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文檔簡介
第三章《晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)》測試題一、單選題(共12題)1.在氣體分析中,常用CuCl2的鹽酸溶液吸收并定量測定CO的含量。某工藝通過如下流程制備氯化亞銅固體(已知CuCl容易被氧化):下列說法正確的是A.步驟①中可用稀硫酸代替稀鹽酸B.步驟②中SO2的作用是作為氧化劑C.步驟③中用SO2水溶液洗滌比較有效D.CuCl晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,每個(gè)氯離子周圍與之距離最近的氯離子數(shù)目為42.下列物質(zhì)中有氧離子存在的是A.CaO B.H2O C.KClO3 D.KOH3.有5種元素X、Y、Z、Q、T。X原子M層上有2個(gè)未成對電子且無空軌道;Y原子的特征電子構(gòu)型為3d64s2;Z原子的核外電子總數(shù)等于Q原子的最外層電子數(shù);Q原子的L電子層的p能級上只有一對成對電子;T原子有1個(gè)3p空軌道。下列敘述錯(cuò)誤的是A.元素Y和Q可形成化合物Y2Q3B.氣態(tài)氫化物的穩(wěn)定性:Q>T>ZC.X和Q結(jié)合生成的化合物晶體類型為分子晶體D.T和Z的最高價(jià)氧化物均為酸性氧化物4.下列排序正確的是A.熔點(diǎn):碳化硅>硅>鍺B.分解溫度:C.酸性:D.鍵角:5.下列說法正確的是A.含有金屬元素的化合物一定是離子化合物B.完全由非金屬元素組成的化合物可能是離子化合物C.IA族和VIIA族元素原子間只能形成離子鍵D.金屬鍵只存在于金屬單質(zhì)中6.下列關(guān)于晶體的說法一定正確的是()A.第ⅠA族堿金屬元素與ⅦA族元素所形成的化合物在固態(tài)時(shí)為離子晶體,晶體中陰、陽離子排列方式相同B.晶體中存在陰離子就必定存在陽離子,存在陽離子就必定存在陰離子C.離子晶體中只含有離子鍵,分子晶體、原子晶體中必定含有共價(jià)鍵D.C60晶體(其結(jié)構(gòu)模型如圖)中每個(gè)C60分子周圍與它距離最近且等距離的C60分子有12個(gè)7.下列關(guān)于物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的說法中,錯(cuò)誤的是A.由玻璃制成規(guī)則的玻璃球體現(xiàn)了晶體的自范性B.晶體由于內(nèi)部質(zhì)點(diǎn)排列的高度有序性導(dǎo)致其許多物理性質(zhì)表現(xiàn)出各向異性C.等離子體是由電子、陽離子和電中性粒子組成的整體上呈電中性的物質(zhì)聚集體D.若MgO中離子鍵的百分?jǐn)?shù)為50%,則MgO可看作離子晶體與共價(jià)晶體之間的過渡晶體8.某多孔儲氫材料前驅(qū)體結(jié)構(gòu)如圖,、、、、五種元素原子序數(shù)依次增大,基態(tài)原子的電子填充了個(gè)能級,其中有個(gè)未成對電子。下列說法正確的是A.氫化物沸點(diǎn): B.原子半徑:C.第一電離能: D.該物質(zhì)為離子化合物9.下列各組物質(zhì)的變化過程中,所克服的粒子間作用力完全相同的是A.CaO和熔化 B.Na和S受熱熔化C.NaCl和HCl溶于水 D.碘和干冰的升華10.某原子半徑為r的金屬的堆積方式為六方最密堆積,結(jié)構(gòu)如圖1所示,該晶體晶胞結(jié)構(gòu)如圖2所示,1、2、3、4原子形成正四面體,下列說法錯(cuò)誤的是A.該晶胞中含有的金屬原子數(shù)目為2 B.該晶胞的高為C.圖1結(jié)構(gòu)中含3個(gè)晶胞 D.該晶胞的空間利用率為11.下列說法正確的是A.2p和3p軌道形狀均為啞鈴形,能量也相等B.金屬離子的電荷越多、半徑越小,金屬晶體的熔點(diǎn)越低C.石墨轉(zhuǎn)化為金剛石既有共價(jià)鍵的斷裂和生成,沒有破壞分子間作用力D.DNA分子兩條長鏈中的堿基以氫鍵互補(bǔ)配對形成雙螺旋結(jié)構(gòu),使遺傳信息得以精準(zhǔn)復(fù)制12.下列關(guān)于晶體的說法正確的是A.組成金屬的粒子是原子B.晶體中分子間作用力越大,分子越穩(wěn)定C.離子晶體中一定有離子鍵,分子晶體中肯定沒有離子鍵D.SiO2晶體中每個(gè)硅原子與兩個(gè)氧原子以共價(jià)鍵相結(jié)合二、非選擇題(共10題)13.在金屬材料中添加AlCr2顆粒,可以增強(qiáng)材料的耐腐蝕性、硬度和機(jī)械性能。AlCr2具有體心四方結(jié)構(gòu),如圖所示,處于頂角位置的是___________原子。