2010級微電子工藝學試卷參

華技大學2012—2013學年第二學—二三四—二三四

(×濃度都可以與襯底不同，增加了微電子器件和電路工藝的靈活性。(√)1頁共4四三二一、、、、試考姓密卷生名封印在、線刷答學內不題號不清前不準楚應許答。先涂題可將改。舉姓，訂手名否向、則監(jiān)學試考號卷教、無師年效詢級。問和訂線。班線。

裝裝(220分1、1946年1月，Bell正式成立由Schokley，Bardeen和Schottky等人組成的半導體研究小組，Bardeen提出了表面態(tài)理論，Schokley給出了實現(xiàn)放大器的基本設想，Schotteky設計了實驗。1947年12月23日，他們第一次觀測到了具有放大作用的晶體管。(×)2、1918年布理(Bridgman)發(fā)明了一種液態(tài)——固態(tài)單晶生長的技術(提拉法)，其主要原理是應用于大部分單晶硅的生長。(×)硅網(wǎng)絡就越疏松。(×)淺結(shaIlowjunction)，如MOSFET中的漏極與源極。(×)

精度(registration)與產(chǎn)率(throughput)度；而產(chǎn)率則是對一給定的掩模版，單位時間內能完成的晶片數(shù)量。(×)8×)9×)10CMOS電路都有寄生雙極型晶體管所引起的閂鎖問題。消除閂鎖效應的方法：在輕摻雜閂鎖問題的工藝技術是淺溝槽。(×)二、在給出的選項中選擇一個正確的序號填在題后括號中。(220分 A.薄膜條形電 B.薄膜螺旋形電C.厚膜螺旋形電 D.厚膜條形電(2、大部分用于IC的雙極型晶體管為 (A.p-n-p；n-p- B.p-n-n；n-p- D.n-p-n；p-n-

C.溝道長 D.柵極—源極耦合電6、制作一個n溝道MOSFET，其起始材料為p型、輕摻雜(約1015cm-3)、<100>晶向、拋光的硅晶 A.界面陷阱密 B.氧化層固定電C.可移動離子電 D.氧化層勢阱電裝7、調整n溝道MOSFET(NMOS)的閾值電壓通常是通過注入雜質到溝道區(qū)域來實現(xiàn)的。對一個增強型n溝道的器件而言，注 裝3、在n-p-n雙極型晶體管的基本制作程序的方法中，器件之間用其周圍的 來。(

盡型n溝道器件而言，注 來A.硼離子，砷離 B.砷離子，硼離來A.氧化層，n+-p結(埋層 B.氧化層，p+-n結(埋層C.n+-p結(埋層)，氧化 D.p+-n結(埋層)，氧化

四三二一、、、、試考姓密卷生名封印在、線刷答學內

C.砷離子，砷離 D.硼離子，硼離、在 清前不準楚應許答 A.粗造 B.可以增加粘附力可將改。舉姓，向、則監(jiān)學 的先進技術。 )考號教、師年

C.可以減少粘附力 D.平坦訂訂A.雙多晶硅層，多晶硅填滿溝 B.雙非晶硅層，非晶硅填滿溝C.雙多晶硅層，非晶硅填滿溝 D.雙非晶硅層，多晶硅填滿溝

詢級。問和。班寫

和PMOS的參數(shù)，使CMOS達到最佳性能；采阱，使NMOS和PMOS的距離可以更近， 指定 。 A.閾值電 B.溝道電

A.減弱自摻雜效 B.減弱橫向氧化效方線內 C.減弱寄生閂鎖效 D.降低源極與漏極產(chǎn)生穿通(punch-through)的幾線內。場，抑制短溝MOSFET熱載流子效應，一般采用 。(D)A.深溝槽技 B.淺深溝槽技C.局部氧化技 D.漏端輕摻雜(LDD)技三、回答下列問題(525分1、簡要描述雙阱BiCMOS

子本領造成的能量損失SE相同。B、PAs的質量依次增加，它們的射2頁共4

答：一般雙阱BiCMOSpb.c.d.ep阱離子注入；f.光刻有源區(qū)，場注入；g.集電極磷離子注入；h.本征基區(qū)硼離子注入；i.多晶硅淀積，砷注入；j.漏端輕摻雜(LDD)；k.柵氧化物側墻，NMOS源漏重摻雜；l.PMOS源漏重摻雜，非本征基區(qū)注入；m.有源區(qū)雜質再分布；n.最后進行器B、PAs以相同能量注入硅中后，其射程分布各有何特點，原因是什么？(圖中下標N

Al-Si-Cu合金以防止合金化(即裝裝3頁共3頁共4

四、計算題(35分四三二一、、、、試考姓密卷生名封印在、線刷答學內不題號不清前不準楚應許答。先涂題可將改。舉姓，

訂載流子激活(即雜質激活)所需溫度比載流子和遷移率恢復所需溫度低是因訂

1、(10分)0.5μmSiO20.5μmlcm1μm，電阻率為10-5Ω?cm。試計算其RC時間常數(shù)。如果換成相同尺寸的多晶硅導線(Rs=30Ω/□)，則RC時間常數(shù)為多少?已知SiO2的相對介電常數(shù)為3.9。解：鋁導線的RC手名否

向、則

d監(jiān)學試考號卷教、無師年效詢級。問和。班級

200069.031014RCRCW在W在 d定d

L A 30

169.031014 線 5、試描述LOCOS技術的缺點及淺溝槽技術的優(yōu)點線內。答：

104207RCRC150淺溝槽技術的優(yōu)點：(1)可以得到平坦的表面；(2)不需要高溫和比較長的氧化裝2、(13)a)b)假設二氧化硅厚度和刻蝕速率均有3%的偏差，需要多大的過刻蝕量(表示為時間的百分數(shù))，才能0.5m()b3nm裝解：(a)

于[0.531/rox]/[0.5/rox]=1.0618，即需要6.18%的過刻蝕量。0.5×0.97=0.485(m)；二氧化硅層最快腐蝕速率為1.03rox(m/min)，0.485/1.03rox=0.471/rox(min)硅襯底在腐蝕液中的時間為二氧化硅層總腐蝕時間[即(b)中計算得出的roxmin]0.531/rox—0.471/rox=0.06/rox(min)。我們希望硅被腐蝕掉的厚度小于或等于3nm即0.003(m)，則：因此，二氧化硅對硅的刻蝕選擇性為：rox/rSi=rox/(0.05×rox)rox/rSi20:13nm四三二一、、、、試考姓密卷生名封第印在、線

蝕速率不題號不清前不準楚應許答。先涂題可將改。舉姓，手名否向、則監(jiān)學試

過刻蝕應保證情況下刻掉所有二氧化硅層。所謂情況是指厚度最厚和訂0.5×1.03=0.515(m)，最慢腐蝕速率=0.97rox(m/min)。因此在情況下的腐蝕時間=x/r=0.515/0.97r=0.531/r(min)。訂

的峰值濃度1017cm-3，而SiO2/Si界面處的濃度為1015cm-3。假定SiO2對磷離子的本領和硅相考號卷教、無師年效詢級。問和。班

Rp曲線(左)和標準偏差ΔRp曲線(右)如下圖所示，400keVRp和標準偏差ΔRp200keV

Q

解：Cx