止uo=ui
ABCVA=3VVB=-3VVC=uiui/V
ωto5uo/V
ωto3.73.7-3.7-3.7[1.4]
電路如圖所示,二極管導(dǎo)通電壓UD=0.7V,常溫下UT≈26mV,電容C對交流信號可視為短路;ui為正弦波,有效值為10mV。試問二極管中流過的交流電流的有效值二極管的動態(tài)電阻解:(1)靜態(tài)分析令ui=0則流過二極管的直流電流ID=(V-UD)/R=2.6mA
(2)動態(tài)分析2V電壓源相當于短路故流過的動態(tài)電流Id=ui/rd≈1mArd≈UT/ID=10Ω=(V-UD)/R=2.6mArd≈UT/ID=10ΩuiIZIZMUZIZUZu>UZ時作用同二極管u增加到UZ時,穩(wěn)壓管擊穿,反向?qū)?,兩端電壓在一定范圍?nèi)能保持不變(a)三、穩(wěn)壓管一種特殊的二極管
例1穩(wěn)壓管必須工作在()狀態(tài)下,才能夠穩(wěn)定電壓。A.正向?qū)˙.反向截止C.反向擊穿C[例2]
穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓UZ=6V,最小穩(wěn)定電流IZmin=5mA,最大穩(wěn)定電流IZmax=25mA,負載電阻RL=500Ω。(1)分別計算UI為10V、15V、35V三種情況下輸出電壓UO的值;
(2)若UI=35V時負載開路,則會出現(xiàn)什么現(xiàn)象?為什么?第一章半導(dǎo)體晶體三極管1.形式與結(jié)構(gòu)NPNPNP三區(qū)、三極、兩結(jié)2.特點基極電流控制集電極電流并實現(xiàn)放大放大條件內(nèi)因:發(fā)射區(qū)載流子濃度高、
基區(qū)薄、集電區(qū)面積大外因:發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏3.電流關(guān)系IE=IC+IBIC=βIB
IE=(1+β)
IB
4.特性iC
/mAuCE
/V100μA80μA60μA40μA20μAIB=0O369124321O0.40.8iB
/AuBE/V60402080飽和區(qū)截止區(qū)放大區(qū)狀態(tài)電流關(guān)系
條件放大I
C=βIB發(fā)射結(jié)正偏集電結(jié)反偏飽和IC
βIB兩個結(jié)正偏截止IB<0,IC=0兩個結(jié)反偏三種工作狀態(tài)的判斷判斷導(dǎo)通還是截止:UBE>Uon
則導(dǎo)通以NPN為例:UBE<Uon
則截止判斷飽和還是放大:1.電位判別法NPN管UC>UB>UE放大飽和UB
UC>UE
例1測得某NPN型的硅晶體管各電極對地的電壓值為VC=6V,VB=4V,VE=3V,則管子工作在()。A.放大區(qū)B.飽和區(qū)C.截止區(qū)A第一章半導(dǎo)體器件場效應(yīng)管1.分類按導(dǎo)電溝道分N溝道P溝道按結(jié)構(gòu)分絕緣柵型結(jié)型按特性分增強型耗盡型gdssgdBgdsgdssgdBsgdBN溝道結(jié)型P溝道結(jié)型N溝道結(jié)型N溝道增強型MOSN溝道耗盡型MOSN溝道增強型MOS2.特點柵源電壓改變溝道寬度從而控制漏極電流輸入電阻高,工藝簡單,易集成FET無柵極電流,故采用轉(zhuǎn)移特性和輸出特性描述3.特性gds不同類型FET轉(zhuǎn)移特性比較iD/mAuDS/VOUGS=0V-1-2-3-4-5-6-7預(yù)夾斷軌跡恒流區(qū)
可變電阻區(qū)夾斷區(qū)擊穿區(qū)N溝道FET輸出特性D
例1右圖所示元件是()。A.P溝道結(jié)型場效應(yīng)管B.N溝道結(jié)型場效應(yīng)管C.P溝道增強型絕緣柵場效應(yīng)管D.N溝道增強型絕緣柵場效應(yīng)管sgdBiC
