大尺寸amoled面板設(shè)計(jì)電源布線以及檢測修復(fù)0617改

大尺寸AMOLED面板設(shè)計(jì)DesignoflargeAMOLEDpanel產(chǎn)品設(shè)計(jì)部AMOLED電源布線及檢測修復(fù)技術(shù)Part1AMOLED電源布線設(shè)計(jì)目錄CONTENTS1電源布線在OLED面板顯示中的作用及影響2電源布線設(shè)計(jì)方式1LCDTV與OLEDTV像素電路的差異目錄CONTENTS1電源布線在OLED面板顯示中的作用及影響2電源布線設(shè)計(jì)方式1LCDTV與OLEDTV像素電路的差異LCDTV與OLEDTV像素電路的差異AMOLEDTVPixelCircuitLCDTVPixelCircuitCstClcCstOLEDVDDScanDataScanDataSwitchTFTSwitchTFTDrivingTFTVSS目錄CONTENTS1電源布線在OLED面板顯示中的作用及影響2電源布線設(shè)計(jì)方式1LCDTV與OLEDTV像素電路的差異VDD/VSS電源訊號線作用PowerDesign

VDD：像素內(nèi)高電位訊號線；VSS：像素內(nèi)低電位訊號線；VDD/VSS電壓差滿足驅(qū)動TFTT2工作在飽和區(qū)；頂發(fā)射產(chǎn)品：需要添加輔助陰極設(shè)計(jì)，減小電阻，優(yōu)化VDD&VSS設(shè)計(jì)，降低VDD/VSSIRDrop；3T1CVDD/VSS電源訊號線影響IRDrop起因IVDDRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRIVSSRRRRVSS:VDD:LargeSizeVSS

IR-Drop顯著增加TopEmissionT/E透明陰極Rs高，VSSIR-Drop嚴(yán)重IRDrop危害危害一：U%<80%危害二：功耗高目錄CONTENTS1電源布線在OLED面板顯示中的作用及影響2電源布線設(shè)計(jì)方式1LCDTV與OLEDTV像素電路的差異電源訊號線設(shè)計(jì)設(shè)計(jì)四周電源輸入兩邊電源輸入單邊電源輸入示意圖說明IRDrop改善效果最優(yōu)IRDrop改善效果中IRDrop改善效果較差COF&FPC提供電源SourceCOF提供地側(cè)電源FPC

提供天側(cè)電源SourceCOF提供地側(cè)電源----LGBETV(2016)JOLED21.6inchTE(2019)LGBETV(2017---)VDDVSSVDDVSSVDDVSSVDDVSS顯示區(qū)域顯示區(qū)域VDDVSS顯示區(qū)域VDDVSSVDDVSSVDD電源訊號線設(shè)計(jì)項(xiàng)目LG88”8KBELG55”透明FHDTECSOT31inchTE示意圖說明面內(nèi)VDDmeshDesign，降低大尺寸VDDIR-drop和功耗面內(nèi)VDDlineDesign天地側(cè)均連接Busline（防止斷線引發(fā)不良）VDD地側(cè)COFpin輸入（1對4pixel）VDD天地側(cè)COFpin輸入（1對1pixel）VSS電源訊號線設(shè)計(jì)項(xiàng)目LG88”8KBELG55”透明FHDTECSOT31inchTE示意圖說明VSS采用常規(guī)梯形搭接區(qū)設(shè)計(jì)VSS首次采用Undercur輔助陰極設(shè)計(jì)（T/E降低IR-drop）VSS采用（Undercut/ET改善/LaserDrill）輔助陰極設(shè)計(jì)VSS地側(cè)Bypass輸入至31個梯形搭接區(qū)與面陰極相連VSS地側(cè)Bypass輸入至11個梯形搭接區(qū)與面陰極相連VSS天地側(cè)Bypasspin輸入地側(cè)無Busline，天側(cè)設(shè)計(jì)busline面內(nèi)Undercut輔助陰極接觸孔與面陰極連接面內(nèi)輔助陰極接觸孔通過Undercut/ET改善/LaserDrill與面陰極連接------輔助陰極走線天地側(cè)連接Busline，且地側(cè)通過搭接區(qū)與面陰極連接面內(nèi)輔助陰極、四周buslien、面陰極三者搭接像素輔助陰極設(shè)計(jì)方式設(shè)計(jì)類型ET接觸電阻改善LaserDrillUndercutting制程工藝Layout（示例）說明設(shè)計(jì)在發(fā)光區(qū)域外側(cè)只能針對無ET/薄ET結(jié)構(gòu)IJP器件做改善其開口區(qū)域受限于機(jī)臺能力需購買機(jī)臺，會產(chǎn)生particle影響良率設(shè)計(jì)在發(fā)光區(qū)域外側(cè)增加Mask數(shù)量，工藝均一性待改善GlasssubstrateITO(50nm)/Ag(140nm)/ITO(15nmtop)OrganicBankTHK=1.5umLaser激光照射吸收能量材料升華輔助陰極LaserdrillholeUndercuttingholePart2AMOLED檢測修復(fù)設(shè)計(jì)目錄CONTENTS1OLED工藝流程簡介2檢測修復(fù)在OLED工藝流程中的分布以及檢測原理目錄CONTENTS1OLED工藝流程簡介2檢測修復(fù)在OLED工藝流程中的分布以及檢測原理OLED檢測修復(fù)設(shè)計(jì)OLEDPanel制造流程：Array:在玻璃基板上形成TFT電路、像素電極以及必要的引線和各種標(biāo)記EL:打印(蒸鍍)RGB墨水以及Common層，Cathode層，并和Cover進(jìn)行封裝對組Encap:將打印后的基板和Cover，進(jìn)行對組，封裝將Covere涂膠后與打印后的Array基板對組CoverBEOL:通過CTPad或者Bondinglid進(jìn)行點(diǎn)燈測試并修復(fù)MOD:COFBonding,薄化等工藝目錄CONTENTS1OLED工藝流程簡介2檢測修復(fù)在OLED工藝流程中的分布以及檢測原理OLED檢測修復(fù)設(shè)計(jì)Arrayprocess的檢測修復(fù)站點(diǎn)金屬層：PEP-3金屬層：PEP-6絕緣層有機(jī)層：PEP-13PIMetallayer：PEP-1絕緣層金屬層：PEP-2金屬層：PEP-11有機(jī)層：PEP-12金屬層：PEP-7絕緣層開孔有機(jī)層：PEP-9絕緣層開孔：PEP-10金屬層：PEP-8絕緣層開孔：PEP-4絕緣層開孔：PEP-5VV

