內(nèi)存技術(shù)：內(nèi)存測(cè)試和測(cè)量挑戰(zhàn)

引言????????????????????3-4DRAM?????????3DRAM???????????????????4-6SDRAM??????????????????6-9DDRSDRAM???????????????6DDR2SDRAM??????????????7DDR3SDRAM??????????????8DDR4SDRAM??????????????9GDDR和LPDDR?????????????9DIMMs??????????????????9-13DIMM物理尺寸??????????????9DIMM???????????9DIMM排列???????????????10DIMM內(nèi)存尺寸和速度??????????10DIMM結(jié)構(gòu)???????????????10串行位置檢測(cè)??????????????12設(shè)計(jì)仿真????????????????13設(shè)計(jì)檢驗(yàn)????????????????13檢驗(yàn)策略????????????????13//memory3統(tǒng)。一般來(lái)說(shuō)，計(jì)算機(jī)內(nèi)存安裝在可插拔DIMM上，子器件工程設(shè)計(jì)委員會(huì))一直為內(nèi)存行業(yè)提供幫助。算機(jī)制造商、測(cè)試制造商等等。開(kāi)放的JEDEC標(biāo)準(zhǔn)規(guī)夠與其它制造商的內(nèi)存和計(jì)算機(jī)內(nèi)存控制器中心互操試內(nèi)存是否符合JEDEC規(guī)范是保證內(nèi)存與其它制造商/memory列列位擇列整性。這些功能包括動(dòng)態(tài)控制的ODT(片內(nèi)模具上端DRAMIC成用一個(gè)電容器及一個(gè)或三個(gè)FET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)制成。典型的SRAM(靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)內(nèi)存)內(nèi)存單元采取六個(gè)之/memory5(芯片選擇低有效)及OE#(輸出啟動(dòng)低有效)。早期的第三步的時(shí)間稱為時(shí)延。最后一步是RAS#,CAS#和容器。刷新內(nèi)存由內(nèi)存控制器負(fù)責(zé)，刷新策略有兩個(gè)(參見(jiàn)圖2)。第一個(gè)策略內(nèi)存控制器在/memoryC刷新計(jì)數(shù)器不需要內(nèi)存控制器中的外部刷新計(jì)數(shù)器電RASCAS#和WE#邊沿轉(zhuǎn)換順序定義所有內(nèi)存操作的類型取決于SDRAM時(shí)鐘上升沿上的CE#,RAS#,CAS#和WE#信號(hào)狀態(tài)。產(chǎn)品資料根據(jù)CE#,RAS#,RAMDDR-266DDR-333一個(gè)內(nèi)存條或第二個(gè)內(nèi)存條。在內(nèi)存條上的Read和/memory7內(nèi)存條2內(nèi)存條2列)列)列列存條中只應(yīng)打開(kāi)一行，而不是一次打開(kāi)行的多個(gè)內(nèi)存DDRDDR2SDRAM數(shù)據(jù)速率內(nèi)存時(shí)鐘DDR0DDR3DDR7DDR0雙向的。內(nèi)存控制器中心在寫(xiě)入操作中驅(qū)動(dòng)這些信號(hào)，對(duì)片內(nèi)端接值編程(75歐姆、150歐姆等等)，DDR2/memory條操作，八個(gè)內(nèi)存條提高了訪問(wèn)大型內(nèi)存DDR2DDRDDR3SDRAM數(shù)據(jù)速率內(nèi)存時(shí)鐘DDR0率和時(shí)鐘速度(參見(jiàn)表3)。DDR3-800/1066/1333SDRAM用，DDR3-1600/1866SDRAM則預(yù)計(jì)在2008年投入使用，DDR3-2133/memory9引腳，這個(gè)引腳為活動(dòng)低異步RESET#引腳，通過(guò)把ADDRSDRAMonixcomcnmemory1個(gè)排列8個(gè)IC4個(gè)IC44844C示了沒(méi)有ECC時(shí)支持64位數(shù)據(jù)寬度的DIMM上有多少限制。下述因素會(huì)降低信號(hào)完整性：提高內(nèi)存時(shí)鐘速ktronixcomcnmemory高級(jí)內(nèi)存高級(jí)內(nèi)存高級(jí)內(nèi)存高級(jí)內(nèi)存中心器器器器點(diǎn)到點(diǎn)通道架構(gòu)采用單獨(dú)內(nèi)存通道的內(nèi)存控制器為提高內(nèi)存系統(tǒng)中的環(huán)(PLL)緩沖，命令信號(hào)和地址信號(hào)使用寄存器鎖存裝SDRAMs和DDR3SDRAMs信號(hào)都在FB-DIMM和FB-onixcomcnmemorySPDHEX值0塊制造商串行內(nèi)存中的字節(jié)數(shù)12345理內(nèi)存條數(shù)6度78口電平9模塊糾錯(cuò)配置類型(非奇偶性,奇偶性,ECC)15-61ID65-7101-0873-9001-0995-98戶自由表格來(lái)在計(jì)算機(jī)開(kāi)機(jī)過(guò)程中為計(jì)算機(jī)BIOS提供DIMM內(nèi)存有一個(gè)唯一的地址(0-7)。