/mAuCE
/V100μA80μA60μA40μA20μAIB=0O3691243211、基本概念放大、靜態(tài)工作點、飽和失真、截止失真、直流通路、交流通路、直流負載線、交流負載線、性能指標、h參數(shù)等效模型第二章基本放大電路bce+-+-ibic+uce-+ube-bce2、放大電路的組成原則組成原則、電路中各元件作用、為何以及如何設(shè)置合適的靜態(tài)工作點、靜態(tài)工作點對電路性能的影響、穩(wěn)定靜態(tài)工作點的措施3、放大電路的分析方法靜態(tài)分析動態(tài)分析近似估算法圖解法小信號等效電路法圖解法分析失真計算動態(tài)參數(shù)4、主要典型電路TRbRcVCC+ui-+uo-iBiCiE+uCE-+uBE-C1+
C2+共射極基本放大電路或基極偏置電路TRbRcVCCIB=VCC–UBERbICβIBUCE=VCC-RcICTRb+ui-RcRL+uo-Rb+ui-RcRL+uo-固定偏置電路分壓式偏置放大電路+ui-T+uo-射極偏置電路TVB=Rb1+Rb2Rb1VCCIEVBReICUCE=VCC–RcIC
–ReIE
ReRb1+-RcRL+-共集電極電路+ui-T+uo-+-TICIBIEbec+–+–+–共基極放大電路+ui-T+uo-+–TT+–+ui-每種接法的特點ecb+–+–+–場效應(yīng)管放大電路icbceib+-ube+-uceebcrbeidds+-ugs+-udsggsdrgs+-低頻跨導(dǎo),西門子Sdgs+VDDC1RgRsCS+C2Rd+++ui-+uo-RL
自給偏壓電路基本共源放大電路uGSiD/mA0源極電位柵極電流負偏壓根據(jù)場效應(yīng)管的電流方程聯(lián)解求得ID和UGS
則dgs+VDDC1RgRsCS+C2Rd+++ui-+uo-RL
gdsrgs+–+–基本共漏放大電路dgs+VDDuiC1Rg3Rs+C2++–+–uoRg2Rg15、派生電路兩種接法組合的放大電路復(fù)合管放大電路構(gòu)成原則、電流放大系數(shù)和輸入電阻B
例1BJT放大電路中為穩(wěn)定靜態(tài)工作點,應(yīng)采用()。A.共集電極放大電路B.分壓式偏置電路C.功率放大電路D.固定偏置電路bec電流放大系數(shù)增大[例題]TRbRc+VCC+uo-+uo
-C1+
C1+
uitouoto圖所示放大電路中,若uo中交流成分出現(xiàn)圖所示的失真中的哪個元件?如何調(diào)整?現(xiàn)象,問是截止失真還是飽和失真?為消除此失真,應(yīng)調(diào)整電路解:iCuCEiBoQ飽和失真,調(diào)整基極電阻Rb,增大Rb?;蛘{(diào)整集電極電阻Rc,減小Rc。第三章差分放大電路1、四種常見的耦合方式:
直接耦合、阻容耦合Rsus+–+–ui1A1+–uo1+–ui2A2+–uo2+–uinAn+–uonRL
2、多級放大電路
放大倍數(shù):各級放大倍數(shù)的乘積輸入電阻、輸出電阻零點漂移(溫漂)、差模信號、共模信號、差模放大倍數(shù)、共模放大倍數(shù)共模抑制比3、基本概念例:已知Rb=1k,Rc=10k,RL=5.1k,VCC=12V,VEE=6V;β=100,rbe=2k。+uod
–T1
Rc
Rb
+VCC
T2
Rc
Rb
Re-VEE
uI1
+–uid
uI2
uId/2uId/2+–+–RL
3、差分放大電路的四種接法及動態(tài)參數(shù)的計算
例1雙輸入雙輸出差分放大電路的差模電壓放大倍數(shù)Ad是基本共射放大電路Au的()倍。A.2B.1C.1/2B(1)為使IE1=IE2=0.5mA求Re
和UCEQ(2)計算Au、Ri、Ro;+uod