VVVVVV

VVVVOSTFLRVV

VVVVILCOpen,ShortTest:每一道金屬后檢測Open,ShortFinalLaserRepair:激光修補(bǔ)

V（全檢）ATInlineLaserCVD說明：Arrayprocess包含檢測站點(diǎn)：OST,ATFLR,ILC,修補(bǔ)站點(diǎn)；每個金屬站點(diǎn)均存在OST檢測站點(diǎn)，OST后跟隨ILC站點(diǎn)；REP在SiO

PR后,主要防止LaserCVD會導(dǎo)致Metal氧化；ArrayArrayTestArray檢測修復(fù)EL檢測修復(fù)Encap檢測修復(fù)BEOL檢測修復(fù)OLED檢測修復(fù)設(shè)計(jì)Arrayprocess的檢測修復(fù)站點(diǎn)---OST設(shè)備檢查DefectSampling周期檢查原理斷線/短線檢測機(jī)OST金屬的線缺陷:斷線/短線(Open/Short)OST屬于面板制程的前段制程檢測,偵測到的open/shortdefects可用ILC進(jìn)行修補(bǔ)，對產(chǎn)品良率(yield)有重大貢獻(xiàn)。100%探頭檢測斷線位置的電壓變化，通過計(jì)算電性定位，傳輸?shù)脚恼諗z像頭，進(jìn)行光學(xué)定位檢測原理：MoveShortNGpointVoltageLevelupShortNGpointVoltageLevelupShortNGpointVoltageLevelupOutputVoltageLevel步驟一：非接觸式探頭偵查缺陷步驟二:DefectPositionSearchArray檢測修復(fù)EL檢測修復(fù)Encap檢測修復(fù)BEOL檢測修復(fù)OLED檢測修復(fù)設(shè)計(jì)Arrayprocess的檢測修復(fù)站點(diǎn)---

Repair:ILC設(shè)備檢查Defect檢查原理斷線修補(bǔ)機(jī)ILC/FLC對斷線類defect修補(bǔ)鎢修補(bǔ)：光分解和熱分解反應(yīng)分解成膜材料W(CO)6，形成鎢沉積在玻璃基板上(金屬修補(bǔ))Agink修補(bǔ)：inkprint方式涂在玻璃基板上，再使用鐳射燒結(jié)使之固化(金屬修補(bǔ))鎢修補(bǔ)AginkILC修補(bǔ)原理：鎢修補(bǔ)：光分解和熱分解反應(yīng)分解成膜材料W(CO)6，形成鎢沉積在玻璃基板上。阻值（200~800歐姆）波動較大；Agink修補(bǔ)：inkprint方式涂在玻璃基板上，再使用鐳射燒結(jié)使之固化，阻值較小（30歐姆左右）。Array檢測修復(fù)EL檢測修復(fù)Encap檢測修復(fù)BEOL檢測修復(fù)OLED檢測修復(fù)設(shè)計(jì)Arrayprocess的檢測修復(fù)站點(diǎn)---AT設(shè)備檢查DefectSampling周期檢查原理電性測試檢查機(jī)ATSTFT制程完成后測pixel電壓值100%通過shortingbar對AA區(qū)pixel進(jìn)行加電，偵測每個Pixel電極的電壓大小，再轉(zhuǎn)化成光學(xué)信號，來判斷和檢出缺陷;廠內(nèi)有兩種TAATS設(shè)備，區(qū)別在于偵測Pixel電極電壓方式不同。G0G1G2G3Cst888828888888shortingbarAT設(shè)備原理奧寶設(shè)備檢測原理Array檢測修復(fù)EL檢測修復(fù)Encap檢測修復(fù)BEOL檢測修復(fù)OLED檢測修復(fù)設(shè)計(jì)Arrayprocess的檢測修復(fù)站點(diǎn)---ATShorting

bar把信號輸入到玻璃基板上E-beam直接打到每個pixel電極上Detect

unit接收二次電子分析出pixel的實(shí)際電壓值LowGoodHighElectronbeamSecondaryelectronsVoltageISEIBSEIPUSU1Us：Pixel表面電壓IP: 初始電子ISE: 二次電子IBSE: 反射電子AKT設(shè)備檢測原理Array檢測修復(fù)EL檢測修復(fù)Encap檢測修復(fù)BEOL檢測修復(fù)OLED檢測修復(fù)設(shè)計(jì)EL&Encapprocess的檢測修復(fù)站點(diǎn)----修復(fù)站點(diǎn)：P-AgingEL&EncapArray檢測修復(fù)EL檢測修復(fù)Encap檢測修復(fù)BEOL檢測修復(fù)OLED檢測修復(fù)設(shè)計(jì)BEOLprocess的檢測修復(fù)站點(diǎn)---RAging對組后進(jìn)行RAgingArray檢測修復(fù)E