設(shè)Cr和Al原子半徑分別為和,則金屬原子空間占有率為___________%(列出計(jì)算表達(dá)式)。14.含有多個(gè)配位原子的配體與同一中心離子(或原子)通過螯合配位成環(huán)而形成的配合物為螯合物。一種配合物的結(jié)構(gòu)如下圖所示,該配合物中通過螯合作用形成的配位鍵有_______,該螯合物中N的雜化方式有_______種。15.大型客機(jī)燃油用四乙基鉛[Pb(CH2CH3)4])做抗震添加劑,但皮膚長期接觸四乙基鉛對身體健康有害,可用硫基乙胺(HSCH2CH2NH2)和KMnO4清除四乙基鉛。(1)碳原子核外電子的空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)有______種,基態(tài)錳原子的外圍電子排布式為___,該原子能量最高的電子的電子云輪廓圖形狀為________。(2)N、C和Mn電負(fù)性由大到小的順序?yàn)開___________。(3)HSCH2CH2NH2中C的雜化方式為_____,其中NH2-空間構(gòu)型為____;N和P的價(jià)電子相同,但磷酸的組成為H3PO4,而硝酸的組成不是H3NO4,其原因是_______。(4)Pb(CH2CH3)4是一種難電離且易溶于有機(jī)溶劑的配合物,其晶體類型屬于_____晶體。已知Pb(CH2CH3)4晶體的堆積方式如下。Pb(CH2CH3)4]在xy平面上的二維堆積中的配位數(shù)是___,A分子的坐標(biāo)參數(shù)為_____;設(shè)阿伏加德羅常數(shù)為NA/mol,Pb(CH2CH3)4]的摩爾質(zhì)量為Mg/mol,則Pb(CH2CH3)4]晶體的密度是_____g/cm3(列出計(jì)算式即可)。16.我國復(fù)旦大學(xué)魏大程團(tuán)隊(duì)開發(fā)的一種共形六方氮化硼修飾技術(shù),可直接在二氧化硅表面生長高質(zhì)量六方氮化硼薄膜。(1)下列N原子的電子排布圖表示的狀態(tài)中,能量最高的是_______(填字母)。A. B.C. D.(2)第二周期主族元素中,按第一電離能大小排序,第一電離能在B和N之間的元素有_______種。(3)Na與N形成的NaN3可用于汽車的安全氣囊中,其中陰離子的空間結(jié)構(gòu)為_______,Na在空氣中燃燒發(fā)出黃色火焰,這種黃色焰色用光譜儀攝取的光譜為_______(填“發(fā)射”或“吸收”)光譜。(4)已知NH3分子的鍵角約為107°,而同主族磷的氫化物PH3分子的鍵角約為94°,試用價(jià)層電子對互斥模型解釋NH3的鍵角比PH3的鍵角大的原因:_______。(5)BH3·NH3是一種有效、安全的固體儲氫材料,可由BH3與NH3反應(yīng)生成,B與N之間形成配位鍵,氮原子提供_______,在BH3·NH3中B原子的雜化方式為_______。17.Ⅰ.金屬鋁的晶胞結(jié)構(gòu)如圖甲所示,原子之間相互位置關(guān)系的平面圖如圖乙所示。若已知的原子半徑為,代表阿伏加德羅常數(shù)的值,的摩爾質(zhì)量為,請回答:(1)一個(gè)晶胞中原子的數(shù)目為_______。(2)該晶體的密度為_______(用字母表示)。Ⅱ.硫化鋅是一種半導(dǎo)體材料,S與Zn所形成化合物晶體的晶胞如圖所示。(3)由圖可知,Zn的配位數(shù)為_______。(4)原子坐標(biāo)參數(shù)可表示晶胞內(nèi)部各原子的相對位置。如圖晶胞中,原子坐標(biāo)參數(shù)a為(0,0,0);b為(,0,);c為(,,0)。則d的坐標(biāo)參數(shù)為_______。(5)已知該晶胞的密度為ρg·cm-3,若晶胞的邊長為x,則x為_______pm;則其中陰陽離子間最短的距離為_______pm。(均用ρ表示,列出計(jì)算式即可)(6)已知Zn和S的原子半徑分別為rZnpm和rSpm,則該晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為_______。(用x表示,列出計(jì)算式即可)18.(1)甲醛與新制懸濁液加熱可得磚紅色沉淀,已知晶胞的結(jié)構(gòu)如圖所示:①在該晶胞中,的配位數(shù)是___________。②若該晶胞的邊長為apm,則的密度為___________(只要求列算式,不必計(jì)算出數(shù)值,阿伏加德羅常數(shù)的值為)。(2)砷化鎵為第三代半導(dǎo)體材料,晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,砷化鎵晶體中最近的砷和鎵原子核間距為acm,砷化鎵的摩爾質(zhì)量為,阿伏加德羅常數(shù)的值為,則砷化鎵晶體的密度表達(dá)式是___________。