–T1
Rc
Rb
+VCC
T2
Rc
Rb
Re-VEE
uI1
+–uid
uI2
uId/2uId/2+–+–RL
rbeibβibRbRcrbeibβibRbRcuiduod第四章集成運算放大器組成:輸入級、中間級、輸出級、偏置級各級作用:各級電路組成:運放中恒流源的作用:第六章放大電路中的負反饋反饋的判斷有無反饋的判斷–+AuiuoR1R2負反饋和正反饋的判斷瞬時極性法直流反饋和交流反饋的判斷電壓反饋和電流反饋的判斷串聯(lián)反饋和并聯(lián)反饋的判斷負反饋電壓并聯(lián)交直流+ui-T+uo-Rb1Rb2RcReC2C1Ce+VCC電壓串聯(lián)直流負反饋–+AuiuoR
無+ui-T1R1R2R3C1+uo-R4R5C2+VCCR6T2C3+uf–ud負反饋電壓串聯(lián)交直流僅有直流反饋負反饋電流并聯(lián)uo+VCCT3R2T1R3T2R1-VEER6R5R4IoRsusu1
差分式放大電路
共射極放大電路uF本級:負反饋交直流串聯(lián)電流級間:負反饋交直流串聯(lián)電壓負反饋交直流并聯(lián)電壓四種反饋組態(tài)及作用電壓串聯(lián)負反饋:穩(wěn)定輸出Uo、Ri↑、Ro↓
電壓并聯(lián)負反饋:穩(wěn)定輸出Uo、Ri↓、Ro↓
電流串聯(lián)負反饋:穩(wěn)定輸出Io、Ri↑、Ro↑
電流并聯(lián)負反饋:穩(wěn)定輸出Io、Ri↓、Ro↑深度負反饋時,反饋系數(shù)的計算+放大電路反饋網(wǎng)絡(luò)深度負反饋
電壓串聯(lián)負反饋電路
電流串聯(lián)負反饋電路負反饋交直流串聯(lián)電壓+VCCT2T1Rc1uiC1ReRc2-VEEuo﹣﹢A負反饋交直流串聯(lián)電壓設(shè)滿足深度負反饋條件,試估算電壓放大倍數(shù)Rf第七章信號的運算和處理信號的運算:加、減、積分、微分基本運算電路比例運算電路加減運算電路
反相比例同相比例電壓跟隨器反相輸入求和同相輸入求和雙端輸入求和積分、微分對數(shù)、指數(shù)其他負反饋虛短虛斷計算、設(shè)計濾波器:高通、低通、帶通、帶阻、全通(2)通帶截止頻率fp
(1)通帶增益濾波器的主要技術(shù)指標過渡帶f0fp通帶阻帶3dB會計算傳遞函數(shù)、通帶增益和截止頻率+AF正弦波振蕩電路比較器:單限、滯回、窗口第八章波形的發(fā)生和信號的轉(zhuǎn)換1、產(chǎn)生正弦波振蕩的條件幅值平衡條件相位平衡條件n為整數(shù)2、判斷是否能產(chǎn)生正弦波振蕩的步驟(1)觀察包含放大、選頻、正反饋
和穩(wěn)幅四個部分?(2)放大電路是否能夠正常工作?(3)電路是否滿足正弦波振蕩的相位平衡條件?(4)電路是否滿足正弦波
振蕩的幅值條件(起振條件)?瞬時極性法RcRb2Rb1C1TC1Re+VCCCeLC2C2uo+–+–++電路如圖所示,試用相位平衡條件判斷能否振蕩。CCe+VCCRe
Rb2Rb1C1TTReC
共基電路++––不能振蕩
CuoL2L1Cb–+A+––+–++可以振蕩CRf-+RRCR11/310.1100建立振蕩條件:一開始要求達到穩(wěn)態(tài)平衡狀態(tài)時3、RC橋式正弦波振蕩電路10.110090°-90°4、電壓比較器的電壓傳輸特性曲線輸出電壓、閾值電壓、
躍變方向。ouP-uNuOUT+UOM
-UOM
5、單限比較器ui
uo
–+Aui
uo
–+Aui
uo
–+ADZRR1R2UREFNP當uN=uP=0時,輸出電壓會發(fā)生躍變5、滯回比較器ui
uo
–+ADZRR2R1UZNPui
uo
–+ADZRR2R1UREF
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