在開(kāi)機(jī)時(shí)，會(huì)使用I2C接/memory13制造商的網(wǎng)站上會(huì)列明通過(guò)其兼容能力測(cè)試的內(nèi)存產(chǎn)技術(shù)，包括設(shè)計(jì)仿真新技術(shù)及新的BIOS操作。結(jié)果，方案沒(méi)有全面檢驗(yàn)而發(fā)生罕見(jiàn)隨機(jī)錯(cuò)誤，JEDEC或其它制造商規(guī)定的各種一致性測(cè)試要求。設(shè)計(jì)單元？哪些是重用的設(shè)計(jì)單元；哪些環(huán)境測(cè)試？(如溫度,濕度等)onixcomcnmemory分析儀，裝有FB-DIMM支持套件擴(kuò)頻時(shí)鐘廓線裝有抖動(dòng)分析軟件邏輯分析儀，裝有SDRAM支持套件電功率和信號(hào)電源質(zhì)量,噪聲,毛刺和地跳示波器或混合信號(hào)示波器命令,地址和數(shù)據(jù)有效窗口,時(shí)鐘,移。到下述類型中：計(jì)算機(jī)內(nèi)存控制器中心IC,內(nèi)存IC,/memory15為迎接最復(fù)雜的探測(cè)挑戰(zhàn)提供了完整的一系列解決方對(duì)內(nèi)存設(shè)計(jì)進(jìn)行電接口測(cè)試，檢驗(yàn)內(nèi)存設(shè)計(jì)的運(yùn)行情onixcomcnmemoryA模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC):把電信號(hào)轉(zhuǎn)換成離散的二進(jìn)制的一BBGA成電路封裝。C啟動(dòng)(CE#):激活器件。CS選擇器件。CAS循環(huán)冗余代碼(CRC):從數(shù)據(jù)塊中推導(dǎo)出的、與數(shù)據(jù)塊D數(shù)字示波器:一種示波器，使用模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)把測(cè)波器(DPO):一種數(shù)字示波器，它密切建模數(shù)字信號(hào)：使用離散的二進(jìn)制數(shù)字表示電壓樣點(diǎn)的信數(shù)字存儲(chǔ)示波器(DSO):一種數(shù)字示波器，通過(guò)數(shù)字采樣采集信號(hào)(使用模數(shù)轉(zhuǎn)換器)。它使用串行處理結(jié)構(gòu)，數(shù)字化:水平系統(tǒng)中的模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)在離散的時(shí)點(diǎn)/memory17率(DDR):峰值數(shù)據(jù)速率是命令把時(shí)鐘輸入。EFFET電流的晶體管。精細(xì)間隔球柵陣列(FBGA):集成電路封裝。頻率：信號(hào)在一秒內(nèi)重復(fù)的次數(shù)，單位為赫茲(每秒周GGDDR:圖形雙倍數(shù)據(jù)速率HIMM集成電路(IC):一套蝕刻或烙印在芯片上的器件及其互。J聯(lián)合電子設(shè)備工程設(shè)計(jì)委員會(huì)(JEDEC):電子行業(yè)聯(lián)盟KLMonixcomcnmemorysMSO模擬主板:計(jì)算機(jī)主要的系統(tǒng)電路板，包含處理器,內(nèi)存控NOPRRAS備中感興趣的地址行。/memory19STM步化到計(jì)算機(jī)系統(tǒng)其余部分，不再需要根據(jù)CE#,ESUT:測(cè)量?jī)x器測(cè)試的系統(tǒng)。TTDR估阻抗值和變化的傳UVW泰克科技(中國(guó))有限公司上海市浦東新區(qū)川橋路1227號(hào)(8621)50312000傳真：(8621)58993156泰克成都辦事處成都市人民南路一段86號(hào)城市之心23層D-F座(8628)86203028傳真：(8628)86203038泰克北京辦事處北京市海淀區(qū)花園路4號(hào)通恒大廈1樓101室電話：(8610)62351210/1230傳真：(8610)62351236泰克西安辦事處西安市東大街西安凱悅(阿房宮)飯店345室(8629)87231794傳真：(8629)87218549泰克上海辦事處上海市靜安區(qū)延安中路841號(hào)東方海外大廈18樓1802-06室(8621)62896908傳真：(8621)62897267泰克武漢辦事處武漢市漢口建設(shè)大道518號(hào)招銀大廈1611室電話：(8627)87812760/2831泰克深圳辦事處深圳市羅湖區(qū)深南東路5002號(hào)信興廣場(chǎng)