(3)晶胞有兩個(gè)基本要素:①原子坐標(biāo)參數(shù),表示晶胞內(nèi)部各原子的相對位置,基稀磁半導(dǎo)體的晶胞如圖所示,其中A處的原子坐標(biāo)參數(shù)為;B處的原子坐標(biāo)參數(shù)為;C處的原子坐標(biāo)參數(shù)為___________。②晶胞參數(shù),描述晶胞的大小和形狀,已知單晶的晶胞參數(shù),表示阿伏加德羅常數(shù)的值,則其密度為___________(列出計(jì)算式即可)。(4)元素銅的單質(zhì)晶體中原子的堆積方式如圖甲所示,其晶胞特征如圖乙所示,原子之間相互位置關(guān)系的平面圖如圖丙所示。若已知銅元素的原子半徑為dcm,相對原子質(zhì)量為M,代表阿伏加德羅常數(shù)的值,則該晶體的密度為___________(用含M、d、的代數(shù)式表示)。(5)金屬鎳與鑭()形成的合金是一種良好的儲氫材料,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖。①儲氫原理:鑭鎳合金吸附,解離為原子,H原子儲存在其中形成化合物。若儲氫后,氫原子占據(jù)晶胞中上下底面的棱心和面心,則形成的儲氫化合物的化學(xué)式為___________。②測知鑭鎳合金晶胞體積為,則鑭鎳合金的晶體密度為___________(列出計(jì)算式即可)。19.藍(lán)色的無水在吸水后會變成粉紅色的水合物,該水合物受熱后又變成無水,所以無水,常用作吸濕劑和空氣濕度指示劑?,F(xiàn)有無水,吸水后變成,試回答下列問題:(1)水合物中x=______。(2)若該水合物為配合物,其中的配位數(shù)為6,經(jīng)測定得出該配合物內(nèi)界和外界含有的個(gè)數(shù)之比為1:1,則該配合物的化學(xué)式可表示為______。20.氯化鉻()是重要的鉻鹽,某實(shí)驗(yàn)小組利用下圖所示裝置在實(shí)驗(yàn)室制備(夾持裝置略去)。已知:易潮解,易溶于水,鉻粉在空氣中灼燒生成,易與鹽酸反應(yīng)生成氯化亞鉻()。請回答下列問題:(1)按照氣流由左到右的方向,上述裝置合理的連接順序?yàn)閍→_______(填儀器接口字母)。(2)裝置A中橡皮管的作用為_______。(3)裝置C中的試劑X是_______。(4)裝置E的作用為_______。(5)無水易吸水形成暗綠色的晶體,該配合物的中心微粒為_______,1mol該配合物中含有鍵的數(shù)目為_______。21.碳化物衍生碳以其獨(dú)特的性能被廣泛應(yīng)用在超級電容器、催化劑載體等方面。常用氯氣刻蝕法制備。該方法通過高溫氯化2小時(shí)在SiC表面制備碳涂層(已知:的沸點(diǎn)是59℃,極易水解),其方法如圖:(1)圓底燒瓶A中為氯酸鉀固體,儀器a中的試劑是______________________,A中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為__________________。(2)儀器C中所盛物質(zhì)為_______________。(3)高溫環(huán)境氯氣與氬氣混合氣氛中氯氣與SiC反應(yīng),將Si原子從SiC中刻蝕掉形成碳層,反應(yīng)的化學(xué)方程式為__________________,如果溫度超過1175℃,涂層上的碳結(jié)構(gòu)發(fā)生如下變化:碳→骨架碳→非晶碳→石墨碳,則碳涂層硬度會______________(填“逐漸變高”或“逐漸變低”),SiC熔點(diǎn)遠(yuǎn)高于的原因是__________________。(4)裝置F的作用是__________________,NaOH溶液中生成的鹽除了NaCl外,還有__________________。22.某實(shí)驗(yàn)小組同學(xué)為探究不同操作配制的銀氨溶液中的主要成分,采用如圖裝置進(jìn)行實(shí)驗(yàn),已知電導(dǎo)率傳感器是測量溶液中電荷流動(dòng)難易程度的傳感器。(1)儀器a名稱____。(2)實(shí)驗(yàn)一,用注射器向25mL蒸餾水和15mL0.12mol/LAgNO3混合后的溶液中,滴加1.2mol/L氨水,測得實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)如圖,滴至A點(diǎn)時(shí)加入的氨水共4.5mL。由0到A反應(yīng)過程電導(dǎo)率變化原因?yàn)開___。(3)實(shí)驗(yàn)二,用注射器向15mL0.12mol/LAgNO3溶液中滴加1.2mol/L氨水至O點(diǎn),過濾,洗滌沉淀的操作為____,向沉淀中繼續(xù)加入3.0mL氨水時(shí)電導(dǎo)率最大,此過程化學(xué)方程式為____,應(yīng)加入____mL蒸餾水,再測定溶液pH。(4)若實(shí)驗(yàn)二最終pH為12.6,根據(jù)上述實(shí)驗(yàn)過程判斷實(shí)驗(yàn)一所得銀氨溶液主要成分為____,原因是____。參考答案:1.CCu2(OH)2CO3與過量鹽酸反應(yīng)得到CuCl2的鹽酸溶液,再通入SO2還原,過濾、洗滌得到CuCl固體。A.步驟①中可用稀硫酸代替稀鹽酸則得不到CuCl2的鹽酸溶液,最終也得不到氯化亞銅固體,A錯(cuò)誤;B.根據(jù)Cu元素化合價(jià)的變化:從+2降低+1,可知其被還原,故步驟②中SO2的作用是作為還原劑,B錯(cuò)誤;C.由于CuCl容易被氧化,在步驟③中用SO2水溶液洗滌可防止CuCl被氧化,C正確;D.從CuCl晶胞結(jié)構(gòu)圖可知,氯離子位于立方晶胞頂點(diǎn)和面心,故每個(gè)氯離子周圍與之距離最近的氯離子數(shù)目為,D錯(cuò)誤;故選C。2.AA.CaO中含有離子鍵,為離子化合物,含有氧離子和鈣離子,A正確;B.H2O中存在O的共價(jià)鍵,是共價(jià)化合物,不存在氧離子,B錯(cuò)誤;C.KClO3中存在鉀離子和氯酸根離子,有離子鍵,不存在氧離子,C錯(cuò)誤;D.KOH中存在鉀離子和氫氧根離子,有離子鍵,不存在氧離子,D錯(cuò)誤;故選A。3.B由X原子M層上有2個(gè)未成對電子且無空軌道可知,X為S元素;Y原子的特征電子構(gòu)型為3d64s2,則Y為Fe元素;Q原子的L電子層的p能級上只有一對成對電子,則Q是O元素;由Z原子的核外電子總數(shù)等于O原子的最外層電子數(shù)可知,Z為C元素;由T原子有1個(gè)3p空軌道可知,T是Si元素。A.Fe元素和O元素能形成化合物Fe2O3,A項(xiàng)正確;B.元素的非金屬性越強(qiáng),氣態(tài)氫化物的穩(wěn)定性越強(qiáng),非金屬性:Q>Z>T,則氣態(tài)氫化物的穩(wěn)定性:Q>Z>T,B項(xiàng)錯(cuò)誤;C.硫元素和氧元素結(jié)合生成的化合物可以是二氧化硫或三氧化硫,二氧化硫和三氧化硫都是共價(jià)化合物,形成的晶體為分子晶體,C項(xiàng)正確;D.Si元素和C元素的最高價(jià)氧化物二氧化硅和二氧化碳均為酸性氧化物,D項(xiàng)正確;答案選B。4.AA.因?yàn)樵影霃紺<Si<Ge,則鍵長C-Si<Si-Si<Ge-Ge,共價(jià)鍵鍵長越長鍵能越小,則熔點(diǎn)越低,即熔點(diǎn):碳化硅>硅>鍺,A正確;B.碳酸鹽分解實(shí)際過程是晶體中陽離子結(jié)合碳酸根離子中氧離子,使碳酸根離子分解為二氧化碳的過程,陽離子所帶電荷相同時(shí),陽離子半徑越小,其結(jié)合氧離子能力越強(qiáng),對應(yīng)的碳酸鹽就越容易分解,熱分解溫度:
MgCO3<CaCO3<BaCO3,B錯(cuò)誤;C.Cl元素的化合價(jià)越高,對應(yīng)的氧化物的水化物的酸性越強(qiáng),故酸性,C錯(cuò)誤;D.為直線形結(jié)構(gòu),鍵角為1800,水為V型分子,鍵角為1050,氨氣為三角錐型,鍵角為1070,所以鍵角大小,D錯(cuò)誤;故選A。5.BA.含有金屬元素的化合物不一定是離子化合物,如是共價(jià)化合物,故A錯(cuò)誤;B.完全由非金屬元素組成的化合物可能是離子化合物,如,故B正確;C.IA族和VIIA族元素原子間可能形成離子鍵也可能形成共價(jià)鍵,如中只含共價(jià)鍵,中只含離子鍵,故C錯(cuò)誤;D.金屬鍵存在于金屬單質(zhì)或合金中,故D錯(cuò)誤。故選:B。6.DA、氯化鈉晶胞中陰陽離子的配位數(shù)為6,而氯化銫晶胞中陰陽離子的配位數(shù)為8,所以晶體中陰陽離子排列方式不一定相同,故A錯(cuò)誤;B、在金屬晶體中存在自由電子和陽離子,沒有陰離子,故B錯(cuò)誤;C、離子晶體中有離子鍵可能有共價(jià)鍵,有的分子晶體中沒有共價(jià)鍵,例如單原子分子形成的晶體,故C錯(cuò)誤;D、以晶胞頂點(diǎn)上的C60為例,與之距離最近的分子在經(jīng)過該點(diǎn)的面的面心上,這樣的面有12個(gè),所以這樣的C60分子也有12個(gè),故D正確;答案選D。7.AA.玻璃是非晶體,故A錯(cuò)誤;B.晶體由于內(nèi)部質(zhì)點(diǎn)排列的高度有序性導(dǎo)致其許多物理性質(zhì)表現(xiàn)出各向異性,故B正確;C.等離子體是由電子、陽離子和電中性粒子組成,在整體上表現(xiàn)為近似電中性的電離氣體,故C正確;D.離子鍵、共價(jià)鍵之間并非嚴(yán)格截然可以區(qū)分,若MgO中離子鍵的百分?jǐn)?shù)為50%,則MgO可看作離子晶體與共價(jià)晶體之間的過渡晶體,故D正確;選A。8.D由題干信息可知,基態(tài)Z原子的電子填充了3個(gè)能級,其中有2個(gè)未成對電子,故Z為C或者O,根據(jù)多孔儲氫材料前驅(qū)體結(jié)構(gòu)圖可知Y周圍形成了4個(gè)單鍵,再結(jié)合信息M、W、X、Y、Z五種元素原子序數(shù)依次增大,故Y為N,故Z為O,M只形成一個(gè)單鍵,M為H,X為C,則W為B。A.由分析可知,X、Y的氫化物分別為:CH4和NH3,由于NH3存在分子間氫鍵,故氫化物沸點(diǎn):,A錯(cuò)誤;B.根據(jù)同一周期從左往右主族元素的原子半徑依次減小,同一主族從上往下依次增大,故原子半徑:,B錯(cuò)誤;C.根據(jù)同一周期從左往右元素的第一電離能呈增大趨勢,IIA與IIIA,VA與VIA反常,故第一電離能:,C錯(cuò)誤;D.該物質(zhì)的構(gòu)成微粒為陰陽離子,為離子化合物,D正確;故選D。9.DA.氧化鈣是離子晶體,熔化時(shí)所克服的粒子間作用力為離子鍵,二氧化硅是原子晶體,熔化時(shí)所克服的粒子間作用力為共價(jià)鍵,兩者所克服的粒子間作用力不同,故A錯(cuò)誤;B.鈉是金屬晶體,受熱熔化時(shí)所克服的粒子間作用力為金屬鍵,硫是分子晶體,受熱熔化時(shí)所克服的粒子間作用力為分子間作用力,兩者所克服的粒子間作用力不同,故B錯(cuò)誤;C.氯化鈉是離子晶體,溶于水時(shí)所克服的粒子間作用力為離子鍵,氯化氫是分子晶體,溶于水時(shí)所克服的粒子間作用力為共價(jià)鍵,兩者所克服的粒子間作用力不同,故C錯(cuò)誤;D.碘和干冰都是分子晶體,升華時(shí)所克服的粒子間作用力都為分子間作用力,兩者所克服的粒子間作用力完全相同,故D正確;故選D。10.BA.根據(jù)均攤原則,該晶胞中含有的金屬原子數(shù)目為,故A正確;B.原子半徑為r,則底面邊長為2r,則1、2、3、4原子形成正四面體的高為,晶胞的高為正四面體的高的2倍,則晶胞的高為,故B錯(cuò)誤;C.圖1結(jié)構(gòu)可分割為3個(gè)圖2所示的3個(gè)晶胞,故C正確;D.該晶胞中含有2個(gè)原子,2個(gè)原子的體積為,晶胞的體積為,空間利用率為=,故D正確;選B。11.DA.2p和3p軌道形狀均為啞鈴形,但二者位于不同的能層,3p軌道的能量高于2p,A錯(cuò)誤;B.金屬離子的電荷越多、半徑越小,金屬鍵越強(qiáng),熔點(diǎn)越高,B錯(cuò)誤;C.石墨屬于層狀結(jié)構(gòu)晶體,每層石墨原子間為共價(jià)鍵,層與層之間為分子間作用力,金剛石只含有共價(jià)鍵,因而石墨轉(zhuǎn)化為金剛石既有共價(jià)鍵的斷裂和生成,也有分子間作用力的破壞,C錯(cuò)誤;D.DNA分子的兩條長鏈中的堿基以氫鍵互補(bǔ)配對形成雙螺旋結(jié)構(gòu),DNA復(fù)制時(shí),在有關(guān)酶的作用下,兩條鏈的配對堿基之間的氫鍵斷裂,堿基暴露出來,形成了兩條模板鏈,以半保留的方式進(jìn)行復(fù)制,使遺傳信息得以精準(zhǔn)復(fù)制,D正確;綜上所述答案為D。12.CA.組成金屬的粒子是金屬陽離子和自由電子,A錯(cuò)誤;B.分子間作用力與分子穩(wěn)定性無關(guān),B錯(cuò)誤;C.離子晶體由離子構(gòu)成,因此一定含離子鍵,分子晶體由分子構(gòu)成,一定不含離子鍵,C正確;D.SiO2晶體中每個(gè)硅原子與4個(gè)氧原子以共價(jià)鍵相結(jié)合,D錯(cuò)誤;選C。13.
Al
已知AlCr2具有體心四方結(jié)構(gòu),如圖所示,黑球個(gè)數(shù)為,白球個(gè)數(shù)為,結(jié)合化學(xué)式AlCr2可知,白球?yàn)镃r,黑球?yàn)锳l,即處于頂角位置的是Al原子。設(shè)Cr和Al原子半徑分別為rCr和rAl,則金屬原子的體積為,故金屬原子空間占有率=%。14.
6
1由題意可知,只有成環(huán)的配位鍵才能起到螯合作用,再結(jié)合題給結(jié)構(gòu)可知中的2個(gè)O原子和C、N雜環(huán)上的4個(gè)N原子通過螯合作用與形成配位鍵,故該配合物中通過螯合作用形成配位鍵;中N原子價(jià)電子對數(shù)為3+0=3,中N原子價(jià)電子對數(shù)為2+1=3,C、N雜環(huán)上的4個(gè)N原子價(jià)電子對數(shù)為3,故該配合物中N原子均采取雜化,即N的雜化方式有1種。故答案為:6;1。15.
6
3d54s2
球形
N>C>Mn
sp3
V型
N原子半徑較小,不能容納較多的原子軌道,故不能形成H3NO4
分子
6
(1)原子核外電子運(yùn)動(dòng)狀態(tài)和該原子的核外電子數(shù)相等,原子序數(shù)為27的錳元素基態(tài)原子的外圍電子排布式為3d54s2,據(jù)此可以得出錳元素在周期表中的位置是第四周期第ⅤⅡB族,能量最高的電子是4s2電子,4s電子的電子云輪廓圖為球形;(2)電負(fù)性是金屬性與非金屬性定量描述的一個(gè)物理量,元素的非金屬性越強(qiáng),往往其電負(fù)性越大,根據(jù)元素周期表中元素非金屬性(或電負(fù)性)的遞變規(guī)律,同周期從左到右元素電負(fù)性增大;(3)HSCH2CH2NH2分子中,C形成4個(gè)共價(jià)鍵,它們價(jià)層電子對數(shù)為4對,其雜化方式為sp3,在-NH2中N有兩個(gè)單鍵,一對孤對電子和一個(gè)單電子,因?yàn)閱坞娮右残枰加靡粋€(gè)軌道,所以N的價(jià)層電子對數(shù)依然可以視為4對,其雜化方式也為sp3,考慮配位原子只有兩個(gè)H,所以其空間構(gòu)型為平面三角形,N和P為同族元素,其價(jià)層電子數(shù)相同,通常情況下其成鍵方式相同,但是由于N原子半徑小于P,N原子周圍空間無法容納4個(gè)氧原子成鍵;(4)題目信息,Pb(CH2CH3)4是一種難電離且易溶于有機(jī)溶劑的配合物,可知其晶體類型為分子晶體,這一點(diǎn)也可以從Pb(CH2CH3)4晶體的堆積方式得到結(jié)論,Pb(CH2CH3)4晶體堆積方式為六方密堆積,所以在xy平面上的二維堆積中也采取二維最密堆積即配位數(shù)為6,由堆積圖可知每個(gè)晶胞中包含2個(gè)Pb(CH2CH3)4分子,所以每一個(gè)晶胞的質(zhì)量為g,再結(jié)合晶胞參數(shù),長方體的棱邊長度,計(jì)算得到晶胞的體積為cm3,則Pb(CH2CH3)4晶體的密度=。(1)碳原子核外電子排布為1s22s22p2,核外電子的空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)有6種,原子序數(shù)為27的錳元素基態(tài)原子的外圍電子排布式為3d54s2,據(jù)此可以得出錳元素在周期表中的位置是第四周期第ⅤⅡB族,能量最高的電子是4s2電子,值得注意的是,教材上提供的構(gòu)造原理是原子填充順序規(guī)則,并不代表電子的能量高低,在金屬元素的原子中,最易失去的電子才是該原子能量最高的電子,4s電子的電子云輪廓圖為球形,故答案為:6;3d54s2;球形;(2)電負(fù)性是金屬性與非金屬性定量描述的一個(gè)物理量,元素的非金屬性越強(qiáng),往往其電負(fù)性越大,根據(jù)元素周期表中元素非金屬性(或電負(fù)性)的遞變規(guī)律,同周期從左到右元素電負(fù)性增大,可以得到電負(fù)性大小為N大于C,而Mn為金屬元素,其電負(fù)性小于非金屬性,N、C和Mn三種元素的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)椋篘、C、Mn,故答案為:N、C、Mn;(3)HSCH2CH2NH2分子中,C形成4個(gè)共價(jià)鍵,它們價(jià)層電子對數(shù)為4對,其雜化方式為sp3,在-NH2中N有兩個(gè)單鍵,一對孤對電子和一個(gè)單電子,因?yàn)閱坞娮右残枰加靡粋€(gè)軌道,所以N的價(jià)層電子對數(shù)依然可以視為4對,其雜化方式也為sp3,考慮配位原子只有兩個(gè)H,所以其空間構(gòu)型為平面三角形,N和P為同族元素,其價(jià)層電子數(shù)相同,通常情況下其成鍵方式相同,但是由于N原子半徑小于P,N原子周圍空間無法容納4個(gè)氧原子成鍵,所以在其最高價(jià)含氧酸中,前者為一元酸后者為三元酸,或說H3NO4分子會因?yàn)镹原子半徑小,無法容納4個(gè)氧原子成鍵,要脫去一個(gè)水分子,以HNO3形式存在,故答案為:sp3;平面三角形;N和P為同族元素,其價(jià)層電子數(shù)相同,通常情況下其成鍵方式相同,但是由于N原子半徑小于P,N原子周圍空間無法容納4個(gè)氧原子成鍵,所以在其最高價(jià)含氧酸中,前者為一元酸后者為三元酸,或說H3NO4分子會因?yàn)镹原子半徑小,無法容納4個(gè)氧原子成鍵,要脫去一個(gè)水分子,以HNO3形式存在;(4)題目信息,Pb(CH2CH3)4是一種難電離且易溶于有機(jī)溶劑的配合物,可知其晶體類型為分子晶體,這一點(diǎn)也可以從Pb(CH2CH3)4晶體的堆積方式得到結(jié)論,Pb(CH2CH3)4晶體堆積方式為六方密堆積,所以在xy平面上的二維堆積中也采取二維最密堆積即配位數(shù)為6,A分子的坐標(biāo)參數(shù)為()由堆積圖可知每個(gè)晶胞中包含2個(gè)Pb(CH2CH3)4分子,所以每一個(gè)晶胞的質(zhì)量為g,再結(jié)合晶胞參數(shù),可以得到晶胞的體積為cm3,則Pb(CH2CH3)4晶體的密度是g·cm-3,故答案為:分子;6;。16.(1)D(2)3(3)
直線形
發(fā)射(4)N的原子半徑比P小、電負(fù)性比P大,使得NH3分子中共用電子對之間的距離比PH3分子中近、斥力大(5)
孤電子對
sp3(1)基態(tài)氮原子的能量最低,能量越高的軌道中電子個(gè)數(shù)越多,原子能量越高,依據(jù)圖示可知,A為基態(tài)原子,能量最低,B、C、D為激發(fā)態(tài)原子,而D中能量較高的軌道中電子數(shù)最多,所以能量最高。(2)同一周期主族元素從左向右第一電離能呈增大趨勢,第IIA、VA族元素為全充滿或半充滿的穩(wěn)定狀態(tài),第一電離能比同周期相鄰元素第一電離能大,因此第二周期主族元素中,第一電離能在B和N之間的元素有Be、C、O三種元素。(3)NaN3的陰離子為,其中心原子價(jià)層電子對數(shù)為2+=2,無孤對電子,采取sp雜化,空間構(gòu)型為直線形;電子從激發(fā)態(tài)躍遷到低能級,以光的形式釋放能量,Na在空氣中燃燒發(fā)出黃色火焰用光譜儀攝取的光譜為發(fā)射光譜。(4)NH3、PH3的中心原子均采取sp3雜化,N的電負(fù)性比P大、原子半徑比P小,N原子對鍵合電子的吸引能力更強(qiáng),因而NH3分子中成鍵電子對間的距離較近、斥力較大,NH3的鍵角比PH3的鍵角大。(5)B原子形成3個(gè)B-H鍵,B原子有空軌道,氨分子中N原子有1個(gè)孤電子對,B與N之間形成配位鍵,氮原子提供孤電子對,硼原子提供空軌道;在BH3·NH3中B原子形成3個(gè)B-H鍵,還形成1個(gè)配位鍵,雜化軌道數(shù)目為4,采取sp3雜化。17.(1)4(2)(3)4(4)(1,,)(5)
(6)【解析】(1)鋁的晶胞是面心立方最密堆積,用“均攤法”,1個(gè)晶胞中Al原子的數(shù)目為8×+6×=4;答案為:4。(2)Al的原子半徑為dcm,則該晶胞的邊長為dcm,晶胞的體積為d3cm3,Al的摩爾質(zhì)量為Mg/mol,晶胞的質(zhì)量為g,該晶體的密度為g÷(d3cm3)=g/cm3;答案為:。(3)用“均攤法”,1個(gè)晶胞中含Zn:8×+6×=4,S:4,Zn與S的個(gè)數(shù)比為1:1,化學(xué)式為ZnS;由晶胞可知S的配位數(shù)為4,則Zn的配位數(shù)為4;答案為:4。(4)已知原子坐標(biāo)參數(shù)a為(0,0,0);b為(,0,);c為(,,0),結(jié)合晶胞圖,d的坐標(biāo)參數(shù)為(1,,);答案為:(1,,)。(5)根據(jù)(3),晶胞的質(zhì)量為g,晶胞的密度為ρg/cm3,晶胞的體積為cm3,則晶胞的邊長為cm,則x為×1010pm;陰陽離子間最短的距離為體對角線的,則陰陽離子間最短的距離為××1010pm;答案為:×1010;××1010。(6)已知Zn和S的原子半徑分別為rZnpm和rSpm,結(jié)合(3),晶胞中原子的體積為4×()pm3;晶胞的體積為x3pm3,則該晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為;答案為:。18.
2
(1)①根據(jù)氧化亞銅的化學(xué)式和晶胞結(jié)構(gòu)分析,在該晶胞中,每個(gè)O2-和4個(gè)Cu+相連,每個(gè)Cu+和2個(gè)O2-相連,故Cu+的配位數(shù)是2;②根據(jù)氧化亞銅的晶胞結(jié)構(gòu)可知,晶胞的質(zhì)量為,若該晶胞的邊長為,則晶胞的體積為,則的密度為;(2)砷化鎵晶體中最近的砷和鎵原子的核間距為晶胞體對角線長的,則晶胞的棱長為,每個(gè)晶胞中含有4個(gè)砷原子和4個(gè)鎵原子,所以密度表達(dá)式為;(3)①根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)可知,C處Li的原子坐標(biāo)參數(shù)為;②該晶胞中Li、As、Zn原子的個(gè)數(shù)都為4,根據(jù)化學(xué)式可知該晶體的密度;(4)由題圖可知銅晶胞中含有的銅原子數(shù)目為。若已知銅元素的原子半徑為dcm,則由圖丙知,其晶胞的面對角線長是4dcm,所以晶胞的邊長是,則該晶體的密度;(5)①根據(jù)均攤法,儲氫后晶胞中La的個(gè)數(shù)為,Ni的個(gè)數(shù)為,H的個(gè)數(shù)為,因此該儲氫化合物的化學(xué)式為;②根據(jù)密度的定義,晶胞的質(zhì)量為,體積為,密度為。19.
6
根據(jù)方程式進(jìn)行計(jì)算,的配位數(shù)為6,經(jīng)測定得出該配合物內(nèi)界和外界含有的個(gè)數(shù)之比為1:1,內(nèi)界含有1個(gè)氯離子和5個(gè)水分子,由此確定化學(xué)式。(1)根據(jù)方程式進(jìn)行計(jì)算:則,解得。故答案為:6;(2)中的配位數(shù)為6,由題意知該配合物的內(nèi)界和外界各有1個(gè)氯離子,則內(nèi)界含有1個(gè)氯離子和5個(gè)水分子,外界含有1個(gè)氯離子和1個(gè)結(jié)晶水,故該配合物的化學(xué)式可表示為。故答案為:。20.(1)d→e→f→g→b→c(或c→b)→h→i(2)平衡氣壓,便于濃鹽酸順利流下(3)飽和食鹽水(4)吸收,防止空氣中水蒸氣進(jìn)入B中(5)
A裝置用高錳酸鉀與濃鹽酸反應(yīng)制取氯氣,生成的氯氣中含有HCl與水蒸氣,先用飽和食鹽水除去HCl,再用濃硫酸干燥氯氣,干燥的氯氣進(jìn)入B中與鉻反應(yīng)生成,因易吸水,因此在B裝置后應(yīng)接一個(gè)盛有堿石灰的干燥管,用于除去過量氯氣同時(shí)防止空氣中的水蒸汽進(jìn)入B中,影響產(chǎn)物,據(jù)此分析解答。(1)由以上分析可知各管口的連接順序?yàn)閍→d→e→f→g→b→c(或c→b)→h→i,故答案為:d→e→f→g→b→c(或c→b)→h→i;(2)裝置A中橡皮管可以連接分液漏斗與錐形瓶,可以起到平衡分液漏斗與錐形瓶內(nèi)壓強(qiáng),便于濃鹽酸順利流入錐形瓶,故答案為:平衡氣壓,便于濃鹽酸順利流下;(3)裝置C中的試劑X應(yīng)盛放飽和食鹽水,用于除去氯氣中的HCl,故答案為:飽和食鹽水;(4)由以上分析可知裝置D中盛放堿石灰的作用為吸收,防止空氣中水蒸氣進(jìn)入B中,故答案為:吸收,防止空氣中水蒸氣進(jìn)入B中;(5)由化學(xué)式可知中心原子為Cr,其化合價(jià)為+3,,該配合物的中心微粒為,1mol該配合物中含有6molH2O,1molH2O中含有2mol鍵,6mol水中含12mol鍵,同時(shí)配合離子中含有6mol配位鍵,配位鍵屬于鍵,1mol該配合物中共含有18mol鍵,個(gè)數(shù)為18NA,故答案為:;;21.(1)
濃HCl
KClO3+6HCl(濃)=KCl+3Cl2↑+3H2O(2)P2O5或硅膠(3)
SiC+2Cl2C+SiCl4
逐漸變低
SiC為共價(jià)晶體,SiCl4為分子晶體,共價(jià)晶體的熔點(diǎn)高于分子晶體,所以SiC熔點(diǎn)遠(yuǎn)高于SiCl4(4)
除去Cl2和SiCl4,回收氬氣
NaClO、Na2SiO3由實(shí)驗(yàn)裝置圖可知,儀器a為分液漏斗,分液漏斗中盛有的試劑為濃鹽酸,圓底燒瓶A中氯酸鉀與濃鹽酸反應(yīng)制備氯氣,濃鹽酸具有揮發(fā)性,制得的氯氣中混有氯化氫和水蒸氣,裝置B中盛有的飽和食鹽水用于除去氯化氫氣體,裝置C中盛有的五氧化二磷或硅膠用于干燥氯氣,裝置E中氯氣在氬氣氛圍中與碳化硅高溫條件下反應(yīng)生成碳和四氯化硅,裝置F中盛有的氫氧化鈉溶液用于吸收未反應(yīng)的氯氣和生成的四氯化硅,氣球用于回收氬氣。(1)由分析可知,儀器a為分液漏斗,分液漏斗中盛有的試劑為濃鹽酸,圓底燒瓶A中發(fā)生的反應(yīng)為氯酸鉀與濃鹽酸反應(yīng)生成氯化鉀、氯氣和水,反應(yīng)的化學(xué)方程式為KClO3+6HCl(濃)=KCl+3Cl2↑+3H2O,故答案為
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